JPS59210708A - 弾性表面波デバイスの製造方法 - Google Patents
弾性表面波デバイスの製造方法Info
- Publication number
- JPS59210708A JPS59210708A JP58084447A JP8444783A JPS59210708A JP S59210708 A JPS59210708 A JP S59210708A JP 58084447 A JP58084447 A JP 58084447A JP 8444783 A JP8444783 A JP 8444783A JP S59210708 A JPS59210708 A JP S59210708A
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- Japan
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- surface acoustic
- acoustic wave
- thin film
- manufacturing
- substrate
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/08—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of resonators or networks using surface acoustic waves
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- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、弾性表面波デバイスの製造方法に関するもの
で、特に高精度の弾性表面波デバイスの製造方法に関し
ている。
で、特に高精度の弾性表面波デバイスの製造方法に関し
ている。
従来例の構成とその問題点
高精度の固体化フィルタ、共振器、遅延素子などに、弾
性表面波デバイスが有用であるとされているが、弾性表
面波デバイスを生産すると、例えば弾性表面波フィルタ
の中心周波数のバラツキが０．０５％以上である。一方
、最近の情報機器では中心周波数のバラツキは、この値
よりさらに１桁以上小さいことが要求されるだめ、一般
には選別という手段で生産されている。しかし、この種
の生産手段では、より高精度のデバイスを大量に生産す
ることは不可能であるため、高精度の加工プロセスの開
発が強く要請されていた０本発明はこの要請に応するも
のである。
性表面波デバイスが有用であるとされているが、弾性表
面波デバイスを生産すると、例えば弾性表面波フィルタ
の中心周波数のバラツキが０．０５％以上である。一方
、最近の情報機器では中心周波数のバラツキは、この値
よりさらに１桁以上小さいことが要求されるだめ、一般
には選別という手段で生産されている。しかし、この種
の生産手段では、より高精度のデバイスを大量に生産す
ることは不可能であるため、高精度の加工プロセスの開
発が強く要請されていた０本発明はこの要請に応するも
のである。
発明の目的
すなわち、本発明の目的は高精度の弾性表面波デバイス
を容易に得ることのできる製造方法を提供するものであ
る。
を容易に得ることのできる製造方法を提供するものであ
る。
発明の構成
本発明は、少なくとも弾性表面波の伝搬する基板からな
る弾性表面波デバイスの製造方法において、上記基板に
不整格子配列の薄膜を厚さ１０八から０．０３λ（λ：
弾性表面波の波長）の範囲でスパッタリング法等にて蒸
着し、重重しくはさらに光を照射することにより、上記
弾性表面波の伝搬速度を変化させることを特徴とするも
のである。
る弾性表面波デバイスの製造方法において、上記基板に
不整格子配列の薄膜を厚さ１０八から０．０３λ（λ：
弾性表面波の波長）の範囲でスパッタリング法等にて蒸
着し、重重しくはさらに光を照射することにより、上記
弾性表面波の伝搬速度を変化させることを特徴とするも
のである。
実施例の説明
以下、図と実施例により本発明の詳細な説明する。
第１図は、本発明の高精度の弾性表面波デバイスの製造
方法を説明するだめの弾性表面波デバイス１０の要部構
造を示す。すなわち、第１図において、弾性表面波１１
が伝搬する基板１２の上に、不整格子配列の薄膜１３を
、厚さ１０八から０．０３λ（λ：弾性表面波の波長）
の範囲で蒸着するととにより、上記弾性表面波１１の伝
搬速度を変化させ、所望の伝搬速度をもった弾性表面波
デバイスを製造しようとするのが本発明の特徴である。
方法を説明するだめの弾性表面波デバイス１０の要部構
造を示す。すなわち、第１図において、弾性表面波１１
が伝搬する基板１２の上に、不整格子配列の薄膜１３を
、厚さ１０八から０．０３λ（λ：弾性表面波の波長）
の範囲で蒸着するととにより、上記弾性表面波１１の伝
搬速度を変化させ、所望の伝搬速度をもった弾性表面波
デバイスを製造しようとするのが本発明の特徴である。
す々わち、通常弾性表面波デバイスの周波数特性、例え
ば弾性表面波フィルタの中心周波数ｆ。
ば弾性表面波フィルタの中心周波数ｆ。
は、ｆ０二ｖ／／ （ｚ−：弾性表面波の伝搬速度）の
関係で決まる。この場合、λは、例えば弾性表面波励振
用のインターディジタル電極の幾何学的寸法で決まり、
その設計値の寸法に加工することは容易である。しだが
って、この種のデバイスを製造するときに問題に々るの
は、弾性表面波の伝搬速度？の基板材料によるバラ・リ
キに起因した、ｆｏのバラツキである。ｆｏのバラツキ
は、基板材料の物性定数、例えばヤング率、密度、ポア
ソン比などのバラツキに起因した９、あるいは単結晶基
板では、弾性表面波の伝搬方向の設定のバラツキなども
加わったりして複雑である。したがって、これらのバラ
ツキを減らすことは通常の技術では容易ではない。
関係で決まる。この場合、λは、例えば弾性表面波励振
用のインターディジタル電極の幾何学的寸法で決まり、
その設計値の寸法に加工することは容易である。しだが
って、この種のデバイスを製造するときに問題に々るの
は、弾性表面波の伝搬速度？の基板材料によるバラ・リ
キに起因した、ｆｏのバラツキである。ｆｏのバラツキ
は、基板材料の物性定数、例えばヤング率、密度、ポア
ソン比などのバラツキに起因した９、あるいは単結晶基
板では、弾性表面波の伝搬方向の設定のバラツキなども
加わったりして複雑である。したがって、これらのバラ
ツキを減らすことは通常の技術では容易ではない。
一方、本発明は、従来のｆ。のバラツキに関して、薄い
薄膜でかつ結晶化の進んでいない不整格子配列した薄膜
（この行の薄膜は例えば蒸着プロセスて形成するとき、
薄膜の成長過程でしばしば見られる）を、弾性表面波の
伝搬路」二に例えば室温程度に冷してスパッタ蒸着する
と、蒸着時間を変えるたけて容易にｆ。を調整しうると
いう本発明者らの発見に基づくものである。第２図に、
見体的な実施例を示す。水晶基板上に形成した弾性表面
波フィルタの弾性表面波の伝搬路に、スパッタ法で３１
０２の不整格子配列した薄膜を形成した時のスパッタ時
間とｆ。との関係を曲線２１に示ず。曲線２１ばｆ。の
変化がスパッタ時間により負から正に変化することを示
すとともに、この変化を用いるとスパッタ時間によりｆ
。を正負の方向に任意に調整できることを示す。この場
合スパッタ時間が短かすきて例えば蒸着された薄膜の厚
さが例えば１０Å以下になると蒸着された薄膜が連続膜
にならず特性の再現性がない。また逆にスパッタ時間が
長すぎて、例えば膜厚が０．ｏ３λ以」−になると曲線
２２が示すごとく挿入損失が通常の回路設計に問題にな
る１ｄＢ以上に増加し、実用性に欠く。なお、この構造
では、ｆ０ト５Ｘｏ２薄膜の膜厚との関係は、理論的に
は第２図曲線２３のごとく、単調に１０が増加すると考
えられていた。しだがって、第２図曲線２１でのｆ。の
負から正への転換（極小点の存在）は、通常の格子の整
った薄膜では見られないもので、本発明にかかる不整格
子配列の薄膜の特徴でもある。
薄膜でかつ結晶化の進んでいない不整格子配列した薄膜
（この行の薄膜は例えば蒸着プロセスて形成するとき、
薄膜の成長過程でしばしば見られる）を、弾性表面波の
伝搬路」二に例えば室温程度に冷してスパッタ蒸着する
と、蒸着時間を変えるたけて容易にｆ。を調整しうると
いう本発明者らの発見に基づくものである。第２図に、
見体的な実施例を示す。水晶基板上に形成した弾性表面
波フィルタの弾性表面波の伝搬路に、スパッタ法で３１
０２の不整格子配列した薄膜を形成した時のスパッタ時
間とｆ。との関係を曲線２１に示ず。曲線２１ばｆ。の
変化がスパッタ時間により負から正に変化することを示
すとともに、この変化を用いるとスパッタ時間によりｆ
。を正負の方向に任意に調整できることを示す。この場
合スパッタ時間が短かすきて例えば蒸着された薄膜の厚
さが例えば１０Å以下になると蒸着された薄膜が連続膜
にならず特性の再現性がない。また逆にスパッタ時間が
長すぎて、例えば膜厚が０．ｏ３λ以」−になると曲線
２２が示すごとく挿入損失が通常の回路設計に問題にな
る１ｄＢ以上に増加し、実用性に欠く。なお、この構造
では、ｆ０ト５Ｘｏ２薄膜の膜厚との関係は、理論的に
は第２図曲線２３のごとく、単調に１０が増加すると考
えられていた。しだがって、第２図曲線２１でのｆ。の
負から正への転換（極小点の存在）は、通常の格子の整
った薄膜では見られないもので、本発明にかかる不整格
子配列の薄膜の特徴でもある。
さらに本発明者らは、この種の弾性表面波デバイスの製
造方法において、基板に不整格子配列の薄膜を蒸着した
後この薄膜表面に光照射例えばレーザ光を照射すると、
上記ｆ０が変化しそのｆｏの変化が光のパワーによって
精度よく制御できることを発見し、この光照射により高
精度の弾性表面波デバイス例えばフィルタ、発振子など
を再現性よく形成できるプロセスを発明した。
造方法において、基板に不整格子配列の薄膜を蒸着した
後この薄膜表面に光照射例えばレーザ光を照射すると、
上記ｆ０が変化しそのｆｏの変化が光のパワーによって
精度よく制御できることを発見し、この光照射により高
精度の弾性表面波デバイス例えばフィルタ、発振子など
を再現性よく形成できるプロセスを発明した。
第３図曲線３１．３２はその実施例を示す０すなわち、
水晶基板に例えばスパ゛ツタ法で主成分Ｓ １０２の不
整格子配列の薄膜をスパック蒸着したときの、スパッタ
時間とｆ。の変化を曲線３１に示すが、このｌｊす膜表
面にＣＯ２赤外線レーザ（１０，７７１ｍ ）を照射す
るとｆ。は増加し、長時間照射すると曲線３２に収れん
する。したがって、レーザ光線の照射時間を調整すると
、曲線３１゜３２１ｉｌ ３３の任意のｆｏを示す素子
が得られることがわかった。この場合、レーザ光線照射
は、単にｆ。の調整のみならず、アニール効果もあるの
で、弾性表面波デバイスの長期安定性の改善にも効果が
あることを本発明者らは確認した。
水晶基板に例えばスパ゛ツタ法で主成分Ｓ １０２の不
整格子配列の薄膜をスパック蒸着したときの、スパッタ
時間とｆ。の変化を曲線３１に示すが、このｌｊす膜表
面にＣＯ２赤外線レーザ（１０，７７１ｍ ）を照射す
るとｆ。は増加し、長時間照射すると曲線３２に収れん
する。したがって、レーザ光線の照射時間を調整すると
、曲線３１゜３２１ｉｌ ３３の任意のｆｏを示す素子
が得られることがわかった。この場合、レーザ光線照射
は、単にｆ。の調整のみならず、アニール効果もあるの
で、弾性表面波デバイスの長期安定性の改善にも効果が
あることを本発明者らは確認した。
なお、光照射の光源は上述したＣｏ２レーザのような赤
外線レーザとしてＹＡＧレーザ（１，ｏ６゜１．３２７
ｚｍ ）、さらにＡｒレーザ（０，４μｍ ） 、 エ
キシマレーザ（０，２〜０．４μｍ）のような紫外線レ
ーザー又、ハロゲンランプ、水銀ランプ等の紫外線光源
も同様に用いることができることを本発明者らは確認し
た。
外線レーザとしてＹＡＧレーザ（１，ｏ６゜１．３２７
ｚｍ ）、さらにＡｒレーザ（０，４μｍ ） 、 エ
キシマレーザ（０，２〜０．４μｍ）のような紫外線レ
ーザー又、ハロゲンランプ、水銀ランプ等の紫外線光源
も同様に用いることができることを本発明者らは確認し
た。
また、基板の材料と不整格子配列の薄膜の材料の組合せ
も以上に述べた実施例に限定されたものではない。ここ
で、本発明の効果をより一層理解され易くするだめ、２
，３具体例をあげて本発明を説明する。
も以上に述べた実施例に限定されたものではない。ここ
で、本発明の効果をより一層理解され易くするだめ、２
，３具体例をあげて本発明を説明する。
実施例１
ＳＴカット水晶基板１２の表面にＡＩ 蒸着膜からなる
櫛型電極対（線巾１．２μｍ、対数１５０゜電極膜厚５
００人）を形成した。この電極膜を入出力電極とした弾
性表面波フィルタを用いて、遅延線型弾性表面波発振器
を形成した。その結果、発振周波数は６７４．４訃であ
ったが、所望の周波数より０．４１ｔｈずれていた。つ
づいて、マグネトロンスパッタ装置で、石英ターゲット
をアルゴンガス中でスパッタし、伝搬路に１分間主成分
が３１０２の薄膜１３を形成した。蒸着中素子の温度は
３０℃に保持した。その結果、発振周波数は６７４赴（
所望の値）を得た。石英薄膜の厚さは１００Ａであった
。なお、スパッタ時間を管理することにより、周波数の
精度は量産時で±５０ ｋｆｌｚ以下であることを確認
した。
櫛型電極対（線巾１．２μｍ、対数１５０゜電極膜厚５
００人）を形成した。この電極膜を入出力電極とした弾
性表面波フィルタを用いて、遅延線型弾性表面波発振器
を形成した。その結果、発振周波数は６７４．４訃であ
ったが、所望の周波数より０．４１ｔｈずれていた。つ
づいて、マグネトロンスパッタ装置で、石英ターゲット
をアルゴンガス中でスパッタし、伝搬路に１分間主成分
が３１０２の薄膜１３を形成した。蒸着中素子の温度は
３０℃に保持した。その結果、発振周波数は６７４赴（
所望の値）を得た。石英薄膜の厚さは１００Ａであった
。なお、スパッタ時間を管理することにより、周波数の
精度は量産時で±５０ ｋｆｌｚ以下であることを確認
した。
実施例２
実施例１で形成した素子を、さらにエキシマレーザ（０
，２９５μｍ）で照射した。この場合、レーザの電力は
ａ、ｓＷ、照射時間３０秒で所望の周波数を得だ。この
場合、素子の発振周波数をモニターしなからレーザ光を
照射することにより、周波数の精度は量産時±２０ ｋ
Ｈ＋以下であることを確認した。１だ、素子をヒートサ
イクル試験（−２０℃〜１００℃）を行っても、何ら特
性の変化は見られず、信頼性が高いことが確認された。
，２９５μｍ）で照射した。この場合、レーザの電力は
ａ、ｓＷ、照射時間３０秒で所望の周波数を得だ。この
場合、素子の発振周波数をモニターしなからレーザ光を
照射することにより、周波数の精度は量産時±２０ ｋ
Ｈ＋以下であることを確認した。１だ、素子をヒートサ
イクル試験（−２０℃〜１００℃）を行っても、何ら特
性の変化は見られず、信頼性が高いことが確認された。
実施例３
２ｎ０ 薄膜／ザファイア構造の多層構造基板１２に実
施例１と同様に、石英ターゲットをマグネトロンスパッ
タで１分間主成分が５１０２の薄膜１３を形成した。こ
の場合の発振周波数は９１４．９ＭＨであったＯＳ膜１
３の膜厚による周波数の変化は４００ｋｌｌｚ ／ １
００人であった。この素子に、Ｃｏ２レーザ（１ｏ、−
ｒμｍ）を照射し、周波数の調整を行い、所望の９１５
動にした・レーザーの電力、。
施例１と同様に、石英ターゲットをマグネトロンスパッ
タで１分間主成分が５１０２の薄膜１３を形成した。こ
の場合の発振周波数は９１４．９ＭＨであったＯＳ膜１
３の膜厚による周波数の変化は４００ｋｌｌｚ ／ １
００人であった。この素子に、Ｃｏ２レーザ（１ｏ、−
ｒμｍ）を照射し、周波数の調整を行い、所望の９１５
動にした・レーザーの電力、。
照射時間は５’Ｗ’、０．７５秒であった。
発明の効果
以上の説明からも明らかなごとく、本発明の製造プロセ
スによると、高精度の弾性表面波デバイスが容易に生産
できる特徴がある この場合、弾性表面波デバイスの伝
搬路面への不整格子配列の薄膜の積層と、さらに望まし
くはこれを光照射してｆ。を高精度に調整することが特
徴である。不整格子配列の薄膜は、本実施例ではスパッ
タ蒸着で形成する方法について述べたが、必すしもスパ
ッタ蒸着法に依る必要はなく、蒸着された薄膜の格子が
乱れておりさえすればよい。イオンビームスパッタ、電
子ビーム蒸着、化学的気相成長（ＣＶＤ）、プラズマＣ
ＶＤも実用し得る。また、光照射の光源もレーザ光源に
限ったことではなく、要はエネルギ密度が一定値以上に
達しておりさえすればよく、紫外線ランプ、赤外線ラン
プ等も集光することにより実用し得る。
スによると、高精度の弾性表面波デバイスが容易に生産
できる特徴がある この場合、弾性表面波デバイスの伝
搬路面への不整格子配列の薄膜の積層と、さらに望まし
くはこれを光照射してｆ。を高精度に調整することが特
徴である。不整格子配列の薄膜は、本実施例ではスパッ
タ蒸着で形成する方法について述べたが、必すしもスパ
ッタ蒸着法に依る必要はなく、蒸着された薄膜の格子が
乱れておりさえすればよい。イオンビームスパッタ、電
子ビーム蒸着、化学的気相成長（ＣＶＤ）、プラズマＣ
ＶＤも実用し得る。また、光照射の光源もレーザ光源に
限ったことではなく、要はエネルギ密度が一定値以上に
達しておりさえすればよく、紫外線ランプ、赤外線ラン
プ等も集光することにより実用し得る。
寸だ、上述した例では不整格子配列の薄膜を例えば水晶
のような圧電性基板上に積層していたが、本発明の効果
は、必ずしも圧電性基板上に積層しなくとも、弾性表面
波が伝搬する基板上に積層さえすれば同様の効果が得ら
れる。したかって、例えば非圧電体基板例えばガラス基
板を伝搬路にもつ遅延素子なとは、このガラス基板上に
不整格子配列の薄膜をＵｉ層ずればよい。
のような圧電性基板上に積層していたが、本発明の効果
は、必ずしも圧電性基板上に積層しなくとも、弾性表面
波が伝搬する基板上に積層さえすれば同様の効果が得ら
れる。したかって、例えば非圧電体基板例えばガラス基
板を伝搬路にもつ遅延素子なとは、このガラス基板上に
不整格子配列の薄膜をＵｉ層ずればよい。
徒だ、本発明の効果は、実施例に述べたフィルタあるい
は遅延素子に限定されたものではなく、これ以外に弾性
表面波レゾネータをはじめ、あらゆる種類の弾性表面波
デバイアの形成に本発明は有効であるから、その工業的
価値は高い０
は遅延素子に限定されたものではなく、これ以外に弾性
表面波レゾネータをはじめ、あらゆる種類の弾性表面波
デバイアの形成に本発明は有効であるから、その工業的
価値は高い０
第１図は本発明を説明するための弾性表面波デバイスの
要部断面図、第２図および第３図は本発明の詳細な説明
するだめの特性曲線図である。 １２・・・・・・基板、１３・・・・・・不整格子配列
の薄膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 スハヘ・／夕峙問
要部断面図、第２図および第３図は本発明の詳細な説明
するだめの特性曲線図である。 １２・・・・・・基板、１３・・・・・・不整格子配列
の薄膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 スハヘ・／夕峙問
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）弾性表面波が伝搬する基板に不整格子配列の薄膜
を厚さ１０人から０．０３λ（λ：弾性表面波の波長）
の範囲で蒸着することにより、上記弾性表面波の伝搬速
度を変化させることを特徴とする弾性表面波デバイスの
製造方法。 （２）基板に不整格子配列の薄膜を蒸着した後、さらに
光を照射することを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の弾性表面波デバイスの製造方法。 （３）光に紫外線光を用いることを特徴とする特許＋＋
ｉ１１求の範囲第２項 記載の弾性表面波デバイスの製
造方法。 （４）光に赤外線レーザを用いることを特徴とする特１
１′１請求の範囲第２項記載の弾性表面波デバイスの製
造方法。 （６）不整格子配列の薄膜をスパッタ蒸着法で形成する
ことを！１百徴とする特許請求の範囲第１項記載の弾性
表面波デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58084447A JPS59210708A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58084447A JPS59210708A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59210708A true JPS59210708A (ja) | 1984-11-29 |
| JPH0351128B2 JPH0351128B2 (ja) | 1991-08-05 |
Family
ID=13830858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58084447A Granted JPS59210708A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59210708A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63246911A (ja) * | 1986-12-22 | 1988-10-13 | レイセオン・カンパニー | 弾性表面波装置及び表面波速度特性調整方法 |
| US5757250A (en) * | 1995-03-06 | 1998-05-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave module with thin film for wave transmission velocity differentiation |
| WO2014208664A1 (ja) | 2013-06-28 | 2014-12-31 | リバーエレテック株式会社 | 弾性波素子 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57107626A (en) * | 1980-11-03 | 1982-07-05 | United Technologies Corp | Gallium arsenide surface sound wave element compensated for temperature |
-
1983
- 1983-05-13 JP JP58084447A patent/JPS59210708A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57107626A (en) * | 1980-11-03 | 1982-07-05 | United Technologies Corp | Gallium arsenide surface sound wave element compensated for temperature |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63246911A (ja) * | 1986-12-22 | 1988-10-13 | レイセオン・カンパニー | 弾性表面波装置及び表面波速度特性調整方法 |
| US5757250A (en) * | 1995-03-06 | 1998-05-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave module with thin film for wave transmission velocity differentiation |
| US5815900A (en) * | 1995-03-06 | 1998-10-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing a surface acoustic wave module |
| US5996199A (en) * | 1995-03-06 | 1999-12-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing surface acoustic ware modules |
| WO2014208664A1 (ja) | 2013-06-28 | 2014-12-31 | リバーエレテック株式会社 | 弾性波素子 |
| US9800225B2 (en) | 2013-06-28 | 2017-10-24 | River Eletec Corporation | Elastic wave device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0351128B2 (ja) | 1991-08-05 |
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