JPS59207608A - 高透磁率磁性薄膜 - Google Patents
高透磁率磁性薄膜Info
- Publication number
- JPS59207608A JPS59207608A JP8089083A JP8089083A JPS59207608A JP S59207608 A JPS59207608 A JP S59207608A JP 8089083 A JP8089083 A JP 8089083A JP 8089083 A JP8089083 A JP 8089083A JP S59207608 A JPS59207608 A JP S59207608A
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- JP
- Japan
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- magnetic
- thin film
- film
- high permeability
- magnetic thin
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/12—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys
- H01F10/16—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys containing cobalt
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は磁気コア材料に係り、特に高密度磁気記録の磁
気ヘッドに好適な、高飽和磁束密度・高透磁率の磁性体
膜に関する。
気ヘッドに好適な、高飽和磁束密度・高透磁率の磁性体
膜に関する。
磁気記録の高密度化と共に、記録媒体では高保磁力の磁
気テープが用いられるようになり、そのためこれに記録
再生する磁気ヘッド材料としては、お 従来材の特性を凌駕した高飽和磁束密度・高透磁率の軟
磁性材料の開発が強く望まれている。これらの候補材と
して従来、センダスト、Ｆｅ６．５％Ｓｉ１非晶質磁性
材料の適用がはかられているが、センダストでは飽和磁
束密度が高々１０ ｋＧＬかなく、高透磁率の非晶質磁
性材料では飽和磁束密度が１３ｋＧ以上になると熱安定
性が極めて悪くなる欠点があった。一方、磁歪零のＦ
８６．５ ％Ｓｉ結晶質材料はＢ８・、が１９ｋＧの高
い値を有するが、耐食性が極めて悪＜、ｃｒ、白金属元
素等の添加により耐食性を改善すると、飽和磁束密度が
１０ｋＧまで低下してしまい、軟磁気特性も劣化してし
まう等の問題があった。
気テープが用いられるようになり、そのためこれに記録
再生する磁気ヘッド材料としては、お 従来材の特性を凌駕した高飽和磁束密度・高透磁率の軟
磁性材料の開発が強く望まれている。これらの候補材と
して従来、センダスト、Ｆｅ６．５％Ｓｉ１非晶質磁性
材料の適用がはかられているが、センダストでは飽和磁
束密度が高々１０ ｋＧＬかなく、高透磁率の非晶質磁
性材料では飽和磁束密度が１３ｋＧ以上になると熱安定
性が極めて悪くなる欠点があった。一方、磁歪零のＦ
８６．５ ％Ｓｉ結晶質材料はＢ８・、が１９ｋＧの高
い値を有するが、耐食性が極めて悪＜、ｃｒ、白金属元
素等の添加により耐食性を改善すると、飽和磁束密度が
１０ｋＧまで低下してしまい、軟磁気特性も劣化してし
まう等の問題があった。
また、従来ｐｅ−Ｃｏ−８ｉ三元系合金において磁歪零
組成が見い出され、高い透磁率が得られることが知られ
ていた。しかし、これらの合金組成は極めて硬く脆いた
め加工が者しく困難で実用に適さなかった。これに対し
て最近、溶湯全片ロール法あるいは多ロール法により超
急冷して薄帯化することが可能となり、これら合金の薄
帯も作製されるようになったが、加工性についてはまだ
実用的には不十分である。
組成が見い出され、高い透磁率が得られることが知られ
ていた。しかし、これらの合金組成は極めて硬く脆いた
め加工が者しく困難で実用に適さなかった。これに対し
て最近、溶湯全片ロール法あるいは多ロール法により超
急冷して薄帯化することが可能となり、これら合金の薄
帯も作製されるようになったが、加工性についてはまだ
実用的には不十分である。
本発明の目的は高保磁力記録媒体に最適な磁気ヘッド材
料として、耐食性が良く、磁歪が極めて小さく、飽和磁
束密度が１４ｋＧ以上の高透磁率磁性薄膜を提供するこ
とにある。
料として、耐食性が良く、磁歪が極めて小さく、飽和磁
束密度が１４ｋＧ以上の高透磁率磁性薄膜を提供するこ
とにある。
〔発明の概要〕
上記目的を達成するための本発明の構成は、スパッタ法
、および蒸着法のいずれか一方により磁歪少のＣｏ−Ｆ
ｅ−Ｓｉ合金磁性薄膜を任意の形状に作製し、さらには
他のＣｏ、パーマロイ等の磁性薄膜あるいはＳ ｊ（ｈ
＋ ｋ１２０ｓ等の非磁性薄膜とを交互に積層した積
層磁性薄膜をも作製することによって、これらの磁性薄
膜を磁気コアとして用いるものである。
、および蒸着法のいずれか一方により磁歪少のＣｏ−Ｆ
ｅ−Ｓｉ合金磁性薄膜を任意の形状に作製し、さらには
他のＣｏ、パーマロイ等の磁性薄膜あるいはＳ ｊ（ｈ
＋ ｋ１２０ｓ等の非磁性薄膜とを交互に積層した積
層磁性薄膜をも作製することによって、これらの磁性薄
膜を磁気コアとして用いるものである。
ここで磁歪λＢ、を１λｇ Ｋ５Ｘ１０−’、飽和磁束
密度、Ｂｓ〉１４ｋＧにするには合金組成を１葉百分率
でｃｏ１３〜２２チ、Ｓｉ９〜１５％、残部が実質的に
ｐｅにする必要があり、さらにＣｒ１Ｎｉ、ＭＯ，Ｒｈ
ｓ Ｒｕｆｆ１重量巨分率で７％以下添加することによ
り、磁気特性を劣化させずにさらに耐食性を向上させ、
磁歪を小にして軟磁気特性を向上させることが出来る。
密度、Ｂｓ〉１４ｋＧにするには合金組成を１葉百分率
でｃｏ１３〜２２チ、Ｓｉ９〜１５％、残部が実質的に
ｐｅにする必要があり、さらにＣｒ１Ｎｉ、ＭＯ，Ｒｈ
ｓ Ｒｕｆｆ１重量巨分率で７％以下添加することによ
り、磁気特性を劣化させずにさらに耐食性を向上させ、
磁歪を小にして軟磁気特性を向上させることが出来る。
また本発明の積層磁性膜を作製することによって、高周
波数帯域の渦電流損失を小さくして、高周波帯域まで高
透磁率を得ることが出来る。
波数帯域の渦電流損失を小さくして、高周波帯域まで高
透磁率を得ることが出来る。
以下本発明を実施例によって詳しく説明する。
実施例１
磁性体膜の形成はＩｌ’スパッタリング装置を用い、所
定の合金組成のスパッタ膜作製には１５０陥φのｐｅ内
円板ｓｍ＋φの他元素の円板をはりつけたターゲットを
用いて、以下の条件で作製した。
定の合金組成のスパッタ膜作製には１５０陥φのｐｅ内
円板ｓｍ＋φの他元素の円板をはりつけたターゲットを
用いて、以下の条件で作製した。
高周波電力密度・・・・・・２．８ｗ／ｃｒ／ｌアルゴ
ン圧 ……２×１Ｏ−２ＴＯｒｒ基板温度 ・・
・・・・３５０Ｃ 電極間距離 ・・・・・・２５ｍ＋ 膜厚 ・・・・・・約１．５μｍ基板は非磁性
のガラスあるいけセラミックス基板が選ばれた。この結
果得られた単層膜の磁気特性を第１表に示す。
ン圧 ……２×１Ｏ−２ＴＯｒｒ基板温度 ・・
・・・・３５０Ｃ 電極間距離 ・・・・・・２５ｍ＋ 膜厚 ・・・・・・約１．５μｍ基板は非磁性
のガラスあるいけセラミックス基板が選ばれた。この結
果得られた単層膜の磁気特性を第１表に示す。
第 １ 表
実施例２
積層磁性体膜の形成には中間層膜にＳｆＯｇあるいはＣ
ｏ膜を厚さ３０人作裂し、主磁性体膜（７６％Ｆｅ １
４％Ｃｏ １０％Ｓ ｉ ）ノー４ノ膜厚を０，１μｍ
として１５層積層し、全膜厚を約１．５μｍとした。中
間層膜の作製条件を以下に示す。
ｏ膜を厚さ３０人作裂し、主磁性体膜（７６％Ｆｅ １
４％Ｃｏ １０％Ｓ ｉ ）ノー４ノ膜厚を０，１μｍ
として１５層積層し、全膜厚を約１．５μｍとした。中
間層膜の作製条件を以下に示す。
高周波電力密度・・・・・・０．５Ｗ／ＣＷ１アルゴン
圧 ・・・・・・５ Ｘ １０−”ｆ’ｏｒｒ基板温
度 ・・・・・・２５０Ｃ 電極間距離 ・・・・・・５０ｍ 膜厚 ・・・・・・３０人 この結果得られた積層磁性体膜の磁気特性は５ｉｎｓを
中間層にした時、保磁力Ｈｃ＝１．０伊Ｏ１０、初期透
磁率μｔ （５ＭＨ２）＝１８００、一方Ｃｏ膜を中間
層にした時、保磁力Ｈｃ＝０．５０．、μ目、（５ＭＨ
２）＝２０００であった。
圧 ・・・・・・５ Ｘ １０−”ｆ’ｏｒｒ基板温
度 ・・・・・・２５０Ｃ 電極間距離 ・・・・・・５０ｍ 膜厚 ・・・・・・３０人 この結果得られた積層磁性体膜の磁気特性は５ｉｎｓを
中間層にした時、保磁力Ｈｃ＝１．０伊Ｏ１０、初期透
磁率μｔ （５ＭＨ２）＝１８００、一方Ｃｏ膜を中間
層にした時、保磁力Ｈｃ＝０．５０．、μ目、（５ＭＨ
２）＝２０００であった。
実施例３
第１図は本発明を用いて形成した磁気ヘッドの斜視図で
ある。前記実施例２に記載した積層磁性体膜を非磁性フ
ェライト等の非磁性基板上に形成してから、前記第１図
に示す如く、所定の形状に加工し、ギャップ形成面が互
いに対向するように突き合せてＶＴＲ磁気ヘッドを作製
して、そのヘッド特性の評価を行なった。１はギャップ
、２はコイル巻線窓、３は積層磁性膜、４は非磁性基板
である。試作したヘッドのギャップ長は約０，３μｍ１
コア厚み１５０μｍ、トラック幅２０μｍであった。高
保磁カメタルテープと組み合わせた時、現在の酸化物テ
ープとＭ ｎ −７，ｎフェライトヘッドの組み合せと
比較して、自己録再出力が１０〜１２ｄＢ以上向上した
。
ある。前記実施例２に記載した積層磁性体膜を非磁性フ
ェライト等の非磁性基板上に形成してから、前記第１図
に示す如く、所定の形状に加工し、ギャップ形成面が互
いに対向するように突き合せてＶＴＲ磁気ヘッドを作製
して、そのヘッド特性の評価を行なった。１はギャップ
、２はコイル巻線窓、３は積層磁性膜、４は非磁性基板
である。試作したヘッドのギャップ長は約０，３μｍ１
コア厚み１５０μｍ、トラック幅２０μｍであった。高
保磁カメタルテープと組み合わせた時、現在の酸化物テ
ープとＭ ｎ −７，ｎフェライトヘッドの組み合せと
比較して、自己録再出力が１０〜１２ｄＢ以上向上した
。
実施例４
上記実施例１で作製した磁性薄膜を用いて、高温加湿試
験（湿度９０％、温度６０Ｃ）により耐食性を検討した
。その結果、これら合金組成のスパッタ膜は２００時間
の耐食試験後もほとんど酸化せず、高耐食性を示した。
験（湿度９０％、温度６０Ｃ）により耐食性を検討した
。その結果、これら合金組成のスパッタ膜は２００時間
の耐食試験後もほとんど酸化せず、高耐食性を示した。
以上の説明から明らかなように、本発明の高透磁率磁性
薄膜を用いることにより、飽和磁束密度が高く、耐食性
に優れた磁気ヘッドを提供することができ、高保磁力テ
ープの性能を十分に引き出すことが出来る。
薄膜を用いることにより、飽和磁束密度が高く、耐食性
に優れた磁気ヘッドを提供することができ、高保磁力テ
ープの性能を十分に引き出すことが出来る。
第１図は本発明の積層磁性体膜を用いて作製した磁気ヘ
ッドの説明図である。 １・・・ギャップ、２・・・コイル巻線窓、３・・・積
層磁性膜、４・・・非磁性基板。 代理人 弁理士 高橋明夫
ッドの説明図である。 １・・・ギャップ、２・・・コイル巻線窓、３・・・積
層磁性膜、４・・・非磁性基板。 代理人 弁理士 高橋明夫
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、重量百分率でＣ０１３〜２２チ、Ｓｉ９〜１５チで
残部Ｆｅからなる組成を有し、スパッタ法、および蒸着
法のいずれか一方により作製された薄膜を有することを
特徴とする高透磁率磁性薄膜。 ２、％許請求範囲第１項記載の合金組成に重量百分率で
Ｃｒ、Ｎｉ＋ Ｍｏｌ Ｒｈ、ＲｕＯ中から選ばれる少
なくとも１種以上の元素を１〜７ｔｓ添加されてなるこ
とを特徴とする高透磁率磁性薄膜。 ３、特許請求範囲第１項記載の磁性体膜を他の磁性体膜
あるいは非磁性体膜を介して積層してなることを特徴と
する高透磁率磁性薄膜。 ４、特許請求範囲第１項、および第２項記載の高透磁率
磁性薄膜を磁気コアとして用いることを特徴とする高透
磁率磁性薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8089083A JPS59207608A (ja) | 1983-05-11 | 1983-05-11 | 高透磁率磁性薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8089083A JPS59207608A (ja) | 1983-05-11 | 1983-05-11 | 高透磁率磁性薄膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59207608A true JPS59207608A (ja) | 1984-11-24 |
Family
ID=13730944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8089083A Pending JPS59207608A (ja) | 1983-05-11 | 1983-05-11 | 高透磁率磁性薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59207608A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61224115A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-04 | Hitachi Ltd | 磁気ヘッド |
| JPS61278007A (ja) * | 1985-06-03 | 1986-12-08 | Hitachi Ltd | 積層磁性体膜を用いた磁気ヘツド |
| JPS62104110A (ja) * | 1985-10-31 | 1987-05-14 | Sony Corp | 軟磁性薄膜 |
| JPS62226605A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-05 | Hitachi Ltd | 強磁性薄膜およびこれを用いた磁気ヘツド |
| JPH03110809A (ja) * | 1989-09-26 | 1991-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 軟磁性薄膜およびそれを用いた磁気ヘッド |
-
1983
- 1983-05-11 JP JP8089083A patent/JPS59207608A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61224115A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-04 | Hitachi Ltd | 磁気ヘッド |
| JPS61278007A (ja) * | 1985-06-03 | 1986-12-08 | Hitachi Ltd | 積層磁性体膜を用いた磁気ヘツド |
| JPS62104110A (ja) * | 1985-10-31 | 1987-05-14 | Sony Corp | 軟磁性薄膜 |
| JPS62226605A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-05 | Hitachi Ltd | 強磁性薄膜およびこれを用いた磁気ヘツド |
| JPH03110809A (ja) * | 1989-09-26 | 1991-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 軟磁性薄膜およびそれを用いた磁気ヘッド |
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