JPS5921076A - 受光半導体装置 - Google Patents
受光半導体装置Info
- Publication number
- JPS5921076A JPS5921076A JP57130973A JP13097382A JPS5921076A JP S5921076 A JPS5921076 A JP S5921076A JP 57130973 A JP57130973 A JP 57130973A JP 13097382 A JP13097382 A JP 13097382A JP S5921076 A JPS5921076 A JP S5921076A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- light
- semiconductor device
- photo
- molded
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/50—Encapsulations or containers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は基板上に１個又は複数個の受光チップが配置さ
れそれらが光透過性樹脂で２重に成型された受光半導体
装置に関する。
れそれらが光透過性樹脂で２重に成型された受光半導体
装置に関する。
従来の受光半導体装置ではその使用される目的に応じで
、口■視光から赤外光まで全部の光を透過させる特性を
持つ樹脂とか赤外光のみを透過させる特性を持つ樹脂等
でトランスファモールド法又はキャスティングモールド
法によって１重に成型されたものが実用化されている１
）シかし２％に赤外光のみを透過する樹脂で成型された
受光半導体装置に於いでは使用する樹脂に用祝光を遮断
するための染料や散乱剤及び峠型剤吟が配合し７でおり
このため（イ）受光半導体＆ＩＷに照射された光が樹脂
内部で減良ｌ〜受光プツシの光起電、力が低−卜する。
、口■視光から赤外光まで全部の光を透過させる特性を
持つ樹脂とか赤外光のみを透過させる特性を持つ樹脂等
でトランスファモールド法又はキャスティングモールド
法によって１重に成型されたものが実用化されている１
）シかし２％に赤外光のみを透過する樹脂で成型された
受光半導体装置に於いでは使用する樹脂に用祝光を遮断
するための染料や散乱剤及び峠型剤吟が配合し７でおり
このため（イ）受光半導体＆ＩＷに照射された光が樹脂
内部で減良ｌ〜受光プツシの光起電、力が低−卜する。
（ロ）樹１１Ｍ本来の耐熱性が損力わｉするという欠点
がおった。
がおった。
本発明の目的は高起電力ｆ発生し、［２かも環境的高信
頼贋を有する受光仝１′導体装置を提供することにおる
。
頼贋を有する受光仝１′導体装置を提供することにおる
。
本発明は、耐湿、耐熱性に優れた透明な樹脂でモールド
成型しその外周を更に厚さ数十ミクロンの樹脂で成型シ
フ、照射した光の減衰がないようにしたものである。
成型しその外周を更に厚さ数十ミクロンの樹脂で成型シ
フ、照射した光の減衰がないようにしたものである。
次に本発明を実施例について図面を蓼照して詳細に説明
する。第１図は従来の受光半導体装置の断面図であシ、
第２図は本発明の一実施例を説明するだめの製品断面図
である。従来の受光半導体装置ではカソード基板１上に
受光チップ３をマウントし受光テップ３のポンディング
パッドとアノード基板２とを金線４等で接続した後赤外
光のみを透過する特性を持つエポキシ樹脂５等でトラン
スファモールド法等によシ受光チップ３からの厚さが２
〜３ｍｍになるように機械的強度等の制約によシ成型さ
れているのが実情である。一方照射光の樹脂中でのパワ
ーＰ（ｉｎ）はα：透過係数、Ｐｏ＝照射光の初期パワ
ー、Ｘ：モールド表面からの距離とした場合に Ｐ（ｉｎ） ＝ ａ Ｐｏｅ−αｘ と衣わされるため
、照射光を効率よく受光テップ３に伝えるためには光の
透過率が大きい樹脂であること並びに受光チップ３から
モールド樹脂５宍面までの距離を可能な限り小さくしな
ければ前述の通りに本来あるべき光電電力の約７０チと
低下してしまう。又耐熱耐湿性に於いても可視光を遮断
し、赤外光のみを透過す特性を持つエポキシ樹脂５で染
料とか散乱剤等を含んでいない透明な樹脂より優るもの
は現存しておらず改善の余地が残っている。
する。第１図は従来の受光半導体装置の断面図であシ、
第２図は本発明の一実施例を説明するだめの製品断面図
である。従来の受光半導体装置ではカソード基板１上に
受光チップ３をマウントし受光テップ３のポンディング
パッドとアノード基板２とを金線４等で接続した後赤外
光のみを透過する特性を持つエポキシ樹脂５等でトラン
スファモールド法等によシ受光チップ３からの厚さが２
〜３ｍｍになるように機械的強度等の制約によシ成型さ
れているのが実情である。一方照射光の樹脂中でのパワ
ーＰ（ｉｎ）はα：透過係数、Ｐｏ＝照射光の初期パワ
ー、Ｘ：モールド表面からの距離とした場合に Ｐ（ｉｎ） ＝ ａ Ｐｏｅ−αｘ と衣わされるため
、照射光を効率よく受光テップ３に伝えるためには光の
透過率が大きい樹脂であること並びに受光チップ３から
モールド樹脂５宍面までの距離を可能な限り小さくしな
ければ前述の通りに本来あるべき光電電力の約７０チと
低下してしまう。又耐熱耐湿性に於いても可視光を遮断
し、赤外光のみを透過す特性を持つエポキシ樹脂５で染
料とか散乱剤等を含んでいない透明な樹脂より優るもの
は現存しておらず改善の余地が残っている。
３−
そこで第２図のように一度染料とか散乱剤勢を含んでい
ガい樹脂（以下クリア樹脂と呼ぶ）６で成型した彼更に
その外周を赤外光のみを透過する樹脂７で５０〜１００
μの厚さに成型することにより前述の欠点は改善され高
光起電力でしかも側熱鉦１湿性に優れた受光半導体装置
が得られる。この装置の製造方法及び樹脂の選択は現在
の半導体製造技術によシ十分まかなえるものであり、本
発明は量産性に富んでいる。又応用例として外周部の樹
脂を特定の波長の光のみを透過するようなものに変える
こともでき実用的でもある。
ガい樹脂（以下クリア樹脂と呼ぶ）６で成型した彼更に
その外周を赤外光のみを透過する樹脂７で５０〜１００
μの厚さに成型することにより前述の欠点は改善され高
光起電力でしかも側熱鉦１湿性に優れた受光半導体装置
が得られる。この装置の製造方法及び樹脂の選択は現在
の半導体製造技術によシ十分まかなえるものであり、本
発明は量産性に富んでいる。又応用例として外周部の樹
脂を特定の波長の光のみを透過するようなものに変える
こともでき実用的でもある。
第１図は従来の受光半導体装置の断面図であシ第２図は
本発明の一実施例を説明するための表品の断面図である
。
本発明の一実施例を説明するための表品の断面図である
。
Claims (1)
- 基板トに１個又は複数個の受光チップが配置されそれら
が光透過性の樹脂で成型された受光半導体装置に於いて
基板及び受光チップの周囲全体を光透過性の異なる樹脂
で２重に成型したととを特徴とする受光半導体装置１゜
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57130973A JPS5921076A (ja) | 1982-07-27 | 1982-07-27 | 受光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57130973A JPS5921076A (ja) | 1982-07-27 | 1982-07-27 | 受光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5921076A true JPS5921076A (ja) | 1984-02-02 |
Family
ID=15046927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57130973A Pending JPS5921076A (ja) | 1982-07-27 | 1982-07-27 | 受光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5921076A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS632964U (ja) * | 1986-06-20 | 1988-01-09 | ||
| JPH0220355U (ja) * | 1988-07-26 | 1990-02-09 | ||
| JPH0456559A (ja) * | 1990-06-26 | 1992-02-24 | Matsushita Electric Works Ltd | ベースバンド通信システム |
| US5886400A (en) * | 1995-08-31 | 1999-03-23 | Motorola, Inc. | Semiconductor device having an insulating layer and method for making |
-
1982
- 1982-07-27 JP JP57130973A patent/JPS5921076A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS632964U (ja) * | 1986-06-20 | 1988-01-09 | ||
| JPH0220355U (ja) * | 1988-07-26 | 1990-02-09 | ||
| JPH0456559A (ja) * | 1990-06-26 | 1992-02-24 | Matsushita Electric Works Ltd | ベースバンド通信システム |
| US5886400A (en) * | 1995-08-31 | 1999-03-23 | Motorola, Inc. | Semiconductor device having an insulating layer and method for making |
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