JPS5921957B2 - α−メチレン−γ−ブチロラクトン類の製造法 - Google Patents
α−メチレン−γ−ブチロラクトン類の製造法Info
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- JPS5921957B2 JPS5921957B2 JP52024092A JP2409277A JPS5921957B2 JP S5921957 B2 JPS5921957 B2 JP S5921957B2 JP 52024092 A JP52024092 A JP 52024092A JP 2409277 A JP2409277 A JP 2409277A JP S5921957 B2 JPS5921957 B2 JP S5921957B2
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Landscapes
- Furan Compounds (AREA)
- Electrolytic Production Of Non-Metals, Compounds, Apparatuses Therefor (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
5 本発明はα−メチレンーγ−ブチロラクトン類の新
規な製造法に関する。
規な製造法に関する。
α−メチレンーγ−ブチロラクトン類は生物学上活性な
天然物たとえば制ガン剤、抗生物質の骨核として、各種
文献?C記載され、医薬品分野に訃いて開発が期待され
ている化合物である。
天然物たとえば制ガン剤、抗生物質の骨核として、各種
文献?C記載され、医薬品分野に訃いて開発が期待され
ている化合物である。
かかるα−メチレン−γ−ブチロラクトン類の製造法と
しては、従来より、β,γ−アセチレンアルコールをカ
ルボニル化する方法、α−ホルミルラクトンの環元脱水
法、置換−シクロプロバンの環拡大化方法、γ−ラクト
ニリデンドリフエニルホスフオランとホルマリンとを反
応させる方法などが知られている(たとえば「Synt
hesis」67(1975),P.A.GriecO
参照)。
しては、従来より、β,γ−アセチレンアルコールをカ
ルボニル化する方法、α−ホルミルラクトンの環元脱水
法、置換−シクロプロバンの環拡大化方法、γ−ラクト
ニリデンドリフエニルホスフオランとホルマリンとを反
応させる方法などが知られている(たとえば「Synt
hesis」67(1975),P.A.GriecO
参照)。
しかしながら、これらの方法はいずれも収率が低いとか
、操作が煩雑であるとか、原料が高価であるとかあるい
は入手困難であるとかなどの種々の問題点を有しており
、実用的なものとはいえない。本発明者らは、かかる従
来法の欠点を解消すべく種々研究を重ねた結果、―般魚
D(式中、Rl,R2}よびR3はそれぞれ水素または
炭素数1〜8個のアルキル基を示す。
、操作が煩雑であるとか、原料が高価であるとかあるい
は入手困難であるとかなどの種々の問題点を有しており
、実用的なものとはいえない。本発明者らは、かかる従
来法の欠点を解消すべく種々研究を重ねた結果、―般魚
D(式中、Rl,R2}よびR3はそれぞれ水素または
炭素数1〜8個のアルキル基を示す。
なおR1とR2またはR1とR3とが結合して5〜7員
環を形成しているばあいもある。R4は炭素数1〜4個
のアルキル基、フエニル基またはシクロヘキシル基を示
す)で示されるα一カルボキシ一α−チオ置換一メチル
一γ−ブチロラクトン類を水層に溶解してなる電解溶液
と有機層とによる不均一構造となし、前記電解溶液を前
記有機層とその界面で接触させながら有機電解合成反応
に供するときは、目的とする一般式8る)で示されるα
−メチレン−r−ブチロラクトン類が選択的に有機層に
移り、二次的な電解反応が防止され、したがつて高収率
で目的物をうることができるという驚くべき顕著な効果
がえられるという事実を見出し、本発明を完成するにい
たつた。
環を形成しているばあいもある。R4は炭素数1〜4個
のアルキル基、フエニル基またはシクロヘキシル基を示
す)で示されるα一カルボキシ一α−チオ置換一メチル
一γ−ブチロラクトン類を水層に溶解してなる電解溶液
と有機層とによる不均一構造となし、前記電解溶液を前
記有機層とその界面で接触させながら有機電解合成反応
に供するときは、目的とする一般式8る)で示されるα
−メチレン−r−ブチロラクトン類が選択的に有機層に
移り、二次的な電解反応が防止され、したがつて高収率
で目的物をうることができるという驚くべき顕著な効果
がえられるという事実を見出し、本発明を完成するにい
たつた。
本発明に}いて出発原料となる一般式』で示されるα一
カルボキシ一α−チオ置換−メチル−γ−ブチロラクト
ン類は入手容易な化合物であり、このLうな一般式(4
)で示されるγ−ブチロラクトン類の具体例としては、
たとえばα一カルボキシーα−メチルメルカプトメチル
−γ−ブチロラクトン α一カルボキシ一α−プロピル
メルカプト〜メチル一γ−プチロラクトン、α一カルボ
キシ一α−チオフエノキシメチル一r−ブチロラクトン
、R,γ−テトラメチレン−α一カルボキシ一α一メチ
ルメルカブトメチル一γ−ブチロラクトン、γ,r−ペ
ンタメチレン一α一カルボキシ一α一メチルメルカプト
メチル一r−プチロラクトン、γ,γ−テトラメチレン
−α一カルボキシ一α−ブチルメルカプトメチル−γ−
プチロラクトン、γ,γ−ヘキサメチレンニα一カルボ
キシ一α一エチルメルカプトメチル一γ−ブチロラクト
ン、α一カルボキシ一α−メチルメルカプトメチル−r
−メチル−γ−ブチロラクトン、α一カルボキシ一α一
エチルメルカブトメチル一γ−ブチル一r−ブチロラク
トン、α一カルボキシ一α−プロピルメルカプトメチル
−γ−オクチル−γ−ブチロラクトン、α一カルボキシ
一α−ブチルメルカブトメチル一β−メチル−γ−メチ
ル−γ−ブチロラクトン、α一カルボキシ一α−メチル
メルカブトメチル一β−ブチル−γ一エチル一γ−プチ
ロラクトン、β,r−テトラメチレン−α一カルボキシ
一α−メチルメルカブトメチル一γ−プチロラクトン、
β,γ−ヘキサメチレン−α一カルボキシ一α一エチル
メルカプトメチル一r−プチロラクトン、β,γペンタ
メチレン一α一カルボキシ一α−プロピルメルカプトメ
チル−γ−ブチロラクトンなどがあげられる。
カルボキシ一α−チオ置換−メチル−γ−ブチロラクト
ン類は入手容易な化合物であり、このLうな一般式(4
)で示されるγ−ブチロラクトン類の具体例としては、
たとえばα一カルボキシーα−メチルメルカプトメチル
−γ−ブチロラクトン α一カルボキシ一α−プロピル
メルカプト〜メチル一γ−プチロラクトン、α一カルボ
キシ一α−チオフエノキシメチル一r−ブチロラクトン
、R,γ−テトラメチレン−α一カルボキシ一α一メチ
ルメルカブトメチル一γ−ブチロラクトン、γ,r−ペ
ンタメチレン一α一カルボキシ一α一メチルメルカプト
メチル一r−プチロラクトン、γ,γ−テトラメチレン
−α一カルボキシ一α−ブチルメルカプトメチル−γ−
プチロラクトン、γ,γ−ヘキサメチレンニα一カルボ
キシ一α一エチルメルカプトメチル一γ−ブチロラクト
ン、α一カルボキシ一α−メチルメルカプトメチル−r
−メチル−γ−ブチロラクトン、α一カルボキシ一α一
エチルメルカブトメチル一γ−ブチル一r−ブチロラク
トン、α一カルボキシ一α−プロピルメルカプトメチル
−γ−オクチル−γ−ブチロラクトン、α一カルボキシ
一α−ブチルメルカブトメチル一β−メチル−γ−メチ
ル−γ−ブチロラクトン、α一カルボキシ一α−メチル
メルカブトメチル一β−ブチル−γ一エチル一γ−プチ
ロラクトン、β,r−テトラメチレン−α一カルボキシ
一α−メチルメルカブトメチル一γ−プチロラクトン、
β,γ−ヘキサメチレン−α一カルボキシ一α一エチル
メルカプトメチル一r−プチロラクトン、β,γペンタ
メチレン一α一カルボキシ一α−プロピルメルカプトメ
チル−γ−ブチロラクトンなどがあげられる。
本発明の有機電解合成反応に用いられる支持電解質とし
ては、たとえば過塩素酸リチウム、過塩素酸マグネシウ
ム、過塩素酸四級アルキルアンモニウム、過塩素酸四級
アンモニウム、四フツ化ホウ素四級アルキルアンモニウ
ム、四フツ化ホウ素四級アンモニウム、ハロゲン化四級
アルキルアンモニウム、ハロゲン化四級アンモニウム、
アルカリ金属の・・ロゲン化物、硝酸四級アルキルアン
モニウム、パラトルエンスルホン酸四級アルキルアンモ
ニウムなどがあげられる。
ては、たとえば過塩素酸リチウム、過塩素酸マグネシウ
ム、過塩素酸四級アルキルアンモニウム、過塩素酸四級
アンモニウム、四フツ化ホウ素四級アルキルアンモニウ
ム、四フツ化ホウ素四級アンモニウム、ハロゲン化四級
アルキルアンモニウム、ハロゲン化四級アンモニウム、
アルカリ金属の・・ロゲン化物、硝酸四級アルキルアン
モニウム、パラトルエンスルホン酸四級アルキルアンモ
ニウムなどがあげられる。
このような支持電解質の例示中に訃いて、アルキル基と
はメチル基、エチル基またはプロピル基をいい、アルカ
リ金属とはリチウム、ナトリウムまたはカリウムをいい
、・・ロゲンとは塩素、臭素、沃素をいう。かかる支持
電解質は、0.1〜10w/v%、好ましくは1〜5w
/v%の濃度の溶液にされ、該溶液は一般式』で示され
るα一カルボキシ一α−チオ置換−メチル−γ−ブチロ
ラクトン類1モルに対して1〜10t1好ましくは2〜
5tの範囲で使用されて前記電解溶液の水層を構成する
。
はメチル基、エチル基またはプロピル基をいい、アルカ
リ金属とはリチウム、ナトリウムまたはカリウムをいい
、・・ロゲンとは塩素、臭素、沃素をいう。かかる支持
電解質は、0.1〜10w/v%、好ましくは1〜5w
/v%の濃度の溶液にされ、該溶液は一般式』で示され
るα一カルボキシ一α−チオ置換−メチル−γ−ブチロ
ラクトン類1モルに対して1〜10t1好ましくは2〜
5tの範囲で使用されて前記電解溶液の水層を構成する
。
本発明Vc卦いては、出発原料として用いる一般式(4
)で示されるα一カルボキシ一γ−ブチロラクトン類を
、相当するアルカリ金属、アルカリ十類金属、アンモニ
ア、アミンなどの塩として、電解溶液の水層に溶かした
状態で反応が実施される。本発明に訃いて有機層を構成
する溶謀としては、たとえばベンゼン、トルエンなどの
芳香族炭化水素、エチルエーテル、プロピルエーテルな
どの脂肪族エーテル類、ジクロルメタン、ジクロルエタ
ンなどのハロゲン化脂肪族炭化水素、n−ヘキサン、n
−ヘプタンなどの脂肪族炭化水素、酢酸エチル、酢酸ブ
チルなどの低級脂肪族カルボン酸エステルなどが単独で
または2種以上混合して使用される。かかる有機溶媒の
使用量は、反応生成物である一般式8で示されるα−メ
チレン−γ−ブチロラクトン類を充分に抽出できる量で
あればとくに限定されないが、通常は出発原料である一
般式(4)で示されるα一カルボキシ一r−ブチロラク
トン類1モルに対して0,5〜5tの範囲である。本発
明に訃いて反応温度としては、0〜100℃の範囲が採
用されるが、より好ましくは30〜50℃の範囲である
。
)で示されるα一カルボキシ一γ−ブチロラクトン類を
、相当するアルカリ金属、アルカリ十類金属、アンモニ
ア、アミンなどの塩として、電解溶液の水層に溶かした
状態で反応が実施される。本発明に訃いて有機層を構成
する溶謀としては、たとえばベンゼン、トルエンなどの
芳香族炭化水素、エチルエーテル、プロピルエーテルな
どの脂肪族エーテル類、ジクロルメタン、ジクロルエタ
ンなどのハロゲン化脂肪族炭化水素、n−ヘキサン、n
−ヘプタンなどの脂肪族炭化水素、酢酸エチル、酢酸ブ
チルなどの低級脂肪族カルボン酸エステルなどが単独で
または2種以上混合して使用される。かかる有機溶媒の
使用量は、反応生成物である一般式8で示されるα−メ
チレン−γ−ブチロラクトン類を充分に抽出できる量で
あればとくに限定されないが、通常は出発原料である一
般式(4)で示されるα一カルボキシ一r−ブチロラク
トン類1モルに対して0,5〜5tの範囲である。本発
明に訃いて反応温度としては、0〜100℃の範囲が採
用されるが、より好ましくは30〜50℃の範囲である
。
反応時間は電流密度との関係で限定することができない
が、通常は5〜18時間の範囲が採用される。
が、通常は5〜18時間の範囲が採用される。
本発明に}いて用いられる電極としては、通常市販され
ている電解用の白金、炭素、ステンレス、鉄などを素材
とした電極、あるいは炭素または酸化チタンなどの電導
性金属酸化物を網状などの特殊な形状の電極に加工した
もの、さらにはそれらの表面を酸化膜をつくる他の金属
で蒸着メツキした電極などがあげられる。
ている電解用の白金、炭素、ステンレス、鉄などを素材
とした電極、あるいは炭素または酸化チタンなどの電導
性金属酸化物を網状などの特殊な形状の電極に加工した
もの、さらにはそれらの表面を酸化膜をつくる他の金属
で蒸着メツキした電極などがあげられる。
本発明Vc卦いて有機電解合成反応は、定電圧で行なう
ことができるが、一般に用いられる電流密度規制、電位
規制の方法でも実施することができる。
ことができるが、一般に用いられる電流密度規制、電位
規制の方法でも実施することができる。
電解装置ならびに操作を簡単にするため、電極電位に若
千の変動があるが、単に端子電圧を1〜10、好ましく
は1.5〜3の範囲で一定に保つて有機電解合成反応を
行なつても、本発明に}いても目的物質を収率よくうる
ことができる。そして前記のような電圧範囲VC卦いて
電流密度は1〜10A/Dm2の範囲で有機電解合成反
応が行なわれる。有機電解合成反応終了後、有機層を分
離し、水層をエーテル、ベンゼンなどで抽出し、抽出液
と有機層を集め、水洗後、無水硫酸ナトリウムなどで乾
燥し、済別後、炉液を減圧下で濃縮すれば一般式虹で示
されるα−メチレン−r−ブチロラクトン類の粗生成物
がえられる。
千の変動があるが、単に端子電圧を1〜10、好ましく
は1.5〜3の範囲で一定に保つて有機電解合成反応を
行なつても、本発明に}いても目的物質を収率よくうる
ことができる。そして前記のような電圧範囲VC卦いて
電流密度は1〜10A/Dm2の範囲で有機電解合成反
応が行なわれる。有機電解合成反応終了後、有機層を分
離し、水層をエーテル、ベンゼンなどで抽出し、抽出液
と有機層を集め、水洗後、無水硫酸ナトリウムなどで乾
燥し、済別後、炉液を減圧下で濃縮すれば一般式虹で示
されるα−メチレン−r−ブチロラクトン類の粗生成物
がえられる。
そして該粗生成物を蒸留法、再結晶法、カラム法などに
より精製することによつて純粋な一般式(有)で示され
るα−メチレン−γ−ブチロラクトン類がえられる。前
述のごとき本発明の方法によつてえられる一般式8で示
されるα−メチレン−γ−ブチロラクトン類の具体例と
しては、たとえばα−メチレン−γ−ブチロラクトン、
α−メチレン−γ−メチル−γ−ブチロラクトン、α−
メチレン−β,γジメチル−γ−ブチロラクトン、α−
メチレン−γ−ブチル−γ−ブチロラクトン、α−メチ
レン−γ−オクチル−r−ブチロラクトン、α−メチレ
ン−β−ブチル−γ一エチル一γ−ブチロラクトン、α
−メチレン−β−オクチル−γ−ブチル−r−ブチロラ
クトン、α−メチレン−β,γ−テトラメチレン−γ−
ブチロラクトン、α−メチレン−β,r−ペンタメチレ
ン一r−ブチロラクトン、α−メチレン−β,γ−ヘキ
サメチレン−γ−ブチロラクトン、α−メチレン−R,
γ−テトラメチレン−γ−ブチロラクトン、α−メチレ
ン−γ,γ−ペンタメチレン一γ−ブチロラクトン、α
−メチレン−γ,γ−ヘキサメチレン−γ−ブチロラク
トン、α−メチレン−β−メチル−γ,γ−テトラメチ
レン−γ−ブチロラクトン、α−メチレン−β−オクチ
ル−γ,γ−ヘキサメチレン−r−ブチロラクトンなど
があげられる。つぎに実施例をあげて本発明の方法を説
明する。実施例 1α一カルボキシ一α−チオフエノキ
シメチル一γ−ブチロラクトン46ワ、10(!)過塩
素酸リチウム水溶液15町、トリエチルアミン0.25
m2、ベンゼン5ユを加えて、不均一の二層溶液とした
。
より精製することによつて純粋な一般式(有)で示され
るα−メチレン−γ−ブチロラクトン類がえられる。前
述のごとき本発明の方法によつてえられる一般式8で示
されるα−メチレン−γ−ブチロラクトン類の具体例と
しては、たとえばα−メチレン−γ−ブチロラクトン、
α−メチレン−γ−メチル−γ−ブチロラクトン、α−
メチレン−β,γジメチル−γ−ブチロラクトン、α−
メチレン−γ−ブチル−γ−ブチロラクトン、α−メチ
レン−γ−オクチル−r−ブチロラクトン、α−メチレ
ン−β−ブチル−γ一エチル一γ−ブチロラクトン、α
−メチレン−β−オクチル−γ−ブチル−r−ブチロラ
クトン、α−メチレン−β,γ−テトラメチレン−γ−
ブチロラクトン、α−メチレン−β,r−ペンタメチレ
ン一r−ブチロラクトン、α−メチレン−β,γ−ヘキ
サメチレン−γ−ブチロラクトン、α−メチレン−R,
γ−テトラメチレン−γ−ブチロラクトン、α−メチレ
ン−γ,γ−ペンタメチレン一γ−ブチロラクトン、α
−メチレン−γ,γ−ヘキサメチレン−γ−ブチロラク
トン、α−メチレン−β−メチル−γ,γ−テトラメチ
レン−γ−ブチロラクトン、α−メチレン−β−オクチ
ル−γ,γ−ヘキサメチレン−r−ブチロラクトンなど
があげられる。つぎに実施例をあげて本発明の方法を説
明する。実施例 1α一カルボキシ一α−チオフエノキ
シメチル一γ−ブチロラクトン46ワ、10(!)過塩
素酸リチウム水溶液15町、トリエチルアミン0.25
m2、ベンゼン5ユを加えて、不均一の二層溶液とした
。
この二層溶液の水層に2本の白金電極板(1.5則×2
csn2)を漬け、反応温度30〜40℃で3Vの定電
圧、電流密度2〜5A/Drn2で12時間有機電解合
成反応を行なつた。電解後、有機層を分離し水層をエー
テルで抽出した。抽出液と有機層を集め、水洗後、無水
硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過したのち、済液を減圧下
で濃縮した。えられた残渣物を薄層クロマトグラフイ一
にかけ、ほとんど純粋なα−メチレン−γ−ブチロラク
トンをえた。えられたα−メチレン−γ−ブチロラクト
ンの沸点は50〜53℃/0.45mmHfであつた。
csn2)を漬け、反応温度30〜40℃で3Vの定電
圧、電流密度2〜5A/Drn2で12時間有機電解合
成反応を行なつた。電解後、有機層を分離し水層をエー
テルで抽出した。抽出液と有機層を集め、水洗後、無水
硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過したのち、済液を減圧下
で濃縮した。えられた残渣物を薄層クロマトグラフイ一
にかけ、ほとんど純粋なα−メチレン−γ−ブチロラク
トンをえた。えられたα−メチレン−γ−ブチロラクト
ンの沸点は50〜53℃/0.45mmHfであつた。
な zお収量は17.6ηであり、これは理論収率の9
5%であつた。元素分析値: IRスペクトル: 4●νv〜U▲息XU−響▲▲ムノ〜 Q●Jll\l
〜 Bllノ実施例 2α一カルボキシ一α−チオフエ
ノキシメチル一β,γ−テトラメチレン−γ−ブチロラ
クトン57η、10%過塩素酸リチウム水溶液15m2
、エチルエーテル5me1苛性ソーダ7.577?!7
を加えて、不均一の二層溶液とした。
5%であつた。元素分析値: IRスペクトル: 4●νv〜U▲息XU−響▲▲ムノ〜 Q●Jll\l
〜 Bllノ実施例 2α一カルボキシ一α−チオフエ
ノキシメチル一β,γ−テトラメチレン−γ−ブチロラ
クトン57η、10%過塩素酸リチウム水溶液15m2
、エチルエーテル5me1苛性ソーダ7.577?!7
を加えて、不均一の二層溶液とした。
この二層溶液の水層に2本の白金電極板(1.5(1]
]×2csr1)を漬け、反応温度30〜40℃で3V
の定電圧、電流密度2〜5A/Dm2で12時間有機電
解合成反応を行なつた。電解後、有機層を分離し、水層
をエーテルで抽出した。抽出液と有機層とを集め、水洗
後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過したのち、済液
を域圧下で濃縮した。えられた残渣物を薄層クロマトグ
ラフイ一にかけ、ほとんど純粋なα−メチレン−β,γ
−テトラメチレン−γ−ブチロラクトンをえた。えられ
たα−メチレン−β,γ−テトラメチレン−γ−ブチロ
ラクトンの融点は38〜40℃であつた。
]×2csr1)を漬け、反応温度30〜40℃で3V
の定電圧、電流密度2〜5A/Dm2で12時間有機電
解合成反応を行なつた。電解後、有機層を分離し、水層
をエーテルで抽出した。抽出液と有機層とを集め、水洗
後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過したのち、済液
を域圧下で濃縮した。えられた残渣物を薄層クロマトグ
ラフイ一にかけ、ほとんど純粋なα−メチレン−β,γ
−テトラメチレン−γ−ブチロラクトンをえた。えられ
たα−メチレン−β,γ−テトラメチレン−γ−ブチロ
ラクトンの融点は38〜40℃であつた。
な訃収量は26mIiであり、これは理論収率の92%
であつた。元素分析値: \V υノ1具υ● νuμ \−ν112ノ実施例
3α一カルボキシ一α−チオフエノキシメチル一γ−
n−オクチル−γ−ブチロラクトン68ワ、トリエチル
アミン0.25m2を加え、これに水15々と過塩素酸
リチウム200mfを加え、さらにエーテル3wt1ベ
ンゼン2m2を加えて、不均一の二層溶液とした。
であつた。元素分析値: \V υノ1具υ● νuμ \−ν112ノ実施例
3α一カルボキシ一α−チオフエノキシメチル一γ−
n−オクチル−γ−ブチロラクトン68ワ、トリエチル
アミン0.25m2を加え、これに水15々と過塩素酸
リチウム200mfを加え、さらにエーテル3wt1ベ
ンゼン2m2を加えて、不均一の二層溶液とした。
この二層溶液の水層に2本の白金電極板(1.5cw1
X2巾2 )を漬け、反応温度20〜30℃で3の定電
圧、電流密度2〜5A/Dm2で12時間有機電解合成
反応を行なつた。電解後、有機層を分離し、水層をエー
テルーベンゼン混合液(容量比1:1)で抽出した。有
機層と抽出液を集め、水洗後、無水硫酸ナトリウムで乾
燥し、ろ過したのち、戸液を減圧下で濃縮した。えられ
た残渣物をシリカゲルクロマトグラフイ一で精製してα
−メチレン−r−n−オクチル−γ−ブチロラクトン3
8ηをえた。収率は理論収率の92%であつた。実施例
4 α一カルボキシ一α−チオフエノキシメチル一γ,γ−
ペンタメチレン−γ−プチロラクトン75η、トリエチ
ルアミン0.25m2、水15m2、過塩素酸リチウム
200ηを加え、さらにエーテル3〜、ベンゼン2榴を
加えて、不均一の二層溶液とした。
X2巾2 )を漬け、反応温度20〜30℃で3の定電
圧、電流密度2〜5A/Dm2で12時間有機電解合成
反応を行なつた。電解後、有機層を分離し、水層をエー
テルーベンゼン混合液(容量比1:1)で抽出した。有
機層と抽出液を集め、水洗後、無水硫酸ナトリウムで乾
燥し、ろ過したのち、戸液を減圧下で濃縮した。えられ
た残渣物をシリカゲルクロマトグラフイ一で精製してα
−メチレン−r−n−オクチル−γ−ブチロラクトン3
8ηをえた。収率は理論収率の92%であつた。実施例
4 α一カルボキシ一α−チオフエノキシメチル一γ,γ−
ペンタメチレン−γ−プチロラクトン75η、トリエチ
ルアミン0.25m2、水15m2、過塩素酸リチウム
200ηを加え、さらにエーテル3〜、ベンゼン2榴を
加えて、不均一の二層溶液とした。
この二層溶液の水層に白金電極板(1.5cn]×2c
mI)を漬け、反応温度40〜50℃で4の定電圧、電
流密度2〜3A/Dm2で5時間電解を行なつた。電解
後、有機層を分離し、水層をベンゼンで抽出じた。有機
層と抽出液とを集め、水洗後、無水硫酸ナトリウムで乾
燥し、沢過したのち、淵液を減圧下で濃縮した。えられ
た残渣物をシリカゲルカラムで精製し、さらに減圧蒸留
してα−メチレン−γ,γ−ペンタメチレン一γ−ブチ
ロラクトン3077Vをえた。収率は理論収率の78%
であつた。えられたα−メチレン−γ,γ−ペンタメチ
レン一γ−ブチロラクトンの沸点は73℃/0.008
mmHgであった。
mI)を漬け、反応温度40〜50℃で4の定電圧、電
流密度2〜3A/Dm2で5時間電解を行なつた。電解
後、有機層を分離し、水層をベンゼンで抽出じた。有機
層と抽出液とを集め、水洗後、無水硫酸ナトリウムで乾
燥し、沢過したのち、淵液を減圧下で濃縮した。えられ
た残渣物をシリカゲルカラムで精製し、さらに減圧蒸留
してα−メチレン−γ,γ−ペンタメチレン一γ−ブチ
ロラクトン3077Vをえた。収率は理論収率の78%
であつた。えられたα−メチレン−γ,γ−ペンタメチ
レン一γ−ブチロラクトンの沸点は73℃/0.008
mmHgであった。
元素分析値:
理論値(%):C72.26 H8.49実測値(%)
:C72.21 H8.44IRスペクトル。
:C72.21 H8.44IRスペクトル。
1H−NMR:
13C−NMR:
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I )(式中、R
_1、R_2およびR_3はそれぞれ水素または炭素数
1〜8個のアルキル基を示す。 なおR_1とR_2またはR_1とR_3とが結合して
5〜7員環を形成しているばあいもある。R_4は炭素
数1〜4個のアルキル基、フェニル基またはシクロヘキ
シル基を示す)で示されるα−カルボキシ−α−チオ置
換−メチル−γ−ブチロラクトン類を水層に溶解してな
る電解溶液と有機層とによる不均一構造となし、前記電
解溶液を前記有機層とその界面で接触させながら有機電
解合成反応に供することによつて、一般式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼(II)(式中、R_
1、R_2およびR_3は前記と同じである)で示され
るα−メチレン−γ−ブチロラクトン類をうることを特
徴とするα−メチレン−γ−ブチロラクトン類の製造法
。 2 一般式(II)で示されるα−メチレン−γ−ブチロ
ラクトン類がα−メチレン−γ−ブチロラクトン、α−
メチレン−β,γ−テトラメチレン−γ−ブチロラクト
ン、α−メチレン−γ−n−オクチル−γ−ブチロラク
トンおよびα−メチレン−γ,γ−ペンタメチレン−γ
−ブチロラクトンよりなる群から選ばれた少なくとも1
種である特許請求の範囲第1項記載の方法。 3 一般式( I )で示されるα−カルボキシ−α−チ
オ置換−メチル−γ−ブチロラクトン類を、相当するア
ルカリ金属、アルカリ土類金属、アンモニアまたはアミ
ンの塩として、電解溶液の水層に溶解した状態で反応を
行なう特許請求の範囲第1項記載の方法。 4 水層が一般式( I )で示されるα−カルボキシ−
α−チオ置換−メチル−γ−ブチロラクトン類1モルに
対して1〜10lの割合で構成される特許請求の範囲第
1項記載の方法。 5 有機層が一般式( I )で示されるα−カルボキシ
−α−チオ置換−メチル−γ−ブチロラクトン類1モル
に対して0.5〜5lの割合で構成される特許請求の範
囲第1項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52024092A JPS5921957B2 (ja) | 1977-03-04 | 1977-03-04 | α−メチレン−γ−ブチロラクトン類の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52024092A JPS5921957B2 (ja) | 1977-03-04 | 1977-03-04 | α−メチレン−γ−ブチロラクトン類の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS53108964A JPS53108964A (en) | 1978-09-22 |
| JPS5921957B2 true JPS5921957B2 (ja) | 1984-05-23 |
Family
ID=12128726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52024092A Expired JPS5921957B2 (ja) | 1977-03-04 | 1977-03-04 | α−メチレン−γ−ブチロラクトン類の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5921957B2 (ja) |
-
1977
- 1977-03-04 JP JP52024092A patent/JPS5921957B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS53108964A (en) | 1978-09-22 |
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