JPS5922376A - 純緑色発光ダイオ−ドおよびその製造方法 - Google Patents
純緑色発光ダイオ−ドおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPS5922376A JPS5922376A JP57132735A JP13273582A JPS5922376A JP S5922376 A JPS5922376 A JP S5922376A JP 57132735 A JP57132735 A JP 57132735A JP 13273582 A JP13273582 A JP 13273582A JP S5922376 A JPS5922376 A JP S5922376A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- melt
- gap
- epitaxial layer
- pure green
- gallium phosphide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/822—Materials of the light-emitting regions
- H10H20/824—Materials of the light-emitting regions comprising only Group III-V materials, e.g. GaP
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
- H10H20/011—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers
- H10H20/013—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials
Landscapes
- Led Devices (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高輝度で、しかも黄緑色と明瞭に識別が可能
な純緑色の発光色を呈する純緑色発光ダイオードとこれ
を製造する方法に関する。
な純緑色の発光色を呈する純緑色発光ダイオードとこれ
を製造する方法に関する。
従来例の構成とその問題点
可視発光ダイオード（ＬＥＤ ）は現在ディスグレー素
子の中心的な地位を占めており、その中でも燐化ガリウ
ム（ＧａＰ ） Ｌ Ｅ ＤはＧａＰ基板を出発材料と
して用いて赤色、黄緑色および純緑色の３種類の発光色
を得ることのできるものであや、その特性の良さと価格
の安さから広く用いられている。これらの中で、純緑色
のＧａＰ’ＬＥＤ［赤色ならびに黄緑色のＧａＰ ＬＥ
Ｄ にくらべて相対的な輝度が低く、また、色調の面で
も劣っている。これらの特性を改善することは、ＧａＰ
ＬＥＤをディスプレー素子として用いてゆく上で太りで
ある。
子の中心的な地位を占めており、その中でも燐化ガリウ
ム（ＧａＰ ） Ｌ Ｅ ＤはＧａＰ基板を出発材料と
して用いて赤色、黄緑色および純緑色の３種類の発光色
を得ることのできるものであや、その特性の良さと価格
の安さから広く用いられている。これらの中で、純緑色
のＧａＰ’ＬＥＤ［赤色ならびに黄緑色のＧａＰ ＬＥ
Ｄ にくらべて相対的な輝度が低く、また、色調の面で
も劣っている。これらの特性を改善することは、ＧａＰ
ＬＥＤをディスプレー素子として用いてゆく上で太りで
ある。
ＧａＰ純緑色ＬＥＤは６５５ｎｍ付近に発光ピーク波長
を有するＬＥＤであシ、通常ｎ型Ｇ’ａＰ基板上に液相
法によりｎ型とｐ型のＧａＰエビタキンヤル層を成長さ
せて形成される。この液相エピタキシャル成長方法は、
温度差法と徐冷法とに大別される。ところで、温度差法
は結晶性良化の面では徐冷法よシも勝っているが、温度
差の制御が困難てあシ、量産性の面では徐冷法よりも著
しく劣る。このため、安価なＬＥＤの製造のためには徐
冷法が採用されている。この徐冷法によってエピタキシ
ャル層を形成するにあたり、スライドホードを用いてｎ
層とｐ層を異なる融液（メルト）で成長させると、接合
面に機械的な損傷が入シ、輝度は低下する。そこで、ド
ナー不純物のドープサレタメルトてｎＮを成長させた後
、このメルトにドナー濃度以上にアクセプタ不純物をド
ーピングし、こののち、引き続いてｐ層を成長させる、
所謂、不純物補償法を採用することにより、輝度の低下
を防いでいる。
を有するＬＥＤであシ、通常ｎ型Ｇ’ａＰ基板上に液相
法によりｎ型とｐ型のＧａＰエビタキンヤル層を成長さ
せて形成される。この液相エピタキシャル成長方法は、
温度差法と徐冷法とに大別される。ところで、温度差法
は結晶性良化の面では徐冷法よシも勝っているが、温度
差の制御が困難てあシ、量産性の面では徐冷法よりも著
しく劣る。このため、安価なＬＥＤの製造のためには徐
冷法が採用されている。この徐冷法によってエピタキシ
ャル層を形成するにあたり、スライドホードを用いてｎ
層とｐ層を異なる融液（メルト）で成長させると、接合
面に機械的な損傷が入シ、輝度は低下する。そこで、ド
ナー不純物のドープサレタメルトてｎＮを成長させた後
、このメルトにドナー濃度以上にアクセプタ不純物をド
ーピングし、こののち、引き続いてｐ層を成長させる、
所謂、不純物補償法を採用することにより、輝度の低下
を防いでいる。
ＧａＰ純緑色ＬＥＤはｎ層でもｐ層でも発光する。
しかし純緑色の発光はＧａＰのバンドギャップに近く、
内部吸収が太きい。したがって、ｎ層よりもＬＥＤ表面
に近いｐ層で発光させた方が、外部発光効率が高くなる
。しかし、従来の不純物補償法でＧａＰ純緑色ＬＥＤを
形成すると、ｐ層内にドナー不純物が高濃度に存在する
ところとなり、このドナー不純物が発光を妨げる。この
ため、形成されるＧａＰ純緑色ＬＥＤの大半は低輝度の
ＬＥＤとなってし１う。また、ｐ層内にドナー不純物が
高濃度に存在すると、ドナー・アクセフリ対発光あるい
はドナー・自由正孔対発光と思われる黄色の発光が５７
０ ｎ ｍ付近に見られるようになり、ＧａＰ純緑色Ｌ
］しＤの色調が黄色味を帯びたものとなる。このような
ＧａＰ純緑色ＬＥＤを黄緑色ＬＥＤとともにディスプレ
ーなどに応用すると、黄緑色ＬＥＤとの色１．Ｗの対比
が不鮮明になる不都合が生じる。
内部吸収が太きい。したがって、ｎ層よりもＬＥＤ表面
に近いｐ層で発光させた方が、外部発光効率が高くなる
。しかし、従来の不純物補償法でＧａＰ純緑色ＬＥＤを
形成すると、ｐ層内にドナー不純物が高濃度に存在する
ところとなり、このドナー不純物が発光を妨げる。この
ため、形成されるＧａＰ純緑色ＬＥＤの大半は低輝度の
ＬＥＤとなってし１う。また、ｐ層内にドナー不純物が
高濃度に存在すると、ドナー・アクセフリ対発光あるい
はドナー・自由正孔対発光と思われる黄色の発光が５７
０ ｎ ｍ付近に見られるようになり、ＧａＰ純緑色Ｌ
］しＤの色調が黄色味を帯びたものとなる。このような
ＧａＰ純緑色ＬＥＤを黄緑色ＬＥＤとともにディスプレ
ーなどに応用すると、黄緑色ＬＥＤとの色１．Ｗの対比
が不鮮明になる不都合が生じる。
本発明の目的
本発明の第１の目的は、不純物補償法を用いて成長させ
たエピタキシャル層をイｆするにもかかわらず、高輝度
で、しかも色調の優れたＧａＰ純緑色ＬＥＤを実現する
ことにある。
たエピタキシャル層をイｆするにもかかわらず、高輝度
で、しかも色調の優れたＧａＰ純緑色ＬＥＤを実現する
ことにある。
本発明の第２の目的は、かかるＧａＰ純緑色ＬＥＤを製
造する方法を提供することにある。
造する方法を提供することにある。
本発明の第３の目的は、量産性に富む不純物補償を用い
ることを可能として、高μ１１度で色調の優れたＧａＰ
純緑色ＬＥＤを提供することにある。
ることを可能として、高μ１１度で色調の優れたＧａＰ
純緑色ＬＥＤを提供することにある。
本発明のさらに他の目的は、黄緑色ＬＥＤとの色調の対
比が明瞭なＧａＰ純緑色ＬＥＤを実現することによって
、ＧａＰ Ｌ Ｅ Ｄのディスプレー等への適用範囲を
拡張することにある。
比が明瞭なＧａＰ純緑色ＬＥＤを実現することによって
、ＧａＰ Ｌ Ｅ Ｄのディスプレー等への適用範囲を
拡張することにある。
発明の構成
本発明の純緑色ＬＥＤは、ｎ型ＧａＰ基体上に、これと
同一導電型のＧａＰエビタキンヤル層が形成され、さら
に、このＧａＰエピタギシャル層上に、不純物補償液相
成長層としてｐ型ＧａＰエピタキシャル層が形成されて
おり、しかも、このｐ型ＧａＰエピタキシャル層内の平
均ドナー不純物濃度が５×１０１６ ｃ、３ 以下に設
定されている構造を具備しており、この構造とすること
によって、高輝度で、しかも黄色の発光成分を抑圧した
純緑色の発光を得ている。また、この純緑色ＬＥＤを得
るだめの本発明の方法では、１つのメルトを使用してｎ
型ＧａＰエヒタキシャル層を形成し、次いで、このメル
ト中にアクセプタ不純物を供給してドナー不純物を補償
するに先だって、メルトの周囲雰囲気を所定の時間にわ
たり減圧雰囲気とすることにより、タルト中のドナー不
純物を蒸発させる処理が施されている。この処理によっ
て、ｐ 型ＧａＰエヒリキシャル層中のドナー不純物濃
度を５ Ｘ １０” ｃｔｎ−’以下とすることを可能
にしている。
同一導電型のＧａＰエビタキンヤル層が形成され、さら
に、このＧａＰエピタギシャル層上に、不純物補償液相
成長層としてｐ型ＧａＰエピタキシャル層が形成されて
おり、しかも、このｐ型ＧａＰエピタキシャル層内の平
均ドナー不純物濃度が５×１０１６ ｃ、３ 以下に設
定されている構造を具備しており、この構造とすること
によって、高輝度で、しかも黄色の発光成分を抑圧した
純緑色の発光を得ている。また、この純緑色ＬＥＤを得
るだめの本発明の方法では、１つのメルトを使用してｎ
型ＧａＰエヒタキシャル層を形成し、次いで、このメル
ト中にアクセプタ不純物を供給してドナー不純物を補償
するに先だって、メルトの周囲雰囲気を所定の時間にわ
たり減圧雰囲気とすることにより、タルト中のドナー不
純物を蒸発させる処理が施されている。この処理によっ
て、ｐ 型ＧａＰエヒリキシャル層中のドナー不純物濃
度を５ Ｘ １０” ｃｔｎ−’以下とすることを可能
にしている。
実施例の説明
第１図は、本発明の一実施例にがかるＧａＰ純緑色ＬＥ
Ｄの構造を示す断面図であシ、１はｎ型のＧａＰ基板、
２はドナー不純物として硫黄（Ｓ）がドープされたメル
トを用い、徐冷法で成長させｌｃ ｎ 型ＧａＰエピタ
キシャル層、３けｎ型ＧａＰエピタキシャル層の成長に
用いたメルトにアクセプタ不純物として亜鉛（Ｚｎ）ｔ
ドープしてＳを補償し、このメルトを用いて成長させた
平均ドナー不純物濃度が３×１０１６．ｎ−３以下であ
るｐ型ＧａＰエピクギシャル１曽である。
Ｄの構造を示す断面図であシ、１はｎ型のＧａＰ基板、
２はドナー不純物として硫黄（Ｓ）がドープされたメル
トを用い、徐冷法で成長させｌｃ ｎ 型ＧａＰエピタ
キシャル層、３けｎ型ＧａＰエピタキシャル層の成長に
用いたメルトにアクセプタ不純物として亜鉛（Ｚｎ）ｔ
ドープしてＳを補償し、このメルトを用いて成長させた
平均ドナー不純物濃度が３×１０１６．ｎ−３以下であ
るｐ型ＧａＰエピクギシャル１曽である。
第２図は、第１図で示す、ＧａＰ純緑色ＬＥＤを製造す
る方法を示す図であり、出発材料となるＧａＰ基板１を
収納するボー１−４の」二に−ＣｒａＰのメルト５が入
れられたメルト槽６を配置して、ＧａＰ基板１とメルト
６を接触させる。このメルトには一ドナー不純物である
ＳがＧａに夕・」シて３Ｘ１０−５ｍＯ１％ドープされ
ている。そして、このメルトの冷却速度を１°Ｃ／分に
定めて１０００”Ｃから９００°Ｃ丑で徐冷することに
よりｎ型ＧａＰエピタキシャル層２を成長させる。ｎ型
ＧａＰエピタキシャル層２の成長処理が終了した時点に
おける９００°Ｃの温度で徐冷を停止し、メルトの温度
を９００℃に保ち、次いで、成長装置内を０．０５ ｆ
ｏｒｒの減圧状態にしてメルト中のＳを図中の実線矢印
で示すようにメルト外へ蒸発させる。こののち、破線矢
印で示すようにアクセプター不純物であるＺｎｆ、（気
相でメルト中に供給しながら、９００ ”Ｇがら８００
℃丑で１°Ｃ／分の冷却速度でメルト徐冷することによ
りｐ型ＧａＰエピタキシャル層３を成長させた。
る方法を示す図であり、出発材料となるＧａＰ基板１を
収納するボー１−４の」二に−ＣｒａＰのメルト５が入
れられたメルト槽６を配置して、ＧａＰ基板１とメルト
６を接触させる。このメルトには一ドナー不純物である
ＳがＧａに夕・」シて３Ｘ１０−５ｍＯ１％ドープされ
ている。そして、このメルトの冷却速度を１°Ｃ／分に
定めて１０００”Ｃから９００°Ｃ丑で徐冷することに
よりｎ型ＧａＰエピタキシャル層２を成長させる。ｎ型
ＧａＰエピタキシャル層２の成長処理が終了した時点に
おける９００°Ｃの温度で徐冷を停止し、メルトの温度
を９００℃に保ち、次いで、成長装置内を０．０５ ｆ
ｏｒｒの減圧状態にしてメルト中のＳを図中の実線矢印
で示すようにメルト外へ蒸発させる。こののち、破線矢
印で示すようにアクセプター不純物であるＺｎｆ、（気
相でメルト中に供給しながら、９００ ”Ｇがら８００
℃丑で１°Ｃ／分の冷却速度でメルト徐冷することによ
りｐ型ＧａＰエピタキシャル層３を成長させた。
第３図は、このようにして形成したＧａＰ純緑色ＬＥＤ
におけるｐ型ＧａＰエピタキシャル層内の平均ドナー不
純物濃度と輝度の関係を示す図である。
におけるｐ型ＧａＰエピタキシャル層内の平均ドナー不
純物濃度と輝度の関係を示す図である。
図示するように、平均ドナー不純物濃度の低下につれて
、輝度は高くなり、平均ドナー不純物濃度が５ Ｘ １
０” ｃｍ−３以下の範囲で、高輝度ＬＥＤとみなすこ
とのできる相対値７を超える。ところて−図示する平均
ドナー不純物濃度は、上記の減圧状態の設定時間が長く
なるにつれて低下する。
、輝度は高くなり、平均ドナー不純物濃度が５ Ｘ １
０” ｃｍ−３以下の範囲で、高輝度ＬＥＤとみなすこ
とのできる相対値７を超える。ところて−図示する平均
ドナー不純物濃度は、上記の減圧状態の設定時間が長く
なるにつれて低下する。
なお、減圧状態とせず、その才まＧａＰエピタキンヤル
層を成長させた場合その導電型がｐ型に反転しなかった
。寸だ、減圧状態に保つ時間を３時間以上にすると、メ
ルト中の隣（Ｐ）の蒸発が起こり、メルトが不飽和とな
り既に成長したｎ型エピタキシャル層がタルトに溶は込
むこととなりドナー濃度をこれ以下にすることはできな
い。
層を成長させた場合その導電型がｐ型に反転しなかった
。寸だ、減圧状態に保つ時間を３時間以上にすると、メ
ルト中の隣（Ｐ）の蒸発が起こり、メルトが不飽和とな
り既に成長したｎ型エピタキシャル層がタルトに溶は込
むこととなりドナー濃度をこれ以下にすることはできな
い。
第４図は、上記の製造過程で、減圧時間を３時間に設定
して形成したＧａＰ純緑色り、ＥＤ内の不純物濃度分布
を示す図であり、領域１．２および３は第１図で示した
構造において１〜３０番号を付した領域と同じ領域であ
る。図中、Ａはドブーー不純物濃度を、また、Ｂはアク
セプタ不純物濃度を示している。このＧａＰ純緑色ＬＥ
Ｄのｐ４１１ＧａＰエピタキシャル層３中の平均ドナー
不純物濃度を求めたところ３ Ｘ １０” ｃｎｒ：６
であった。なお、′減圧時間を１時間ならびに２時間に
設定してＧａＰ純緑色、ＬＥＤを製作し、ｐ型ＧａＰエ
ピタキシャル層の平均ドブーー不純物濃度を求めたとこ
ろ、減圧時間が１時間のものでは１．５ Ｘ １０”
Ｃｊｎ−’ 、２時間のものでは７×１０ ｃｍ であ
ったＯ 第５図は−ＧａＰ純緑色ＬＥＤ′（ｉｌ−製作する過程
で導入する減圧の時間を１時間、２時間、ならびに３時
間に定めて製作したＧａＰ純緑色ＬＥＤにおける発光ス
ペクトルの減圧時間に対する依存性についての実験結果
を示す図であり、Ｃは減圧時間が１時間、Ｄは減圧時間
が２時間、Ｅは減圧時間が３時間に設定された場合の特
性を示す。図から明らかなように、減圧時間の増加につ
れて６７０ ｎｍ付近の黄色発光が目立たなくなる傾向
を示す０減圧時間が３時間に設定され、したがって、ｐ
型ＧａＰエピタキシャル層中の平均ドナー不純物濃度が
５×１０Ｉ ６ ｃ、、７３以下の条件を満足するＧａ
Ｐ 純緑色ＬＥＤの特性Ｅでは、上記の５’７０ ｎ
ｍ’ｌτｊ近の黄色発光が少く、このため、ＧａＰ黄緑
色ＬＥＤの発光との対比が鮮明となる純緑色の発光が得
られた。
して形成したＧａＰ純緑色り、ＥＤ内の不純物濃度分布
を示す図であり、領域１．２および３は第１図で示した
構造において１〜３０番号を付した領域と同じ領域であ
る。図中、Ａはドブーー不純物濃度を、また、Ｂはアク
セプタ不純物濃度を示している。このＧａＰ純緑色ＬＥ
Ｄのｐ４１１ＧａＰエピタキシャル層３中の平均ドナー
不純物濃度を求めたところ３ Ｘ １０” ｃｎｒ：６
であった。なお、′減圧時間を１時間ならびに２時間に
設定してＧａＰ純緑色、ＬＥＤを製作し、ｐ型ＧａＰエ
ピタキシャル層の平均ドブーー不純物濃度を求めたとこ
ろ、減圧時間が１時間のものでは１．５ Ｘ １０”
Ｃｊｎ−’ 、２時間のものでは７×１０ ｃｍ であ
ったＯ 第５図は−ＧａＰ純緑色ＬＥＤ′（ｉｌ−製作する過程
で導入する減圧の時間を１時間、２時間、ならびに３時
間に定めて製作したＧａＰ純緑色ＬＥＤにおける発光ス
ペクトルの減圧時間に対する依存性についての実験結果
を示す図であり、Ｃは減圧時間が１時間、Ｄは減圧時間
が２時間、Ｅは減圧時間が３時間に設定された場合の特
性を示す。図から明らかなように、減圧時間の増加につ
れて６７０ ｎｍ付近の黄色発光が目立たなくなる傾向
を示す０減圧時間が３時間に設定され、したがって、ｐ
型ＧａＰエピタキシャル層中の平均ドナー不純物濃度が
５×１０Ｉ ６ ｃ、、７３以下の条件を満足するＧａ
Ｐ 純緑色ＬＥＤの特性Ｅでは、上記の５’７０ ｎ
ｍ’ｌτｊ近の黄色発光が少く、このため、ＧａＰ黄緑
色ＬＥＤの発光との対比が鮮明となる純緑色の発光が得
られた。
発明の効果
本発明のＧａＰ純緑色ＬＥＤは、従来の不純物補償法を
とり入れた徐冷法の基本プロセス【、減圧工程のみを追
加して製作が可能であり、ｈｔ量産性富む構造を具備し
ている。そして、その特性は、高輝度で、しかも、黄緑
色との識別が容易となる優れた色調の緑色発光を呈する
。さらに一本発明のＧａＰ純緑色ＬＥＤは、上記のよう
に量産性に富むため、そのコストを引き下げることがで
き、ＧａＰ純緑色ＬＥＤを安価に供給することを用能に
する効果も奏する。丑だ、本発明のＧａＰ純緑色ＬＥＤ
ば、上記のようにその色調が優れている／ζめ−ＧａＰ
を素（Ａとして、高輝度で赤色、黄緑色ならびに緑色の
発光色をもつ３種類のＬＥＤの実現するために寄力する
ところとなり、ＣＴａＰ Ｌ ＥＤのディスプレー分野
への適用範囲を拡大する効果をもたらす。
とり入れた徐冷法の基本プロセス【、減圧工程のみを追
加して製作が可能であり、ｈｔ量産性富む構造を具備し
ている。そして、その特性は、高輝度で、しかも、黄緑
色との識別が容易となる優れた色調の緑色発光を呈する
。さらに一本発明のＧａＰ純緑色ＬＥＤは、上記のよう
に量産性に富むため、そのコストを引き下げることがで
き、ＧａＰ純緑色ＬＥＤを安価に供給することを用能に
する効果も奏する。丑だ、本発明のＧａＰ純緑色ＬＥＤ
ば、上記のようにその色調が優れている／ζめ−ＧａＰ
を素（Ａとして、高輝度で赤色、黄緑色ならびに緑色の
発光色をもつ３種類のＬＥＤの実現するために寄力する
ところとなり、ＣＴａＰ Ｌ ＥＤのディスプレー分野
への適用範囲を拡大する効果をもたらす。
第１図は、本発明のＧａＰ純緑色ＬＥＤの構造をを示す
断面図、第２図は、第１図で示ずＣＴａＰ純緑色ＬＥＤ
を製造する本発明の製造方法について説明するための図
、第３図は、ＧａＰ純緑色ＬＥＤのｐ型エピタキ７ヤル
層内の平均ドナー不純物濃度と輝度との関係を示す図、
第４図は、製造過程で３時間の減圧処理を施し形成した
ＧａＰ純緑色ＬＥＤ内のドナー不純物濃度とアクセプタ
不純物濃度を示す図、第５図は、減圧処理＋１．’Ｊ間
を変化させた場合の、発光スペクトルの減圧時間依存性
を示す図であｏｏ １・・・・・・ｎ型ＧａＰ基板、２・・・・ｎ型ＧａＰ
エピクギシャル層、３・・・・・ｐ型ＧａＰエピタキシ
ャル層、４・・・・・・ボート、５・・・・・・融液（
メルト）、６・・・・メルト槽。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図 □Ｙ゛ナー不値ぞ物シ潰、廣
断面図、第２図は、第１図で示ずＣＴａＰ純緑色ＬＥＤ
を製造する本発明の製造方法について説明するための図
、第３図は、ＧａＰ純緑色ＬＥＤのｐ型エピタキ７ヤル
層内の平均ドナー不純物濃度と輝度との関係を示す図、
第４図は、製造過程で３時間の減圧処理を施し形成した
ＧａＰ純緑色ＬＥＤ内のドナー不純物濃度とアクセプタ
不純物濃度を示す図、第５図は、減圧処理＋１．’Ｊ間
を変化させた場合の、発光スペクトルの減圧時間依存性
を示す図であｏｏ １・・・・・・ｎ型ＧａＰ基板、２・・・・ｎ型ＧａＰ
エピクギシャル層、３・・・・・ｐ型ＧａＰエピタキシ
ャル層、４・・・・・・ボート、５・・・・・・融液（
メルト）、６・・・・メルト槽。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 第３図 □Ｙ゛ナー不値ぞ物シ潰、廣
Claims (2)
- （１）ｎ型燐化ガリウム基体上に、これと同一導電型の
燐化ガリウムエピタキシャル層が液相成長層として形成
され、さらに、同燐化ガリウムエピタキシャル層上に、
不純物補償液相成長層としてｐ型燐化ガリウムエピタキ
／ヤル層が形成され、同ｐ型燐化ガリウムエピタキシャ
ル層の平均ドナー不純物濃度が５ Ｘ １０” ｃｎＴ
’以下に設定されていることを特徴とする純緑色発光ダ
イオード。 - （２）ｎ型燐化ガリウム基板に、ドナー不純物をドーグ
したエピタキシャル成長用の融液を接触させたのち、同
融液の温度を所定の冷却速度で低下はせ、ｎ型燐化ガリ
ウム層を液相成長させる工程、次いで、前記融液の温度
を一定に保つとともに融液の周囲雰囲気を所定の時間に
わたシ減圧状態に保ち、融液内のドナー不純物を蒸発さ
せる工程、前記減圧界囲気を断ち、前記融液にアクセプ
タ不純物を供給しつつ、その温度を所定の冷却速度で低
下させ、平均ドナー不純物濃度が６×１０Ｉ／＋Ｃ，Ｌ
−３以下のｐ型燐化ガリウムエピタキシャル層を形成す
る工程を経てｐｎ接合形成がなされることを特徴とする
純緑色発光ダイオードの製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57132735A JPS5922376A (ja) | 1982-07-28 | 1982-07-28 | 純緑色発光ダイオ−ドおよびその製造方法 |
| DE8383304315T DE3381338D1 (de) | 1982-07-28 | 1983-07-26 | Reines gruenes licht emittierende dioden und verfahren zu deren herstellung. |
| CA000433193A CA1237514A (en) | 1982-07-28 | 1983-07-26 | Pure green light emitting diodes and method of manufacturing the same |
| EP83304315A EP0102734B1 (en) | 1982-07-28 | 1983-07-26 | Pure green light emitting diodes and method of manufacturing the same |
| US06/797,756 US4965644A (en) | 1982-07-28 | 1985-11-12 | Pure green light emitting diodes and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57132735A JPS5922376A (ja) | 1982-07-28 | 1982-07-28 | 純緑色発光ダイオ−ドおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5922376A true JPS5922376A (ja) | 1984-02-04 |
Family
ID=15088365
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57132735A Pending JPS5922376A (ja) | 1982-07-28 | 1982-07-28 | 純緑色発光ダイオ−ドおよびその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4965644A (ja) |
| EP (1) | EP0102734B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5922376A (ja) |
| CA (1) | CA1237514A (ja) |
| DE (1) | DE3381338D1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06219279A (ja) * | 1993-01-27 | 1994-08-09 | Sankosha:Kk | 多灯形色灯式信号機 |
| US5886369A (en) * | 1996-12-16 | 1999-03-23 | Showa Denko K.K. | Epitaxial wafer for GaP pure green light-emitting diode and GaP pure green light-emitting diode |
| US8366073B2 (en) | 2003-10-10 | 2013-02-05 | Asahi Organic Chemicals Industry Co., Ltd. | Resin member for valve |
Families Citing this family (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0220077A (ja) * | 1988-07-08 | 1990-01-23 | Toshiba Corp | 緑色発光ダイオードの製造方法 |
| US5851850A (en) * | 1992-07-31 | 1998-12-22 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for fabricating a gap type semiconductor substrate of red light emitting devices |
| DE59308636D1 (de) * | 1992-08-28 | 1998-07-09 | Siemens Ag | Leuchtdiode |
| US6590502B1 (en) | 1992-10-12 | 2003-07-08 | 911Ep, Inc. | Led warning signal light and movable support |
| JP2817577B2 (ja) * | 1993-05-31 | 1998-10-30 | 信越半導体株式会社 | ＧａＰ純緑色発光素子基板 |
| JP3163217B2 (ja) * | 1994-05-31 | 2001-05-08 | シャープ株式会社 | 発光ダイオード及びその製造方法 |
| GB2330679B (en) | 1997-10-21 | 2002-04-24 | 911 Emergency Products Inc | Warning signal light |
| US6380865B1 (en) | 1999-04-06 | 2002-04-30 | 911 Emergency Products, Inc. | Replacement led lamp assembly and modulated power intensity for light source |
| US6614359B2 (en) | 1999-04-06 | 2003-09-02 | 911 Emergency Products, Inc. | Replacement led lamp assembly and modulated power intensity for light source |
| US6462669B1 (en) | 1999-04-06 | 2002-10-08 | E. P . Survivors Llc | Replaceable LED modules |
| US6705745B1 (en) | 1999-06-08 | 2004-03-16 | 911Ep, Inc. | Rotational led reflector |
| WO2000074975A1 (en) | 1999-06-08 | 2000-12-14 | 911 Emergency Products, Inc. | Strip led light assembly for motor vehicle |
| US6700502B1 (en) | 1999-06-08 | 2004-03-02 | 911Ep, Inc. | Strip LED light assembly for motor vehicle |
| US6367949B1 (en) | 1999-08-04 | 2002-04-09 | 911 Emergency Products, Inc. | Par 36 LED utility lamp |
| US6623151B2 (en) | 1999-08-04 | 2003-09-23 | 911Ep, Inc. | LED double light bar and warning light signal |
| US6547410B1 (en) | 2000-07-28 | 2003-04-15 | 911 Emergency Products, Inc. | LED alley/take-down light |
| US6590343B2 (en) | 2000-06-06 | 2003-07-08 | 911Ep, Inc. | LED compensation circuit |
| US8188878B2 (en) | 2000-11-15 | 2012-05-29 | Federal Law Enforcement Development Services, Inc. | LED light communication system |
| WO2002041276A2 (en) * | 2000-11-15 | 2002-05-23 | Snowy Village, Inc. | Led warning light and communication system |
| US7439847B2 (en) | 2002-08-23 | 2008-10-21 | John C. Pederson | Intelligent observation and identification database system |
| JP4080843B2 (ja) | 2002-10-30 | 2008-04-23 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
| US9414458B2 (en) | 2007-05-24 | 2016-08-09 | Federal Law Enforcement Development Services, Inc. | LED light control assembly and system |
| US8188879B2 (en) | 2007-05-24 | 2012-05-29 | Federal Law Enforcement Development Services, Inc. | LED light global positioning and routing communication system |
| US9455783B2 (en) | 2013-05-06 | 2016-09-27 | Federal Law Enforcement Development Services, Inc. | Network security and variable pulse wave form with continuous communication |
| US9294198B2 (en) | 2007-05-24 | 2016-03-22 | Federal Law Enforcement Development Services, Inc. | Pulsed light communication key |
| US11265082B2 (en) | 2007-05-24 | 2022-03-01 | Federal Law Enforcement Development Services, Inc. | LED light control assembly and system |
| US9100124B2 (en) | 2007-05-24 | 2015-08-04 | Federal Law Enforcement Development Services, Inc. | LED Light Fixture |
| US9258864B2 (en) | 2007-05-24 | 2016-02-09 | Federal Law Enforcement Development Services, Inc. | LED light control and management system |
| US8890773B1 (en) | 2009-04-01 | 2014-11-18 | Federal Law Enforcement Development Services, Inc. | Visible light transceiver glasses |
| CA2824756C (en) | 2011-01-14 | 2014-12-23 | Federal Law Enforcement Development Services, Inc. | Method of providing lumens and tracking of lumen consumption |
| US9265112B2 (en) | 2013-03-13 | 2016-02-16 | Federal Law Enforcement Development Services, Inc. | LED light control and management system |
| US20150198941A1 (en) | 2014-01-15 | 2015-07-16 | John C. Pederson | Cyber Life Electronic Networking and Commerce Operating Exchange |
| US20170048953A1 (en) | 2015-08-11 | 2017-02-16 | Federal Law Enforcement Development Services, Inc. | Programmable switch and system |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3870575A (en) * | 1972-03-21 | 1975-03-11 | Sony Corp | Fabricating a gallium phosphide device |
| NL7315451A (ja) * | 1972-11-16 | 1974-05-20 | ||
| US4001056A (en) * | 1972-12-08 | 1977-01-04 | Monsanto Company | Epitaxial deposition of iii-v compounds containing isoelectronic impurities |
| US3931631A (en) * | 1973-07-23 | 1976-01-06 | Monsanto Company | Gallium phosphide light-emitting diodes |
| US4101920A (en) * | 1975-01-29 | 1978-07-18 | Sony Corporation | Green light emitting diode |
| JPS5439573A (en) * | 1977-09-05 | 1979-03-27 | Toshiba Corp | Compound semiconductor device |
| DE2843983C2 (de) * | 1977-10-07 | 1983-09-15 | Tokyo Shibaura Denki K.K., Kawasaki, Kanagawa | Verfahren zum Herstellen einer Grünlicht emittierenden GaP-Lumineszenzdiode |
| JPS5596629A (en) * | 1979-01-17 | 1980-07-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of epitaxially growing in liquid phase |
-
1982
- 1982-07-28 JP JP57132735A patent/JPS5922376A/ja active Pending
-
1983
- 1983-07-26 EP EP83304315A patent/EP0102734B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-07-26 DE DE8383304315T patent/DE3381338D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1983-07-26 CA CA000433193A patent/CA1237514A/en not_active Expired
-
1985
- 1985-11-12 US US06/797,756 patent/US4965644A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06219279A (ja) * | 1993-01-27 | 1994-08-09 | Sankosha:Kk | 多灯形色灯式信号機 |
| US5886369A (en) * | 1996-12-16 | 1999-03-23 | Showa Denko K.K. | Epitaxial wafer for GaP pure green light-emitting diode and GaP pure green light-emitting diode |
| US8366073B2 (en) | 2003-10-10 | 2013-02-05 | Asahi Organic Chemicals Industry Co., Ltd. | Resin member for valve |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0102734A2 (en) | 1984-03-14 |
| EP0102734A3 (en) | 1985-06-12 |
| CA1237514A (en) | 1988-05-31 |
| EP0102734B1 (en) | 1990-03-14 |
| DE3381338D1 (de) | 1990-04-19 |
| US4965644A (en) | 1990-10-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4965644A (en) | Pure green light emitting diodes and method of manufacturing the same | |
| JP2010098336A (ja) | ＧａＮ半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JP3267983B2 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JPS6055678A (ja) | 発光ダイオ−ド | |
| US4671829A (en) | Manufacturing green light emitting diodes | |
| JP3620105B2 (ja) | 窒化ガリウム結晶の製造方法 | |
| JP3163217B2 (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 | |
| JP3324102B2 (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| US20130234185A1 (en) | Doped sapphire as substrate and light converter for light emitting diode | |
| JPH04167477A (ja) | 半導体素子 | |
| JPH0883926A (ja) | 発光ダイオード | |
| JPH04328878A (ja) | 発光ダイオ−ド用エピタキシャルウエハの製造方法 | |
| JP3624451B2 (ja) | 発光素子用ＧａＰエピタキシャル基板 | |
| JP3633806B2 (ja) | エピタキシャルウエハ及び、これを用いて製造される発光ダイオード | |
| JPH06342935A (ja) | ＧａＰ純緑色発光素子基板 | |
| JP3523412B2 (ja) | ＧａＰ：Ｎ発光ダイオードの製造方法 | |
| JP2000349334A (ja) | 発光ダイオードおよびその製造方法 | |
| JPH0220077A (ja) | 緑色発光ダイオードの製造方法 | |
| US6433365B1 (en) | Epitaxial wafer and light emitting diode | |
| JPS58218181A (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
| JPH0766450A (ja) | 発光ダイオード素子とその製造方法 | |
| JP3525704B2 (ja) | りん化ひ化ガリウムエピタキシャルウエハ及び発光ダイオード | |
| JPH10173218A (ja) | ＧａＰ純緑色発光ダイオード用エピタキシャルウェーハ | |
| JPH04168774A (ja) | 炭化珪素を用いたｐｎ接合型発光ダイオード | |
| JPS6286773A (ja) | 半導体発光素子 |