JPS5887834A - 半導体装置の樹脂封止方法 - Google Patents
半導体装置の樹脂封止方法Info
- Publication number
- JPS5887834A JPS5887834A JP56186339A JP18633981A JPS5887834A JP S5887834 A JPS5887834 A JP S5887834A JP 56186339 A JP56186339 A JP 56186339A JP 18633981 A JP18633981 A JP 18633981A JP S5887834 A JPS5887834 A JP S5887834A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sealing
- resin material
- semiconductor device
- resin
- circuit substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は腕時計ケース内部に実装されろＬＳＩ等の半
導体装置の樹脂封止方法に関する。
導体装置の樹脂封止方法に関する。
従来、腕時計等に実装されろＬＳＩ等の半導体装置（Ｉ
Ｃチップ）を回路基板にボンデングした後、これを樹脂
封止する場合、固形の樹脂ペレットを封止部分にセット
し、加熱溶融することでポツテングする方式のもの、あ
るいは数体樹脂をディスペンサ又はスクリーン印刷によ
り塗布することで封止する方式がある。
Ｃチップ）を回路基板にボンデングした後、これを樹脂
封止する場合、固形の樹脂ペレットを封止部分にセット
し、加熱溶融することでポツテングする方式のもの、あ
るいは数体樹脂をディスペンサ又はスクリーン印刷によ
り塗布することで封止する方式がある。
しかし、上記固形ペレットを用（・ろ方式は、封止用の
樹脂が加熱により溶けて液状となったとき、その液状体
の制御か不可能となるため、液状体が半導体装置の封止
部分外に流れ出たり、ある（・は溶けた樹脂量が凸状に
盛上がったりして実装設計上の条件を満足し得なくなる
ほか、封止樹脂材が盛上がって基板表面より突■した場
合、半導体装置が厚くなり、時計の薄型化及び小型イヒ
に支障を来たすことになる。
樹脂が加熱により溶けて液状となったとき、その液状体
の制御か不可能となるため、液状体が半導体装置の封止
部分外に流れ出たり、ある（・は溶けた樹脂量が凸状に
盛上がったりして実装設計上の条件を満足し得なくなる
ほか、封止樹脂材が盛上がって基板表面より突■した場
合、半導体装置が厚くなり、時計の薄型化及び小型イヒ
に支障を来たすことになる。
筐だ、後者の液状樹脂ケ用（・石場合は、ディスペンサ
にしろ、スクリーン印刷にしても封止に用（・られる樹
脂量の制御が困難となるとともｆ、ディスペンサ、スク
リーン印刷といった補助器具の保守管理が必要となり、
かつ封止作栗も煩雑となる。
にしろ、スクリーン印刷にしても封止に用（・られる樹
脂量の制御が困難となるとともｆ、ディスペンサ、スク
リーン印刷といった補助器具の保守管理が必要となり、
かつ封止作栗も煩雑となる。
即ち上記従来の両方式は、樹）］１１浴作ｒ時の制御が
不可能であるために半導体装置の樹脂封止が不完全にな
り、かつ外部回路パターンｔｉ１１への封止樹脂のはみ
出しが生じて樹脂封止に不良が発生し、製品の歩留りも
低下する欠点が夛】つた。
不可能であるために半導体装置の樹脂封止が不完全にな
り、かつ外部回路パターンｔｉ１１への封止樹脂のはみ
出しが生じて樹脂封止に不良が発生し、製品の歩留りも
低下する欠点が夛】つた。
この発明は上記従来の問題点をが１決したもので、溶解
された封止樹脂の制佃［を簡単ｉ、ｒ 、、に程で可能
にし、これにより半導体封止が完全で歩留り良く、かつ
信頼性の高（・半導体装１＆の＠・ｌ ＪＩＦＦ刊止方
法止方法するにある。
された封止樹脂の制佃［を簡単ｉ、ｒ 、、に程で可能
にし、これにより半導体封止が完全で歩留り良く、かつ
信頼性の高（・半導体装１＆の＠・ｌ ＪＩＦＦ刊止方
法止方法するにある。
このために本発明方法は、テープキャリヤ一方式で連続
するテープ状回路基板に実装された半導体装置の封止部
分π封止用（ヤ１脂拐をセットし、この樹脂材をグリキ
ュアした後、当該イロ１脂材を含む回路基板上に薄膜フ
イルムケ槓市し、この薄膜フィルムπ所足の押圧力を句
力した状た１３で一ヒ記封止用樹脂材を本キュアするよ
うしたものである。
するテープ状回路基板に実装された半導体装置の封止部
分π封止用（ヤ１脂拐をセットし、この樹脂材をグリキ
ュアした後、当該イロ１脂材を含む回路基板上に薄膜フ
イルムケ槓市し、この薄膜フィルムπ所足の押圧力を句
力した状た１３で一ヒ記封止用樹脂材を本キュアするよ
うしたものである。
以下、この発明にかかる半導体装１？！ｔの樹１１？ｒ
封ＩＦ方法の実施例を第１図から第５図に７＋ｔｊ ｌ
、・て説明する。
封ＩＦ方法の実施例を第１図から第５図に７＋ｔｊ ｌ
、・て説明する。
第１図はテープキャリヤ一方式によりＬＳＩ等の半導体
装置を実装した封止前の半導体装置の状態を示すもので
、■は連続するテープ状の回路基板であり、この回路基
板ｌの一方の面には外部回路パターン（図示せす）が形
成され、そして半導体装置２を実装する位置にはデバイ
ス穴３が回路基板ｌの長手方向に沿って所望のピッチで
穿設されて（・石とともに、回路基板ｌからは穴３内に
回ばて複数のリード線４か延長され、このリード線４を
上記半導体装置２の電源用及び入出力用端子にボンデン
グすることによって半導体装ｖ２をテープ状回路基板１
に実装するようになって（・ろ。
装置を実装した封止前の半導体装置の状態を示すもので
、■は連続するテープ状の回路基板であり、この回路基
板ｌの一方の面には外部回路パターン（図示せす）が形
成され、そして半導体装置２を実装する位置にはデバイ
ス穴３が回路基板ｌの長手方向に沿って所望のピッチで
穿設されて（・石とともに、回路基板ｌからは穴３内に
回ばて複数のリード線４か延長され、このリード線４を
上記半導体装置２の電源用及び入出力用端子にボンデン
グすることによって半導体装ｖ２をテープ状回路基板１
に実装するようになって（・ろ。
このように実装された半導体装置２を樹脂封止する場合
は、−１ニーｆ、第２図ａに示すようπ封止に必要な予
め決められた体積のベレット状の封止用樹脂材５を、封
止されろ半導体装置２のボンデング器上πセットする。
は、−１ニーｆ、第２図ａに示すようπ封止に必要な予
め決められた体積のベレット状の封止用樹脂材５を、封
止されろ半導体装置２のボンデング器上πセットする。
しかる後、樹脂材５の浴融温度より低い温度でプリキュ
ア、即ち予備溶融する。このときの樹脂材５は第２図す
のようになる。
ア、即ち予備溶融する。このときの樹脂材５は第２図す
のようになる。
その後、テフロンシート（５０μｒｎ＋）等からなる耐
熱、非接層性のテープ状の薄膜フィルム６を回路基板ｌ
の外部回路パターン形成１１１１１ （封止樹脂材セッ
ト側）に回路基板１の長手方向に沿って配置し、そして
第３図ａＶｃ示す如くその一端１１＋１１から所定のテ
ンションを与えた状態で回路基極ｌと一体にリール７ｖ
ｃ巻き取る。このようにリール７に巻き取られろことに
より薄）俣フィルム６は第３図ｂｌｃ示す如くプリキュ
アされた樹脂ＡＡ’ ５及び穴３を閉基するよう回路基
板ｌＫ密対されることになる。
熱、非接層性のテープ状の薄膜フィルム６を回路基板ｌ
の外部回路パターン形成１１１１１ （封止樹脂材セッ
ト側）に回路基板１の長手方向に沿って配置し、そして
第３図ａＶｃ示す如くその一端１１＋１１から所定のテ
ンションを与えた状態で回路基極ｌと一体にリール７ｖ
ｃ巻き取る。このようにリール７に巻き取られろことに
より薄）俣フィルム６は第３図ｂｌｃ示す如くプリキュ
アされた樹脂ＡＡ’ ５及び穴３を閉基するよう回路基
板ｌＫ密対されることになる。
次にリール７に半導体装１ｔ２を実装した′ｆ、牙巻き
取られた回路基板ｌを樹脂材５の溶融温度で本キュアし
、該封止用榛１ｊ財拐５を浴融する。このとき、薄膜フ
ィルム６は第３図ｂＶｃ示すように樹脂封止面に密着さ
れ、しかも所定のテンションが与えられているため、溶
融した樹脂材５は第４図ａに示す如く薄膜フィルム６と
半導体装置２及び穴３の内壁で囲まれた空間全体に押込
ずれるとともに、第４図ｂ＃ｌｃ示す如く半導体装置２
と回路基板ｌの外部回路とを接続するリード＃！４も封
止されろことになる。ずだ、第４図の本キュア過程を経
て封止樹脂材５か硬化した後は、リール７Ｖｃ巻き取ら
れた回路基板１を引出して薄膜フィルム６のみを除去す
る。これにより樹脂封止の完了した半導体装置実装の回
路部品か第５図のように形成されることになる。この第
５図からも明らかなよう封止樹脂材５の外表面は回路基
板ｌの回路ノ々ターン側面とほぼ一致するフラットな面
となる。
取られた回路基板ｌを樹脂材５の溶融温度で本キュアし
、該封止用榛１ｊ財拐５を浴融する。このとき、薄膜フ
ィルム６は第３図ｂＶｃ示すように樹脂封止面に密着さ
れ、しかも所定のテンションが与えられているため、溶
融した樹脂材５は第４図ａに示す如く薄膜フィルム６と
半導体装置２及び穴３の内壁で囲まれた空間全体に押込
ずれるとともに、第４図ｂ＃ｌｃ示す如く半導体装置２
と回路基板ｌの外部回路とを接続するリード＃！４も封
止されろことになる。ずだ、第４図の本キュア過程を経
て封止樹脂材５か硬化した後は、リール７Ｖｃ巻き取ら
れた回路基板１を引出して薄膜フィルム６のみを除去す
る。これにより樹脂封止の完了した半導体装置実装の回
路部品か第５図のように形成されることになる。この第
５図からも明らかなよう封止樹脂材５の外表面は回路基
板ｌの回路ノ々ターン側面とほぼ一致するフラットな面
となる。
なお、上記実施例では、薄）模フィルム６を回路基板１
とともにリール７に巻き取ることによって溶融した封止
用樹脂材５に所定の押圧力を付与するようπしたが、こ
の方式に限らす、押圧手段により直接薄膜フィルム６の
上面側から押圧力を付与できるようにしても良（゛。
とともにリール７に巻き取ることによって溶融した封止
用樹脂材５に所定の押圧力を付与するようπしたが、こ
の方式に限らす、押圧手段により直接薄膜フィルム６の
上面側から押圧力を付与できるようにしても良（゛。
以上のようにこの発明方法によれば、本キュア時の封止
用樹脂材の制御を薄膜フィルムによって行うようにした
ので、従来のように浴融に伴う封止樹脂余分な外方への
突出がな（なり、このため、時計内実装時のレイアラと
も容易になり、しかも封止樹脂を半導体装置の必要封止
面及びデノくイス穴すべてに行き渡らせろことができ、
半導体装置の樹脂封止がより完全となって製品の信頼性
を同上できろ。また、薄）臭フィルＪ・で刊止笹１脂而
を押えろため、封止樹脂の盛」二がりがｌ、「＜なり半
導体装置を含めた回路部の薄型化、小型化が容易となる
。
用樹脂材の制御を薄膜フィルムによって行うようにした
ので、従来のように浴融に伴う封止樹脂余分な外方への
突出がな（なり、このため、時計内実装時のレイアラと
も容易になり、しかも封止樹脂を半導体装置の必要封止
面及びデノくイス穴すべてに行き渡らせろことができ、
半導体装置の樹脂封止がより完全となって製品の信頼性
を同上できろ。また、薄）臭フィルＪ・で刊止笹１脂而
を押えろため、封止樹脂の盛」二がりがｌ、「＜なり半
導体装置を含めた回路部の薄型化、小型化が容易となる
。
１ｆｉ１図はこの発明方法により責月１されろテープキ
ャリヤ方式で実装された半導体装置の断面図、第２図ａ
、ｂはこの発明方法ＶＣおけろＭｔ ＬＪＨ樹＋Ｉｉｒ
材をセットし、かつグリキュアをしたときの工程を示す
Ｋ［面図、第３図ａは同じくこの発明方法におけろ薄１
模フィルムと回路基板の巻さｌｉ■す工程を示す図、第
３図は同じくこの発明力Ｙ）、：πおけろ封止用樹脂材
と薄膜フィルノ・との関係を示す断面図、第４図ａ、ｂ
はこの発明方法における半轡体榛１に刊止部への封止樹
脂の状＠な示す断面図、第５図は樹脂封止完了の半導体
装置の断面図である。 ｌ・・・・・・回路基板、２・・・・・・半導体％ Ｉ
ｉ＆、３・・・・・・ディバイス穴、４・・・・・・リ
ード線、５・・・・・・Ｊ相ト用樹脂材、６・・・・・
・薄ｊ漠フィルム、７・・・・・・リール。 （１、パ− 手続補正書（方式） 昭和５７年４月２２日 特許庁長官 島 １）春 樹 殿 （特許庁審査官 殿）１、事件の表
示 昭和５６年 特 許 願第 １８６３３９ 号２、発
明の名称 半導体装置の樹脂封止方法 ３、補正をする者 事件との関係 特 許 出願人名称 （６
９３）リコ一時計株式会社４、代 理 人 ５、補正命令の日付 昭和５７年３月３０日発送日６
、補正の対象 （１）明細書の図面の簡単な説明の欄 とあるを「第３図すは同じく」と補正する。 １９０−
ャリヤ方式で実装された半導体装置の断面図、第２図ａ
、ｂはこの発明方法ＶＣおけろＭｔ ＬＪＨ樹＋Ｉｉｒ
材をセットし、かつグリキュアをしたときの工程を示す
Ｋ［面図、第３図ａは同じくこの発明方法におけろ薄１
模フィルムと回路基板の巻さｌｉ■す工程を示す図、第
３図は同じくこの発明力Ｙ）、：πおけろ封止用樹脂材
と薄膜フィルノ・との関係を示す断面図、第４図ａ、ｂ
はこの発明方法における半轡体榛１に刊止部への封止樹
脂の状＠な示す断面図、第５図は樹脂封止完了の半導体
装置の断面図である。 ｌ・・・・・・回路基板、２・・・・・・半導体％ Ｉ
ｉ＆、３・・・・・・ディバイス穴、４・・・・・・リ
ード線、５・・・・・・Ｊ相ト用樹脂材、６・・・・・
・薄ｊ漠フィルム、７・・・・・・リール。 （１、パ− 手続補正書（方式） 昭和５７年４月２２日 特許庁長官 島 １）春 樹 殿 （特許庁審査官 殿）１、事件の表
示 昭和５６年 特 許 願第 １８６３３９ 号２、発
明の名称 半導体装置の樹脂封止方法 ３、補正をする者 事件との関係 特 許 出願人名称 （６
９３）リコ一時計株式会社４、代 理 人 ５、補正命令の日付 昭和５７年３月３０日発送日６
、補正の対象 （１）明細書の図面の簡単な説明の欄 とあるを「第３図すは同じく」と補正する。 １９０−
Claims (2)
- （１）テープキャリヤ一方式で連続するテープ状回路基
板に実装された半導体装置の封止部分に封止用樹脂材を
セットし、この樹脂材をプリキュアした後、当該樹脂材
を含む上記回路基鈑上に薄膜フィルムを積重し、この薄
膜フィルムに所定の押圧力を付与した状伸で上記封止用
樹脂材を再び本キニアするようにしたことを特徴とする
半導体装置の樹脂封止方法。 - （２）上記薄膜フィルムが、耐熱、非接着性の部材から
得成されて（・ろことを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の半導体装置の樹脂封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56186339A JPS5887834A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | 半導体装置の樹脂封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56186339A JPS5887834A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | 半導体装置の樹脂封止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5887834A true JPS5887834A (ja) | 1983-05-25 |
Family
ID=16186615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56186339A Pending JPS5887834A (ja) | 1981-11-20 | 1981-11-20 | 半導体装置の樹脂封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5887834A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2561040A1 (fr) * | 1984-03-09 | 1985-09-13 | Lohja Ab Oy | Procede d'encapsulage de composants electroniques, montes sur une bande porteuse |
| JPH02119153A (ja) * | 1988-06-01 | 1990-05-07 | Hewlett Packard Co <Hp> | 集積回路用ボンディング方法 |
| JPH02191350A (ja) * | 1989-12-08 | 1990-07-27 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
| KR100435208B1 (ko) * | 1997-08-21 | 2004-07-16 | 삼성전자주식회사 | 칩 스케일 패키지의 제조장치 및 그 제조방법 |
-
1981
- 1981-11-20 JP JP56186339A patent/JPS5887834A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2561040A1 (fr) * | 1984-03-09 | 1985-09-13 | Lohja Ab Oy | Procede d'encapsulage de composants electroniques, montes sur une bande porteuse |
| JPH02119153A (ja) * | 1988-06-01 | 1990-05-07 | Hewlett Packard Co <Hp> | 集積回路用ボンディング方法 |
| JPH02191350A (ja) * | 1989-12-08 | 1990-07-27 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
| KR100435208B1 (ko) * | 1997-08-21 | 2004-07-16 | 삼성전자주식회사 | 칩 스케일 패키지의 제조장치 및 그 제조방법 |
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