JPS59214A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
- Publication number
- JPS59214A JPS59214A JP10935582A JP10935582A JPS59214A JP S59214 A JPS59214 A JP S59214A JP 10935582 A JP10935582 A JP 10935582A JP 10935582 A JP10935582 A JP 10935582A JP S59214 A JPS59214 A JP S59214A
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- JP
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- acoustic wave
- surface acoustic
- substrate
- electrode
- face
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders or supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
- H03H9/1071—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the SAW device
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は弾性表面波共振器、弾性表面波フィルタ、弾性
表面波遅延線等の弾性表面波装置に関する。
表面波遅延線等の弾性表面波装置に関する。
し発明の技術的背景］
従来から弾性表面波装置、例えば弾性表面波共振器は、
第１図に示すように、−主面を鏡面加工しかつ対向裏面
を粗面加工したチップ状弾性表面波基板１の一生面に電
極２を形成嶋、その弾性衣ＦｒＩ波基板１を端子ビン３
の植設されたパッケージステム４の上面に接着剤５を介
して固定し、弾性表面波基板１−ヒの電極２と端子ピン
３とをボンディングワイヤ６によって接続し、更にシェ
ルキャップ７をパッケージステム４に気密被覆し°て構
成されＣいる。
第１図に示すように、−主面を鏡面加工しかつ対向裏面
を粗面加工したチップ状弾性表面波基板１の一生面に電
極２を形成嶋、その弾性衣ＦｒＩ波基板１を端子ビン３
の植設されたパッケージステム４の上面に接着剤５を介
して固定し、弾性表面波基板１−ヒの電極２と端子ピン
３とをボンディングワイヤ６によって接続し、更にシェ
ルキャップ７をパッケージステム４に気密被覆し°て構
成されＣいる。
このような構造の弾性表面波共振器にお番プる接着剤５
としては、弾力性の良好なエポキシ系接着剤やシリコー
ン系接着剤等の絶縁性熱硬化形接着剤が汎用されている
。
としては、弾力性の良好なエポキシ系接着剤やシリコー
ン系接着剤等の絶縁性熱硬化形接着剤が汎用されている
。
そして、例えばエポキシ系接着剤は、充填剤を混入しな
いでそのまま用いられる場合もあるが、多くは接着剤の
熱膨張係数を小さくしかつ誘電率εを高める目的で、フ
ェライト、アルミナ、リチウム、アルミニウムシリケー
ト、重炭酸ソーダ等の無機質充填剤を混入させて使用さ
れている。
いでそのまま用いられる場合もあるが、多くは接着剤の
熱膨張係数を小さくしかつ誘電率εを高める目的で、フ
ェライト、アルミナ、リチウム、アルミニウムシリケー
ト、重炭酸ソーダ等の無機質充填剤を混入させて使用さ
れている。
［背景技術の問題点］
しかしながらこのよう番こ構成された弾性表面波共振器
において、上述のように各種充填剤を混入したエポキシ
系接着剤やシリコーン系接着剤５は、１５０〜２００℃
で２時間程度加熱して硬化させＣいるが、この加熱処理
においては接着剤５中の未反応物質を完全に除去するこ
とができない。
において、上述のように各種充填剤を混入したエポキシ
系接着剤やシリコーン系接着剤５は、１５０〜２００℃
で２時間程度加熱して硬化させＣいるが、この加熱処理
においては接着剤５中の未反応物質を完全に除去するこ
とができない。
そのため、出荷前、弾性表面波共振器をヒートエイジン
グするために２４〜４８時間程度８０〜１５０℃の高温
下に放置させたり、８０〜１５０℃のヒートライフテス
トをした場合には接着剤５からＣＨ４，８２０，ＣＯ等
の分解ガスが放出され、シ１ルキセツプ７とパッケージ
ステム４で封止された管内に蓄積される。
グするために２４〜４８時間程度８０〜１５０℃の高温
下に放置させたり、８０〜１５０℃のヒートライフテス
トをした場合には接着剤５からＣＨ４，８２０，ＣＯ等
の分解ガスが放出され、シ１ルキセツプ７とパッケージ
ステム４で封止された管内に蓄積される。
その結果、管内のガス圧力が増加しζ、弾性表面波基板
１の電極２や伝播路にストレスが加わり、その質量効果
によって弾性表面波共振器の温度変化（６丁）に伴なう
中心周波数変化（Δｔｏ）が著しく大きくなり、弾性表
面波共振器の損失が増大する欠点がある。特に、弾性表
面波基１１ｉｉ１としてＬｔＴａＯ３等の単結晶を用い
た場合には、弾性表面波基板１にクラックが多発する難
点があった。
１の電極２や伝播路にストレスが加わり、その質量効果
によって弾性表面波共振器の温度変化（６丁）に伴なう
中心周波数変化（Δｔｏ）が著しく大きくなり、弾性表
面波共振器の損失が増大する欠点がある。特に、弾性表
面波基１１ｉｉ１としてＬｔＴａＯ３等の単結晶を用い
た場合には、弾性表面波基板１にクラックが多発する難
点があった。
また、接着剤５：かうの放出ガスは導電性もしくは誘導
性を有し易−いので、これが弾性表ｉｌ！Ｉｊ波基板１
の電極２に吸着され電極間のショートを生じやすく、シ
ョートしないまでも電極間の特性インピーダンスが変化
し、弾性表面波共振器の損失増大と特性の不安定化をも
たらす欠点があった。
性を有し易−いので、これが弾性表ｉｌ！Ｉｊ波基板１
の電極２に吸着され電極間のショートを生じやすく、シ
ョートしないまでも電極間の特性インピーダンスが変化
し、弾性表面波共振器の損失増大と特性の不安定化をも
たらす欠点があった。
なお、弾性表面波装置における接着剤５からの分解ガス
の発生を抑える手法として特開昭５４−１１６９４号公
報に記載された技術もある。しかしこの技術は、弾性表
面波基板を封入容器内に金−シリコンの共晶Ｃ取着する
もので′あり、金と多結晶シリコンとの共晶を得るため
には約４００℃程度の高温加熱が必要である。
の発生を抑える手法として特開昭５４−１１６９４号公
報に記載された技術もある。しかしこの技術は、弾性表
面波基板を封入容器内に金−シリコンの共晶Ｃ取着する
もので′あり、金と多結晶シリコンとの共晶を得るため
には約４００℃程度の高温加熱が必要である。
その結果、アルミニウム等で形成された弾性表面波電極
２が再結晶し易く、特性が大幅に変化するうえ、弾性表
面波基板の伝播路端′に吸音剤を形成する場合、（の吸
音剤が炭化して剥がれ易くなり吸音効果が大幅に低モす
る難点がある。さらに取着時の熱衝撃で弾性表面波基板
にクラックが生ずることもある。
２が再結晶し易く、特性が大幅に変化するうえ、弾性表
面波基板の伝播路端′に吸音剤を形成する場合、（の吸
音剤が炭化して剥がれ易くなり吸音効果が大幅に低モす
る難点がある。さらに取着時の熱衝撃で弾性表面波基板
にクラックが生ずることもある。
［発明の目的］
本発明は以上の欠点を解消するためになされたもので、
分解ガス発生がなく、損失の少ない安定した所望の特性
の得られる弾性表面波装置の提供を目的とするものであ
る。
分解ガス発生がなく、損失の少ない安定した所望の特性
の得られる弾性表面波装置の提供を目的とするものであ
る。
し発明の概要］
すなわち本発明の弾性表面波装置は、裏面に金属躾を形
成した弾性表面波基板を、パッケージステムの上面に低
融点半田を介して止着し、その外周を気密キャップで被
覆してなることを特徴とし、分解ガスの発生を抑えるも
のである。
成した弾性表面波基板を、パッケージステムの上面に低
融点半田を介して止着し、その外周を気密キャップで被
覆してなることを特徴とし、分解ガスの発生を抑えるも
のである。
［発明の実施例］
以下本発明の詳細な説明づる。なお、従来例と共通する
部分には、同一の符号を付す。
部分には、同一の符号を付す。
第２図は本発明の弾性表面波装置を例えば弾性表面波共
振器に適用した実施例で示す縦断面図である。
振器に適用した実施例で示す縦断面図である。
第２図におい【、リチウムタンタレート（ＬｉＴａｇｓ
）のψ結晶からなるチップ′状弾性表面波基板１の鏡面
加工された一生面上には、弾性表面波電極２が形成され
Ｃいる。
）のψ結晶からなるチップ′状弾性表面波基板１の鏡面
加工された一生面上には、弾性表面波電極２が形成され
Ｃいる。
この電極２は、第３図に示すように、励振電極８とその
両側に所定の間隔で励振電極８を挾むように設けた一対
の反射電極９．１０とがフォトエッヂフグ法等常法によ
つで形成されており、励振電極８によって励振された弾
性表面波が、反射電極９．１０で反射され、所定の周波
数に共振ピークを有する励振出力を励振電極８から出力
するようになっている。
両側に所定の間隔で励振電極８を挾むように設けた一対
の反射電極９．１０とがフォトエッヂフグ法等常法によ
つで形成されており、励振電極８によって励振された弾
性表面波が、反射電極９．１０で反射され、所定の周波
数に共振ピークを有する励振出力を励振電極８から出力
するようになっている。
弾性表面波基板１の一生面に対向する裏面１１は、バル
ク波等の不要振動波を乱反射するよう粗面化されでおり
、この面には上記電極８〜１０と同じ材料、例えばアル
ミニウムの金属躾１２が熱唱等の手段によって形成され
（いる。
ク波等の不要振動波を乱反射するよう粗面化されでおり
、この面には上記電極８〜１０と同じ材料、例えばアル
ミニウムの金属躾１２が熱唱等の手段によって形成され
（いる。
−ｈ１パッケージステム４には端子ビン３が植設され、
イの１廁１３は弾性表面波基板１より若干広い面積のニ
ッケルメッキ層１４が形成されＣ゛おり、このニッケル
メッキ層１４と弾性表面波基板１の金属膜１２とは低融
点半田１５によって共晶マウントされ、弾性表面波基板
１がパッケージステム４−上面に止着されている。
イの１廁１３は弾性表面波基板１より若干広い面積のニ
ッケルメッキ層１４が形成されＣ゛おり、このニッケル
メッキ層１４と弾性表面波基板１の金属膜１２とは低融
点半田１５によって共晶マウントされ、弾性表面波基板
１がパッケージステム４−上面に止着されている。
なお、電極２中励振電極８と端子ビン３とは、ボンディ
ングワイ１７６により電気的に接続されている。
ングワイ１７６により電気的に接続されている。
パッケージステム４には弾性表面波基板１を保護するた
めに気密キャップ７が被せられ、その外周部はパッケー
ジステム４の周縁部に溶接等によって接合封止されてい
る。
めに気密キャップ７が被せられ、その外周部はパッケー
ジステム４の周縁部に溶接等によって接合封止されてい
る。
弾性表面波フィルタを構成づる場合にあっては、一般に
弾性表面波基板１の伝播路端には吸音剤（図示せず）が
添着される。
弾性表面波基板１の伝播路端には吸音剤（図示せず）が
添着される。
このような構成の本発明の弾性表面波共振器は、弾性表
面波基板１をパッケージステム４の上面に、次のように
して止着される。
面波基板１をパッケージステム４の上面に、次のように
して止着される。
まず、パッケージステム４の上面にニッケルメッキ層１
４を形成する一方、第３図に示すような電極２を設けた
弾性表面波基板１の裏面にアルミニウムの金属膜１２を
形成する。
４を形成する一方、第３図に示すような電極２を設けた
弾性表面波基板１の裏面にアルミニウムの金属膜１２を
形成する。
次に、パッケージステム４の上にこれとほぼ同面積の低
融点半ＥＴＩ片を挾ｌυで弾性表面波基板１を重ねた後
、パッケージステム４を還元電気炉中へ移し、パッケー
ジステム４のニッケルメッキ層１４と低融点半田１５お
よび弾性表面波基板１の金属膜１２と低融点半田１５の
共晶温度以上の温度ぐ処理する。
融点半ＥＴＩ片を挾ｌυで弾性表面波基板１を重ねた後
、パッケージステム４を還元電気炉中へ移し、パッケー
ジステム４のニッケルメッキ層１４と低融点半田１５お
よび弾性表面波基板１の金属膜１２と低融点半田１５の
共晶温度以上の温度ぐ処理する。
処理温度は、３００℃もしくはそれ以上になると、弾性
表面波基板１の主面上の電極２が再結晶して特性の劣化
をまねき、また弾性表面波基板１自体や弾性表面波フィ
ルタを構成する場合吸音剤にクラックが入る恐れもある
ので、低融産生［１１１５の融点温度、すなわち１５０
〜２００℃程度の温度ぐ行うのが好ましい。
表面波基板１の主面上の電極２が再結晶して特性の劣化
をまねき、また弾性表面波基板１自体や弾性表面波フィ
ルタを構成する場合吸音剤にクラックが入る恐れもある
ので、低融産生［１１１５の融点温度、すなわち１５０
〜２００℃程度の温度ぐ行うのが好ましい。
本発明の弾性表面波共振器において、弾性表面波基板１
の裏面１１に形成する金属膜１２は、アルミニウムのほ
か金、ニッケル、クロム、けい素含有合金等が適してい
るが、特にけい素含有合金を用いるならば、共晶温度を
低くすることができ、一層低温で熱処理することが可能
となって電極２や基板１の変化を抑えることできる。
の裏面１１に形成する金属膜１２は、アルミニウムのほ
か金、ニッケル、クロム、けい素含有合金等が適してい
るが、特にけい素含有合金を用いるならば、共晶温度を
低くすることができ、一層低温で熱処理することが可能
となって電極２や基板１の変化を抑えることできる。
また、パッケージステム４１而に形成するニッケルメッ
キ層１４は、これに限らず半田性の良好な材料を用いる
ことも可能Ｃあるが、ニッケルが価格や製造面で好適で
ある。
キ層１４は、これに限らず半田性の良好な材料を用いる
ことも可能Ｃあるが、ニッケルが価格や製造面で好適で
ある。
なＪ５、上述の実施例においては、弾性表面波共振器を
例にして説明したが、弾性表面波フィルタや弾性表面波
遅延線等色々な弾性表面波装置に応用可能である。
例にして説明したが、弾性表面波フィルタや弾性表面波
遅延線等色々な弾性表面波装置に応用可能である。
［発明の効果］
以上説明したように本発明の弾性表面波装置は、裏面に
金属膜を形成した弾性表面波基板を、パッケージステム
の上面に低融点半田を介して止着１ノ、その外周を気密
キャップで被覆し【なるのＣ１エポキシ系やシリコーン
系の接着剤を用いないで弾性表面波基板をパッケージス
テムにマウントすることが可能となり、パッケージステ
ムに気密キャッジを被覆した後にも分解ガスが発生しな
くなって弾性表面波基板のクラックや電極のショートが
防止され損失や特性劣化を改善できる。
金属膜を形成した弾性表面波基板を、パッケージステム
の上面に低融点半田を介して止着１ノ、その外周を気密
キャップで被覆し【なるのＣ１エポキシ系やシリコーン
系の接着剤を用いないで弾性表面波基板をパッケージス
テムにマウントすることが可能となり、パッケージステ
ムに気密キャッジを被覆した後にも分解ガスが発生しな
くなって弾性表面波基板のクラックや電極のショートが
防止され損失や特性劣化を改善できる。
また、弾性表面波基板とパッケージステムとの止着処理
は比較的低温で行うことがｇきるのぐ、電極の変質の恐
れや熱衝撃の影響もなく、これらの点からも特性の安定
化を図ることができる。
は比較的低温で行うことがｇきるのぐ、電極の変質の恐
れや熱衝撃の影響もなく、これらの点からも特性の安定
化を図ることができる。
そし°（、パッケージステム上にニッケルメツ４二を施
す場合には低融点半田による共晶を容易化することがで
きるし、また、弾性表面波基板裏面の金属膜をけい素含
右合金とするならば、さらに低い温度ｅ熱処理可能とな
つＣより特性の安定化および作業性の向上を図ることが
できる。
す場合には低融点半田による共晶を容易化することがで
きるし、また、弾性表面波基板裏面の金属膜をけい素含
右合金とするならば、さらに低い温度ｅ熱処理可能とな
つＣより特性の安定化および作業性の向上を図ることが
できる。
第１図は従来の弾性表面波装置を示すｌ１１？ｉ面図、
第２図は本発明の弾性表面波装置の一実施例を示り縦断
面図、第３図は第２図に示す弾性表面波素子基板を示す
平面図である。 １・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・弾性表
面波基板２．８．９．１０・・・電極 ３・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・端子ビ
ン４・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・パッ
ケージステム５・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・接着剤７・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・気密キＶツゾ１２・・・川・・・・・・・・・・
・・・・・金属膜１３・・・町・・・・・・・・・・・
・・・半ＵＪ性の良好な金属材料（ニッケルメッキ層） １５・・・・・・・・・川・・・町・・低融点半田代理
人弁理士 須 山 佐 − 第２図
第２図は本発明の弾性表面波装置の一実施例を示り縦断
面図、第３図は第２図に示す弾性表面波素子基板を示す
平面図である。 １・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・弾性表
面波基板２．８．９．１０・・・電極 ３・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・端子ビ
ン４・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・パッ
ケージステム５・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・接着剤７・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・気密キＶツゾ１２・・・川・・・・・・・・・・
・・・・・金属膜１３・・・町・・・・・・・・・・・
・・・半ＵＪ性の良好な金属材料（ニッケルメッキ層） １５・・・・・・・・・川・・・町・・低融点半田代理
人弁理士 須 山 佐 − 第２図
Claims (3)
- （１）裏面に金属膜を形成した弾性表面波基板゛を、バ
ック−システムの上面に低融点半田を介して止着し、そ
の外周を気密キャップで被覆してなることを特徴とする
弾性表面波装置。 - （２）弾性表面波基板の止着されるパッケージステム上
面が半田性の良好な材料ぐメッキされてなることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の弾性表面波装置。 - （３）弾性表面波基板裏面の金属膜がけい素含有合金か
らなることを特徴とする特許請求の範囲第１項もしくは
第２項記載の弾性表面波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10935582A JPS59214A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | 弾性表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10935582A JPS59214A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | 弾性表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59214A true JPS59214A (ja) | 1984-01-05 |
Family
ID=14508120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10935582A Pending JPS59214A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59214A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61113412U (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-17 | ||
| JPS61113413U (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-17 |
-
1982
- 1982-06-25 JP JP10935582A patent/JPS59214A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61113412U (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-17 | ||
| JPS61113413U (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-17 |
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