JPS59209157A - 感熱記録ヘッドの製造方法 - Google Patents
感熱記録ヘッドの製造方法Info
- Publication number
- JPS59209157A JPS59209157A JP58082718A JP8271883A JPS59209157A JP S59209157 A JPS59209157 A JP S59209157A JP 58082718 A JP58082718 A JP 58082718A JP 8271883 A JP8271883 A JP 8271883A JP S59209157 A JPS59209157 A JP S59209157A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording head
- resistor
- sputtering
- crsi2
- heat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Surface Heating Bodies (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、感熱ヘッドに係り、特にＣｒ５ｉ２全５ｉ化
合物からなる薄膜発熱抵抗体を用いた感熱記録ヘッドに
関する。
合物からなる薄膜発熱抵抗体を用いた感熱記録ヘッドに
関する。
感熱記録ヘッドの場合、発熱抵抗体の抵抗値安定性が感
熱記録ヘッドの寿命を決め泡大きな要素である。ヘッド
寿命としては、発熱抵抗体の抵抗値変化率が初期抵抗値
の±１０％程度内であることが要求される。
熱記録ヘッドの寿命を決め泡大きな要素である。ヘッド
寿命としては、発熱抵抗体の抵抗値変化率が初期抵抗値
の±１０％程度内であることが要求される。
従来使われている薄膜発熱抵抗体のなかでは、窒化タン
タルが安定な薄膜抵抗体材料として知られている。しか
し、Ｔａ２Ｎの比抵抗は、約３００μΩ−国と小さく抵
抗値を上げるためには、膜厚を薄くするか形状を細長く
するがこれとて限界がある。ちなみにＴａ２Ｎで２００
Ωの抵抗値を得るには、抵抗体の長手方向の寸法と抵抗
体の直角方向の寸法の比が２対１の細長い形状で３０Ｏ
Ａの膜厚にしなければならない。このような薄い膜を製
造する場合、膜厚のコントロールがしにくくバラツキが
大きくなって、抵抗値の再現性が悪くなシ特性上では、
単位面積当シの電力密度が上シ破壊しやすくなる。また
Ｔａターゲットと窒素ガスの反応性スパッタリングによ
仝尋め膜の性質が不安定となる。このような欠点をなく
すため通常用いられる長方形の抵抗体形状に対して、第
１図に示すようにミアンダ形状にして、抵抗値を大きく
する試みがある。図中で、１が薄膜発熱抵抗体、２が共
通電極、３が単独電極である。ところが、図のようなパ
ターン形状では、′感熱ヘッドが高解像になるほど微細
パターンとなシ高度のバタ一二ング技術が必要となるた
め、歩留シ低下の原因となる。
タルが安定な薄膜抵抗体材料として知られている。しか
し、Ｔａ２Ｎの比抵抗は、約３００μΩ−国と小さく抵
抗値を上げるためには、膜厚を薄くするか形状を細長く
するがこれとて限界がある。ちなみにＴａ２Ｎで２００
Ωの抵抗値を得るには、抵抗体の長手方向の寸法と抵抗
体の直角方向の寸法の比が２対１の細長い形状で３０Ｏ
Ａの膜厚にしなければならない。このような薄い膜を製
造する場合、膜厚のコントロールがしにくくバラツキが
大きくなって、抵抗値の再現性が悪くなシ特性上では、
単位面積当シの電力密度が上シ破壊しやすくなる。また
Ｔａターゲットと窒素ガスの反応性スパッタリングによ
仝尋め膜の性質が不安定となる。このような欠点をなく
すため通常用いられる長方形の抵抗体形状に対して、第
１図に示すようにミアンダ形状にして、抵抗値を大きく
する試みがある。図中で、１が薄膜発熱抵抗体、２が共
通電極、３が単独電極である。ところが、図のようなパ
ターン形状では、′感熱ヘッドが高解像になるほど微細
パターンとなシ高度のバタ一二ング技術が必要となるた
め、歩留シ低下の原因となる。
また他の例では、タンタルとシリコン酸化物を薄膜抵抗
体としたものが提案されている。これはタンタルの膜に
シリコン酸化物を混入して比抵抗値を上げ、シリコン酸
化物の混入量を調整することで比抵抗値を自由に変える
ことが出来るようにしたものである。しかし、発熱抵抗
体が２種類の物質から出来ているため、所望形状にパタ
ーニングするにはエツチングむらが生じ抵抗値のバラツ
キ、歩留り低下の原因となる。
体としたものが提案されている。これはタンタルの膜に
シリコン酸化物を混入して比抵抗値を上げ、シリコン酸
化物の混入量を調整することで比抵抗値を自由に変える
ことが出来るようにしたものである。しかし、発熱抵抗
体が２種類の物質から出来ているため、所望形状にパタ
ーニングするにはエツチングむらが生じ抵抗値のバラツ
キ、歩留り低下の原因となる。
本発明の目的は、ファクシミリ、ワードプロセッサー等
の感熱記録ヘッドに供するもので、高速記録においても
安定で長寿命の感熱記録ヘッドを提供するにある。
の感熱記録ヘッドに供するもので、高速記録においても
安定で長寿命の感熱記録ヘッドを提供するにある。
本発明は、金属シリコン板の表面にＣｒ（クロム）をス
パッタリング、蒸着、イオンブレーティング、溶射およ
びＣＶＤなどのいずれかによって成脱し、熱処理によっ
て金属シリコンの全部あるいは一部にＣｒ５１□金属間
化合物層を形成した材料を、スパッタターゲットとして
アルゴンガス雰囲気中にいて、スパッタリングを行ない
ＣｒＳｉ２金属間化合物の薄膜抵抗体を成膜する。この
ようにして作製した発熱抵抗体は、膜組成が均一で耐熱
性があり抵抗値の安定な感熱記録ヘッドが実現できた。
パッタリング、蒸着、イオンブレーティング、溶射およ
びＣＶＤなどのいずれかによって成脱し、熱処理によっ
て金属シリコンの全部あるいは一部にＣｒ５１□金属間
化合物層を形成した材料を、スパッタターゲットとして
アルゴンガス雰囲気中にいて、スパッタリングを行ない
ＣｒＳｉ２金属間化合物の薄膜抵抗体を成膜する。この
ようにして作製した発熱抵抗体は、膜組成が均一で耐熱
性があり抵抗値の安定な感熱記録ヘッドが実現できた。
以下、実施例を用いてミ発明の材料、条件、方法工程に
ついて説明する。
ついて説明する。
ＣｒＳ＋２金属間化合物の薄膜発熱抵抗体を形成する際
に、スパッタリング用ターゲットとして用いるＣ ｒ
Ｓ ｌ ２ ターゲットは、Ｓｉ板（Ｓｉウェハー）に
、スパッタリング、蒸着、イオンブレーティング、溶射
およびＣＶＤなどのいずれかによってＣｒ膜を形成し、
真空中で３００℃から７５０Ｃで加熱する。ＣｒとＳｉ
によって形成される金属間化合物にはＣｒ Ｓ ！ ２
のほかＣｒ５Ｓ ｉ 、 Ｃｒ２５ ｉ。
に、スパッタリング用ターゲットとして用いるＣ ｒ
Ｓ ｌ ２ ターゲットは、Ｓｉ板（Ｓｉウェハー）に
、スパッタリング、蒸着、イオンブレーティング、溶射
およびＣＶＤなどのいずれかによってＣｒ膜を形成し、
真空中で３００℃から７５０Ｃで加熱する。ＣｒとＳｉ
によって形成される金属間化合物にはＣｒ Ｓ ！ ２
のほかＣｒ５Ｓ ｉ 、 Ｃｒ２５ ｉ。
Ｃｒ３Ｓｉ２．ＣｒＳｉがあるがＳｉ板の上にＣｒ１ｌ
ｌ形成後、熱処理した場合ＣｒＳｉ２以外の金属間化合
物は形成されない。本ターゲットはこの現象を利用した
ものである。第２図に示すようにＣｒ５ｉ２全５ｉ化合
物を表面に持つＳｉ板をスパッタターゲットとして、３
Ｘ１０−７Ｔｏｒｒｉで真空引きした後、Ａｒガスを６
５μＨｇになるまで導入し、２極ＤＣスパツタで、電極
間距離６０ ｗａｓ、 Ａ ｒ分圧４〜．６ Ｘ ｌ
Ｏ−” ’ｌ’ｏｒ ｒ、電力１．００Ｗの条件でスパ
ッタリングした。これらを発熱抵抗体として通常のフォ
トプロセスにより感熱記録ヘッドを形成しＳＳＴ （ス
テップ・ストレス・テスト）を行なった。その結果は、
第３図に示すように長寿命のすぐれた特性を有している
ことが知られた。この結果をもとに通常の使用電力３５
Ｗ／Ｔｍｎ２ （感熱紙を最大に発色させる電力）によ
り空印字寿命試験を行なったところ第４図の結果を得た
。
ｌ形成後、熱処理した場合ＣｒＳｉ２以外の金属間化合
物は形成されない。本ターゲットはこの現象を利用した
ものである。第２図に示すようにＣｒ５ｉ２全５ｉ化合
物を表面に持つＳｉ板をスパッタターゲットとして、３
Ｘ１０−７Ｔｏｒｒｉで真空引きした後、Ａｒガスを６
５μＨｇになるまで導入し、２極ＤＣスパツタで、電極
間距離６０ ｗａｓ、 Ａ ｒ分圧４〜．６ Ｘ ｌ
Ｏ−” ’ｌ’ｏｒ ｒ、電力１．００Ｗの条件でスパ
ッタリングした。これらを発熱抵抗体として通常のフォ
トプロセスにより感熱記録ヘッドを形成しＳＳＴ （ス
テップ・ストレス・テスト）を行なった。その結果は、
第３図に示すように長寿命のすぐれた特性を有している
ことが知られた。この結果をもとに通常の使用電力３５
Ｗ／Ｔｍｎ２ （感熱紙を最大に発色させる電力）によ
り空印字寿命試験を行なったところ第４図の結果を得た
。
１０８パルスの印加後でも許容抵抗変化値の±１０チ以
内であり、発明の感熱記録ヘッドは非常にすぐれた特性
を示すことが判明した。
内であり、発明の感熱記録ヘッドは非常にすぐれた特性
を示すことが判明した。
以上、述べたように、本発明によれば発熱抵抗体のクロ
ムとシリコンの組成比が安定、すなわちＣｒＳｉ２金属
間化合物の組成となり、比抵抗の均一性が確保される。
ムとシリコンの組成比が安定、すなわちＣｒＳｉ２金属
間化合物の組成となり、比抵抗の均一性が確保される。
このため抵抗値を制御することが容易となシ、使用の場
合、高速、高電圧、高加熱においても長寿命で高い信頼
性のある感熱記録ヘッドを提供できる。
合、高速、高電圧、高加熱においても長寿命で高い信頼
性のある感熱記録ヘッドを提供できる。
第１図は、感熱記録ヘッドの発熱抵抗体パターン図、第
２図（ａ）は、Ｓｉ板にＣｒを成膜した断面［’、ｌ、
（ｂ）は、Ｓｉ板表面にＣｒＳｉ２金属間化合物層を持
つターゲット断面図、第３図は、ステップストレス試験
結果を示す特性図、第４図は、連続通電試験の結果を示
す線図である。
２図（ａ）は、Ｓｉ板にＣｒを成膜した断面［’、ｌ、
（ｂ）は、Ｓｉ板表面にＣｒＳｉ２金属間化合物層を持
つターゲット断面図、第３図は、ステップストレス試験
結果を示す特性図、第４図は、連続通電試験の結果を示
す線図である。
Claims (1)
- １、基板上に薄膜発熱抵抗体と該抵抗体に通電する導体
を有し、前記抵抗体への通電による発熱によって、所定
の用紙に記録を行なうものにおいて、薄膜発熱抵抗体が
ｃｒｓｉ２金属間化合物であることを特徴とする感熱記
録ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58082718A JPS59209157A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | 感熱記録ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58082718A JPS59209157A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | 感熱記録ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59209157A true JPS59209157A (ja) | 1984-11-27 |
| JPH0225339B2 JPH0225339B2 (ja) | 1990-06-01 |
Family
ID=13782186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58082718A Granted JPS59209157A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | 感熱記録ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59209157A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS541898A (en) * | 1977-05-31 | 1979-01-09 | Siemens Ag | Electric resistive film and method of making same |
| JPS5955001A (ja) * | 1982-08-24 | 1984-03-29 | エヌ・ベ−・フイリツプス・フル−イランペンフアブリケン | 抵抗およびその製造方法 |
-
1983
- 1983-05-13 JP JP58082718A patent/JPS59209157A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS541898A (en) * | 1977-05-31 | 1979-01-09 | Siemens Ag | Electric resistive film and method of making same |
| JPS5955001A (ja) * | 1982-08-24 | 1984-03-29 | エヌ・ベ−・フイリツプス・フル−イランペンフアブリケン | 抵抗およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0225339B2 (ja) | 1990-06-01 |
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