JPH02260636A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
半導体レーザの製造方法Info
- Publication number
- JPH02260636A JPH02260636A JP8310589A JP8310589A JPH02260636A JP H02260636 A JPH02260636 A JP H02260636A JP 8310589 A JP8310589 A JP 8310589A JP 8310589 A JP8310589 A JP 8310589A JP H02260636 A JPH02260636 A JP H02260636A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ridge
- etching
- hydrobromic acid
- crystal
- inclination
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 20
- BMYNFMYTOJXKLE-UHFFFAOYSA-N 3-azaniumyl-2-hydroxypropanoate Chemical compound NCC(O)C(O)=O BMYNFMYTOJXKLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 9
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- BYMMIQCVDHHYGG-UHFFFAOYSA-N Cl.OP(O)(O)=O Chemical compound Cl.OP(O)(O)=O BYMMIQCVDHHYGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 abstract description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 abstract 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 abstract 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 abstract 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract 1
- 235000011007 phosphoric acid Nutrition 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000042 hydrogen bromide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は可視光半導体レーザ、ＬＥＤ等に用いられるＡ
ＲＧａｌｎＰ系結晶のエツチング方法に関する。
ＲＧａｌｎＰ系結晶のエツチング方法に関する。
（ロ）従来の技術
Ａｊ２ＧａＩ ｎＰ系結晶はそのバンドギャップが６μ
ｍ帯の光に対応するため可視光半導体レーザやＬＥＤ等
オプトエレクトロニクスデバイスに利用できる。
ｍ帯の光に対応するため可視光半導体レーザやＬＥＤ等
オプトエレクトロニクスデバイスに利用できる。
第１図はＡｐＧａＩｎＰ系結晶を用いた従来の半導体レ
ーザを示し、例えば昭和６３年秋季応用物理学会予稿集
、４ｐ−ＺＣ−１１，８３６頁に開示されている。
ーザを示し、例えば昭和６３年秋季応用物理学会予稿集
、４ｐ−ＺＣ−１１，８３６頁に開示されている。
図において、（１）はｎ型ＧａＡｓからなる基板、（２
）はｎ型（Ａｊ２ｏ、７Ｇａｏ、ｉ） ｏ、ｓＩ ｎｏ
、ｓＰからなるｎ型クラッド層、（３）はアンドープＧ
ａ６．５Ｉｎｏ、ｓＰからなる活性層、（４）はｐ型Ａ
（ｔｏ。
）はｎ型（Ａｊ２ｏ、７Ｇａｏ、ｉ） ｏ、ｓＩ ｎｏ
、ｓＰからなるｎ型クラッド層、（３）はアンドープＧ
ａ６．５Ｉｎｏ、ｓＰからなる活性層、（４）はｐ型Ａ
（ｔｏ。
ｔＧａｏ、３）ｏ、ｓＩ ｎｏ、ｓＰからなるｐｆｉク
ラッド層である。これらの各層は周知の有機金属化学気
相法（ＭＯＣＶＤ法）や分子線エピタキシャル法（ＭＢ
Ｅ法）を用いて、基板（１）の−主面上に順次エピタキ
シャル成長される。またｎ型クラッド層（４）には、選
択エツチングによりストライブ幅５μｍのりッジ（５）
が形成されている。
ラッド層である。これらの各層は周知の有機金属化学気
相法（ＭＯＣＶＤ法）や分子線エピタキシャル法（ＭＢ
Ｅ法）を用いて、基板（１）の−主面上に順次エピタキ
シャル成長される。またｎ型クラッド層（４）には、選
択エツチングによりストライブ幅５μｍのりッジ（５）
が形成されている。
（６）はｎ型クラッド層（４）上にエピタキシャル成長
されたｎ型ＧａＡｓからなるブロック層で、マスクによ
りｎ型クラッド層（４）のリッジ（５）頂部には積層さ
れていない。（７）は露出したｎ型クラッド層（４）の
リッジ（５）頂部及びブロック層（６）上にエピタキシ
ャル成長されたｐ型ＧａＡｓからなるキャップ層である
。
されたｎ型ＧａＡｓからなるブロック層で、マスクによ
りｎ型クラッド層（４）のリッジ（５）頂部には積層さ
れていない。（７）は露出したｎ型クラッド層（４）の
リッジ（５）頂部及びブロック層（６）上にエピタキシ
ャル成長されたｐ型ＧａＡｓからなるキャップ層である
。
（８）はキャップ層（７）上に形成されたＡｕＺｎ／
Ａ ｕからなるｐ型電極、（９）は基板の他主面上に形
成されたＡ ｕ Ｇ ｅ ／ Ａ ｕからなるｎ型電極
である。
Ａ ｕからなるｐ型電極、（９）は基板の他主面上に形
成されたＡ ｕ Ｇ ｅ ／ Ａ ｕからなるｎ型電極
である。
斯る装置では、リッジ（５）の形成されていない直下の
半導体部分の実効的な屈折率が、リッジ（５）の形成さ
れた直下の半導体部分の実効的な屈折率よりも小さくな
り、これによって、発生したレーザ光がリッジ（５）直
下の領域に閉じ込められ横モードが制御される。
半導体部分の実効的な屈折率が、リッジ（５）の形成さ
れた直下の半導体部分の実効的な屈折率よりも小さくな
り、これによって、発生したレーザ光がリッジ（５）直
下の領域に閉じ込められ横モードが制御される。
斯るＡｊ２Ｇａ Ｉ ｎＰ系結晶においてリッジ（５）
をエツチング形成する際のエツチング液として、従来Ｈ
Ｃ７２： Ｈ３Ｐ０４＝ １ ： ６からなる塩酸−リ
ン酸混合液が用いられていた（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ
Ｌｅｔｔｅｒｓ、１７ｔｈ、Ｍａｒｃｈ １９８８、
Ｖｏｌ、２４、Ｎｏ、 ６、ｐ、 ３２６〜３２７参照
）。
をエツチング形成する際のエツチング液として、従来Ｈ
Ｃ７２： Ｈ３Ｐ０４＝ １ ： ６からなる塩酸−リ
ン酸混合液が用いられていた（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ
Ｌｅｔｔｅｒｓ、１７ｔｈ、Ｍａｒｃｈ １９８８、
Ｖｏｌ、２４、Ｎｏ、 ６、ｐ、 ３２６〜３２７参照
）。
（ハ） 発明が解決しようとする課題
熱るに、斯る塩酸−リン酸混合液を用いた場合、ＡｇＧ
ａ Ｉ ｎＰ系結晶では（２１１）面に沿ってエツチン
グが進行する。即ち、上述の半導体レーザにおいて、基
板の一主面を（１００）面とし、この上にｐ型クラッド
層までの各半導体層を積゛層してｐ型クラッド層表面に
斯る混合液を用いて［０１１］方向に沿ったストライプ
状のりッジをエツチング形成した場合、リッジ側面の傾
斜角は３５°となり、リッジ下部が幅広となる。リッジ
下部の幅が広くなると、活性層を電流が広がって流れる
ためレーザのしきい値電流の増加を招き、さらに横方向
の光を閉じ込める領域が広くなるため、安定した横モー
ドが得られなくなる。また、リッジ下部の幅を小さくす
るために、リッジ頂部のストライプ幅を狭くすると、こ
の上に設けられる層とのコンタクト抵抗が増加し、電気
特性が低下する。
ａ Ｉ ｎＰ系結晶では（２１１）面に沿ってエツチン
グが進行する。即ち、上述の半導体レーザにおいて、基
板の一主面を（１００）面とし、この上にｐ型クラッド
層までの各半導体層を積゛層してｐ型クラッド層表面に
斯る混合液を用いて［０１１］方向に沿ったストライプ
状のりッジをエツチング形成した場合、リッジ側面の傾
斜角は３５°となり、リッジ下部が幅広となる。リッジ
下部の幅が広くなると、活性層を電流が広がって流れる
ためレーザのしきい値電流の増加を招き、さらに横方向
の光を閉じ込める領域が広くなるため、安定した横モー
ドが得られなくなる。また、リッジ下部の幅を小さくす
るために、リッジ頂部のストライプ幅を狭くすると、こ
の上に設けられる層とのコンタクト抵抗が増加し、電気
特性が低下する。
さらに、斯る従来のエツチング液はＡρＧａＩｎＰ結晶
のＡ１組成比の違いによってエツチングレートが大きく
異なるため、ＡＩ２組成比の異なる多層膜を同時にエツ
チングする場合、リッジ側面の形状の制御が困難となる
。例えば（ＡρｘＧａｌ−ｚ） ｏ、ｓＩ ｎｏ、５Ｐ
結晶において、ｘ＝Ｏの時のエツチングレートは１ 、
０ ｇｍ／ｍｉｎであり、ｘ＝０５の時は０．３〜０．
４μ謙／−ｉｎである。
のＡ１組成比の違いによってエツチングレートが大きく
異なるため、ＡＩ２組成比の異なる多層膜を同時にエツ
チングする場合、リッジ側面の形状の制御が困難となる
。例えば（ＡρｘＧａｌ−ｚ） ｏ、ｓＩ ｎｏ、５Ｐ
結晶において、ｘ＝Ｏの時のエツチングレートは１ 、
０ ｇｍ／ｍｉｎであり、ｘ＝０５の時は０．３〜０．
４μ謙／−ｉｎである。
したがって、本発明は、ＡｇＧａ Ｉ ｎＰ系結晶を選
択的エツチングする際にリッジ側面の傾斜を大きくする
ことができるエツチング方法を提供するものである。
択的エツチングする際にリッジ側面の傾斜を大きくする
ことができるエツチング方法を提供するものである。
（ニ）課題を解決するための手段
本発明方法は、上記課題を解決するなめ、ＡｅＧａＩｎ
Ｐ系結晶をエツチングする際に臭化水素酸を用いること
を特徴とする。
Ｐ系結晶をエツチングする際に臭化水素酸を用いること
を特徴とする。
（ホ）作用
臭化水素酸ではＡｇＧａＩｎＰ系結晶の（１１１）面に
沿ってエツチングが進行する。
沿ってエツチングが進行する。
（へ）実施例
第１図に示す構造の半導体レーザにおいて、第２クラッ
ド層（４）のりッジ（５）形成のエツチング液として、
臭化水素（ＨＢｒ）が４７％含有された臭化水素酸及び
ＨＣＮ ： Ｈ３Ｐ０４＝ １ ： ６からなる塩酸−
リン酸混合液を用いた時のりッジ（５）の形状を夫々第
２図（ａ）及び（ｂ）に示す。
ド層（４）のりッジ（５）形成のエツチング液として、
臭化水素（ＨＢｒ）が４７％含有された臭化水素酸及び
ＨＣＮ ： Ｈ３Ｐ０４＝ １ ： ６からなる塩酸−
リン酸混合液を用いた時のりッジ（５）の形状を夫々第
２図（ａ）及び（ｂ）に示す。
ここで第１クラッド層（２）、活性層（３）、第２クラ
ッド層（４）は基板（１）の（１００）面上にエピタキ
シャル成長されたものであり、各層の組成は第１図のも
のと同一である。また第２クラッド層（４）のりッジ（
５）は、幅５μｍのストライブ状マスクを用いてエツチ
ング形成されたものである。
ッド層（４）は基板（１）の（１００）面上にエピタキ
シャル成長されたものであり、各層の組成は第１図のも
のと同一である。また第２クラッド層（４）のりッジ（
５）は、幅５μｍのストライブ状マスクを用いてエツチ
ング形成されたものである。
第２図（ａ）に示されるように、［Ａｆｆｏ、ｓＧａ。
ｓ） ｏ、ｓＩ ｎｏ、ｓＰからなる第２クラッド層（
４）を臭化水素酸で選択エツチングした場合、リッジ（
５）側面には（１１１）面が現われ、その傾斜角は５５
゛となる。一方、従来用いられていた塩酸−リン酸混合
液では、リッジ（５）側面に（２１１）面が現われ、そ
の傾斜角が３５°となる。
４）を臭化水素酸で選択エツチングした場合、リッジ（
５）側面には（１１１）面が現われ、その傾斜角は５５
゛となる。一方、従来用いられていた塩酸−リン酸混合
液では、リッジ（５）側面に（２１１）面が現われ、そ
の傾斜角が３５°となる。
以上より、リッジ（５）をエツチング形成する時に、エ
ツチング液として臭化水素酸を用いればリッジ（５）側
面の傾斜角を大きくすることができ、リッジ（５）下部
の幅を狭くすることが可能である。
ツチング液として臭化水素酸を用いればリッジ（５）側
面の傾斜角を大きくすることができ、リッジ（５）下部
の幅を狭くすることが可能である。
ここでエツチング液として臭化水素酸を用いる場合、エ
ツチングされる結晶は（Ａｊ２ｏ−ｓＧａｏ。
ツチングされる結晶は（Ａｊ２ｏ−ｓＧａｏ。
ｓ） ｏ、ｓＩ ｎｏ、ｓＰ結晶に限らず、Ａ＃Ｇａ
Ｉ ｎＰ系結晶ＪｉＩＩち（Ａ Ｑ ｘＧ ａ Ｉ−Ｘ
） ｙＩ ｎ １−ｙＰ （０≦ｘ、ｙ≦１）結晶であ
れば、リッジ側面に〈１１１）面が現われ、第２図（ａ
）と同様な形状となる。
Ｉ ｎＰ系結晶ＪｉＩＩち（Ａ Ｑ ｘＧ ａ Ｉ−Ｘ
） ｙＩ ｎ １−ｙＰ （０≦ｘ、ｙ≦１）結晶であ
れば、リッジ側面に〈１１１）面が現われ、第２図（ａ
）と同様な形状となる。
また、臭化水素４７％含有の臭化水素′ｅＪ１２０℃に
おけるエツチングレートは、Ａρ組成比ｘ＝０及びｘ＝
０．５の時、夫々０．８μｍ／１ｆｉ、１ 、０ ｐｍ
ｌｗｉｎであり、その差は塩酸−リン酸混合液に比べ十
分に小さい。即ち斯る臭化水素酸を用いればＡ２組成比
の異なる多層膜を略均−にエツチングすることが可能と
なる。
おけるエツチングレートは、Ａρ組成比ｘ＝０及びｘ＝
０．５の時、夫々０．８μｍ／１ｆｉ、１ 、０ ｐｍ
ｌｗｉｎであり、その差は塩酸−リン酸混合液に比べ十
分に小さい。即ち斯る臭化水素酸を用いればＡ２組成比
の異なる多層膜を略均−にエツチングすることが可能と
なる。
但し、斯る臭化水素酸はＧａＡｓをほとんどエツチング
しない。そこで、ＧａＡｓ層を含むＡｐＧａ Ｉ ｎＰ
系系層層膜同時にエツチングする場合には、例えば硝酸
の様な酸化剤を臭化水素酸に加えればよい、また、臭化
水素酸に、水の如き希釈液を加えることによって、エツ
チングレートを変化させてもよいことは勿論である。
しない。そこで、ＧａＡｓ層を含むＡｐＧａ Ｉ ｎＰ
系系層層膜同時にエツチングする場合には、例えば硝酸
の様な酸化剤を臭化水素酸に加えればよい、また、臭化
水素酸に、水の如き希釈液を加えることによって、エツ
チングレートを変化させてもよいことは勿論である。
（ト）発明の効果
本発明によれば、ＡＮＧａ Ｉ ｎＰ系結晶のエツチン
グ液として臭化水素酸を用いることにより、側面の傾斜
角が大きいりッジを形成することができ、例えばリッジ
導波型レーザに適用した場合には、しきい値電流の低減
及び安定した横モード制御が可能となる。
グ液として臭化水素酸を用いることにより、側面の傾斜
角が大きいりッジを形成することができ、例えばリッジ
導波型レーザに適用した場合には、しきい値電流の低減
及び安定した横モード制御が可能となる。
第１図はＡｇＧａ ｒ ｎＰ系の半導体レーザを示す断
面図、第２図（ａ）は本発明方法により形成されたりッ
ジ形状を示す断面図、第２図（ｂ）は従来方法により形
成されたリッジ形状を示す断面図である。
面図、第２図（ａ）は本発明方法により形成されたりッ
ジ形状を示す断面図、第２図（ｂ）は従来方法により形
成されたリッジ形状を示す断面図である。
Claims (1)
- （１）ＡｌＧａＩｎＰ系結晶をエッチングする際に臭化
水素酸を用いることを特徴とするＡｌＧａＩｎＰ系結晶
のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1083105A JP2771587B2 (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1083105A JP2771587B2 (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 半導体レーザの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02260636A true JPH02260636A (ja) | 1990-10-23 |
| JP2771587B2 JP2771587B2 (ja) | 1998-07-02 |
Family
ID=13792918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1083105A Expired - Lifetime JP2771587B2 (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2771587B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004363373A (ja) * | 2003-06-05 | 2004-12-24 | Sharp Corp | 酸化物半導体発光素子および酸化物半導体発光素子の製造方法 |
| JP2012175052A (ja) * | 2011-02-24 | 2012-09-10 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置の製造方法 |
| CN112151388A (zh) * | 2019-06-28 | 2020-12-29 | 株式会社Flosfia | 蚀刻处理方法及半导体装置的制造方法 |
| JP2021009881A (ja) * | 2019-06-28 | 2021-01-28 | 株式会社Flosfia | エッチング処理方法 |
| JP2021009882A (ja) * | 2019-06-28 | 2021-01-28 | 株式会社Flosfia | エッチング処理方法 |
| JP2021009880A (ja) * | 2019-06-28 | 2021-01-28 | 株式会社Flosfia | エッチング処理方法およびエッチング処理装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6484684A (en) * | 1987-09-28 | 1989-03-29 | Toshiba Corp | Semiconductor laser and the preparation thereof |
| JPH01286485A (ja) * | 1988-05-13 | 1989-11-17 | Toshiba Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
-
1989
- 1989-03-31 JP JP1083105A patent/JP2771587B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6484684A (en) * | 1987-09-28 | 1989-03-29 | Toshiba Corp | Semiconductor laser and the preparation thereof |
| JPH01286485A (ja) * | 1988-05-13 | 1989-11-17 | Toshiba Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004363373A (ja) * | 2003-06-05 | 2004-12-24 | Sharp Corp | 酸化物半導体発光素子および酸化物半導体発光素子の製造方法 |
| JP2012175052A (ja) * | 2011-02-24 | 2012-09-10 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置の製造方法 |
| CN112151388A (zh) * | 2019-06-28 | 2020-12-29 | 株式会社Flosfia | 蚀刻处理方法及半导体装置的制造方法 |
| JP2021009881A (ja) * | 2019-06-28 | 2021-01-28 | 株式会社Flosfia | エッチング処理方法 |
| JP2021009882A (ja) * | 2019-06-28 | 2021-01-28 | 株式会社Flosfia | エッチング処理方法 |
| JP2021009880A (ja) * | 2019-06-28 | 2021-01-28 | 株式会社Flosfia | エッチング処理方法およびエッチング処理装置 |
| US12033869B2 (en) | 2019-06-28 | 2024-07-09 | Flosfia Inc. | Method of etching object and etching device |
| TWI849160B (zh) * | 2019-06-28 | 2024-07-21 | 日商Ｆｌｏｓｆｉａ股份有限公司 | 蝕刻處理方法和半導體裝置的製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2771587B2 (ja) | 1998-07-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3285426B2 (ja) | 半導体光集積素子及びその製造方法 | |
| JPH02260636A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| EP0187718B1 (en) | A distributed feedback semiconductor laser device | |
| US5805628A (en) | Semiconductor laser | |
| JPH0552676B2 (ja) | ||
| US5360763A (en) | Method for fabricating an optical semiconductor device | |
| JP2523643B2 (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JP3215908B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
| JPS61234585A (ja) | 光集積回路およびその製造方法 | |
| JPH01192184A (ja) | 埋込み型半導体レーザの製造方法 | |
| JPH0642583B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS61150293A (ja) | 双安定半導体レ−ザ | |
| JPS596588A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS6175585A (ja) | 埋め込み形半導体レ−ザ | |
| JPS58158988A (ja) | 分布帰還形半導体レ−ザ | |
| JPS59200484A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS62179790A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| Katz et al. | Single‐growth embedded epitaxy AlGaAs injection lasers with extremely low threshold currents | |
| JPH0680861B2 (ja) | 半導体発光装置の製造方法 | |
| JPH04229682A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPH05235463A (ja) | 分布帰還型半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| JPH0824208B2 (ja) | 半導体レ−ザの製造法 | |
| JPS59215784A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPH02237190A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH01309393A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090417 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |