JPS5922420A - ダイオ−ド可変減衰器の駆動回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は１足インピーダンス形ＰＩＮダイオード町変減
衰器紮駆動する温度補償付駆動回路に関する。

従来よりよく用いられているＬ形、橋絡Ｔ形などの足イ
ンピーダンス形ＰＩＮダイオード町変減衰器は一足バイ
アス？加えることによシ、減衰量のいかんにかかわらず
定インピーダンス特性會有するが１周囲温度により定イ
ンピーダンス性がそこなわれるので、温度補償回路が必
要である。

第１図に従来の温度補償付駆動回路の一例葡示す。１は
定インピーダンス形町変減衰器の一列として橋絡Ｔ形Ｐ
ＩＮダイオード町変減衰器、１１は固定バイアス電圧入
力端子、１２は制御電圧入力端子、１３．１４は可変減
衰器１に用いられているＰＩＮダイオードと同種のＰＩ
Ｎダイオード−１５は電圧フォロワ回路、１６は電圧加
算回路。

１７は定電流源、１８は制御電圧入力端、１９は制御電
圧温度補償用入力端である。

ＰＩＮダイオード町変減衰器１は、一般に知られている
ように、コンデンサ３３．３４および３５．ＰＩＮダイ
オード３６および３７．抵抗３８および３９１およびイ
ンダクタ４０〜４２で構成されており、端子１１および
１２にそれぞれ供給される固定バイアス電圧および制御
電圧により端子３１に供給された入力信号？減衰させて
、端子３２に出力するものである。このＰＩＮダイオー
ド町変減衰器のインピーダンスの温度特性の一列？第４
図に示す。これによると２５℃にてインピーダンス最良
となるバイアス電圧は−１，３５Ｖ、温度特性は−３，
８ｍＶ／℃　である。

第１図の回路は、バイアス端子１１の電圧が２５℃で−
１，３５Ｖになるように１−’ＩＮダイオード１３゜１
４に第５図のＡ点で動作させている。このときＰＩＮダ
イオード１３．１４は定電流源１７で駆動しているので
、各々の電圧は−１，９ｍＶ／℃の温度係数で変化し、
端子１１の電圧もこれに伴い−３，８ｍＶ／’Ｃの温度
係数で変化する。すなわちＰＩＮダイオード可変減衰器
の温度によるインピーダンス変化が補償されていること
になる。

又、入力端子１９は−１：　９　ｍ　Ｖ　／’ｃで変化
し、これに伴い１２０点も−１，９ｍ■／℃で変化する
ので定インピーダンスに対する温度補償ｒ行ったときに
も、端子１８に加える制御電圧に対する温度補償がなさ
れている。

以上のように従来は温度補償回路にも減衰器と同種のＰ
ＩＮダイオードｒ使用していたが、マイクロ波帯等の減
衰器ではＰＩＮダイオードが高価であるために、温度補
償回路も高価となり、コスト的に最大の欠点であった。

本発明の目的は前述の欠点？除去した。安価な素子？用
いて従来と同等の温度補償特性ｒ持つ。

定インピーダンス形町変減衰器のバイアス駆動回路？提
供することにある。

本発明は従来使用していた温度補償付駆動回路において
、基−準電圧７殆生するＰＩＮダイオード？抵抗とダイ
オードの直列接続又は、ツェナーダイオードに置き換え
て回路を構成することケ特徴とする。

以下１本発明？その良好な一実施例について図面？参照
しながら詳細に説明する。

第２図は本発明の一実施例會示す構成図である。

図において、２０〜２２は抵抗、２３．２４はシリコン
ダイオード、２５は電源供給端子である。

第１図と同じ番号は同一機能？もつ、抵抗２０は節点２
６の電圧及びシリコンダイオード２３および２４に流れ
る電流？決定する。いま抵抗２０は。

節点２６の電圧が−１，３５Ｖ、抵抗２１．２２および
シリコンダイオード２３．２４に流れる電流が２ｍＡと
なるように、抵抗値ケ決定している。シリコンダイオー
ド２３ｔ７ｔは２４の立ち上がりの温度特性は、第６図
のＢに如くであるのでダイオード２３と抵抗２２あるい
はダイオード２４と抵抗２１（抵抗値２２．５Ω）會直
列接続した単位回路の電圧電流特性は第６図Ｃの破線の
如くになり、し友がって節点１９の電圧電流は第６図り
の部分。

すなわち２５℃で一〇、６７５Ｖ　、　２ｍＡ、また、
シリコンダイオードの立ち上が９特性の温度特性の電流
依存性は第７図から−１，９ｍＶ／’Ｃとなる。又端子
１１では１回路１５が電圧７才ロワ回路なので−１，３
５Ｖ　−３，８ｍＶ／℃となる。

一方１節点１９に生じた−１．９　ｍ　Ｖ／℃の温度特
性？持つ電圧は、加算回路２２によって端子１８からの
制御電圧に加えられ、端子１２に出力される。すなわち
１．　ｔａ　ｍ　Ｖ　／’ｃの温度特性？持つ制御電圧
が得られたことになる。本発明によるシリコンダイオー
ドケ用いた温度補償付駆動回路の制御電圧−減衰量の温
度特性の同全第８図に示す。

以上の説明から安価なシリコンダイオードと抵抗１組み
合わせて、従来と同じ温度補償特性ケもつ定インピーダ
ンス形ｃｉＴ変減衰器駆動回路が実現出来る。

そして、さらにシリコンダイオードと抵抗ｒ直列に接続
した単位回路を第３図のように、ツェナダイオードに置
き換えることによってこの回路は簡略化することが出来
る。

第３図において、４０および４１はツェナーダイオード
で１．第２図のシリコンダイオード２３と抵抗２２．お
よびシリコンダイオード２４と抵抗２１にそれぞれ置き
換えたものである。他の回路は第２図と同じである。ツ
ェナダイオード４０゜４１の順方向立ち上がり電圧は、
一般のシリコンダイオードより高く、はぼＰＩＮダイオ
ードと同様の特性ｒもつ。第９図にツェナダイオードの
立ち上が９特性及びその温度特性？示す。これによれば
、０．１２ｍＡの順方向電流？ツェナーイオードに流せ
ば順方向電圧０．６７５Ｖが得られ、このときの温度特
性は、約−１，９ｍ　Ｖ　／’ｃとなる。

すなわち、ツェナーダイオード４０．４１に流れる電流
が０．１２ｍＡとなるように、抵抗２（ｌ決定すれば動
作点は第９図のＥ点となシ１１の点の電圧は−１，３５
Ｖ！度特性−３，８ｍＶ／’Ｃ１１２の点は−１，９ｍ
Ｖ／’Ｑの温度特性？もつ制御電圧となる。

以上述べたように本発明によれば、従来回路と同じ温度
補償特性ｔもつ駆動回路が安価に実現出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の可変減衰器駆動回路の回路列。 第２図は本発明の駆動回路の例、第３図は本発明の曲の
駆動回路の例、第４図は橋絡Ｔ形定インピーダンス司変
減衰器のインビータンス最良となるバイアス電圧め温度
特性、第５図ｉ、）’ＩＮダイオードの立ち上がシ特性
の温度特性の一例、第６図はシリコンダイオードの立ち
上がシ特性の温度の特性の一例、第７図はシリコンダイ
オードの立ち上がり特性の温度係数の電流依存性の一例
、第８図は本発明による回路を使用したときの橋絡Ｔ形
可変減衰器の温度特性の一例、第９図はツェナーダイオ
ードの順方向立ち上がシ温度特性の一例である。 図において、１・・・・・・橋絡Ｔ形ＰＩＮダイオード
可変減衰器、１５・・・・・・電圧フォロワ回路、１６
・・・・・・電圧加算回路、２０〜２２・・・・・・抵
抗、２３．２４・・・・・・シリコンダイオード、４１
．４０・・団・ツェナーダイオードである。 第１図 茅２図 茅　！５　回 電圧　（Ｖ） 売６　口 電／Ｅ（ＶＪ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 定インピーダンス型町変減衰器の可変抵抗素子として使
   用され、かつ直流的に直列接続され７ｊ２つのＰＩＮダ
   イオードを、固定バイアス電圧と制御電圧にて駆動する
   ため、固定バイアス電圧源として電圧フォロア回路１＋
   、制御電圧源として制御電圧入力端子および制御電圧温
   度補償用入力端子？有する加算回路？用いたダイオード
   可変減衰器の駆動回路において、抵抗とダイオードの直
   列回路會２つ直列接続し友回路？前記電圧フォロア回路
   の入力端子に接続し、かつ前記２つの直列回路の接続点
   ？前記制御電圧温度補償用入力端子に接続したこと？特
   徴とするダイオード可変減衰器の駆動回路。