JPS59201432A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JPS59201432A JPS59201432A JP58076533A JP7653383A JPS59201432A JP S59201432 A JPS59201432 A JP S59201432A JP 58076533 A JP58076533 A JP 58076533A JP 7653383 A JP7653383 A JP 7653383A JP S59201432 A JPS59201432 A JP S59201432A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- adhesive
- pellet
- stage
- bonding agent
- semiconductor chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/013—Manufacture or treatment of die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/011—Apparatus therefor
- H10W72/0113—Apparatus for manufacturing die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
- H10W72/07331—Connecting techniques
- H10W72/07337—Connecting techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone or epoxy
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/30—Die-attach connectors
- H10W72/351—Materials of die-attach connectors
- H10W72/353—Materials of die-attach connectors not comprising solid metals or solid metalloids, e.g. ceramics
- H10W72/354—Materials of die-attach connectors not comprising solid metals or solid metalloids, e.g. ceramics comprising polymers
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ）発明の技術分野
本発明はセラミック基板又はリードフレーム等のダイス
テージに半導体チップを接着固定するダイボンデング方
法に関する７ （ｂ）技術の背景 通常ダイボンデにより半導体テップを固定するには導電
性金属例えｉ−金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）・銅（Ｃｕ）
等の金卿微粉末勿バインダー溶解したものが用いられ
る。バインダー材は使用法によりエポキシ系又はポリイ
ミド系等の樹脂が一般的に用いられ、有機溶剤（醋酸ブ
チル、ｆ’）ガール等）に溶解させる。接着剤は高い粘
性があり、塗布方法として接着剤を充填したシリンジ容
器内を圧気供給調節機（（接続して、圧気により一定量
の接着剤を吐出させるディスペンス方式が一般的で主流
をなしている１、 （ｃ）従来技術と問題点 第１図はディスペンス方式のダイポンチング装置を示す
構成図、第２図＋ｄ ｌ）−ドフレームのダイステージ
上に接着剤を塗布した縦来例を示す平面図、第３図ｉｄ
ｌ）−上フレーム上に半導体チップを接着固定した従
来例を示す断面図である。図において接着剤２を充填し
たンリンジ容器３をパイプ４を介して圧気供給調節機５
に接続し、一定圧のエアをシリンジ容器３内に送圧して
接着剤２の液面を加圧し、一定圧の溶液をシリンジ容器
２の先端に取１寸け、化ノスル６より吐出させるタ゛イ
ボンテング装置１でるって、第２図に示すリード７レー
ｌ、７・乞）ダイステージ８上に吐出させるものである
グイステージ８上の接着剤２は高粘性のため図のよう；
・、二もり上る。この接着溶液上（・て半導体チップ９
を加圧しフクラプしてＳ液を十坦化きぜ、第３図に示す
よう１１ζ均一な膜厚となるよう半固定し、常温１便化
又１ｄ加熱俊化ｅてより固定する し刀・しこの方法は
接着剤２の膜厚？均一化し、また吐出量のコン；・ロー
ルが容易でなく、接着域から溶液がはみ出したり、半導
体チップ９の側面まて付′着することがある。一般に用
いられるエポキシ系接着剤は冷凍久存し、使用時常温に
戻して使用するためこれに伴う設備及び保管管理が必要
である。
テージに半導体チップを接着固定するダイボンデング方
法に関する７ （ｂ）技術の背景 通常ダイボンデにより半導体テップを固定するには導電
性金属例えｉ−金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）・銅（Ｃｕ）
等の金卿微粉末勿バインダー溶解したものが用いられ
る。バインダー材は使用法によりエポキシ系又はポリイ
ミド系等の樹脂が一般的に用いられ、有機溶剤（醋酸ブ
チル、ｆ’）ガール等）に溶解させる。接着剤は高い粘
性があり、塗布方法として接着剤を充填したシリンジ容
器内を圧気供給調節機（（接続して、圧気により一定量
の接着剤を吐出させるディスペンス方式が一般的で主流
をなしている１、 （ｃ）従来技術と問題点 第１図はディスペンス方式のダイポンチング装置を示す
構成図、第２図＋ｄ ｌ）−ドフレームのダイステージ
上に接着剤を塗布した縦来例を示す平面図、第３図ｉｄ
ｌ）−上フレーム上に半導体チップを接着固定した従
来例を示す断面図である。図において接着剤２を充填し
たンリンジ容器３をパイプ４を介して圧気供給調節機５
に接続し、一定圧のエアをシリンジ容器３内に送圧して
接着剤２の液面を加圧し、一定圧の溶液をシリンジ容器
２の先端に取１寸け、化ノスル６より吐出させるタ゛イ
ボンテング装置１でるって、第２図に示すリード７レー
ｌ、７・乞）ダイステージ８上に吐出させるものである
グイステージ８上の接着剤２は高粘性のため図のよう；
・、二もり上る。この接着溶液上（・て半導体チップ９
を加圧しフクラプしてＳ液を十坦化きぜ、第３図に示す
よう１１ζ均一な膜厚となるよう半固定し、常温１便化
又１ｄ加熱俊化ｅてより固定する し刀・しこの方法は
接着剤２の膜厚？均一化し、また吐出量のコン；・ロー
ルが容易でなく、接着域から溶液がはみ出したり、半導
体チップ９の側面まて付′着することがある。一般に用
いられるエポキシ系接着剤は冷凍久存し、使用時常温に
戻して使用するためこれに伴う設備及び保管管理が必要
である。
（ｄ）発明の目的
不発８Ｅｌは上記の点に鑑み、仮硬化によりべＶット状
ｌこ形成する接着剤を用いて接着固定する固定手段？提
供し、ダイポツプフグ処理の効率化を計ることを目的と
する。。
ｌこ形成する接着剤を用いて接着固定する固定手段？提
供し、ダイポツプフグ処理の効率化を計ることを目的と
する。。
（ｅ） 発明の構成
上記目的は本発明によれは半導体チンプマウント用接着
剤を仮硬化してペレット状どし、該ペレット状の接着剤
をステージ上に配置し、該接着剤上に半導体チップを載
置して加圧すると共に、該接着剤を本硬化させて該ステ
ージに接着固定することによって達せられる。
剤を仮硬化してペレット状どし、該ペレット状の接着剤
をステージ上に配置し、該接着剤上に半導体チップを載
置して加圧すると共に、該接着剤を本硬化させて該ステ
ージに接着固定することによって達せられる。
＋ｆ＞ 発明の実施例
以下本発明の実施例を図面により詳述する。第４図は本
発明の一実施例であるペレット状に形成する接着剤を示
す斜視図、第５図はチップ毎に分離して形成されるペレ
ットを示す平面図、第６図はペレット状の接着剤をダイ
ステージ上に配した平面図である。粘性のるる導電性接
着剤の溶液を上面が開口する容器内に充填し、仮硬化さ
せて固形化し、ベレン）１１状に個々に切断分離する。
発明の一実施例であるペレット状に形成する接着剤を示
す斜視図、第５図はチップ毎に分離して形成されるペレ
ットを示す平面図、第６図はペレット状の接着剤をダイ
ステージ上に配した平面図である。粘性のるる導電性接
着剤の溶液を上面が開口する容器内に充填し、仮硬化さ
せて固形化し、ベレン）１１状に個々に切断分離する。
導電性接着剤の組成は生成分（約８０チ）をなす導電性
金属微粉末をバインダー材に溶解して得られる。バイン
ダー材としてエポキシ、ポリイミド及び変性ポリイミド
があり、溶剤として醋酸ブチル、トリオール等を用いこ
れ等を組合せて使用条件に合せて構成することにより常
温硬化、又は加熱硬化する接着溶剤が倚られる。加熱硬
化する接着溶剤のうち、高温硬化性の組成を選び例えは
ポリイミド系は３００’〜３５０ ’０ エポキシ系
は１５０゜〜２００ ’０等に添加剤を加え、仮硬化温
度をポリイミド系では１５０’Ｏ前後、エポキシ系では
７００前後で固形化しく第４図）更に第５図に示すよう
に切離してペレット１１を形成する。この寸法形状は任
意に求めることができしかも常温保存が可能である。ベ
レｙ ） １１’７第７図で示すダイステージ１２上に
載置し、加熱し本硬化させると共に半導体チップ全加圧
し接着固定するものである。
金属微粉末をバインダー材に溶解して得られる。バイン
ダー材としてエポキシ、ポリイミド及び変性ポリイミド
があり、溶剤として醋酸ブチル、トリオール等を用いこ
れ等を組合せて使用条件に合せて構成することにより常
温硬化、又は加熱硬化する接着溶剤が倚られる。加熱硬
化する接着溶剤のうち、高温硬化性の組成を選び例えは
ポリイミド系は３００’〜３５０ ’０ エポキシ系
は１５０゜〜２００ ’０等に添加剤を加え、仮硬化温
度をポリイミド系では１５０’Ｏ前後、エポキシ系では
７００前後で固形化しく第４図）更に第５図に示すよう
に切離してペレット１１を形成する。この寸法形状は任
意に求めることができしかも常温保存が可能である。ベ
レｙ ） １１’７第７図で示すダイステージ１２上に
載置し、加熱し本硬化させると共に半導体チップ全加圧
し接着固定するものである。
その具体例を第７図に示す。
第７図は本発明の一実施例であるリードフレーム上に接
着固定する半導体チップを示す断面図である。リードフ
レーム１４のステージ１２にペレット１１を載置し、こ
のペレット１１上に半導体チップ１３を加圧し、背面よ
りヒートグロック１５等で加熱し本硬化させる。しかる
後、半導体チップを封脂蘂で封止する。これにより一定
量に形成されたベレッ）１１により均一な膜厚でマウン
トされる。これにより従来のダイポンチング装置による
塗布工程（は不要となり簡素化される。またペレットの
寸法形状は任意に求められるから形状サイズの異なる半
導体チップにも適応でき膜厚コントロールも容易である
。
着固定する半導体チップを示す断面図である。リードフ
レーム１４のステージ１２にペレット１１を載置し、こ
のペレット１１上に半導体チップ１３を加圧し、背面よ
りヒートグロック１５等で加熱し本硬化させる。しかる
後、半導体チップを封脂蘂で封止する。これにより一定
量に形成されたベレッ）１１により均一な膜厚でマウン
トされる。これにより従来のダイポンチング装置による
塗布工程（は不要となり簡素化される。またペレットの
寸法形状は任意に求められるから形状サイズの異なる半
導体チップにも適応でき膜厚コントロールも容易である
。
拘、上記の説明ではリードフレームを用いる半導体装置
を例にとって説明したが、これに限らすパッケージ基体
に半導体ナツプを直接固定する場合にも本発明は適用し
うろことはいうまでもない。
を例にとって説明したが、これに限らすパッケージ基体
に半導体ナツプを直接固定する場合にも本発明は適用し
うろことはいうまでもない。
（→）発明の効果
以上詳細に説明したように本発明のペレット状とした接
着剤を用いることにより塗布工程は不要となり簡素化さ
れ、膜厚は均一となり信頼性は向上する等大きな効果が
ある。
着剤を用いることにより塗布工程は不要となり簡素化さ
れ、膜厚は均一となり信頼性は向上する等大きな効果が
ある。
第１図はディスペンス方式のダイボンデング装置を示す
構成図、第２図はリードフレームのグイステージ上に接
着剤を塗布した従来例を示す平面図、第３図はり一ド７
レーム上に半導体チップを接着面５ｒｉＬ、７ζ従来例
を示う断面図、第４図は本発明の一実施例であるベレッ
ト状に形成する接着剤を示す斜視図、第５図はチップ毎
に分離して形成いオしるベレットをポラ一平面図、第６
図ｔ；１、ペレット状の接着剤を・ダイスデージ上ＶＣ
配した平面図、第７図は本発明の一実施例でりゐリード
フレーム上に接着固定する半導体チップ缶水す断面図で
ある。 図中１はダイポンチング装置、２は接着剤、３はノリン
ジ各器、４はパイプ、５は圧気供給調節機６ｉｄノズル
、７，１４はリードフレーム、８，１２はダイステージ
、９，１３は半導体チップ、１１はペレット（接着剤）
、１５はヒートブロックを示す。 第１図 第３図 翻（も５２
構成図、第２図はリードフレームのグイステージ上に接
着剤を塗布した従来例を示す平面図、第３図はり一ド７
レーム上に半導体チップを接着面５ｒｉＬ、７ζ従来例
を示う断面図、第４図は本発明の一実施例であるベレッ
ト状に形成する接着剤を示す斜視図、第５図はチップ毎
に分離して形成いオしるベレットをポラ一平面図、第６
図ｔ；１、ペレット状の接着剤を・ダイスデージ上ＶＣ
配した平面図、第７図は本発明の一実施例でりゐリード
フレーム上に接着固定する半導体チップ缶水す断面図で
ある。 図中１はダイポンチング装置、２は接着剤、３はノリン
ジ各器、４はパイプ、５は圧気供給調節機６ｉｄノズル
、７，１４はリードフレーム、８，１２はダイステージ
、９，１３は半導体チップ、１１はペレット（接着剤）
、１５はヒートブロックを示す。 第１図 第３図 翻（も５２
Claims (2)
- （１）半導体チップがステージ上にペレット状のマウン
ト用接着剤によって固定されていることを特徴とする半
導体装置。 - （２）半導体チップマウント用接着剤を仮硬化し７てペ
レット状とし、上記ペレット状の接着剤疋ステージ上に
配催し、該接着剤上に上記半導体チップを載置して加圧
すると共に、該接着剤を本硬化させて該ステージに一接
着固定する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58076533A JPS59201432A (ja) | 1983-04-30 | 1983-04-30 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58076533A JPS59201432A (ja) | 1983-04-30 | 1983-04-30 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59201432A true JPS59201432A (ja) | 1984-11-15 |
Family
ID=13607910
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58076533A Pending JPS59201432A (ja) | 1983-04-30 | 1983-04-30 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59201432A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55130134A (en) * | 1979-03-30 | 1980-10-08 | Hitachi Ltd | Bonding method of semiconductor pellet |
-
1983
- 1983-04-30 JP JP58076533A patent/JPS59201432A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55130134A (en) * | 1979-03-30 | 1980-10-08 | Hitachi Ltd | Bonding method of semiconductor pellet |
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