JPH0226377B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0226377B2 JPH0226377B2 JP58076537A JP7653783A JPH0226377B2 JP H0226377 B2 JPH0226377 B2 JP H0226377B2 JP 58076537 A JP58076537 A JP 58076537A JP 7653783 A JP7653783 A JP 7653783A JP H0226377 B2 JPH0226377 B2 JP H0226377B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- adhesive
- recess
- semiconductor element
- die stage
- conductive adhesive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/013—Manufacture or treatment of die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/411—Chip-supporting parts, e.g. die pads
- H10W70/417—Bonding materials between chips and die pads
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/011—Apparatus therefor
- H10W72/0113—Apparatus for manufacturing die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明は接着剤により半導体素子をダイステー
ジに接着固定する半導体装置の製造方法に係り、
特に半導体素子の接着固定接着剤の膜厚均一化を
計つたダイステージ形状及び固定方法に関する。
ジに接着固定する半導体装置の製造方法に係り、
特に半導体素子の接着固定接着剤の膜厚均一化を
計つたダイステージ形状及び固定方法に関する。
(b) 技術の背景
半導体パツケージは安価なコスト面からリード
フレームを使用したプラスチツクパツケージが多
用されている。一般にリードフレームのダイステ
ージに半導体素子を固定するのに導電性金属粉末
をエポキシ又はポリイミド樹脂等のバインダー材
に溶解したペースト状の導電性接着剤を用いて熱
硬化又は常温硬化させる。接着剤は高粘性があり
塗布方法には接着剤を充填した容器を圧気供給調
節機に接続し、圧気により一定量の接着剤を吐出
させるデイスペンス方式が一般に用いられ主流を
なしている。
フレームを使用したプラスチツクパツケージが多
用されている。一般にリードフレームのダイステ
ージに半導体素子を固定するのに導電性金属粉末
をエポキシ又はポリイミド樹脂等のバインダー材
に溶解したペースト状の導電性接着剤を用いて熱
硬化又は常温硬化させる。接着剤は高粘性があり
塗布方法には接着剤を充填した容器を圧気供給調
節機に接続し、圧気により一定量の接着剤を吐出
させるデイスペンス方式が一般に用いられ主流を
なしている。
(c) 従来技術と問題点
第１図はデイスペンス方式のダイボンデング装
置を示す構成図、第２図はリードフレームのダイ
ステージ上に導電性接着剤を塗布した従来例を示
す平面図、第３図はリードフレーム上に半導体素
子を接着固定した従来例を示す断面図である。
置を示す構成図、第２図はリードフレームのダイ
ステージ上に導電性接着剤を塗布した従来例を示
す平面図、第３図はリードフレーム上に半導体素
子を接着固定した従来例を示す断面図である。
第１図において、導電性接着剤２を充填したシ
リンジ容器１は送気用パイプ４を介して圧気供給
調節機３に連結される。圧気供給調節機３により
一定圧のエアをシリンジ容器１内に送圧して導電
性接着剤２の液面２ａを加圧し、一定量の粘性あ
る導電性接着剤２をシリンジ容器１の先端に取付
けたノズル５より吐出させ第２図で示すリードフ
レーム７のダイステージ８上に塗布させるもので
ある。塗布した導電性接着剤２は高粘性のため拡
散されず図のようにもり上る。この上に半導体素
子９を加圧しスクラブして導電性接着剤２を平坦
化し第３図に示すように均一な膜厚となるよう半
固定し、常温硬化又は加熱硬化により固定する。
しかしこの方法では半導体素子９を固定するのに
加圧しスクラブして導電性接着剤２を平坦化させ
る必要があり、作業性が悪く、場合によつては半
導体素子９に傾きを生じワイヤボンデング等の後
工程に支障を来すことがある。
リンジ容器１は送気用パイプ４を介して圧気供給
調節機３に連結される。圧気供給調節機３により
一定圧のエアをシリンジ容器１内に送圧して導電
性接着剤２の液面２ａを加圧し、一定量の粘性あ
る導電性接着剤２をシリンジ容器１の先端に取付
けたノズル５より吐出させ第２図で示すリードフ
レーム７のダイステージ８上に塗布させるもので
ある。塗布した導電性接着剤２は高粘性のため拡
散されず図のようにもり上る。この上に半導体素
子９を加圧しスクラブして導電性接着剤２を平坦
化し第３図に示すように均一な膜厚となるよう半
固定し、常温硬化又は加熱硬化により固定する。
しかしこの方法では半導体素子９を固定するのに
加圧しスクラブして導電性接着剤２を平坦化させ
る必要があり、作業性が悪く、場合によつては半
導体素子９に傾きを生じワイヤボンデング等の後
工程に支障を来すことがある。
(d) 発明の目的
本発明は上記の点に鑑み、半導体素子を接着剤
でダイステージに固定する際の半導体素子のスク
ラブを不要とした半導体装置の製造方法を提供し
作業能率を向上させることを目的とする。
でダイステージに固定する際の半導体素子のスク
ラブを不要とした半導体装置の製造方法を提供し
作業能率を向上させることを目的とする。
(e) 発明の構成
上記目的は本発明によれば、凹部及び、該凹部
の周囲に部分的に接続された溝が形成されたダイ
ステージ上に、接着剤の吐出ノズルの先端に備え
られ下面が平坦な押え板を押しあて、該押え板と
吐出ノズルにより、該凹部を覆い、且つ、該溝を
部分的に覆わない状態で該吐出ノズルから液体状
の接着剤を吐出して、該凹部内に該接着剤を充填
し、次に、該凹部内に充填された該接着剤に半導
体素子を押圧して接着固定することにより達せら
れる。
の周囲に部分的に接続された溝が形成されたダイ
ステージ上に、接着剤の吐出ノズルの先端に備え
られ下面が平坦な押え板を押しあて、該押え板と
吐出ノズルにより、該凹部を覆い、且つ、該溝を
部分的に覆わない状態で該吐出ノズルから液体状
の接着剤を吐出して、該凹部内に該接着剤を充填
し、次に、該凹部内に充填された該接着剤に半導
体素子を押圧して接着固定することにより達せら
れる。
(f) 発明の実施例
以下本発明の実施例を図面により詳述する。第
４図は本発明の一実施例に係るダイステージに凹
状の窪み及び溝を設けたリードフレームを示す平
面図、第５図、第６図は第４図のＡ−A′部を示
す断面図であり、第５図はダイステージ上に導電
性接着剤を塗布する状態を示す図、第６図は半導
体素子取付を示す図である。
４図は本発明の一実施例に係るダイステージに凹
状の窪み及び溝を設けたリードフレームを示す平
面図、第５図、第６図は第４図のＡ−A′部を示
す断面図であり、第５図はダイステージ上に導電
性接着剤を塗布する状態を示す図、第６図は半導
体素子取付を示す図である。
図においてリードフレーム１１のダイステージ
１２に破線で示す窪み１２ａと周辺に浅い溝１３
をコイニング等により一体的に形成する。このダ
イステージ１２の窪み１２ａにシリンジ容器先端
のノズルに備えた平板状の押え板１４を押しあて
第５図に示すように一定量の半導体接着剤を吐出
させ、窪み１２ａ内に充填させる。充填に際し周
辺に備えた溝１３は気通孔となり窪み１２ａ内の
空気を排出し充填効果を高める。次いで第６図に
示すように一定量の導電性接着剤１５を充填した
ダイステージ１２上に平坦に保持した半導体素子
１６を押圧して載置することにより接着剤は均一
な膜厚となる。しかる後、半導体素子は樹脂封止
される。このような取付構造とすることにより従
来のようなスクラブ固定は不要となり作業は簡素
化される。
１２に破線で示す窪み１２ａと周辺に浅い溝１３
をコイニング等により一体的に形成する。このダ
イステージ１２の窪み１２ａにシリンジ容器先端
のノズルに備えた平板状の押え板１４を押しあて
第５図に示すように一定量の半導体接着剤を吐出
させ、窪み１２ａ内に充填させる。充填に際し周
辺に備えた溝１３は気通孔となり窪み１２ａ内の
空気を排出し充填効果を高める。次いで第６図に
示すように一定量の導電性接着剤１５を充填した
ダイステージ１２上に平坦に保持した半導体素子
１６を押圧して載置することにより接着剤は均一
な膜厚となる。しかる後、半導体素子は樹脂封止
される。このような取付構造とすることにより従
来のようなスクラブ固定は不要となり作業は簡素
化される。
(g) 発明の効果
以上詳細に説明したように本発明によれば、均
一な膜厚で接着剤を塗布できるので従来の様な半
導体素子のスクラブは不要となり、作業能率が向
上する。
一な膜厚で接着剤を塗布できるので従来の様な半
導体素子のスクラブは不要となり、作業能率が向
上する。
第１図はデイスペンス方式のダイボンデング装
置を示す構成図、第２図はリードフレームのダイ
ステージ上に導電性接着剤を塗布した従来例を示
す平面図、第３図はリードフレーム上に半導体素
子を接着固定した従来例を示す断面図、第４図は
本発明の一実施例に係るダイステージに凹状の窪
み、及び溝を設けたリードフレームを示す平面図
第５図、第６図は第４図のＡ−A′部を示す断面
図であり、第５図はダイステージ上に導電性接着
剤を塗布した状態を示す図、第６図は半導体素子
を取付けた状態を示す図である。図中１１……リ
ードフレーム、１２……ダイステージ、１３……
溝、１４……押え板、１５……導電性接着剤、１
６……半導体素子、１２ａ……凹状窪み。
置を示す構成図、第２図はリードフレームのダイ
ステージ上に導電性接着剤を塗布した従来例を示
す平面図、第３図はリードフレーム上に半導体素
子を接着固定した従来例を示す断面図、第４図は
本発明の一実施例に係るダイステージに凹状の窪
み、及び溝を設けたリードフレームを示す平面図
第５図、第６図は第４図のＡ−A′部を示す断面
図であり、第５図はダイステージ上に導電性接着
剤を塗布した状態を示す図、第６図は半導体素子
を取付けた状態を示す図である。図中１１……リ
ードフレーム、１２……ダイステージ、１３……
溝、１４……押え板、１５……導電性接着剤、１
６……半導体素子、１２ａ……凹状窪み。
Claims (1)
- １ 凹部及び、該凹部の周囲に部分的に接続され
た溝が形成されたダイステージ上に、接着剤の吐
出ノズルの先端に備えられ下面が平坦な押え板を
押しあて、該押え板と吐出ノズルにより、該凹部
を覆い、且つ、該溝を部分的に覆わない状態で該
吐出ノズルから液体状の接着剤を吐出して、該凹
部内に該接着剤を充填し、次に、該凹部内に充填
された該接着剤に半導体素子を押圧して接着固定
することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58076537A JPS59201433A (ja) | 1983-04-30 | 1983-04-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58076537A JPS59201433A (ja) | 1983-04-30 | 1983-04-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59201433A JPS59201433A (ja) | 1984-11-15 |
| JPH0226377B2 true JPH0226377B2 (ja) | 1990-06-08 |
Family
ID=13608014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58076537A Granted JPS59201433A (ja) | 1983-04-30 | 1983-04-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59201433A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0511740U (ja) * | 1991-07-23 | 1993-02-12 | 東洋電機製造株式会社 | 電圧抑制回路 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014013848A1 (ja) * | 2012-07-19 | 2014-01-23 | 日産自動車株式会社 | 半導体装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51121461U (ja) * | 1975-03-22 | 1976-10-01 | ||
| JPS5684356U (ja) * | 1979-11-29 | 1981-07-07 | ||
| JPS5844858U (ja) * | 1981-09-21 | 1983-03-25 | 日本電気株式会社 | リ−ドフレ−ム |
-
1983
- 1983-04-30 JP JP58076537A patent/JPS59201433A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0511740U (ja) * | 1991-07-23 | 1993-02-12 | 東洋電機製造株式会社 | 電圧抑制回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59201433A (ja) | 1984-11-15 |
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