JPS59215785A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS59215785A JPS59215785A JP58091828A JP9182883A JPS59215785A JP S59215785 A JPS59215785 A JP S59215785A JP 58091828 A JP58091828 A JP 58091828A JP 9182883 A JP9182883 A JP 9182883A JP S59215785 A JPS59215785 A JP S59215785A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- inp
- active layer
- ingaasp
- semiconductor laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/24—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a grooved structure, e.g. V-grooved, crescent active layer in groove, VSIS laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2237—Buried stripe structure with a non-planar active layer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光通信の分野において使用されるものである
。
。
従来例の構成とその問題点
半導体レーザは光通信用光源としてすでに一部では実用
期に入っている。特に波長１．３μｍ付近においては、
シリカ系ファイバの損失が極めて小さくなることから、
この波長のレーザ光を得ることのできるＩｒｌ ＧａＡ
８Ｐ／Ｉｎ Ｐ半導体レーザの開発が活発化している。
期に入っている。特に波長１．３μｍ付近においては、
シリカ系ファイバの損失が極めて小さくなることから、
この波長のレーザ光を得ることのできるＩｒｌ ＧａＡ
８Ｐ／Ｉｎ Ｐ半導体レーザの開発が活発化している。
この波長帯での通信を考える場合特に単一モードのファ
イバの使用が有効である。
イバの使用が有効である。
一方単一モードファイバに対する光源の特性として要求
される事項としては ■ 横単−モードでスポット状発振であるとと■ ビー
ムの広がりが小さいこと ■ 動作電流が小さいこと などである。従来の、特に初期のストライプ型レーザで
は動作電流の増加に伴い多モード発振となり、まだ動作
電流も極めて大きいものである。低しきい値電流又モー
ド安定性のために、埋め込み型レーザが考案された。こ
れは第１図に示すようにｎ−ＩｎＰ基板１上に第１の液
相エピタキシャル成長によシ、ｎ−ＩｎＰ層２ 、 ｎ
−ＩｎＧａＡｓＰ活性層３．Ｐ−ＩｎＰ層４ 、 Ｐ
−ＩｎＧａＡｓＰキウ・ツブ層５を順次成長させこれを
エツチングによっが逆メサ状に加工し、しかるのち、第
２の液相エピタキシャル成長によりＰ−ＩｎＰ層６．ｎ
−ＩｎＰ層７よりなる電流ブロック層を成長させる。こ
のような構造では、活性層の幅が約２μｍであり、かつ
、これをとりかこむ領域はすべて屈折率の小さいＩｎＰ
であることから光と、電流が効率よくとじ込められ
低しきい値電流でかつ、横車−モードで発振する。
される事項としては ■ 横単−モードでスポット状発振であるとと■ ビー
ムの広がりが小さいこと ■ 動作電流が小さいこと などである。従来の、特に初期のストライプ型レーザで
は動作電流の増加に伴い多モード発振となり、まだ動作
電流も極めて大きいものである。低しきい値電流又モー
ド安定性のために、埋め込み型レーザが考案された。こ
れは第１図に示すようにｎ−ＩｎＰ基板１上に第１の液
相エピタキシャル成長によシ、ｎ−ＩｎＰ層２ 、 ｎ
−ＩｎＧａＡｓＰ活性層３．Ｐ−ＩｎＰ層４ 、 Ｐ
−ＩｎＧａＡｓＰキウ・ツブ層５を順次成長させこれを
エツチングによっが逆メサ状に加工し、しかるのち、第
２の液相エピタキシャル成長によりＰ−ＩｎＰ層６．ｎ
−ＩｎＰ層７よりなる電流ブロック層を成長させる。こ
のような構造では、活性層の幅が約２μｍであり、かつ
、これをとりかこむ領域はすべて屈折率の小さいＩｎＰ
であることから光と、電流が効率よくとじ込められ
低しきい値電流でかつ、横車−モードで発振する。
一方このような構造においては、製造上の難点として第
１の成長後のエツチングにおいて活性層幅を２μｍ程度
にすることがあげられる。
１の成長後のエツチングにおいて活性層幅を２μｍ程度
にすることがあげられる。
すなわち、このように狭くエツチングすることは、現状
では、ウェットエッチに頼らざるをえず、きわめて制御
性が悪くエツチングが若干早くすすめば、活性層はおれ
てしまう。また最も大きな問題点として活性層の厚みが
約０．２μｍとしだ時活性層幅を３μｍ以下としなけれ
ば、横車−モードにならないことである。前記したよう
に、単一モードで発振するレーザが、単一モードファイ
バの利点を生かしうる必須条件であることから、エツチ
ングの制御性は、との形のレーザの最も大きな問題点と
いえる。
では、ウェットエッチに頼らざるをえず、きわめて制御
性が悪くエツチングが若干早くすすめば、活性層はおれ
てしまう。また最も大きな問題点として活性層の厚みが
約０．２μｍとしだ時活性層幅を３μｍ以下としなけれ
ば、横車−モードにならないことである。前記したよう
に、単一モードで発振するレーザが、単一モードファイ
バの利点を生かしうる必須条件であることから、エツチ
ングの制御性は、との形のレーザの最も大きな問題点と
いえる。
発明の目的
本発明の目的は、従来のレーザの製造上の問題点を克服
し、活性層に平行な方向のモード制御を可能とし、さら
に無効重加を極度に低減せしめた段は、活性層の形状を
三日月状とし、二次関数で近似できるような屈折率分布
をもたせたこと、また第２の手段として、上記形状の活
物層の両側にＩｎＰ よシ屈折率が大きく活性層より
屈折率の小さいＩｎＧａＡｇＰ 層を配置したことで
ある。このような活性層の形状及び光とじ込め層の配置
にょって、発振基本モードは、中心付近において立ちや
すぐ、活性層両サイドにおいては、ロスが大きくなるた
め、たとえ活性層が拡くても単−横モードで発振しつる
。
し、活性層に平行な方向のモード制御を可能とし、さら
に無効重加を極度に低減せしめた段は、活性層の形状を
三日月状とし、二次関数で近似できるような屈折率分布
をもたせたこと、また第２の手段として、上記形状の活
物層の両側にＩｎＰ よシ屈折率が大きく活性層より
屈折率の小さいＩｎＧａＡｇＰ 層を配置したことで
ある。このような活性層の形状及び光とじ込め層の配置
にょって、発振基本モードは、中心付近において立ちや
すぐ、活性層両サイドにおいては、ロスが大きくなるた
め、たとえ活性層が拡くても単−横モードで発振しつる
。
すなわち、第２図に示すように、第１図のような埋め込
み構造のレーザの活性層と、埋め込み層の屈折率関係は
、ａのように、ステップ型であシ活性層の屈折率分布は
一様でΔｎ１ も大きい。一方、本発明においては、活
性層の屈折率分布は、ｂに示すように、中心付近で最も
大きく、かつ両側へ２次関数で近似できるような分布を
もっと共Ｋ、とじ込め層の屈折率も従来の埋め込み型に
比して大きくし、発振モードが中心付近以外で、発生す
る高次モードを積極的に、減衰せしめるものである。
み構造のレーザの活性層と、埋め込み層の屈折率関係は
、ａのように、ステップ型であシ活性層の屈折率分布は
一様でΔｎ１ も大きい。一方、本発明においては、活
性層の屈折率分布は、ｂに示すように、中心付近で最も
大きく、かつ両側へ２次関数で近似できるような分布を
もっと共Ｋ、とじ込め層の屈折率も従来の埋め込み型に
比して大きくし、発振モードが中心付近以外で、発生す
る高次モードを積極的に、減衰せしめるものである。
さらに第３の手段によって、活性層両側には、ｎ −Ｉ
ｎＰ 、 Ｐ−Ｉ ｎＰよシなる電流ブロッキング層
を設け、極めて低しきい値のレーザを得るようにした。
ｎＰ 、 Ｐ−Ｉ ｎＰよシなる電流ブロッキング層
を設け、極めて低しきい値のレーザを得るようにした。
実施例の説明
第３図は本発明の半導体レーザ製造のだめの第１のエピ
タキシャル成長層の断面を示したもの−である。ｎ−Ｉ
ｎＰ基板１８上に順次ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層（波長にし
て１．３μｍに相当する組成、以下。１層と略す）ａ、
Ｐ−ＩｎＰ層９．ｎ−ＩｎＰ層１０゜Ｐ−ＩｎＰ層１１
、ｎ−ＩｎＧａＡｇＰ層（波長にして１．０μｍに相
当する組成、以下９２層と略す）１２を成長させる。次
に、第４図に示すごとくＳｉＯ２膜１３全１３っけたの
ちホトリソグラフィの手段によシ、幅約２μｍのストラ
イプ状Ｋ、ＳｉＯ２を除去する。しかるのち、９２層１
２をＨ２ＳＯ４：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ，３： １ ： １
カＣ）ｆｘるエツチング液によって除去したのち、Ｈ
ＧＩ によってＩｎＰ 層９，１０．１１をエツチン
グする。ＨＣｄは、９２層１２及び９１層８に対しては
、腐食性をもたないため、エツチングは。１層８で停止
する。
タキシャル成長層の断面を示したもの−である。ｎ−Ｉ
ｎＰ基板１８上に順次ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層（波長にし
て１．３μｍに相当する組成、以下。１層と略す）ａ、
Ｐ−ＩｎＰ層９．ｎ−ＩｎＰ層１０゜Ｐ−ＩｎＰ層１１
、ｎ−ＩｎＧａＡｇＰ層（波長にして１．０μｍに相
当する組成、以下９２層と略す）１２を成長させる。次
に、第４図に示すごとくＳｉＯ２膜１３全１３っけたの
ちホトリソグラフィの手段によシ、幅約２μｍのストラ
イプ状Ｋ、ＳｉＯ２を除去する。しかるのち、９２層１
２をＨ２ＳＯ４：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ，３： １ ： １
カＣ）ｆｘるエツチング液によって除去したのち、Ｈ
ＧＩ によってＩｎＰ 層９，１０．１１をエツチン
グする。ＨＣｄは、９２層１２及び９１層８に対しては
、腐食性をもたないため、エツチングは。１層８で停止
する。
このようなエツチングによって溝を形成した基板に、第
２０液相エピタキシヤル法によって第６図に示すように
ｎ−Ｉｎｐ層１４ 、 ＩｎＧａＡｓＰ 層（波長に
して１．３μｍに相当する組成、以下Ｑ３と略す）１５
、Ｐ−ＩｎＰ層１ ｓ 、Ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層（波長
にして１．０５μｍに相当する組成、以下Ｑ４と略す）
１７を順次成長させる。活性層である９３層１６は図に
示すごとく、三日月状を呈する０活性層厚は０．２μｍ
である。また９３層は、９２層１２の中間付近に位置す
るように成長を行う。尚最上層である９４層１７は電極
のだめのキャップ層である。
２０液相エピタキシヤル法によって第６図に示すように
ｎ−Ｉｎｐ層１４ 、 ＩｎＧａＡｓＰ 層（波長に
して１．３μｍに相当する組成、以下Ｑ３と略す）１５
、Ｐ−ＩｎＰ層１ ｓ 、Ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層（波長
にして１．０５μｍに相当する組成、以下Ｑ４と略す）
１７を順次成長させる。活性層である９３層１６は図に
示すごとく、三日月状を呈する０活性層厚は０．２μｍ
である。また９３層は、９２層１２の中間付近に位置す
るように成長を行う。尚最上層である９４層１７は電極
のだめのキャップ層である。
このような積層構造のウェーハに、Ｑ’層１７上にムｕ
／Ｚｎ−Ａｕ 、 ｎ−１ｎＰ 基板１側にＡ ｕ
／Ｓ ｎ−ムＵ によってオーミック電極を形成し、ヘ
キ開によって、約３００μｍの共振器長をもつレーザチ
ップを切シ出し、前記チップのしきい値電流と遠視野像
を調べたところ平均してしきい値電流は約２０ｍＡであ
った。また、遠視野像の測定からジャンクション面に垂
直方向（以下θＬと略す）で、約２σ平行方向（以下θ
〃 と略す）で約３２°のものが得られた。
／Ｚｎ−Ａｕ 、 ｎ−１ｎＰ 基板１側にＡ ｕ
／Ｓ ｎ−ムＵ によってオーミック電極を形成し、ヘ
キ開によって、約３００μｍの共振器長をもつレーザチ
ップを切シ出し、前記チップのしきい値電流と遠視野像
を調べたところ平均してしきい値電流は約２０ｍＡであ
った。また、遠視野像の測定からジャンクション面に垂
直方向（以下θＬと略す）で、約２σ平行方向（以下θ
〃 と略す）で約３２°のものが得られた。
上記実施例と同一構造、製法において活性層中心の厚み
を０．２μｍと固定し、活性層の幅を、３μｍ 、 ３
．５μｎｊ 、 ４μｍ、５μｍ、６μｍと６種類に変
えて、その横モードについて調べてみたところ、活性層
幅が、５μｍのものまでは単一モードで発振した０幅６
μｍでの溝形成のためはエツチングは、従来の埋め込み
構造での３μｍ程度のエツチングに比して極めて制御性
よく、かつ高精度で行なえる幅である。尚６μｍの幅と
した時の平均しきい値電流は４５ｍＡであった。
を０．２μｍと固定し、活性層の幅を、３μｍ 、 ３
．５μｎｊ 、 ４μｍ、５μｍ、６μｍと６種類に変
えて、その横モードについて調べてみたところ、活性層
幅が、５μｍのものまでは単一モードで発振した０幅６
μｍでの溝形成のためはエツチングは、従来の埋め込み
構造での３μｍ程度のエツチングに比して極めて制御性
よく、かつ高精度で行なえる幅である。尚６μｍの幅と
した時の平均しきい値電流は４５ｍＡであった。
同様の実施例として、活性層の位置をＰ−ＩｎＰｌｌの
部分とした。活性層の厚みは０．２μｍと固定し、幅を
上記と同様に３μ ３，５１１ 、４ ／１ ｅ５μ２
６μと変化させたところ、３．５μｍ以上の幅では高次
モードが観測された。
部分とした。活性層の厚みは０．２μｍと固定し、幅を
上記と同様に３μ ３，５１１ 、４ ／１ ｅ５μ２
６μと変化させたところ、３．５μｍ以上の幅では高次
モードが観測された。
第４図に示す構造において、活性層幅を４μｍ。
中心部の厚みを０．２μｍと固定しておき、該活性層両
側の９２層の組成を変化させ、横モード及びしきい値電
流の変化を調べた。９２層の組成変化によるバンドギャ
ップの変化は、波長にして、０．９４μｍ 、 ０．９
６μｍ、１．０５μｍ 、 １．１８μｍ 、 １．２
μｍである。その結果、Ｑ２層組成０．９６μｍ〜１．
１８μｍの組成に対しては横単−モードであり、しきい
値電流についても平均３０ｍＡ程度であった。しかるに
０．９４μｍに対しては、高次モードが観４１１された
。尚この場合しきい電流の変化はなかった。一方、１．
２μｍでは横モードの単一性は得られたが、しきい値電
流は平均６０ｍＡと高くなった。これは両側９２層と活
性層の屈折率差が小さくなったために、光がもれること
によると考えられる。したがって少なくとも活性層幅を
４μｍ以下、厚みを０．２μｍとした時、しきい値電流
を増大せしめず、かつ横単−モードを得るだめの両側Ｑ
２層組成は、波長にして、０．９６μＩＯ〜１．１８μ
ｍの範囲である。
側の９２層の組成を変化させ、横モード及びしきい値電
流の変化を調べた。９２層の組成変化によるバンドギャ
ップの変化は、波長にして、０．９４μｍ 、 ０．９
６μｍ、１．０５μｍ 、 １．１８μｍ 、 １．２
μｍである。その結果、Ｑ２層組成０．９６μｍ〜１．
１８μｍの組成に対しては横単−モードであり、しきい
値電流についても平均３０ｍＡ程度であった。しかるに
０．９４μｍに対しては、高次モードが観４１１された
。尚この場合しきい電流の変化はなかった。一方、１．
２μｍでは横モードの単一性は得られたが、しきい値電
流は平均６０ｍＡと高くなった。これは両側９２層と活
性層の屈折率差が小さくなったために、光がもれること
によると考えられる。したがって少なくとも活性層幅を
４μｍ以下、厚みを０．２μｍとした時、しきい値電流
を増大せしめず、かつ横単−モードを得るだめの両側Ｑ
２層組成は、波長にして、０．９６μＩＯ〜１．１８μ
ｍの範囲である。
発明の効果
以上述べたように本発明によれば、従来横モードの制御
のため極めて困難であった活性層幅の狭窄の許容度をゆ
るめ、安定した低しきい値電流、かつ横単−モードを有
する半導体レーザーを得ることができる。
のため極めて困難であった活性層幅の狭窄の許容度をゆ
るめ、安定した低しきい値電流、かつ横単−モードを有
する半導体レーザーを得ることができる。
る活性層と屈折率の関係を示す図、第３図〜第６図は本
発明の一実施例の半導体レーザの製造プロセスを足固で
ある。 ８−−−−−−ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層、９−＝−Ｐ−Ｉ
ｎＰ層、１０−−−・−ｎ−Ｉ ｎＰ層、１１−＝−
Ｐ−ＩｎＰ層、１２・・・・・・ＩｎＧａＡｓＰ 層
、１３・・・・・・５１０２絶縁膜、１４−−−・−ｎ
−ＩｎＰ層、１５−−−−−−ＩｎＧａＡｓ−Ｐ活性層
、１６−−−−−−Ｐ−ＩｎＰ層、１７・・−・−・Ｐ
−ＩｎＧ４ＡＳＰキャップ層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 （リ （ｂ） 第３図 ２ 第４図 手続補正書働側 昭和６８４「９ 月 ９日 昭和５８年特許願第９１８２８号 ２発明の名称 半導体レーザ ３補正をする者 事件との関係 特 許 出 願
人住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地名
称 （５８２）松下電器産業株式会社代表者 山
下 俊 彦 ４代理人 〒５７１ 住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地松下電器
産業株式会社内 ア、補正の内容 （１） 明細書５ペ一ジ６行目、９行目の「活性層「
活性層２」と補正します。 図面の第２図（Ｑ） 、 （ｂ）を別紙の通り補正しま
す。
発明の一実施例の半導体レーザの製造プロセスを足固で
ある。 ８−−−−−−ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層、９−＝−Ｐ−Ｉ
ｎＰ層、１０−−−・−ｎ−Ｉ ｎＰ層、１１−＝−
Ｐ−ＩｎＰ層、１２・・・・・・ＩｎＧａＡｓＰ 層
、１３・・・・・・５１０２絶縁膜、１４−−−・−ｎ
−ＩｎＰ層、１５−−−−−−ＩｎＧａＡｓ−Ｐ活性層
、１６−−−−−−Ｐ−ＩｎＰ層、１７・・−・−・Ｐ
−ＩｎＧ４ＡＳＰキャップ層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 （リ （ｂ） 第３図 ２ 第４図 手続補正書働側 昭和６８４「９ 月 ９日 昭和５８年特許願第９１８２８号 ２発明の名称 半導体レーザ ３補正をする者 事件との関係 特 許 出 願
人住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地名
称 （５８２）松下電器産業株式会社代表者 山
下 俊 彦 ４代理人 〒５７１ 住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地松下電器
産業株式会社内 ア、補正の内容 （１） 明細書５ペ一ジ６行目、９行目の「活性層「
活性層２」と補正します。 図面の第２図（Ｑ） 、 （ｂ）を別紙の通り補正しま
す。
Claims (2)
- （１） ｎ−ＩｎＰ基板上に第１のｎ−ＩｎＧａＡｓ
Ｐ層。 ｎ−ＩｎＰ 層＋を流ブロッキング層であるＰ−ＩｎＰ
層、 ｎ −Ｉｎ Ｐ層および第２のｎ−ＩｎＧａＡｓ
Ｐ層を順次積層した積層体に、前記第１の ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層に届く溝を形成し、前記溝中にｎ
−ＩｎＰ層、第３のｎ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層。 Ｐ−４ｎＰ層、第４のＰ−ＩｎＧａ、ムｓＰを順次形成
し、前記溝中における活性層となる第３のｎ−ＩｎＧａ
ＡｓＰ層の位置を前記第２のｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層によ
ってはさまれる位置においたことを特徴とする半導体レ
ーザ０ - （２）第２のｎ−ＩｎＧａＡｓＰ層のバンドギａｒツブ
は波長にして、０．９６μｍ０〜１．１８μｍであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体レー
ザ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58091828A JPS59215785A (ja) | 1983-05-24 | 1983-05-24 | 半導体レ−ザ |
| US06/612,642 US4644552A (en) | 1983-05-24 | 1984-05-21 | Semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58091828A JPS59215785A (ja) | 1983-05-24 | 1983-05-24 | 半導体レ−ザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59215785A true JPS59215785A (ja) | 1984-12-05 |
| JPH03797B2 JPH03797B2 (ja) | 1991-01-08 |
Family
ID=14037464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58091828A Granted JPS59215785A (ja) | 1983-05-24 | 1983-05-24 | 半導体レ−ザ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4644552A (ja) |
| JP (1) | JPS59215785A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4905057A (en) * | 1985-12-18 | 1990-02-27 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor devices |
| JPS62283686A (ja) * | 1986-05-31 | 1987-12-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザの製造方法 |
| JPH0716081B2 (ja) * | 1987-08-05 | 1995-02-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体発光装置 |
| US5194399A (en) * | 1987-08-05 | 1993-03-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of producing a semiconductor light emitting device disposed in an insulating substrate |
| US5275968A (en) * | 1987-08-05 | 1994-01-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of producing a semiconductor light emitting device disposed in an insulating substrate |
| JPH0231488A (ja) * | 1988-07-20 | 1990-02-01 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| US5309465A (en) * | 1992-11-05 | 1994-05-03 | International Business Machines Corporation | Ridge waveguide semiconductor laser with thin active region |
| IT1263897B (it) * | 1993-02-12 | 1996-09-05 | Alcatel Italia | Laser a semiconduttore a bassa corrente di soglia e relativo processo di costruzione |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1570479A (en) * | 1978-02-14 | 1980-07-02 | Standard Telephones Cables Ltd | Heterostructure laser |
-
1983
- 1983-05-24 JP JP58091828A patent/JPS59215785A/ja active Granted
-
1984
- 1984-05-21 US US06/612,642 patent/US4644552A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4644552A (en) | 1987-02-17 |
| JPH03797B2 (ja) | 1991-01-08 |
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