JPS592058B2 - 記憶装置 - Google Patents

記憶装置

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JPS592058B2
JPS592058B2 JP4939777A JP4939777A JPS592058B2 JP S592058 B2 JPS592058 B2 JP S592058B2 JP 4939777 A JP4939777 A JP 4939777A JP 4939777 A JP4939777 A JP 4939777A JP S592058 B2 JPS592058 B2 JP S592058B2
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JP4939777A
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JPS53134336A (en
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務 保坂
勝治 堀口
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NTT Inc
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は多重制御方式をとる情報処理装置等において、
メモリアクセス衝突による処理能力低下を防止するため
の記憶装置に関するものである。
周知のように、情報処理装置において高い処理能力を得
る一つの方法に、複数個の中央制御装置に同一の仕事を
分担実行させるいわゆる多重制御方式がある。ところで
、この多重制後方式においては、複数個の中央制御装置
が同一のプログラム又はデータを頻繁に参照するため、
同一の主記憶装置に同時にアクセス要求を出して衝突を
生じ、その待合せ時間のために充分な処理能力が得られ
ない欠点があつた。この場合、プログラムの読出しに関
しては記憶装置を重複して設けることにより、衝突の問
題を解決できる。すなわち、各々の中央制御装置に専用
の記憶装置を接続し、これに必要なプログラムを蓄えて
おけばよい。しかし、データの授受に関しては、この方
法は使用できない。一方、複数個の中央制御装置を効率
良く運転し、同一の仕事を分担実行させるためには、そ
の各装置相互間で頻繁に情報交換を行う必要があり、何
等かの共用記憶装置が必要である。従つて、共用記憶装
置における衝突の問題は多重制御方式の有する本質的な
欠点であり、これを解決する必要がある。本発明は叙上
の事情に鑑みなされたもので、単一の記憶装置を読出し
命令と書込み命令を同時に実行できるように構成して、
多重制御方式をとる情報処理装置の効率向上を図ること
にある。
以下、図面により本発明の内容を詳細に説明する。第1
図は本発明による単一の記憶装置の一実施例を示したも
のである。第1図において、10が記憶装置であり、2
組の入力信号母線ABO,ABl、及び2組の出力信号
母線WBO,WBlが接続されている例である。本記憶
装置10は2組の入力信号母線ABO,ABlのいずれ
かに1個の命令が現れるとき、通常の記憶装置として動
作する。すなわち、単一の読出し命令が加えられたとき
には、その読出し番地を第1レジスタ(REGO)11
に蓄え、記憶本体部(M)13にアクセスして指定番地
のデータを記憶レジスタ(SR)14に読み出し、セレ
クタ(SEL)18を通して2組の出力信号母線WBO
,WBlの一方に送出する。入力及び出力信号母線は一
般に複数組あるが、第1図では2組のみ示してある。又
、単一の書込み命令が加えられると、同様にして11の
REGOに書込み番地と書込みデータを受信し、記憶本
体部13の該当番地へ書込みを行う。一方、本装置10
には第2レジスタ(REGl)12、連想メモリ(CA
M)15、バツフアレジスタ(BR)16、再書込み回
路(RW)17が具備され、読出し命令と書込み命令を
同時に受付けて動作することができる。
ただし、両命令の番地が全く同一のときは、以前に書込
まれてあつたデータを読出し結果として送出する。さて
、2組の入力信号母線ABOおよびABlを通して読出
し命令と書込み命令が同時に到来すると、まず読出し命
令を11のREGOに、又、書込み命令を12のREG
Iに蓄積する。
そして、REGOの内容に従つて記憶本体部13の該当
番地のデータをSRl4に読み出し、SELl8を通し
て出力する。同時に、12のREGlの内容により、書
込み指定番地情報をCAMl5に、又、書込むべきデー
タをバツフアレジスタBRl6に各々一時的に記憶する
。その後、本装置10に対して命令が全く到来しない空
きサイクル時間を利用し、再書込み回路(RW)17に
より、CAMl5に記憶されている書込み指定番地情報
を利用してBRl6の内容を記憶本体部13に書き込む
。再書込み終了後は、CAMl5及びBRl6内の該当
情報は消去される。ここで、ある読出し命令が到来した
時点で考えたとき、BRl6内に未書込みのデータが残
つている場合があり得る。従つて、読出し命令の処理の
際には、まずCAMl5を索引して、該当番地が未書込
みであるかを調べ、未書込みであれば、記憶本体部13
から読出された内容を無視して、BRl6内のデータの
方を読出し結果として、SELl8を通して送出する。
以上、第1図の構成をとることにより読出し命令と書込
み命令を同時に受付け、処理することができる。第2図
は第1図の記憶装置を用いた系構成例を示したもので、
記憶制御部(CONT)20、入力信号母線ABO,A
Bl,AB2、出力信号母線WBO,WBl,WB2、
記憶装置(MEM)100〜104から成つている。
入力及び出力信号母線は一般に複数組あり、ここでは3
組の例を示している。又、記憶装置の数は5台の例を示
し、その番号を#0〜0,#0−1,#1,#2,#3
で示してある。このうち、MEM#0−0とMEN#0
−1は2重化され、その内容は全く同一である場合を示
している。書込み命令が到来したとき、図の#0−0と
#0−1のような2重化された記憶装置100,101
には、その両方に同時に書込まれる。CONT2Oは図
示されていない複数個の中央制御装置からのアクセス要
求を受付けて制御を行う装置であり、その動作を第3図
を参照しながら説明する。第2図及び第3図において、
R,,R2,Rは読出し命令を、Wは書込み命令を各々
あられす。アクセス要求が1個の場合は、通常の記憶装
置と同様であつて、CONT2Oは適当な入力及び出力
信号母線を選び、該当する記憶装置にアクセスを行う。
一方、アクセス要求が2個の場合は、それが異なる記憶
装置、2重化された同一記憶装置、2重化されない同一
記憶装置に対するもので、処理が分れる。以下、これら
を順次説明する。まず、異なる記憶装置へのアクセス要
求であれば、2組の入力及び出力信号母線を選んで、該
当する記憶装置を同時に動作させる(第3図のAのルー
ト)。次に、2個の命令が2重化された同一記憶装置に
対するアクセス要求であるときには、更に次の3通りの
場合に分れる。すなわち、異なる読出し命令同志のとき
は2組の入力及び出力信号母線を選び、2重化された各
々の装置に分けて、2個の読出し命令を加え、2組の異
なるデータを同時に読み出す(第3図のB−aルート)
。第2図においては、2重化された一方の記憶装置ME
M#0−0に第1の読出し命令R1をABOから加えて
結果をWBOに読出し、他方のMEM#O−1には第2
の読出し命令R2をABlから加えて結果をWBlに読
出す例を示してある。
又、読出し命令と書込み命令のときは、2組の入力信号
母線を選びアクセスを行う(第3図のB−bのルート)
。第1図において説明したごとく、単一の記憶装置は読
出し命令と書込み命令を同時に受付けて動作するので実
行可能である。この場合、読出し命令は2重化された一
方の記憶装置に加え、書込み命令は第2図のWで示すよ
うに両方の装置に加える。又、書込み命令同志のときは
一方を待合せさせることになる(第3図のB−cのルー
ト)。次に、2個の命令が2重化されない同一記憶装置
に対するものであるときは、次のように2通りの場合に
分れる。すなわち、読出し命令と書込み命令であるとき
には、2組の入力信号母線を選び該当記憶装置にアクセ
スを行う(第3図のC−aのルート)。この場合も、第
1図において説明したごとく、単一の記憶装置は読出し
命令と書込み命令を同時に受付けて動作するので実行可
能である。読出し命令同志又は書込み命令同志のときは
一方を待合せさせる(第3図のC−bのルート)。なお
、第2図の系構成において、2重化記憶装置を用いる場
合には、最高2個の読出し命令R1及びR2と、1個の
書込み命令W1すなわち合計3個の命令を同時に実行で
きるように容易に変形できる。
又、一般に2重化以上の冗長構成を行えば、重複した装
置数に等しい個数の読出し命令と更に1個の書込み命令
を同時に実行できる。以上説明したように、本発明の記
憶装置を採用した記憶系においては、複数の中央制御装
置から発生するアクセス要求の衝突を著しく軽減するこ
とができる。
具体的に2個の中央制御装置から単一の2重化された記
憶装置にアクセスする例を示すと次の通りである。読出
し及び書込み命令の出現確率を各々α,βとすれば、2
個の中央制御装置が同時にアクセス要求を出す確率は(
α+β)2である。しかし、本発明では実際に衝突とな
るのは書込み命令の重複の場合のみであるからその確率
はβ2となる。通常、αはβより大きく例えばα=0.
4,β二0.1であるから、(α+β)20.25,β
2=0,01となる。すなわち、アクセス要求の衝突は
通常の方法では25%にも達するが、本発明の記憶装置
を採用した場合にはその値は1%になり、ほとんど無視
できることになり、多重制御方式の運転効率を充分高く
することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による記憶装置の一実施例のプロツク図
、第2図は第1図の記憶装置を利用した系構成例を示す
図、第3図は第2図の動作説明図である。 10・・・・・・記憶装置、11,12・・・・・・レ
ジスタ、13・・・・・・記憶本体部、14・・・・・
・記憶レジスタ、15・・・・・・連想メモ1八16・
・・・・・バツフアレジスタ、17・・・・・・再書込
み回路、18・・・・・・セレクタ、ABO,ABl・
・・・・・入力信号母線、WBO,WBl・・・・・・
出力信号母線。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 記憶本体部と、第1及び第2の入力情報格納用レジ
    スタと、前記第2レジスタに格納される書込み指定番地
    情報を一時記憶するメモリと、書込みデータ格納用バッ
    ファレジスタと、再書込み回路とを具備し、単一の読出
    し命令あるいは書込み命令が到来した時には、その番地
    情報等(読出し命令では読出し指定番地、書込み命令で
    は書込み指定番地と書込みデータ)を前記第1レジスタ
    に格納し、該第1レジスタの内容で前記記憶本体部の該
    当番地のデータの読出しあるいは書込みを行い、読出し
    命令と書込み命令とが同時に到来した時には両命令とも
    受付けて、読出し命令の読出し指定番地を前記第1レジ
    スタに、書込み命令の書込み指定番地と書込みデータを
    前記第2レジスタにそれぞれ格納し、前記第1レジスタ
    の内容で前記記憶本体部の該当番地のデータを読出すと
    同時に、前記第2レジスタの書込み指定番地を前記メモ
    リに、書込みデータを前記バッファレジスタにそれぞれ
    一時に記憶し、前記読出し後の前記記憶本体部の空サイ
    クル時間を利用して、前記再書込み回路により、前記メ
    モリに記憶されている内容で前記記憶本体部の該当番地
    へ前記バッファレジスタに記憶されているデータを書込
    むことを特徴とする記憶装置。 2 読出し命令が到来した時は、前記メモリを参照し、
    該メモリに該読出し命令による指定番地情報と同一の書
    込み指定番地情報が記憶されている場合には、前記バッ
    ファレジスタに記憶されている該当データを読出すこと
    を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の記憶装置。
JP4939777A 1977-04-28 1977-04-28 記憶装置 Expired JPS592058B2 (ja)

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JP4939777A JPS592058B2 (ja) 1977-04-28 1977-04-28 記憶装置

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JP4939777A JPS592058B2 (ja) 1977-04-28 1977-04-28 記憶装置

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Publication Number Publication Date
JPS53134336A JPS53134336A (en) 1978-11-22
JPS592058B2 true JPS592058B2 (ja) 1984-01-17

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JP4939777A Expired JPS592058B2 (ja) 1977-04-28 1977-04-28 記憶装置

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6292065A (ja) * 1985-10-18 1987-04-27 Fujitsu Ltd アクセス制御方式
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KR101178293B1 (ko) 2011-03-25 2012-08-29 마사미 후쿠시마 중앙 처리 장치 및 마이크로컨트롤러

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JPS53134336A (en) 1978-11-22

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