JPS5917510A - 光導波路 - Google Patents
光導波路Info
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- JPS5917510A JPS5917510A JP57126934A JP12693482A JPS5917510A JP S5917510 A JPS5917510 A JP S5917510A JP 57126934 A JP57126934 A JP 57126934A JP 12693482 A JP12693482 A JP 12693482A JP S5917510 A JPS5917510 A JP S5917510A
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- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
- G02B6/132—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by deposition of thin films
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- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光導波路に関するものである。
小型光デバイス、或いは光ＩＣに用いる被覆層を有する
光導波路として、第１図ａに示すような拡散型導波路や
、同図すに示す薄膜型導波路が用いられていた。この場
合、第１図ａに示す拡散型導波路では、たとえばＬ ｉ
Ｎ ｂ Ｏａ基板１１の表面にＴｉ拡散層１３からな
る光伝搬媒質体を設け、その上部に被覆層１２を形成し
光導波路としていた。
光導波路として、第１図ａに示すような拡散型導波路や
、同図すに示す薄膜型導波路が用いられていた。この場
合、第１図ａに示す拡散型導波路では、たとえばＬ ｉ
Ｎ ｂ Ｏａ基板１１の表面にＴｉ拡散層１３からな
る光伝搬媒質体を設け、その上部に被覆層１２を形成し
光導波路としていた。
また第１図すに示す薄膜型導波路では、たとえばＬｉＴ
ａＯ３基板１４上に、たとえばＬｉＮｂ○３薄膜１５か
らなる光伝搬媒質体を設け、その上部に被覆層１６を形
成し光導波路としていた。
ａＯ３基板１４上に、たとえばＬｉＮｂ○３薄膜１５か
らなる光伝搬媒質体を設け、その上部に被覆層１６を形
成し光導波路としていた。
この種の光導波路は光の伝達のみならず、各種光回路、
たとえば光デバイスを小型化、あるいは集積化し、光機
能デバイスの形成あるいは光ＩＣの形成などのために用
いられる。しかしながら、これらの光導波路においては
、導波光の収束、すなわち基板面内方向への導波光の拡
がり、が不充分であり、光導波路の境界が不明確であり
、たとえば同一表面に二次元的に複数の導波路を集積化
する場合、集積度に限界があるという欠点がある。
たとえば光デバイスを小型化、あるいは集積化し、光機
能デバイスの形成あるいは光ＩＣの形成などのために用
いられる。しかしながら、これらの光導波路においては
、導波光の収束、すなわち基板面内方向への導波光の拡
がり、が不充分であり、光導波路の境界が不明確であり
、たとえば同一表面に二次元的に複数の導波路を集積化
する場合、集積度に限界があるという欠点がある。
また、被覆層を設けることにより光伝搬損失が増加する
という欠点もある。
という欠点もある。
本発明は、これらの光導波路の構造とその構成材料に改
良を加え、従来の光導波路の欠点を除去したものである
。すなわち、本発明の目的は、小６・・−ジ 型光デバイスあるいは光ＩＣに用いる光導波路の構造と
その構成材料を与え、さらに、光導波路部分の光の収束
能を高め、光伝搬損失を低減する。
良を加え、従来の光導波路の欠点を除去したものである
。すなわち、本発明の目的は、小６・・−ジ 型光デバイスあるいは光ＩＣに用いる光導波路の構造と
その構成材料を与え、さらに、光導波路部分の光の収束
能を高め、光伝搬損失を低減する。
第２図に、本発明に基づく光導波路の基本的な構造を示
す。すなわち、基板２１の表面上に光伝搬媒質体２２を
設け、更に光伝搬媒質体２２の表面の一部に被覆層２３
を設は光導波路２４が構成されている。この場合、光が
光導波路２４のみを通るよう構成した光伝搬媒質体２２
の光の屈折率は、基板２１の表面および被覆層２３の光
の屈折率より大きい。
す。すなわち、基板２１の表面上に光伝搬媒質体２２を
設け、更に光伝搬媒質体２２の表面の一部に被覆層２３
を設は光導波路２４が構成されている。この場合、光が
光導波路２４のみを通るよう構成した光伝搬媒質体２２
の光の屈折率は、基板２１の表面および被覆層２３の光
の屈折率より大きい。
また、光伝搬媒質体２２において、上記被覆層２３にお
おわれた光伝搬媒質体、すなわち光導波路２４の光の屈
折率が、被覆層２３におおわれていない光伝搬媒質体２
２の光の屈折率より大きいことを特徴としている。
おわれた光伝搬媒質体、すなわち光導波路２４の光の屈
折率が、被覆層２３におおわれていない光伝搬媒質体２
２の光の屈折率より大きいことを特徴としている。
第２図から明らかなように、本発明に基づく光導波路は
、光伝搬媒質体２２において、光導波路２４の屈折率が
、その他の部分に比べ大きいだめ、従来の被覆型導波路
に見られる基板面内で光の拡６ ページ がりが少なく、導波光の収束能が大きい。このため、本
発明に基づく上記の光導波路は、光デバイスの高密度化
、ＩＣ化に有用なものとなる。
、光伝搬媒質体２２において、光導波路２４の屈折率が
、その他の部分に比べ大きいだめ、従来の被覆型導波路
に見られる基板面内で光の拡６ ページ がりが少なく、導波光の収束能が大きい。このため、本
発明に基づく上記の光導波路は、光デバイスの高密度化
、ＩＣ化に有用なものとなる。
さらに、本発明者等は、光伝搬媒質体２２中の屈折率の
大きい部分である光導波路２４と被覆層２３との位置を
正確に一致させることが重要であることを見い出した。
大きい部分である光導波路２４と被覆層２３との位置を
正確に一致させることが重要であることを見い出した。
また、この種の光導波路の形成に以下の材料が最適であ
ることを見い出し、これに基づき、高性能の光導波路を
構成することに成功した。
ることを見い出し、これに基づき、高性能の光導波路を
構成することに成功した。
すなわち、結晶性基板の表面部分をＭｑＯ，ａ−Ａ１２
ｏ３（す７’フイヤ）、スピネル、５ｒＴｉ○３のうち
のいずれかで構成し、光伝搬媒質体をＢａＴｉ０ Ｐ
ｂＴｉＯ３あるいはＰＬｚＴ系化合物Ｉ のうちのいずれかで構成し被覆層を石英ガラス、シリカ
ガラス、硼珪酸ガラスあるいはソーダガラスのうちのい
ずれかで構成すると、形成も容易でかつ各種の機能デバ
イスとの集積化も容易である。
ｏ３（す７’フイヤ）、スピネル、５ｒＴｉ○３のうち
のいずれかで構成し、光伝搬媒質体をＢａＴｉ０ Ｐ
ｂＴｉＯ３あるいはＰＬｚＴ系化合物Ｉ のうちのいずれかで構成し被覆層を石英ガラス、シリカ
ガラス、硼珪酸ガラスあるいはソーダガラスのうちのい
ずれかで構成すると、形成も容易でかつ各種の機能デバ
イスとの集積化も容易である。
すなわち、光導波路を構成する光伝搬媒質体の光の屈折
率が被覆層や基板のそれより大きいという７ 、＝、、
、・ 基本的な条件に加えて、光導波路による光の伝搬損失が
小さいこと、まだ基板が光導波路を形成することのでき
るものであることが重要な条件となる。さらに、この種
の導波路が、小型化あるいは集積化光デバイスにも応用
されるには、光導波路を構成する光伝搬媒質体がたとえ
ば大きい電気光学効果を示す必要がある。また、被覆層
を、光伝搬媒質中の屈折率の大きい部分に一致させて、
容易に形成可能であることもこれらの材料の選択に重要
である。
率が被覆層や基板のそれより大きいという７ 、＝、、
、・ 基本的な条件に加えて、光導波路による光の伝搬損失が
小さいこと、まだ基板が光導波路を形成することのでき
るものであることが重要な条件となる。さらに、この種
の導波路が、小型化あるいは集積化光デバイスにも応用
されるには、光導波路を構成する光伝搬媒質体がたとえ
ば大きい電気光学効果を示す必要がある。また、被覆層
を、光伝搬媒質中の屈折率の大きい部分に一致させて、
容易に形成可能であることもこれらの材料の選択に重要
である。
本発明者等は、第２図に示す光導波路の構成材料を変え
て探索した結果、−例として光伝搬媒質体として、Ｐｂ
ＴｉＯ３薄膜が、基板にサファイヤ（α−Ａ１２０３）
単結晶板が、まだ被覆層に石英ガラスが有用であること
を確認し７だ。すなわち、この種の構成材料では、スパ
ッタリング法という薄膜形成技術を導入することにより
、比較的低い温度で、本発明にかかる構造の光導波路を
実現することができ、光ＩＣなど、光集積化デバイスの
実現に適している。
て探索した結果、−例として光伝搬媒質体として、Ｐｂ
ＴｉＯ３薄膜が、基板にサファイヤ（α−Ａ１２０３）
単結晶板が、まだ被覆層に石英ガラスが有用であること
を確認し７だ。すなわち、この種の構成材料では、スパ
ッタリング法という薄膜形成技術を導入することにより
、比較的低い温度で、本発明にかかる構造の光導波路を
実現することができ、光ＩＣなど、光集積化デバイスの
実現に適している。
次に本発明がより深く理解されるよう、本発明にがかる
光導波路の形成手順の一例と構成材料要素について具体
的に説明する。
光導波路の形成手順の一例と構成材料要素について具体
的に説明する。
まず、たとえばサファイヤ（０００１）面の単結晶板を
基板にする。この基板面上に、例えば高周波スパッタリ
ング法で、ＰｂＴｉＯ３薄膜を形成する。この場合、基
板温度を６ｏｏ°Ｃ程度に保持し、化学組成がＰｂＴ
ｉＯ３の化学当量化からのずれがないようにすると、（
１１１）面のＰ ｂ Ｔ ｉＯｓの透明な単結晶薄膜が
形成され、光伝搬媒質体が形成される。
基板にする。この基板面上に、例えば高周波スパッタリ
ング法で、ＰｂＴｉＯ３薄膜を形成する。この場合、基
板温度を６ｏｏ°Ｃ程度に保持し、化学組成がＰｂＴ
ｉＯ３の化学当量化からのずれがないようにすると、（
１１１）面のＰ ｂ Ｔ ｉＯｓの透明な単結晶薄膜が
形成され、光伝搬媒質体が形成される。
第３図は上述の方法で形成したＰ ｂ Ｔ ｚ Ｏｓ薄
膜のＸ線回折パターン例を示す。
膜のＸ線回折パターン例を示す。
更に、本発明者等は、上記のサファイアＣ面上に形成さ
れたＰｂＴｉＯ３薄膜を、瞬間的に熱処理（加熱処理）
をすることにより屈折率がわずかに大きくなることを見
つけだ。更に、上記Ｐ ｂ Ｔ １０３薄膜を局所的に
熱処理を施し、上記熱処理を施しだ部分に正確に一致さ
せて、例えば石英ガラスからなる被覆層を、例えば高周
波スパッタリング法９１、−−・ により形成した。この場合、光伝搬媒質体の屈折率の大
きい部分に、被覆層を正確に一致させることが重要であ
ることを確認した。位置を正確に一致させることにより
、導波光の面内での拡がりが少なくなり、光伝搬損失が
大幅に減少することを見つけた。
れたＰｂＴｉＯ３薄膜を、瞬間的に熱処理（加熱処理）
をすることにより屈折率がわずかに大きくなることを見
つけだ。更に、上記Ｐ ｂ Ｔ １０３薄膜を局所的に
熱処理を施し、上記熱処理を施しだ部分に正確に一致さ
せて、例えば石英ガラスからなる被覆層を、例えば高周
波スパッタリング法９１、−−・ により形成した。この場合、光伝搬媒質体の屈折率の大
きい部分に、被覆層を正確に一致させることが重要であ
ることを確認した。位置を正確に一致させることにより
、導波光の面内での拡がりが少なくなり、光伝搬損失が
大幅に減少することを見つけた。
尚、現在のところ、瞬間的な熱処理により、屈折率がわ
ずかに大きくなり、光伝搬損失が減少する理由は十分に
は解明されていないが、膜内の欠陥、歪みなどが加熱処
理により取り除かれるためと考えらねる。
ずかに大きくなり、光伝搬損失が減少する理由は十分に
は解明されていないが、膜内の欠陥、歪みなどが加熱処
理により取り除かれるためと考えらねる。
以上の説明では、基板としてサファイヤ（０００１）簡
単結晶板について述べたが、同様な効果は、ＭｇＯ、Ｓ
ｒ Ｔ ｉ Ｏ３単結晶の（１０ｏ）面や、スピネル
（ＭｇＯ−Ａ１２０３）単結晶の（１１０）面を基板に
用いて得られることを確認した。この場合は、Ｐ ｂ
Ｔ ｉＯｓ薄膜は（１ｏｏ ）面が成長する。
単結晶板について述べたが、同様な効果は、ＭｇＯ、Ｓ
ｒ Ｔ ｉ Ｏ３単結晶の（１０ｏ）面や、スピネル
（ＭｇＯ−Ａ１２０３）単結晶の（１１０）面を基板に
用いて得られることを確認した。この場合は、Ｐ ｂ
Ｔ ｉＯｓ薄膜は（１ｏｏ ）面が成長する。
さらに、光伝搬媒質も、Ｐ ｂ Ｔ １０ ａ以外に、
Ｂ ａ Ｔ ｉＯｓや、ＰＬＺＴ系薄膜だとえばＰＬＺ
Ｔ（９／ ６５ ／ ３５ ）、Ｐ Ｌ Ｔ 、 Ｐ
Ｚ Ｔ ｆｚ トｃｒ）ヘロプ１ｏべ一゛ノ スカイト構造の薄膜でも、ＰｂＴ１０３ と同様の形成
プロセスで形成で遣電気光学効果も大きく、本発明にが
かる光導波路の構成材料として有効であることを発明者
らは確認した。すなわち、その電気光学効果は、通常の
バルクの数１０％以上の値を示す。
Ｂ ａ Ｔ ｉＯｓや、ＰＬＺＴ系薄膜だとえばＰＬＺ
Ｔ（９／ ６５ ／ ３５ ）、Ｐ Ｌ Ｔ 、 Ｐ
Ｚ Ｔ ｆｚ トｃｒ）ヘロプ１ｏべ一゛ノ スカイト構造の薄膜でも、ＰｂＴ１０３ と同様の形成
プロセスで形成で遣電気光学効果も大きく、本発明にが
かる光導波路の構成材料として有効であることを発明者
らは確認した。すなわち、その電気光学効果は、通常の
バルクの数１０％以上の値を示す。
上記被覆層は、石英ガラス以外に、たとえばシリカガラ
ス、硼珪酸ガラス、ソーダガラスでも使用できることを
確認した。
ス、硼珪酸ガラス、ソーダガラスでも使用できることを
確認した。
さらに、本発明者等は基板として、ＢＧＯ（Ｂｉ１２Ｇ
ｅｏ２ｏ）単結晶を用い、光伝搬媒質体をＢＴＯ（Ｂｉ
１２ＴｉＯ２ｏ）あるいはＢＳ○（Ｂ１１２ Ｓ １０
２０ ）薄膜としてもよいことを確認した。なお、基板
にＬ ｉ ＴａＯ単結晶板を光導波路にＬ ｉＮ ｂ
Ｏ３薄膜を使用したときにもこれと同じ結果が認められ
た。
ｅｏ２ｏ）単結晶を用い、光伝搬媒質体をＢＴＯ（Ｂｉ
１２ＴｉＯ２ｏ）あるいはＢＳ○（Ｂ１１２ Ｓ １０
２０ ）薄膜としてもよいことを確認した。なお、基板
にＬ ｉ ＴａＯ単結晶板を光導波路にＬ ｉＮ ｂ
Ｏ３薄膜を使用したときにもこれと同じ結果が認められ
た。
まだ、具体例で示した、基板あるいは光導波路の構成材
料以外でも、化学組成やその結晶方位等を変化させるこ
とにより、本発明の主旨と同様の効果を得ることができ
る。たとえば、■−■族化合物でも本発明の構成の基本
条件さえ満足されていればよく、基板にＧ ａ Ｐ
を、光伝搬媒質をＧ ａ Ａ、 ｓで構成する。これは
赤外線用として有効である。
料以外でも、化学組成やその結晶方位等を変化させるこ
とにより、本発明の主旨と同様の効果を得ることができ
る。たとえば、■−■族化合物でも本発明の構成の基本
条件さえ満足されていればよく、基板にＧ ａ Ｐ
を、光伝搬媒質をＧ ａ Ａ、 ｓで構成する。これは
赤外線用として有効である。
丑だ、■−■族化合物でもよく、たとえば、基板にＺｎ
５ｅ単結晶を、光伝搬媒質体にＺｎＴｅを使用するとよ
い。また、これらのＴＩ−Ｖｌ族化合物、たとえばＺｎ
Ｏ，ＺｎＳ、ＣｄＳ、Ｚｎ５ｅ、ＺｎＴｅあるいはこれ
らの化合物を光伝搬媒質体に用い、基板にａ−Ａ１２０
３を用いてもよい。ＺｎＯを光導波路に用いる場合、た
とえば、（０００１）面あるいは（０１１２）面のａ
Ａ １２０ ｓ単結晶の基板を用い、その上にＺｎＯ
膜をマグネトロンスパッタ法で蒸着形成すると、スパッ
タ蒸着中の基板温度が３００〜４ｏ○°Ｃという低い温
度でも、光伝搬損失が２ｄＢ／ｍ以下という良好な単結
晶薄膜がエピタキシャル成長し、この種の光導波路の形
成に有用である。
５ｅ単結晶を、光伝搬媒質体にＺｎＴｅを使用するとよ
い。また、これらのＴＩ−Ｖｌ族化合物、たとえばＺｎ
Ｏ，ＺｎＳ、ＣｄＳ、Ｚｎ５ｅ、ＺｎＴｅあるいはこれ
らの化合物を光伝搬媒質体に用い、基板にａ−Ａ１２０
３を用いてもよい。ＺｎＯを光導波路に用いる場合、た
とえば、（０００１）面あるいは（０１１２）面のａ
Ａ １２０ ｓ単結晶の基板を用い、その上にＺｎＯ
膜をマグネトロンスパッタ法で蒸着形成すると、スパッ
タ蒸着中の基板温度が３００〜４ｏ○°Ｃという低い温
度でも、光伝搬損失が２ｄＢ／ｍ以下という良好な単結
晶薄膜がエピタキシャル成長し、この種の光導波路の形
成に有用である。
さらに、本発明者等は、第２図に示した本発明に基づく
光導波路の構成において、被覆層、光伝搬媒質および基
板の光吸収係数を、それだハα。。
光導波路の構成において、被覆層、光伝搬媒質および基
板の光吸収係数を、それだハα。。
α（およびａ８とした場合、（２，≧１０ａｆ、１０α
８である材料が有効であることを見い出しだ。
８である材料が有効であることを見い出しだ。
上述の材料を用いれば、被覆層が、光伝搬媒質中の屈折
率の大きい部分に正確に一致した光導波路を容易に形成
することが可能である。
率の大きい部分に正確に一致した光導波路を容易に形成
することが可能である。
すなわち、サファイヤ基板上に形成されたＰ ｂ Ｔ
１０３薄膜上に、丑ず光導波路とすべき部分に、例えば
高周波スパッタリング法により石英ガラスからなる被覆
層を形成する。次に石英ガラスに対しては不透明である
が、ザファイヤ基板あるいはＰ ｂ Ｔ １０３薄膜に
対しては透明である赤外線。
１０３薄膜上に、丑ず光導波路とすべき部分に、例えば
高周波スパッタリング法により石英ガラスからなる被覆
層を形成する。次に石英ガラスに対しては不透明である
が、ザファイヤ基板あるいはＰ ｂ Ｔ １０３薄膜に
対しては透明である赤外線。
すなわち波長５〜６μｍの赤外線を照射する。
赤外線照射により、」−記被覆層石英ガラス層だけが効
率よく加熱される。その結果、光伝搬媒質Ｐ ｂ Ｔ
１０ ａ薄膜において、上記石英ガラスと接している部
分のみが効率よく加熱処理がなされ、その部分の屈折率
がわずかに大きくなシ、光伝搬損失も低減する。このよ
うにして本発明に基づく光伝搬媒質中の屈折率の大きい
部分と、被覆層とが正確に一致した光導波路を容易に形
成することが出来る。この際、光吸収係数の差が１０倍
程度あ１３／、 ユ・ れば効率よく形成出来る。
率よく加熱される。その結果、光伝搬媒質Ｐ ｂ Ｔ
１０ ａ薄膜において、上記石英ガラスと接している部
分のみが効率よく加熱処理がなされ、その部分の屈折率
がわずかに大きくなシ、光伝搬損失も低減する。このよ
うにして本発明に基づく光伝搬媒質中の屈折率の大きい
部分と、被覆層とが正確に一致した光導波路を容易に形
成することが出来る。この際、光吸収係数の差が１０倍
程度あ１３／、 ユ・ れば効率よく形成出来る。
すなわち、光吸収係数の差が１ｏ倍程度あれば、被覆層
と光伝搬媒質体が同程度の膜厚であっても、吸収される
赤外線のエネルギーは１０倍程度異なることを意味する
。従って、光吸収係数の差がより大きい場合、より薄い
被覆層を用いても局所的な加熱処理が実現可能であり、
より高度な微細加工が実現できることを示している。
と光伝搬媒質体が同程度の膜厚であっても、吸収される
赤外線のエネルギーは１０倍程度異なることを意味する
。従って、光吸収係数の差がより大きい場合、より薄い
被覆層を用いても局所的な加熱処理が実現可能であり、
より高度な微細加工が実現できることを示している。
まだ、基板に課せられる特性も、必ずしも基板全体に要
求されることはなく、基板の表面さえ満足されていれば
よい。
求されることはなく、基板の表面さえ満足されていれば
よい。
以上の説明から明らかなごとく、本発明にがかる光導波
路は、光伝搬特性に優れ、まだ境界がきわめて明確な光
の導波路を提供することができる。
路は、光伝搬特性に優れ、まだ境界がきわめて明確な光
の導波路を提供することができる。
その伝搬路の巾精度は、現在の半導体製造技術を用いれ
ば、１μｍ以下、いわゆるサブミクロンの範囲である。
ば、１μｍ以下、いわゆるサブミクロンの範囲である。
さらに、大きな電気光学効果をもつ材料で光導波路を構
成することによって、より一層元デバイスの小型化、集
積化が可能となり、光ＩＣ等の集積化機能デバイスの形
成に有効である。
成することによって、より一層元デバイスの小型化、集
積化が可能となり、光ＩＣ等の集積化機能デバイスの形
成に有効である。
１４ベージ
第１図ａ、ｂはそれぞれ従来の薄膜光導波路の構造を示
す図、第２図は本発明に基づく光導波路の基本的な構造
を示す図、第３図は同党導波路の特性の一例を示す図で
ある。 １１．１４．２１・−・・基板、１３ 、１５ 、２２
・・・・・光伝搬媒質体、１２，１６．２３ −・被覆
層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 １２ 第２図 ４ 第３図 ミ ２θ ７゛′ラツク゛′肩 ４５
す図、第２図は本発明に基づく光導波路の基本的な構造
を示す図、第３図は同党導波路の特性の一例を示す図で
ある。 １１．１４．２１・−・・基板、１３ 、１５ 、２２
・・・・・光伝搬媒質体、１２，１６．２３ −・被覆
層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 １２ 第２図 ４ 第３図 ミ ２θ ７゛′ラツク゛′肩 ４５
Claims (5)
- （１）基板と、上記基板上に設けられた光伝搬媒質体と
、上記光伝搬媒質体上の一部に設けられた被覆層とを備
え、上記光伝搬媒質体の光の屈折率が少なくとも上記基
板の表面および上記被覆層の光の屈折率より大きく、か
つ上記光伝搬媒質体において、上記被覆層におおわれた
上記光伝搬媒質体の光の屈折率が上記被覆層におおわれ
ていない上記光伝搬媒質体の光の屈折率より大きいこと
を特徴とする光導波路。 - （２）少なくとも基板の表面部分がＭｑ○、α−Ａρ２
ｏ３（サファイヤ）、スピネル、５ｒＴｌｏ３のウチの
少なくとも一種で構成されており、また光伝搬媒質体が
ＢａＴｉＯ３，ＰｂＴｉＯ２，ＰＬＺＴ系化合物の少な
くとも一種で構成されており、かつ被覆層が石英ガラス
、シリカガラス、硼珪酸ガラス、ソーダーガラスのうち
の少なくとも一種で構成されてぃ２ ページ ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光導波
路。 - （３）少なく°とも基板の表面部分がＢ １１２ Ｇ
ｅ Ｏ２０で構成され、かつ、光伝搬媒質体がＢ １１
２ Ｔ １０２０あるいはＢ ｓ １２ Ｓ １０２ｏ
で構成されており、かつ、被覆層が石英ガラス、シリカ
ガラス、硼珪酸ガラス、ソーダーガラスのうちの少なく
とも一種で構成されていることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の光導波路。 - （４）少なくとも基板の表面部分がＬｉＴａＯ３で構成
され、まだ光伝搬媒質がＬ Ｉ Ｎ ｂ Ｏｓで構成さ
れており、被覆層が石英ガラス、硼珪酸ガラス、ソーダ
ーガラスのうちの少なくとも一種で構成されていること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光導波路。 - （５） 少なくとも基板の表面部分がＧａＰ で構成
され、光伝搬媒質がＧ ａ Ａ ｓで構成され、がっ、
被覆層が石英ガラス、シリカガラス、硼珪酸ガラス、ソ
ーダーガラスのうちの少なくとも一種で構成されている
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項３／。−・ 記載の光導波路。 （６ン 少なくとも基板の表面部分がα−Ａ１２０３で
構成され、光伝搬媒質がＺｎ○、ＺｎＳ 、ＣｃｌＳ
、Ｚｎ５ｅ。 ＺｎＴｅ、あるいはこれらの化合物のうちの一種で構成
され、かつ、被覆層が石英ガラス、シリカガラス、硼珪
酸ガラス、ソーダーガラス、のうちの少なくとも一種で
構成されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の光導波路。 （７２被覆層、光伝搬媒質および基板の光吸収係数を、
それぞれα。、（Ｉｆ、およびα８とした場合、α。≧
１０ａｆ、１０α８であることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の光導波路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57126934A JPS5917510A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 光導波路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57126934A JPS5917510A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 光導波路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5917510A true JPS5917510A (ja) | 1984-01-28 |
Family
ID=14947511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57126934A Pending JPS5917510A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 光導波路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5917510A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61214778A (ja) * | 1985-03-20 | 1986-09-24 | Hitachi Ltd | 無接点起動装置 |
| US4793697A (en) * | 1986-08-04 | 1988-12-27 | Motorola, Inc. | PLZT shutter with minimized space charge degradation |
| US4831432A (en) * | 1986-02-27 | 1989-05-16 | Nippondenso Co., Ltd. | Positive ceramic semiconductor device |
| JPH01258401A (ja) * | 1988-04-07 | 1989-10-16 | Murata Mfg Co Ltd | サーミスタ装置 |
| US4973934A (en) * | 1988-06-15 | 1990-11-27 | Tdk Corporation | PTC thermistor device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4940956A (ja) * | 1972-08-25 | 1974-04-17 |
-
1982
- 1982-07-20 JP JP57126934A patent/JPS5917510A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4940956A (ja) * | 1972-08-25 | 1974-04-17 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61214778A (ja) * | 1985-03-20 | 1986-09-24 | Hitachi Ltd | 無接点起動装置 |
| US4831432A (en) * | 1986-02-27 | 1989-05-16 | Nippondenso Co., Ltd. | Positive ceramic semiconductor device |
| US4793697A (en) * | 1986-08-04 | 1988-12-27 | Motorola, Inc. | PLZT shutter with minimized space charge degradation |
| JPH01258401A (ja) * | 1988-04-07 | 1989-10-16 | Murata Mfg Co Ltd | サーミスタ装置 |
| US4973934A (en) * | 1988-06-15 | 1990-11-27 | Tdk Corporation | PTC thermistor device |
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