JPS59228690A - 表示パネル - Google Patents

表示パネル

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JPS59228690A
JPS59228690A JP59108699A JP10869984A JPS59228690A JP S59228690 A JPS59228690 A JP S59228690A JP 59108699 A JP59108699 A JP 59108699A JP 10869984 A JP10869984 A JP 10869984A JP S59228690 A JPS59228690 A JP S59228690A
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JP
Japan
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display panel
shells
shell
semiconductor crystal
cavity
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Application number
JP59108699A
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English (en)
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ジヤツク・クロ−ド・チレイ
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Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、複数個の半導体結晶を具える表示パネルであ
って、これら半導体結晶の各々には互いに反対の導電型
でエレクトロルミネッセンス接合を形成する少くとも２
つの領域が形成されており、これら半導体結晶の各々は
これから放出される光を反射する空所室の底部に位置し
ており、これらの空所室は所定の長さの細条内に形成さ
れており且つ予め選択した形状に応じて行或いは列に或
いは行および列の組合せに配置されており、各空所室は
底部に位置する半導体結晶の２つの領域にそれぞれ接触
させる少くとも２つの金属接続ノぜラドを有している表
示パネルに関するものである。
エレクトロルミネッセンス素子はしばしばＸ−Ｙ座標で
群に配置されて用いられている。
これまで知られている分野の大部分では・マトリックス
を構成するエレクトロルミネッセンス素子、一般に半導
体ダイオードは小さな表面上に多量に配置する必要があ
り、これらの各々の放射放出領域はほぼ点状とする必要
があり１従ってそれらの光度を適当な光学系により集中
させる必要がある０ このようなアセンブリの可能な適用分野の一例は、交通
信号灯や自動車の照明灯、特に交差点の交通信号灯や自
動車の尾灯或いはウィンカ−による交通整理関係である
。しかしこの場合、これらの光に課せられる寸法を考慮
すると、比に関してアセンブリの価格を低減させるよう
に努力する必要がある。
フランス国特許出願第８２０５１８９号明細書には、適
当な支持体上に当接する複数個のエレクトロルミネッセ
ンスダイオードと、同じ光軸の光学素子および反射器よ
り成る集中反射装置の光伝導体とのアセンブリが記載さ
れている。
上記の光伝導体中の光学系は平行面の中央部分内に球面
デイオブトリーを有する薄肉の収束素子が入れられ、て
いるプレートを有しており、反射器は二重の二次曲面を
有する凹面鏡と、光軸に垂直でダイオードの支持体より
成る平面鏡とを組合わせて構成している。
しかし、このフランス国特許出願明細書に記載されてい
るアセンブリは効率の点から予期した結果が得られない
。
光学的観点からすれば、平行面を有するプレートおよび
収束素子は光ビームの指向性の極めて正確な条件を満足
するも、わずかに相違するいかなる指向性をも選択する
には新たな光学系が必要となり、従って光導電体を複雑
にする。
一方、エレクトロルミネッセンス素子の電流消費量は低
いにもかかわらず、これらの素子を支持する絶縁支持体
上にこれらの素子を沢山設けることにより発光効率に悪
影響を及ぼす熱の問題を生ゼしぬる。５０個のダイオー
ドにより消費される冨力は例えばほぼ４Ｗとすることが
でき、これはわずかに支持体を流れる熱エネルギーに変
換され、この熱エネルギーによりアセンブリの温度を上
昇させ、これにより０．７％／’Ｃにも達しうる割合で
発光効率を減少せしめる。
この温度の上昇は一般に反射器を構成する材料の大部分
を劣下させるおそれもある。
実際に、塗料で被覆され、次に真空中での金属化法によ
り堆積された金属薄膜で被覆され、且つ他の保獲用塗料
で被覆されたプラスチックを以って上記の反射器を構成
する場合には、上記の金属薄膜に接着欠陥が生じ、塗料
自体がふくれ上るか或いはひび割れするおそれがある。
光伝導体を有する絶縁支持体はいわゆる°′プリント回
路″を以って構成されている。その理由は、この絶縁支
持体はエレクトロルミネッセンス素子を互いに且つ外部
に電気接続するのに必要な接続回路網を支持する為であ
る。
本発明の目的は前述した欠点を除去することにある。
本発明は、複数個の半導体結晶を具える表示パネルであ
って、これら半導体結晶の各々には互いに反対の導電型
でエレクトロルミネッセンス接合を形成する少くとも２
つの領域が形成されており、これら半導体結晶の各々は
これから放出される光を反射する空所室の底部に位置し
ており、これらの空所室は所定の長さの細条内に形成さ
れており且つ予め選択した形状に応じて行或いは列に或
いは行および列の組合せに配置されており、各空所室は
底部に位置する半導体結晶の２つの領域にそれぞれ接触
させる少くとも２つの金属接続パッドを有している表示
パネルにおいて、前記の細条の各々は、背部と背部をく
っつけて配置され相補型の空所室部分を形成する第１お
よび第２ラインの半外殻を以って構成され、第１ライン
の半外殻はそれらの底部に半導体結晶の支持部および第
１接続パツドを有しており、第２ラインの半外殻はそれ
らの底部に前記の半導体結晶の第２接続部を構成する金
属接点パッドを有しており、互いに絶縁された少くとも
２つの同一の細条が一連の空所室を形成する配置で関連
していることを特徴とする。
上述した本発明による表示パネルは特にその形状、使用
材料の選択および製造の簡単性による種々の利点を有す
る。
実際に・複数個の半外殻を有する細条を用いて一連の空
所室を形成するという考えによれば、空所室の配置を容
易にするとともに種々の新たな形態の空所室を形成しう
る可能性を増大せしめる。
一方、表示パネルの製造速度が高まり、その製造を自動
化することができる。
フランス国特許第２８７８８２５号明細書にも２つの半
外殻を有する表示素子が記載されているも、その適用分
野および製造方法は異なるものでアル。すなわち、この
フランス国特許の場合には実際に、アルファニューメリ
ック（文字・数字・記号）表示装置の製造に使用する棒
状の発光素子を製造するものである。更にこの表示素子
はディスクを経て光を放出するエレクトロルミネッセン
ス半導体結晶を用いており、２つの半外殻はこれらの間
で前記の半導体結晶を囲んでおり、従って半導体結晶は
半外殻の一方の底部に当接していない。
本発明の第１の変形例では、１つの同じ細条の２つのラ
インの半外殻が等しい容積の空所室部分を形成し、前記
の細条に垂直な平面であってこの細条を半外殻のライン
に相当する２つの等しい部分に分離する平面に対して前
記の２つのラインの半外殻が対称的となっているように
する。
本例は特に、空所室の光軸に対して半導体結晶の光軸が
わずかに偏心していることが表示パネルを見る目的に対
し矛盾しない場合に適している。
本発明の第２の変形例では、１つの同じ細条の２つのラ
インの半外殻が異なる容積の２つの相補型空所掌部分を
形成し、半導体結晶を支持する作用をする半外殻が前記
の第２接続部を支持する作□・用をする半外殻の容積部
よりも大きな容積部を有し、前記の半導体結晶が相補型
半外殻により形成された空所室の光軸上に心合わせされ
ているようにする。
本例の目的は、半導体結晶内に形成されている発光源が
良好に心合わせされる一連の同−空所室を簡単、迅速且
つ再現的に得ることにある。
これらの変形例では、各半導体結晶を、これを支持する
作用をする半外殻の底部上に設けたボス上に固着するよ
うに構成するのが有利である。この場合、半導体結晶の
配置を極めて簡単に行なえる０ 同様に、半導体結晶の第２接続部として作用する半外殻
と、半導体結晶の対応する領域への接続線との間の接点
もこの半外殻の底部に形成したボス上に設けることがで
きる。
保護部材として作用し、同時に屈折率を適当に調整する
光学系としても作用する透明樹脂の小滴で半導体結晶を
被覆する場合には、この透明樹脂の小滴の形成は２つの
対向する半外殻が存在することにより容易となる。例え
ば、対向する半外殻の２つのボスのアセンブリがほぼ円
形の幾何学的形状を有する場合には、これらの表面上に
堆積される透明樹脂の小滴は半球状、となる。
半外殻の形状は表示パネルを見る目的に応じて異ならせ
ることができる。実際に前記の半外殻は放物内面を有す
る空所室或いは平坦内面を有する空所室を形成するもの
とみなすことができる。
半外殻は比較的軟質で導電性の金属細条から造り、これ
をプラスチック絶縁材料めプレートによって支持するこ
とができ、この場合上記の金属細条はモールド或いはス
タンプ加工により形成する。
この金属細条の場合には、反射率が高く、熱伝導度が良
い金属を選択するのが好ましい。
この半外殻を用い不ことにより半導体結晶の接点と反射
性の空所室とを同時に得ることができる。
細条を相互に組合せるのは、例えば絶縁材料により高温
度で接着するか或いはエポキシ便脂の重合により行なう
こともできる。更に半導体材料を直接接着することによ
り製造費を廉価にしうる。
前記の半外殻は、反射率が高く、導電性で、半導体結晶
に対する必要な接続部を構成する金属層で少くとも部分
的に被覆した透明としうる絶縁性の硬質合成材料から造
ることもできる。
絶縁性の硬質合成材料より成る半外殻は特に・空所室間
の間隔をほんのわずかにする必要のある分野に用いられ
る。
実際には、合成材料の半外殻はしばしばモールド加工に
より得る為、空所室の周辺を決定する最上端の壁部の厚
さを薄くするのが容易である。
また、半外殻を合成材料とする場合、空所室の内壁を構
成する面を反射性の金属層で完全に被覆し、これにより
半導体結晶との接点の形成および半導体結晶から放出さ
れる光の良好な伝達との双方を達成せしめることができ
る。
半導体結晶およびこれらの接点を空所室の底部に設けた
ボス上に設ける必要がある場合には、合成材料の半外殻
の底部内にモールド形成され予め切断されている金属格
子からこれらのボスを得ることができる。
以下図面につき説明する０ 図面では明瞭とする為に寸法は可成り誇張してあり、し
かも実際のものに正比例するものでもない。
第１および２図に示すように第１例によれば、本発明に
よる表示パネル素子を製造する細条は金属シートから得
るものであり、これには半外殻（ハーフシェル）１ａの
第１ラインと、半外殻２ａの第２ラインとが同時に形成
されている。
本例では半外殻１ａおよび２ｂは相補型となっている。
すなわち、例えば第１図に部分的に示すように第１細条
の半外殻１ａと、これと同型の他の細条の半外、殻２ｂ
とを以って空所室８を構成する。
半外殻１ａおよび２ｂは幅の狭い細長部４により互いに
分離されており、その長さ方向に且つ不連続的に設けた
孔５により任意に分断しうるようになっている。
半導体結晶６の配置および固着を容易とする為に、半外
殻１の底部に隆起部すなわちボス７を設・けるのが有利
である。この場合、半外殻２にもボス８を設け、このボ
ス８に、半導体結晶６内に設ケタエレクトロルミネッセ
ンス＜発光＞ダイオードの２つの領域の一方に接続され
ている接続線９の一端を接続しうるようにするのが好ま
しい。
半導体結晶６は一般に樹脂の小滴により被覆される為、
半外殻１のボス７と半外殻２のボス８とを結合すること
によりほぼ円形の平坦なアセンブリを構成し、毛管作用
により樹脂の小滴の整形を容易とし、その形がほぼ半球
となり、光束の取出しにとって最も好ましい形状を呈す
るようにするのが望ましい。従って前記のボス７および
・８も相補となる形状および寸法に選択する。
第２図によれば半円形のボス７の寸法りを、このボスが
支持する半導体結晶の幅或いは長さの少くとも半分だけ
このボスの半径Ｒに加えた値に等しくする。このように
するのは半導体結晶を空所室の底部の中心に配置する為
である。半円形のボス８の主寸法ｄは、前記の幅或いは
長さの半分と、半外殻１および２の絶縁界面の厚さに等
しい追加の値とを前記の半径Ｒから減じた値に等しくす
る６上述した金属細条は一般に、反射率の高い或いは銀
の薄膜を被覆した鉄或いはニッケルの基部上に例えばア
ルミニウム或いは銅或いは黄銅或いはこれらの合金の反
射性被膜を設けることにより反射率を高くした良導電体
の軟質材料の薄板をモールドまたはスタンプ加工するこ
とにより得る。
第８図は上述した型の金属細条を有する表示パネル素子
の一例を示す。
こ・の第８図によれば１、同じ形状の金属細条１２ａ、
１２ｂをプラスチック材料の絶縁支持体１１行に延在し
て空所室１５を構成している。
相補型の半外殻は絶縁性の樹脂の薄膜１１ｂにより互い
に固着されており、導電性の膚脂の接点スタッド１６お
よび１７によりプラスチック絶縁支持体１１ａにそれぞ
れ固着されている。
半外殻Ｉｇ　（１８ａ、１８ｂ）の下方に位置場る支持
体１１ａの部分には孔１８をあけ、この孔内に導電性樹
脂１７の小滴を入れ、前記の半外殻１８（従って半導体
ｕ晶１９　ａ　、　ｉ　９　ｂ　、　−−−−−の領域
の一方）と、前記の支持体１１ａの下に存在する接点バ
ッド２ｏとを接触させるようにするのが好ましい。半導
体結晶１９　ａ　、　１９　ｂ　、　−−−の他方の領
域は接続線２１を介して半外殻１４に接続する。
空所室１５はしばしばエレクトロルミネッセンスダイオ
ードの各々から放出される光ビームを集中させる目的で
透明な（場合に応じ有色とした）樹脂で充填することが
できるも、一般にはこれら空所室１５は空のままにして
おく。この状態で各半導体結晶１９　ａ　、　１９　ｂ
　、　−−−−一を透明樹脂２２の小滴によって被覆す
る。この透明樹脂２２は屈折率を適切なものにする作用
をするとともに大気汚染や外部の化学的な作用剤から半
導体結晶を保護する作用をする。
電気的な点から見れば、前記の金属細条を用いることに
より半導体結晶１９　ａ　、　１９　ｂ　、　−一−−
−の直−並列の組合せ体を自動的に製造しうるようにな
る。
実際には第８図に部分的に示すように、半導体結晶１９
ａの所定の導電型の下側半導体領域（例えば第１領域と
称する）を半外殻１８ａおよび１４ａ等を介して次の半
導体結晶ｉｏｂの反対導電型の第２領域と接触させる。
また半導体結晶第１領域に対し並列に設ける。
第４図は本発明による表示パネル素子の他の例を示す。
この第４図９例によればプラスチック材料の絶縁細条８
１ａの長手方向に多数回再生させたパターンの素子３２
ａおよび８８ａをこの絶縁細条８１ａ内に包み込む。
この絶縁細条８１ａは相補型の半外殻８４ａおよび８５
ａの２つのラインを以って構成し、これらの半外殻は反
射材料層８６ａで被覆する。
同じ型の複数個の絶縁細条８１ａ、８１ｂ、−・−ｍ−
を絶縁樹脂薄膜３７によって互いに固着するｂ第１絶縁
細条８１ａのラインの半外殻と第２絶縁細条８１ｂのラ
インの相補の半外殻とを結合することにより空所室８８
等を形成する。
従って、絶縁樹脂薄膜３７は隣接パターンの素子８２ａ
、８２ｂおよびａａａ、ｓａｂ間を電気的に分離させ、
パターン８２ａ、８２ｂは半導体結晶３９を支持すると
ともにこれら半導体結晶の第１領域に対する第１接続部
を構成し、パターン８８ａ、８８ｂは半導体結晶８９の
第２領域の外部に対する接続線４０の支持部として用い
られる。
パターン８ｇａＩ３２ｔ）、８８ａ、８８０−−−−上
の接点の形成はこれらパターンに直角にプラスチック絶
縁細条８１　ａ　、　８　ｌ　ｂ　、−−−−−にあけ
た孔４１が存在する為に可能となる。
半導体結晶８９から生じる放射の透過を完全なものとし
、半導体結晶３９を雰囲気中の汚染や化学的な作用剤か
ら保護する為に、これらの半導体結晶を透明樹脂４２の
小滴によって被覆する。
・４、図面の簡単な説明 第１図は、相補型の半外殻を有する金属細条の一部を部
分的に断面として示す斜視図、第２図は、第１図の金属
細条の同一部分を下側から見た底面図、 第８図は、第１および２図に示す金属細条を用いた表示
パネル素子の一部の好適例を示す断面図、第４図は、表
示パネル素子の一部の他の例を示す断面図である。
ｌａ　ｌ　ｌｂ　ｌ　２ｂ　ｌ　１８ａ　、　１８ｂ　
、　１４ａ　ｌ　８４ａ　、　８５ａ・・・半外殻 ８　、１５　、８８・・・空所室　　４・・・細長部５
・・・孔 ６　、１９ａ　、　１９ｂ　、　８９　・・・半導体結
晶７．８・・・ボス ９　、２１　、４０・・・接続線　　１１ａ・・・絶縁
支持体：ｕａ　、　ｚ２ｂ・・・金属細条 １６　、１７・・・接点スタッド １８・・・孔　　　　　　　　２２　、４２・・・透明
樹脂８６ａ・・・反射材料層 ・８１ａ　、　８１ｂ　、　８１０　・・・絶縁細条８
７・・・絶縁樹脂薄膜。
特許出願人　　エヌ・ベー・フィリップス・フルーイラ
ンベンファブリケン Ｎ Ｃリ ーク しし ｌコ ぐ Ｃフ し。
Ｌ」 手続補正書 昭和５９年　７月１６日 １、事件の表示 昭和５９年　特　許願第１０８６９９号２・発明の名称 表示パネル ３、補正をする者 事件との関係　　特許出願人 名称　　エヌ・ベー・フィリップス・ フルーイランベンファブリケン ・（１）明細書第１頁第８行〜第４頁第９行の特許請求
の範囲を下記のとおりに訂正する。
［２、特許請求の範囲 Ｌ　複数個の半導体結晶を具える表示パネルであって、
これら半導体結晶の各々には互いに反対の導電型でエレ
クトロルミネッセンス接合を形成する少くとも２つの領
域が形成されており、これら半導体結晶の各々はこれか
ら放出される光を反射する空所室の底部に位置しており
、これらの空所室は所定の長さの細条内に形成されてお
り且つ予め選択した形状に応じて行或いは列に或いは行
および列の組合せに配置されており、各空所室は底部に
位置する半導体結晶の２つの領域にそれぞれ接触させる
少くとも２つの金属接続パッドを有している表示パネル
において、前記の細条の各々は、背部をくっつけて配置
され相補型の空所室部分を形成する第１および第２ライ
ンの半外殻を以って構成され、第１ラインの半外殻はそ
れらの底部に半導体結晶の支持部および第１接続パツド
を有しており、第２ラインの半外殻はそれらの底部に前
記の半導体結晶の第２接続部を構成する金属接点パッド
を有しており、互いに絶縁された少くとも２つの同一の
細条が一連の空所室を形成する配置で関連していること
を特徴とする表示パネル。
２、特許請求の範囲ｌ記載の表示パネルにおいて、１つ
の同じ細条の２つのラインの半外殻が等しい容積の空所
室部分を形成し、前記の細条に垂直な平面であってこの
細条を半外殻のラインに相当する２つの等しい部分に分
離する平面に対して前記２つのラインの半外殻が対称的
となっていることを特徴とする表示パネル。
＆　特許請求の範囲１記載の表示パネルにおいて、１つ
の同じ細条の２つのラインの半外殻が異なる容積の２つ
の相補型空所室部分を形成し、半導体結晶を支持する作
用をする半外殻が前記の第２接続部を支持する作用をす
る半外殻の容積部よりも大きな容積部を有し、前記の半
導体結晶が相補型半外殻により形成された空所室の光軸
上に心合わせされていることを特徴とする表示パネル。
本　特許請求の範囲１〜Ｂのいずれか１つに記載の表示
パネルにおいて、各半導体結晶７１１ｑこれを支持する
作用をする半外殻の底部に形成されたボス上に固着され
ていることを特徴とする表示パネル。
＆　特許請求の範囲４記載の表示パネルにおいて、半導
体結晶の第２接続部として作用部に形成したボス上に設
けられていることを特徴とする表示パネル。
＆　特許請求の範囲１〜５のいずれか１つに記載の表示
パネルにおいて、前記の半外殻はプラスチック絶縁材料
板によって支持された金属細条で形成されていることを
特徴とする表示パネル。
フ、　特許請求の範囲１〜５のいずれか１つに記載の表
示パネルにおいて、前記の半外殻は反射率の高い金属層
で少くとも部分的に被覆された絶縁性の硬質合成材料か
ら成っていることを特徴とする表示パネル。
＆　特許請求の範囲１記載の表示パネルにおいて、半導
体結晶およびそれらの接点は合成材料の半外殻の底部内
にモールドした金属格子から得たボス上に配置されてい
ることを特徴とする表示パネル。Ｊ ５９１−

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 Ｌ　複数個の半導体結晶を具える表示パネルであって、
    これら半導体結晶の各々には互いに反対の導電型でエレ
    クトロルミネッセンス接合を形成する少くと−も２つの
    領域が形成されており、これら半導体結晶の各々はこれ
    から放出される光を反射する空所室の底部に位置してお
    り、これらの空所室はある材料の細条内に形成されてお
    り且つ予め選択した形状に応じて行或いは列に或いは行
    および列の組合せに配置されており、各空所室は底部に
    位置する半導体結晶の２つの領域にそれぞれ接触させる
    少くとも２つの金属接続パッドを有している表示パネル
    において、前記の細条の各々は、背部と背部をくっつけ
    て配置され相補型の空所室部分を形成する第１および第
    ２ラインの半外殻を以って構成され、第１ラインの半外
    殻はそれらの底部に半導体結晶の支持部および第１接続
    パツドを有しており、第２ラインの半外殻はそれらの底
    部に前記の半導体結晶の第２接続部を構成する金属接点
    パッドを有しており、互いに絶縁された少くとも２つの
    同一の細条が一連の空所室を形成する配置で関連してい
    ることを特徴とする表示パネル。 ２、特許請求の範囲１記載の表示パネルにおいて、１つ
    の同じ細条の２つのラインの半外殻が等しい容積の空所
    室部分を形成し、前記の細条に垂直な平面であってこの
    細条を半外殻のラインに相当する２つの等しい部分に分
    離する平面に対して前記の２つのラインの半外殻が対称
    的となっていることを特徴とする表示パネル。 ＆　特許請求の範囲１記載の表示パネルにおいて、１つ
    の同じ細条の２つのラインの半外殻が異なる容積の２つ
    の相補型空所掌部分を形成し、半導体結晶を支持する作
    用をする半外殻が前記の第２接続部を支持する作用をす
    る半外殻の容積部よりも大きな容積部を有し、前記の半
    導体結晶が相補型半外殻により形成された空所室の光軸
    上に心合わせされていることを特徴とする表示パネル。 表　特許請求の範囲１〜８のいずれか１つに記載の表示
    パネルにおいて、各半導体結晶がこれを支持する作用を
    する半外殻の底部に形成されたボス上に固着されている
    ことを特徴とする表示パネル。 五　特許請求の範囲４記載の表示パネルにおいて、半導
    体結晶の第２接続部を支持する作用をする半外殻間の接
    点がこの半外殻の底部に形成したボス上に形成されてい
    ることを特徴とする表示パネル。 ａ　特許請求の範囲１〜５のいずれか１つに記載の表示
    ツマネルにおいて、前記の半外殻はプラスチック絶縁材
    料板によって支持された金属細条で形成されていること
    を特徴とする表ボハ不ル。 〃　特許請求の範囲１〜５のいずれか１つに記載の表示
    パネルにおいて、前記の半外殻は反射率の高い金属層で
    少くとも部分的に被覆された絶縁性の硬質合成材料から
    成っていることを特徴とする表示パネル。 ＆　特許請求の範囲ｌ記載の表示パネルにおいて、半導
    体結晶およびそれらの接点は合成材料の半外殻の底部内
    にモールドした金属格子から得たボス上に配置されてい
    ることを特徴とする表示パネル。
JP59108699A 1983-05-30 1984-05-30 表示パネル Pending JPS59228690A (ja)

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FR8308921A FR2547087B1 (fr) 1983-05-30 1983-05-30 Element de panneau d'affichage a cristaux semi-conducteurs et panneau comportant ledit element
FR8308921 1983-05-30

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6279291U (ja) * 1985-11-07 1987-05-21
JP2009009956A (ja) * 2007-06-26 2009-01-15 Panasonic Corp 半導体発光装置用パッケージおよび半導体発光装置
JP2013533595A (ja) * 2010-07-08 2013-08-22 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ リードフレームｌｅｄ照明アセンブリ
JP2013544434A (ja) * 2010-11-05 2013-12-12 ヘレーウス マテリアルズ テクノロジー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフト 多層基板のチップ組み込み式貫通コンタクト

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2574616B1 (fr) * 1984-12-07 1987-01-23 Radiotechnique Compelec Matrice d'element electro-luminescents et son procede de fabrication
FR2589629B1 (fr) * 1985-11-05 1987-12-18 Radiotechnique Compelec Composant opto-electronique pour montage en surface et son procede de fabrication
US4914731A (en) * 1987-08-12 1990-04-03 Chen Shen Yuan Quickly formed light emitting diode display and a method for forming the same
DE3827083A1 (de) * 1988-08-10 1990-02-15 Telefunken Electronic Gmbh Flaechenhafter strahler
DE3835942A1 (de) * 1988-10-21 1990-04-26 Telefunken Electronic Gmbh Flaechenhafter strahler
KR910003735B1 (ko) * 1988-12-17 1991-06-10 삼성전자 주식회사 발광장치
DE3929477A1 (de) * 1989-09-05 1991-03-07 Siemens Ag Led-anordnung
DE4242842C2 (de) * 1992-02-14 1999-11-04 Sharp Kk Lichtemittierendes Bauelement zur Oberflächenmontage und Verfahren zu dessen Herstellung
WO2000049332A1 (en) * 1999-02-16 2000-08-24 Tokheim Corporation Led backlighting apparatus for use in fuel dispensers
JP4125848B2 (ja) * 1999-12-17 2008-07-30 ローム株式会社 ケース付チップ型発光装置
AU2002218796A1 (en) * 2000-07-12 2002-01-21 Tridonic Optoelectronics Gmbh Led light source
TW591990B (en) * 2001-07-25 2004-06-11 Sanyo Electric Co Method for making an illumination device
JP4603368B2 (ja) * 2003-02-28 2010-12-22 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 構造化された金属被覆を施されたパッケージボディを有するオプトエレクトロニクス素子、この種の素子を製作する方法、およびプラスチックを含むボディに、構造化された金属被覆を施す方法
US7718451B2 (en) * 2003-02-28 2010-05-18 Osram Opto Semiconductor Gmbh Method for producing an optoelectronic device with patterned-metallized package body and method for the patterned metalization of a plastic-containing body
US7128438B2 (en) * 2004-02-05 2006-10-31 Agilight, Inc. Light display structures
EP1756876B1 (en) * 2004-04-12 2011-03-30 Phoseon Technology, Inc. High density led array
US9135837B2 (en) * 2007-11-16 2015-09-15 Intellectual Discovery Co., Ltd. Illumination assembly having multiple reflective cavities each with a single emitter
US20100039814A1 (en) * 2008-08-13 2010-02-18 Steve Germain Led reflector and a lamp including the same
US8101962B2 (en) * 2009-10-06 2012-01-24 Kuang Hong Precision Co., Ltd. Carrying structure of semiconductor
CN103062709B (zh) * 2011-10-19 2016-08-24 通用电气照明解决方案有限责任公司 反射器、照明设备及其用途
US20140208689A1 (en) 2013-01-25 2014-07-31 Renee Joyal Hypodermic syringe assist apparatus and method
KR102099814B1 (ko) 2013-01-25 2020-04-13 루미리즈 홀딩 비.브이. 조명 조립체 및 조명 조립체를 제조하기 위한 방법
JP6470030B2 (ja) * 2014-12-16 2019-02-13 株式会社エンプラス 反射部材、照明装置、面光源装置、表示装置及び電子機器

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3782016A (en) * 1972-06-29 1974-01-01 Wagner Electric Corp Annunciator display
JPS50121756U (ja) * 1974-03-18 1975-10-04
US3938270A (en) * 1974-04-15 1976-02-17 Santini Danilo J Visual display device
US3914786A (en) * 1974-04-19 1975-10-21 Hewlett Packard Co In-line reflective lead-pair for light-emitting diodes
US4013915A (en) * 1975-10-23 1977-03-22 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Light emitting device mounting arrangement
US4058919A (en) * 1976-10-29 1977-11-22 Yasuo Wakabayashi Segment type, electric light alpha-numeric figure indicator
CH626774B (fr) * 1977-02-18 Ebauches Sa Dispositif d'affichage.
US4255688A (en) * 1977-12-15 1981-03-10 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Light emitter mounted on reflector formed on end of lead
US4152624A (en) * 1978-03-16 1979-05-01 Monsanto Company Molded LED indicator
GB2111281B (en) * 1981-11-26 1985-08-21 English Electric Valve Co Ltd Display arrangements

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6279291U (ja) * 1985-11-07 1987-05-21
JP2009009956A (ja) * 2007-06-26 2009-01-15 Panasonic Corp 半導体発光装置用パッケージおよび半導体発光装置
JP2013533595A (ja) * 2010-07-08 2013-08-22 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ リードフレームｌｅｄ照明アセンブリ
US9318672B2 (en) 2010-07-08 2016-04-19 Koninklijke Philips N.V. Leadframe LED lighting assembly
JP2013544434A (ja) * 2010-11-05 2013-12-12 ヘレーウス マテリアルズ テクノロジー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフト 多層基板のチップ組み込み式貫通コンタクト

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DE3465667D1 (en) 1987-10-01
EP0127239A1 (fr) 1984-12-05
FR2547087B1 (fr) 1985-07-12

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