JPS59208860A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS59208860A JPS59208860A JP58082741A JP8274183A JPS59208860A JP S59208860 A JPS59208860 A JP S59208860A JP 58082741 A JP58082741 A JP 58082741A JP 8274183 A JP8274183 A JP 8274183A JP S59208860 A JPS59208860 A JP S59208860A
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- Japan
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- adsorbent
- hydrogen
- cavity
- package
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/40—Fillings or auxiliary members in containers, e.g. centering rings
- H10W76/42—Fillings
- H10W76/48—Fillings including materials for absorbing or reacting with moisture or other undesired substances
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Solid-Sorbent Or Filter-Aiding Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は半導体装置に適用して有効な技術に関するもの
であり、特に半導体パッケージのキャビティ内の水素や
水分を除去する技術にアｒ１用して有効な技術に関する
ものである。
であり、特に半導体パッケージのキャビティ内の水素や
水分を除去する技術にアｒ１用して有効な技術に関する
ものである。
周知のごとく、半導体装置は水蒸気などの影響を受けや
すいっこれらの影響によりその特性が変化し半導体装Ｗ
が不良となり使用できなくなることを防止するため、半
導体素子（ベレット）を外気から保護するようにハーメ
チックシール、レジンモールドなどの封止が行われてい
る。
すいっこれらの影響によりその特性が変化し半導体装Ｗ
が不良となり使用できなくなることを防止するため、半
導体素子（ベレット）を外気から保護するようにハーメ
チックシール、レジンモールドなどの封止が行われてい
る。
しかし、ペレットを封止するため半導体パッケージに形
成されたキャビティ内には、刺止後にもＨ２０ＪＰＨ，
やその池のガス状物が存在し、これらが半導体素子に悪
影響を与えること力瓢本発明者の実験により明らかにな
ったつここに、キャビティとは半導体素子が載置される
部分であって外萌器（パッケージ）で外部と遮断された
空間をいい、例えはセラミックタイプの半導体パッケー
ジはべ−ス基板の半導体素子配設部（溝部）に半導体素
子を載置しくダイボンディング）、半導体素子とリード
とをワイヤボンディング後、ＡＵ−８ｎろう材や低融点
ガラスな封止材料として用いキャップをかぶせて作られ
るが、この際のキャップと前記配設部とで区画される半
導体パッケージ内部空間がこれに相当する。
成されたキャビティ内には、刺止後にもＨ２０ＪＰＨ，
やその池のガス状物が存在し、これらが半導体素子に悪
影響を与えること力瓢本発明者の実験により明らかにな
ったつここに、キャビティとは半導体素子が載置される
部分であって外萌器（パッケージ）で外部と遮断された
空間をいい、例えはセラミックタイプの半導体パッケー
ジはべ−ス基板の半導体素子配設部（溝部）に半導体素
子を載置しくダイボンディング）、半導体素子とリード
とをワイヤボンディング後、ＡＵ−８ｎろう材や低融点
ガラスな封止材料として用いキャップをかぶせて作られ
るが、この際のキャップと前記配設部とで区画される半
導体パッケージ内部空間がこれに相当する。
この半導体素子に悪影響を与えるＨ、やＨ，Ｏ’Ｐガス
状物は半導体装置の製造過程において、また使用した材
料から様々に発生し、またキャビティ内に封止後も残存
し、あるいは導入されてくる。
状物は半導体装置の製造過程において、また使用した材
料から様々に発生し、またキャビティ内に封止後も残存
し、あるいは導入されてくる。
以下に本発明者の実験により明らかになった上記ガス状
物の発生の原因について述べる。
物の発生の原因について述べる。
ｆｉｌ α線によるンフトエラー（メモリを誤動作さ
せる現象）ｆ！ｒ：防止１−るためにチップ表面に高分
子材料例えばポリイミド糸合成樹脂をコートすることが
行わ五ている。パッケージの封幻ま４００Ｃ前後で行わ
れるので加熱により当該樹脂が分解し。
せる現象）ｆ！ｒ：防止１−るためにチップ表面に高分
子材料例えばポリイミド糸合成樹脂をコートすることが
行わ五ている。パッケージの封幻ま４００Ｃ前後で行わ
れるので加熱により当該樹脂が分解し。
Ｈｔ Ｏ’Ｆ Ｈｔその他の分解ガス？生じる。
（２） ダイボンディングの方法の一つとして、セラ
ミックベース上の導体面をＡｕ面にしておぎ、４００Ｃ
前後に加熱してＳｉチップの裏面をスクライプしてＡｕ
−８ｉ共晶により合金化して接続する方法がある。この
Ａｕ−８ｉ共晶は加熱されると雰囲気中の微少のＨ，０
と反応し、Ｎ７を放出する。
ミックベース上の導体面をＡｕ面にしておぎ、４００Ｃ
前後に加熱してＳｉチップの裏面をスクライプしてＡｕ
−８ｉ共晶により合金化して接続する方法がある。この
Ａｕ−８ｉ共晶は加熱されると雰囲気中の微少のＨ，０
と反応し、Ｎ７を放出する。
１３＋ 気密封止する場合金属キャップなＡ ｕ −
Ｓ ｎプリホームを用いてセラミックキャップに半田付
けすることが行われているうこの加熱封圧の際にＡ ｕ
−Ｓ ｎブリホームの酸化を防止し還元雰１１１気に
するためにＮ２を添加すると、このＨ，カスはキャピテ
イ内にとどまり半導体素子に悪影響を及ぼす。
Ｓ ｎプリホームを用いてセラミックキャップに半田付
けすることが行われているうこの加熱封圧の際にＡ ｕ
−Ｓ ｎブリホームの酸化を防止し還元雰１１１気に
するためにＮ２を添加すると、このＨ，カスはキャピテ
イ内にとどまり半導体素子に悪影響を及ぼす。
（４）半導体装置のパッジベージコン１換としてプラズ
マＣＶＤ法により形成したシリコンナイトライド（Ｓｉ
Ｎ）膜を使用１−ろことかある。このＳｉＮ膜はＨｌを
トラップする性質があろう ＋５１ パッケージを構成１−るセラミックは多孔質
のものであるのでＨ，０などをトラップする性質があり
、これらは封止後にキャビティ内に出てくる。
マＣＶＤ法により形成したシリコンナイトライド（Ｓｉ
Ｎ）膜を使用１−ろことかある。このＳｉＮ膜はＨｌを
トラップする性質があろう ＋５１ パッケージを構成１−るセラミックは多孔質
のものであるのでＨ，０などをトラップする性質があり
、これらは封止後にキャビティ内に出てくる。
本発明は半導体装置の製造過桂および製造後に、半導体
素子に悪影ｇを与えるカス状物特に■Ｉ、やＨ，０な容
易な化学的手段により除去することを目的としたもので
あり１％に■Ｉ、やＨ！０を除去してホットキャリアに
よるデバイス動作不良という問題点を解消した半導体装
いを提供することを目的とする。
素子に悪影ｇを与えるカス状物特に■Ｉ、やＨ，０な容
易な化学的手段により除去することを目的としたもので
あり１％に■Ｉ、やＨ！０を除去してホットキャリアに
よるデバイス動作不良という問題点を解消した半導体装
いを提供することを目的とする。
本発明の前記およびその１１ルの目的ならびに新規な特
徴は本明細書の記載および添附図面からあきらかになる
であろう。
徴は本明細書の記載および添附図面からあきらかになる
であろう。
本発明は半導体パッケージのキャビティ内に吸着剤を内
蔵させることにより、半導体装置に悪影響を与えるＨ、
やＨ，０なとの不良因子を除去１°′るようにしたもの
である。
蔵させることにより、半導体装置に悪影響を与えるＨ、
やＨ，０なとの不良因子を除去１°′るようにしたもの
である。
〔実施例１〕
第１図はサーディツプタイプの半導体パッケージを示す
。図中、１はセラミックなどよりなるキャップ、２は低
融点カラス（鉛ガラス）なとよりなるシーリング材、３
はセラミックなどよりなるベース、４はメモリ回路や論
理回路などが形成された半導体チップ、５は４２アロイ
材などよりなるリード、６は半導体チップとリードとを
ｔｌＬ ｉ（、「Ｊに接続するコネクタワイヤ（ボンデ
ィングワイヤ）である。
。図中、１はセラミックなどよりなるキャップ、２は低
融点カラス（鉛ガラス）なとよりなるシーリング材、３
はセラミックなどよりなるベース、４はメモリ回路や論
理回路などが形成された半導体チップ、５は４２アロイ
材などよりなるリード、６は半導体チップとリードとを
ｔｌＬ ｉ（、「Ｊに接続するコネクタワイヤ（ボンデ
ィングワイヤ）である。
第２図はこのようなサーディツプタイプの半導体パッケ
ージの当該キャップ１に本発明を油出した例を示す。キ
ャップ１の１５面１−なわちキャビティ側にブず水嵩ｖ
！Ｗ剤としてのＭｙ糸合金のスクライプＭ７を形成し、
さらに、このスクライプ層７の表面上の一部に水分吸着
剤としての多孔質アルミナ層を形成しているう 本発明に使用される水素吸着剤としてはＭｌｌ系合金例
えばＭｇとＮ１とからなる合金１ＭｇとＣＬＩとからな
る合金を用いるのが望ましい。その他Ｐｄ 金属、Ｌａ
Ｃｏ合金など水素をｇ＆層する合金。
ージの当該キャップ１に本発明を油出した例を示す。キ
ャップ１の１５面１−なわちキャビティ側にブず水嵩ｖ
！Ｗ剤としてのＭｙ糸合金のスクライプＭ７を形成し、
さらに、このスクライプ層７の表面上の一部に水分吸着
剤としての多孔質アルミナ層を形成しているう 本発明に使用される水素吸着剤としてはＭｌｌ系合金例
えばＭｇとＮ１とからなる合金１ＭｇとＣＬＩとからな
る合金を用いるのが望ましい。その他Ｐｄ 金属、Ｌａ
Ｃｏ合金など水素をｇ＆層する合金。
金員を用いてもよい。水素吸着剤をキャビティ内に内蔵
させる方法としては導体パターンやｆｔｔｄｔ＜パター
ンの形成技術として使用されているメタライゼーション
や溶融金属を滴下させるボノティング技術などを用いろ
。メタライゼーションにより形成する場合はセラミック
パッケージを焼成した後に行うのがよい。
させる方法としては導体パターンやｆｔｔｄｔ＜パター
ンの形成技術として使用されているメタライゼーション
や溶融金属を滴下させるボノティング技術などを用いろ
。メタライゼーションにより形成する場合はセラミック
パッケージを焼成した後に行うのがよい。
Ｍ、９にＮｉ、Ｃｕを混ぜ合金とする理由は、Ｍｌｌの
水素吸沼力を高めるためである。Ｎｉ、ＣｕはＭｙが水
素を吸着しＭｇ・Ｈとなる反応を促進する触媒のような
殿きをする。ＮＬＣｕの混入比率をほぼ２％〜５０％の
範囲で潤整することにより、パッケージ内の水素の吸着
時間をＷ１ｖ整できる。５０％を越えるとＭｇの体積が
少ないので十分な吸着ができない。したがって、水素の
吸着時間があまり問題とならないときは１Ｍｇ合金に代
えてＭＩのみを用いてもよいっこれはＰｄなどの金８を
用いる場合でも同様である。
水素吸沼力を高めるためである。Ｎｉ、ＣｕはＭｙが水
素を吸着しＭｇ・Ｈとなる反応を促進する触媒のような
殿きをする。ＮＬＣｕの混入比率をほぼ２％〜５０％の
範囲で潤整することにより、パッケージ内の水素の吸着
時間をＷ１ｖ整できる。５０％を越えるとＭｇの体積が
少ないので十分な吸着ができない。したがって、水素の
吸着時間があまり問題とならないときは１Ｍｇ合金に代
えてＭＩのみを用いてもよいっこれはＰｄなどの金８を
用いる場合でも同様である。
なお、水素を充分吸着させるにはアニール（熱処理）を
行い、活性化するのがよい。これにより。
行い、活性化するのがよい。これにより。
パッケージのセラミックやパッシベーション膜中に内在
するガスがキャビティ内に放出されるからである。
するガスがキャビティ内に放出されるからである。
水分吸着剤としては多孔質アルミナを使用するのがよく
、ボッティング技術により内蔵させることができる。ま
た、これに代えてシリカなどを用いてもよい。
、ボッティング技術により内蔵させることができる。ま
た、これに代えてシリカなどを用いてもよい。
これら水累吸着剤、水分吸着剤を内蔵させろ場合、キャ
ビティ表面積の５％以上を占有させることが好ましい。
ビティ表面積の５％以上を占有させることが好ましい。
これにより、十分な吸着画情を確保できる。
このように、キャップに水素吸着剤と水分（１！＆ ３
？：ｆ剤とを設けておくことにより、キャピテイ内の１
−１２０ 、Ｈｔは容易に除去されろ、すなわち、第３
図に示すように、ベース３に半導体チップ４を載置固着
し、当該半導体チップの出力電←ことリード５とをコネ
クタワイヤ６によりワイヤボンディングした後に、シー
リング材２を匣用して、水素吸着剤７と水分吸着剤８と
を（ｉｉ＋！えたキャップ１を封止するとき、封正によ
り半導体チップ４表面にコートされたポリイミド樹脂か
らなるンフトエラー防止樹脂９が分解してＨｔＯ２Ｈｔ
その他分解ガスを放出しても、キャビティｌＯ内のガス
は前記水素ｇ＆着剤、水分吸着剤により吸着され除去さ
れる。
？：ｆ剤とを設けておくことにより、キャピテイ内の１
−１２０ 、Ｈｔは容易に除去されろ、すなわち、第３
図に示すように、ベース３に半導体チップ４を載置固着
し、当該半導体チップの出力電←ことリード５とをコネ
クタワイヤ６によりワイヤボンディングした後に、シー
リング材２を匣用して、水素吸着剤７と水分吸着剤８と
を（ｉｉ＋！えたキャップ１を封止するとき、封正によ
り半導体チップ４表面にコートされたポリイミド樹脂か
らなるンフトエラー防止樹脂９が分解してＨｔＯ２Ｈｔ
その他分解ガスを放出しても、キャビティｌＯ内のガス
は前記水素ｇ＆着剤、水分吸着剤により吸着され除去さ
れる。
尚第３図にはベース３の表面にさらに水分吸着剤７を配
設してなる実施例を示す。
設してなる実施例を示す。
〔実施例２〕
８ｉ￥４図はセラミックタイプの半導体パッケージを示
１゜図中、１１は合メッキされたコバール利などよりな
るキャップ、１２はＡｕ−８ｎ共晶什金などよりなるろ
う材（プリホーム）、１３はリード、１４は層状の、へ
β２０３セラミックなどよりなるパッケージ本体、１５
はタングステンなどよりなるメタライゼーション（配線
）である。また第４図中、１６はキャビティであり、ろ
う材１２よりキャップ１１を封ｄ−すると半導体パッケ
ージ内に形成される。尚第４図中には半導体チップやワ
イヤボンディングなどは省略しである、このよ５１ｔＣ
ｈ’ｉ ＡＮセラミックタイプの半導体パッケージにお
いて、第５図は当該キャビティ内に本発明を１角用した
実がす例を示１゜尚、第５図はキャップをとった状態を
示し、当該キャビティ内に載１寵された半導体チップ１
７はワイヤボンディング（図示せず）によりインナーリ
ード１８と′電気的な接続がとられる。
１゜図中、１１は合メッキされたコバール利などよりな
るキャップ、１２はＡｕ−８ｎ共晶什金などよりなるろ
う材（プリホーム）、１３はリード、１４は層状の、へ
β２０３セラミックなどよりなるパッケージ本体、１５
はタングステンなどよりなるメタライゼーション（配線
）である。また第４図中、１６はキャビティであり、ろ
う材１２よりキャップ１１を封ｄ−すると半導体パッケ
ージ内に形成される。尚第４図中には半導体チップやワ
イヤボンディングなどは省略しである、このよ５１ｔＣ
ｈ’ｉ ＡＮセラミックタイプの半導体パッケージにお
いて、第５図は当該キャビティ内に本発明を１角用した
実がす例を示１゜尚、第５図はキャップをとった状態を
示し、当該キャビティ内に載１寵された半導体チップ１
７はワイヤボンディング（図示せず）によりインナーリ
ード１８と′電気的な接続がとられる。
第５図に示す実施例において１本発明は半導体チップ１
７とインナーリード１８とを接続１−るボンディングワ
イヤの下部空間キャビティ底面に水素吸着剤としてのＭ
ｙ糸金合金１９配設し、またインナーリード１８が配さ
れた段部に水素吸着剤としての多孔質アルミナ２１を設
けである。
７とインナーリード１８とを接続１−るボンディングワ
イヤの下部空間キャビティ底面に水素吸着剤としてのＭ
ｙ糸金合金１９配設し、またインナーリード１８が配さ
れた段部に水素吸着剤としての多孔質アルミナ２１を設
けである。
かかる半導体パッケージの構造を第６図によりさらに説
明てろ。パッケージ本体１４の上面に第１の実施例で示
した水素吸着剤１９を敷設し、またキャビティ内股部２
０に第１の実施例で示した水分吸着剤２１をｖｌ、設し
、半導体チップ１７とインナーリード１８とをコネクタ
ワイヤ２２によりワイヤボンディング後、Ａｕ−８ｎプ
リホーム１２を用いてキャップ１１を封止１〜る。
明てろ。パッケージ本体１４の上面に第１の実施例で示
した水素吸着剤１９を敷設し、またキャビティ内股部２
０に第１の実施例で示した水分吸着剤２１をｖｌ、設し
、半導体チップ１７とインナーリード１８とをコネクタ
ワイヤ２２によりワイヤボンディング後、Ａｕ−８ｎプ
リホーム１２を用いてキャップ１１を封止１〜る。
このＡｕ−８ｎプリホームにより封止−１−る際にＩ−
１。
１。
が添加されるが、キャビティ１６内のＩＩ、は水素吸着
剤１９により吸着除去される。
剤１９により吸着除去される。
上記実施例では水素吸着剤および水分吸着剤両方をキャ
ビティ内に内蔵させる実施例ケ示したが。
ビティ内に内蔵させる実施例ケ示したが。
本発明においては水素ｇ＆着剤のみな内蔵させてもよい
。
。
（１１封止の際にポリイミド樹脂等のソフトエラー防止
樹脂が熱で分解しても、この分解ガスをキャビティ内の
水ＹＧ吸着剤、水分吸着剤が吸着するので、Ｈ’ｔ
、ＨｔＯの存在によるホットキャリアによるデバイスの
動作不良を防止できる。
樹脂が熱で分解しても、この分解ガスをキャビティ内の
水ＹＧ吸着剤、水分吸着剤が吸着するので、Ｈ’ｔ
、ＨｔＯの存在によるホットキャリアによるデバイスの
動作不良を防止できる。
（２）水素吸着剤と水分吸着剤をキャビティ内に設けた
のでダイポンディングや封止の際にＡｕ−８ｉ共晶とＨ
ｔ０との反応で放出されるＨｌやＡ ｕ −Ｓｎプリホ
ームな用いてハーメチックシーリングする場合に添加す
るＨｔやシリコンナイトライド膜やセラミックキャップ
やベーストラップしたＨ、ＪＰＨ２０？答易に除去でき
る。
のでダイポンディングや封止の際にＡｕ−８ｉ共晶とＨ
ｔ０との反応で放出されるＨｌやＡ ｕ −Ｓｎプリホ
ームな用いてハーメチックシーリングする場合に添加す
るＨｔやシリコンナイトライド膜やセラミックキャップ
やベーストラップしたＨ、ＪＰＨ２０？答易に除去でき
る。
（；３）キャビティ内のＨ，、Ｈ，Ｏは容易に除去され
るので、Ｈ，、Ｈ，Ｏの存在により悪影響を受ける半導
体素子の不良を低減でき、ｑ＃にＨｔ−ＨｔＯの存在と
ホットキャリアとによるデバイスの動作不良の問題を解
消できる。
るので、Ｈ，、Ｈ，Ｏの存在により悪影響を受ける半導
体素子の不良を低減でき、ｑ＃にＨｔ−ＨｔＯの存在と
ホットキャリアとによるデバイスの動作不良の問題を解
消できる。
（４）封止時のみならず封止後にも有効であり、簡単な
化学的手段により半導体装置の不良を低減できる。
化学的手段により半導体装置の不良を低減できる。
以上本発明者によってなされた発明な実施例にもとづき
具体的に説明したが１本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲でトｎ々変史
可能であることはいうまでもない。
具体的に説明したが１本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲でトｎ々変史
可能であることはいうまでもない。
例えば、パッケージのペースに半導体ペレットを固定す
る接着剤１−なわちＡＪ’ペースト材料や低融点ガラス
材料中に前述した水素吸着剤な混入してもよい。また、
凹部な有しない平坦なセラミックベースにペレットを固
着しキャップ封比するノ（ッケージにおいて、水素吸着
剤、水分吸オ）剤をキャップに設けろこともできる。以
上のように、パッケージの形態、キャピテイの形態＋
吸ｙｌｉ剤な設ける位置やその形成方法など必要に応じ
て区形できる。
る接着剤１−なわちＡＪ’ペースト材料や低融点ガラス
材料中に前述した水素吸着剤な混入してもよい。また、
凹部な有しない平坦なセラミックベースにペレットを固
着しキャップ封比するノ（ッケージにおいて、水素吸着
剤、水分吸オ）剤をキャップに設けろこともできる。以
上のように、パッケージの形態、キャピテイの形態＋
吸ｙｌｉ剤な設ける位置やその形成方法など必要に応じ
て区形できる。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体装置のハーメ
チックタイプのパッケージに適用した場合について説明
してきたが、それに限定されるものではなく１例えばホ
ットキャリアによるデバイス動作不良パッケージ内水分
量・水素量が問題となる電子部品のパッケージなどに適
用できる。
をその背景となった利用分野である半導体装置のハーメ
チックタイプのパッケージに適用した場合について説明
してきたが、それに限定されるものではなく１例えばホ
ットキャリアによるデバイス動作不良パッケージ内水分
量・水素量が問題となる電子部品のパッケージなどに適
用できる。
第１図はサーディツプタイプの半導体パッケージの一部
切欠斜視図。 第２図は本発明の実施例を示す要部断面図。 第３図は本発明の実施例を示す側断面図。 第４図はＤＩＬＣタイプの半導体パッケージの斜視図。 第５図は同タイプのパッケージに本発明を節用した実施
例を示す一部断面平面図。 第６図は本発明の実施例を示す側断面図である。 １・・・セラミックキャップ、２・・・低融点ガラス。 ３・・・セラミックペース、４・・・半導体チップ、５
・・・リード、６・・・ボンディングワイヤ、７・・・
水素吸着剤、８・・・水分吸着剤、９・・・ポリイミド
樹脂、１０・・・キャビティ、１１・・・キャップ、１
２・・・ろう材。 １３・・・リード、１４・・・パッケージ、１５・・・
配腺。 １６・・・キャビティ、１７・・・半導体チップ、１８
・・・インナーリード、１９・・・水素吸着剤、２０・
・・段部。 ２１・・・水分吸着剤。 代理人 弁理士 高 橋 明 夫 （１）第 １
図 ／ 第 ２ 図 第 ３ 図 第 ４ 図 第 ５ 図 ４ 第 ６ 図 １頁の続き ０発 明 者 石原政道 小平市上水本町１４５０番地株式会 社日立製作所デバイス開発セン タ内 ■出 願 人 株式会社日立製作所 東京都千代田区神田駿河台四丁 目６番地
切欠斜視図。 第２図は本発明の実施例を示す要部断面図。 第３図は本発明の実施例を示す側断面図。 第４図はＤＩＬＣタイプの半導体パッケージの斜視図。 第５図は同タイプのパッケージに本発明を節用した実施
例を示す一部断面平面図。 第６図は本発明の実施例を示す側断面図である。 １・・・セラミックキャップ、２・・・低融点ガラス。 ３・・・セラミックペース、４・・・半導体チップ、５
・・・リード、６・・・ボンディングワイヤ、７・・・
水素吸着剤、８・・・水分吸着剤、９・・・ポリイミド
樹脂、１０・・・キャビティ、１１・・・キャップ、１
２・・・ろう材。 １３・・・リード、１４・・・パッケージ、１５・・・
配腺。 １６・・・キャビティ、１７・・・半導体チップ、１８
・・・インナーリード、１９・・・水素吸着剤、２０・
・・段部。 ２１・・・水分吸着剤。 代理人 弁理士 高 橋 明 夫 （１）第 １
図 ／ 第 ２ 図 第 ３ 図 第 ４ 図 第 ５ 図 ４ 第 ６ 図 １頁の続き ０発 明 者 石原政道 小平市上水本町１４５０番地株式会 社日立製作所デバイス開発セン タ内 ■出 願 人 株式会社日立製作所 東京都千代田区神田駿河台四丁 目６番地
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 半導体パッケージキャピテイ内に水分吸着剤およ
び水素吸着剤を内蔵させたことを特徴とする牛導体装敢
。 ２、水素吸着剤がマグネシウム又はマグネシウムの合金
である特ＦＰ ｉｃｙ求の範囲第１項記載の！ｔ！導体
装置。 ３、ＭＩの合金がＭＪＩとＮｉ とからなる合金であ
る特許請求の範囲ｗｒ、２項記載の半導体装置。 ４、ＭＰの合金がＭＩとＣｕとからなる合金である特＃
’ｒ＆７求の範囲第２項記載の半導体装［１゜５、水素
吸着剤がＰｄ金属である％許ｅｎ求の範曲第１項記戦の
半導体装置。 ６、水素吸着剤がＬａＣｏ合金である特許請求の範囲第
１項記載の半導体装置。 ７、水分吸着剤が多孔質アルミナである特許請求の範囲
第１項記帳の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58082741A JPS59208860A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58082741A JPS59208860A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59208860A true JPS59208860A (ja) | 1984-11-27 |
Family
ID=13782837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58082741A Pending JPS59208860A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59208860A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0472866A3 (en) * | 1990-07-23 | 1994-09-07 | Nat Semiconductor Corp | Ferroelectric device packaging techniques |
| US5491361A (en) * | 1994-10-14 | 1996-02-13 | The Aerospace Corporation | Hydrogen out venting electronic package |
| JPH0878445A (ja) * | 1994-09-02 | 1996-03-22 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 封止気密パッケージおよびその作製方法 |
| EP0707360A1 (en) * | 1994-10-11 | 1996-04-17 | Corning Incorporated | Impurity getters in laser enclosures |
| US5770473A (en) * | 1993-07-14 | 1998-06-23 | Corning Incorporated | Packaging of high power semiconductor lasers |
| EP0993047A1 (fr) * | 1998-10-06 | 2000-04-12 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Dispositif semi-conducteur avec des éléments de circuits intégrés du groupe III-V ayant des moyens pour prévenir la pollution par l'hydrogène |
| EP0837502A3 (en) * | 1996-10-15 | 2004-06-02 | Texas Instruments Inc. | Improvements in or relating to hydrogen gettering |
-
1983
- 1983-05-13 JP JP58082741A patent/JPS59208860A/ja active Pending
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|---|---|---|---|---|
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| US6958260B2 (en) | 1996-10-15 | 2005-10-25 | Texas Instruments Incorporated | Hydrogen gettering system |
| EP0993047A1 (fr) * | 1998-10-06 | 2000-04-12 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Dispositif semi-conducteur avec des éléments de circuits intégrés du groupe III-V ayant des moyens pour prévenir la pollution par l'hydrogène |
| US6703701B2 (en) | 1998-10-06 | 2004-03-09 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Semiconductor device with integrated circuit elements of group III-V comprising means for preventing pollution by hydrogen |
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