JPS59218703A - 電圧非直線抵抗体 - Google Patents

電圧非直線抵抗体

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Publication number
JPS59218703A
JPS59218703A JP58093224A JP9322483A JPS59218703A JP S59218703 A JPS59218703 A JP S59218703A JP 58093224 A JP58093224 A JP 58093224A JP 9322483 A JP9322483 A JP 9322483A JP S59218703 A JPS59218703 A JP S59218703A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sintered body
lithium
resistance layer
nonlinear resistor
voltage nonlinear
Prior art date
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Pending
Application number
JP58093224A
Other languages
English (en)
Inventor
孝一 津田
高安 茂則
永沢 郁郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Corporate Research and Development Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Corporate Research and Development Ltd filed Critical Fuji Electric Corporate Research and Development Ltd
Priority to JP58093224A priority Critical patent/JPS59218703A/ja
Publication of JPS59218703A publication Critical patent/JPS59218703A/ja
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  • Thermistors And Varistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は異常電圧を抑制するバリスタやアレスタに使用
されるZnOを主成分とした焼結体からなる電圧非直線
抵抗体に関する。
〔従来技術とその問題点〕
ZnOバリスタは周知のごとく、znO粉末にビスマス
、希土類元素、コバルト、マンガン等を添カロ混合し、
これを焼結して得られる焼結体でおる力ヨ、さらに耐湿
性を向上させるためにこの焼結体の111面に高抵抗層
を設ける場合が多い0 ZnOバリスタの側面に高抵抗層を形成するために次の
方法がよく知られている0 (1)リチウムもしくはカリウムの水溶液または有機物
バインダーとの混合物を焼結体に塗布して熱処理する。
(2)リチウムもしくはカリウムをガラス粉末に混合し
て焼結体に塗布し熱処理する0 (3)銀もしくは銅をメッキまたは溶射して焼結体に被
着し熱処理する。
上記のごとく、焼結体側面に一価金属層を設けて高抵抗
層とするととはそれぞれ次のような欠点がある。
(1)リチウムも・しくけカリウムを塗布して熱処理す
る場合は、均一に゛拡散させるだめの熱処理条件の制御
がむずかしく、場合によっては、焼結体の主表面にまで
広範囲に高抵抗層が形成されてしまい、このためZnO
バリスタの特性変動や耐湿性に対する特性変化のばらつ
きが大きくなる。
(2)リチウムもしくはカリウムをガラス粉末に混合し
塗布する場合は、リチウムもしくはカリウムの濃度が低
いとガラス粉末との混合物からこれらが焼結体内部へ拡
散しに〈<、マたこれとは逆に、なシ大きくなシ、熱処
理過程で両者の熱膨張係数の違いに基因する亀裂が発生
する。したがってリチウムもしくはカリウムの濃度を厳
密に制御しなければならない。
(3)銀もしくは銅をメッキまたは溶射する場合は、銀
や銅がいずれも良導体であるからこれらの被着層が厚く
なったシ、また熱処理が十分性われないときは、逆に低
抵抗層をつくってしまうので高抵抗層の厚さの制御が困
難である。
〔発明の目的〕 本発明は上述の欠点を除去し、znO焼結体の少くとも
側面に耐湿性の良好な高抵抗層を備えた電圧非直線抵抗
体を提供することを目的とする。
〔発明の要点〕
本発明はZnOを主成分とし、副成分として少くともコ
バルト、希土類元素を含む電圧非直線性を示す焼結体の
側面に、この焼結体と同一組成を有し、かつ微量のリチ
ウムを含有した高抵抗層を設けることによシ達成される
。
〔発明の実施例〕
以下本発明を実施例に基づき説明する0実施例1 本発明による電圧非直線抵抗体の縦断面を第1図および
第2図に示す。第1図と第2図において、同一符号は同
一名称を表わしておυ、ZnO焼結体1の側面に高抵抗
層2を設け、焼結体1の対向する主表面にそれぞれ電極
3を取付けである0第2図が第1図と異なる点は高抵抗
層の一部が焼結体1の表面領域にまで達していることで
ある0このような電圧非直線抵抗体において、先ず電圧
非直線性を示す焼結体1の製造方法について説明すると
ZnO粉末を主成分とし、副成分としてプラセオジウム
、コバルト、カリウム、クロムをそれぞれPr6wn、
 Co3O4,K2CO3,Cr2O3の形でプラセオ
ジウムが0.5atmチ、コバルトが2.0 atm%
、カリウムが0.2atm%、クロムが0.15atm
% となるように添加する。
これらをボールミルで12時間混合した後、700℃で
仮焼し、再びボールミルを用いて粉砕した。得られた粉
末をバインダを加えて造粒し、これを17mmφの金型
を用いて0.8ton/dの圧力で2.5Hの厚さを有
する円板状に成形し、大気中で1309℃1時間焼成し
焼結体1を得た。
次に高抵抗層をつくるには、先ず焼結体1と全く同様に
ZnO粉末にプラセオジウムを0.5atm%。
コバルトを2.0atm襲、カリウムを0.2atmチ
、クロムを0.15atm%添加し、次いでこれにLi
2O3の形でリチウムをO〜10.Oatm%添加して
、ボールミルを用いて12時間混合した。これを700
℃で1時間仮焼した後、再びボールミルで粉砕し得られ
た粉末にエチルセルロース、エチレンクリコールモノブ
チルエーテル、ジエチレングリコールモツプチルエーテ
ルの割合が3:50:50のバインダーを3=1の比率
に混合し、高抵抗層を形成するペーストとした。
このペーストを熱処理したときに得られる特性を調べる
ために、AA’203基板上にスクリーン印刷でこのペ
ーストを印刷し120.0℃で1時間熱処理して電極を
取付けた。特性の測定はDC電源を用いて電流が1μA
流れたときの・電圧すなわちV1μAを求めた。その結
果を第3図に示す。第3図は高抵抗層を形成するペース
トのリチウム濃度とV1μAの関係を表わした曲線であ
シ、第3図かられかるように、リチウム濃度が0.00
1 atm%以上になると、無添加の場合に比べてV1
μAの値が数倍高くなっている。またリチウム濃度が2
atm%を超えると、リチウムの表面での濃度も高くな
シ、これが吸湿すると・とによシ、抵抗値が不安定とな
る。
このようにして−得られた高抵抗層成形用のベーストを
前述の焼結体1に塗布し、1200℃で1時間熱処理し
、これを厚さ2.0期に研磨後電極3を設け、第1図に
示す電圧非直線抵抗体が得られる。
この電圧非直線抵抗体の電極3にそれぞれリード線を取
付け、さらに簡単な塗装をした後、温度85℃、湿度8
5%2課電率90q6の条件でDCの耐湿課電試験を行
った。その結果を第4図に示す。
第4図は電圧非直線抵抗体に設けた高抵抗層のリチウム
濃度と500時間後のVIOμAの変化率との関係を表
わしだ曲線であって、第4図から明らかなように、リチ
ウム濃度が0.001 atm%以上でリチウム添加の
効果が現われておシ、リチウム濃度が2atm%を超え
ると逆にVIOμAの値は低下するようになシ、すなわ
ち耐湿性が悪くなる。したがって高抵抗層が含有すべき
リチウム濃度としては、0.001 atm%〜2. 
Oatm%が最適である。
実施例2 ZnOを主成分とし、種々の添加物を含む高抵抗層にお
けるリチウムの添加効果を検討した。第1表はこの高抵
抗層の添加物組成を示したものであるが、リチウムの添
加量をOと100 atm、ppmと第  1  表 しこの両者について■1μAの値を比較し、その結果も
併記しである。なお、この高抵抗層の製作方法は実施例
1・に記したと同様で6.9 、Al2O3基板上にス
クリーン印刷後熱処理したものであシ、■1μAの測定
も実施例1と同様の方法を用いた。
第1表かられかるように添加物の希土類元素の種類にか
かわらず、リチウムの添加効果が明らかに認められる。
次に上記の高抵抗層を、第2表に示す種々の添加物を含
む焼結体の側面に設けた電圧非直線抵抗第2表 体における耐湿課電試験を行い、500時間後のyio
μAの変化率を求め、その結果を第2表に併記する。な
お、この電圧非直線抵抗体の製作方法と試験方法は実施
例1に記したのと全く同様である。
第2表かられかるようにこの場合も焼結体の希土類元素
添加物の種類にかかわらずリチウムの添加効果が認めら
れる。
またこの電圧非直線抵抗体の側面に高抵抗層をの変化率
との関係を求め、と、れを第5図の曲線で示した。第5
図から明らかなように熱処理温度が950℃〜1350
℃の範囲でVIOμAの変化は少く良好な結果が得られ
ている。
〔発明の効果〕
以上実施例で説明したように、本発明によればZnOを
主成分とし副成分としてコバルトと希土類元素を添加し
た焼結体の側面に、この焼結体と同じ組成を有し・さら
にリチウム0.001〜2.Oatm%添加したペース
トを塗布し熱処理することによシ、高抵抗層を設けるこ
とができ、この高抵抗層自体のv1μλ値および最終的
に得られる電圧非直線抵抗体のVIOμAの変化率から
リチウムを添加したために高抵抗となシ、シかも耐湿性
にすぐれ、高抵抗層へのリチウム添加効果の大きいこと
がわかる。
さらに従来から行われていたように、ZnOを主成分と
する焼結体にリチウムを単独で塗布して得られる電圧非
直線抵抗体と、本発明によシ得られる電圧非直線抵抗体
との前記の耐湿課電試験前とリチウムの添加効果が一層
顕著である。すなわちリチウム単独で直接焼結体に塗布
したものは、り第3表 チウムが表面から拡散して、リチウム濃度は表面から漸
次減少してゆくのに対し、本発明のごとく、焼結体と同
じ組成の混合物に、あらかじめリチウムを添加したもの
を塗布する場合は、表面のリチウム濃度はその接合面で
急激に低下する濃度プロフィルとなシ、リチウムが均一
に分布した安定な高抵抗層が得られる。しかもリチウム
単独塗布の従来のものは、リチウムが均一に拡散しない
ために、焼結体の側面にリチウムとして存在する個所で
は吸湿性が高く、水分の影響を受けて、電圧非直線抵抗
体の耐湿課電試験におけるVIOμAの変化率は大きく
変動するが、焼結体と同じ組成を有し、さらにリチウム
eo、oox〜2.Oatmチ添加してなる本発明の高
抵抗層を備えた電圧非直線抵抗体は、耐湿性に対する特
性変化のばらつきがなく安定しているばかシでなく、高
抵抗層が電圧非直線を示す焼結体と同一組成からできて
いるから、高抵抗層を形成する熱処理時に熱膨張の違い
による亀裂の発生が生じないなどのすぐれた利点を有す
るも
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図は・本発明による電圧非直線抵抗体の断
面図、第3図は高抵抗層のIJチウム濃度とv1μAの
関係を示す線図、第4図はリチウム濃度とVIOμAの
変化率との関係を示す線図、第5図は高抵抗層の熱処理
温度とVIOμAの変イヒ率との関係を示す線図である
。 1・・・・・・焼結体、2・・・・・・高抵抗1@、3
・・・・・・電極。 オ   1   図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)ZnOを主成分とし、副成分として少くともコバル
    トと希土類元素を含み、対向する主表面に電極を有する
    焼結体において、該焼結体側面の全面にわたって、前記
    焼結体と同一組成の混合物に、リチウムをo、ooi〜
    2atm%添加してなる前記焼結体よシ高抵抗の層を設
    けたことを特徴とする電圧非直線抵抗体。 2、特許請求の範囲第1項記載の非直線抵抗体において
    、高抵抗層を焼結体主表面の周縁部まで達するように設
    けたことを特徴とする電圧非直線抵抗体。
JP58093224A 1983-05-26 1983-05-26 電圧非直線抵抗体 Pending JPS59218703A (ja)

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JP58093224A JPS59218703A (ja) 1983-05-26 1983-05-26 電圧非直線抵抗体

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JP58093224A JPS59218703A (ja) 1983-05-26 1983-05-26 電圧非直線抵抗体

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JPS59218703A true JPS59218703A (ja) 1984-12-10

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ID=14076576

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JP58093224A Pending JPS59218703A (ja) 1983-05-26 1983-05-26 電圧非直線抵抗体

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JP (1) JPS59218703A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019165103A (ja) * 2018-03-20 2019-09-26 パナソニックIpマネジメント株式会社 積層バリスタ

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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