JPS59228746A - セラミツクパツケ−ジｉｃ用リ−ド線 - Google Patents
セラミツクパツケ−ジｉｃ用リ−ド線Info
- Publication number
- JPS59228746A JPS59228746A JP58103947A JP10394783A JPS59228746A JP S59228746 A JPS59228746 A JP S59228746A JP 58103947 A JP58103947 A JP 58103947A JP 10394783 A JP10394783 A JP 10394783A JP S59228746 A JPS59228746 A JP S59228746A
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- JP
- Japan
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- alloy
- conductivity
- brazing
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
- H10W70/62—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their interconnections
- H10W70/66—Conductive materials thereof
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はセラミックパッケージＩＣ用リード線に関し、
詳細には使用時の発熱量が少ないと共に熱放散性が優れ
、且つ安価に提供されるセラミックパッケージＩＣ用リ
ード線に関するものである。
詳細には使用時の発熱量が少ないと共に熱放散性が優れ
、且つ安価に提供されるセラミックパッケージＩＣ用リ
ード線に関するものである。
セラミックパッケージＩＣ（以下ＰＩＣという）は、■
ＩＣをプリントしたウエーファ、■外部への入出力端子
（ピン等：以下ピンという）並びに■該つエーファの電
極部と前記ピンを接続するリード線を主要素として構成
される。
ＩＣをプリントしたウエーファ、■外部への入出力端子
（ピン等：以下ピンという）並びに■該つエーファの電
極部と前記ピンを接続するリード線を主要素として構成
される。
この様なＰＩＣにおけるリード線としては、Ｃ０−Ｎｉ
−Ｆｅ合金（ＡＳＴＭ規格に規定されるＦ−１５合金二
以下Ｆ−１５合金という）製あるいはＦｅ−４２Ｎｉ合
金（ＡＳＴＭ規格でＦ−３０合金という）のものが使用
されてきた。即ちＦ−１５合金製ＩＪ ＋ド線は引張強
さ等の機械的強度が大きいだけでなく耐熱性が優れてい
るのでウエーファ電極部とリード線をろう付けする際の
入熱等によって軟化することがないという長所を有し、
又ウエーファ素材であるセラミックスと近似した熱膨張
係数を持っているので、ＰＩＣに温度変化が加わっても
接合部等に圧縮若しくは引張応力が発生せず接合状態が
適正に保たれ、又セラミックスが割れる恐れがないとい
う長所をもっている。
−Ｆｅ合金（ＡＳＴＭ規格に規定されるＦ−１５合金二
以下Ｆ−１５合金という）製あるいはＦｅ−４２Ｎｉ合
金（ＡＳＴＭ規格でＦ−３０合金という）のものが使用
されてきた。即ちＦ−１５合金製ＩＪ ＋ド線は引張強
さ等の機械的強度が大きいだけでなく耐熱性が優れてい
るのでウエーファ電極部とリード線をろう付けする際の
入熱等によって軟化することがないという長所を有し、
又ウエーファ素材であるセラミックスと近似した熱膨張
係数を持っているので、ＰＩＣに温度変化が加わっても
接合部等に圧縮若しくは引張応力が発生せず接合状態が
適正に保たれ、又セラミックスが割れる恐れがないとい
う長所をもっている。
しかるにＦ−１５合金線は導電率が３％（ＩＡＣ５）と
低いのでジュール熱が大きいと共に、熱伝導率か小さい
ので熱量が多く発生し、しかもこの熱の系外への放散が
不十分で蓄積され易いという欠点があり、殊に最近のＩ
Ｃの高密度化に伴なう電流量の増加に十分対応できず致
命的な欠点と考えられる様になっている。そこでＦ−１
５合金線に代るリード線が要望されている。即ち上記の
様な代替リード線としては、上記欠点を解消する意味か
ら導電率及び熱伝導性の良い銅合金線が提案されるが、
従来知られている銅合金線のうち機械的強度の大きいも
のについてはろう付は時の加熱によって軟化し機械的強
度が失なわれるという欠点があり、一方機械的強度及び
耐熱性も良好な銅合金として知られているものについて
は導電率が低くてジュール熱の発生量を低く抑えること
ができず、しかも熱伝導性が低くＦ−１５合金と同様の
欠点を有することになる。
低いのでジュール熱が大きいと共に、熱伝導率か小さい
ので熱量が多く発生し、しかもこの熱の系外への放散が
不十分で蓄積され易いという欠点があり、殊に最近のＩ
Ｃの高密度化に伴なう電流量の増加に十分対応できず致
命的な欠点と考えられる様になっている。そこでＦ−１
５合金線に代るリード線が要望されている。即ち上記の
様な代替リード線としては、上記欠点を解消する意味か
ら導電率及び熱伝導性の良い銅合金線が提案されるが、
従来知られている銅合金線のうち機械的強度の大きいも
のについてはろう付は時の加熱によって軟化し機械的強
度が失なわれるという欠点があり、一方機械的強度及び
耐熱性も良好な銅合金として知られているものについて
は導電率が低くてジュール熱の発生量を低く抑えること
ができず、しかも熱伝導性が低くＦ−１５合金と同様の
欠点を有することになる。
本発明はこうした事情に着目してなされたものであって
、機械的強度、耐熱性、導゛覗性及び熱伝導性の全ての
特性が優れ、且つ製作過程においても該リード線の特性
が失なわれることのない様なＰＩＣ用リード線を提供し
ようとするものである。
、機械的強度、耐熱性、導゛覗性及び熱伝導性の全ての
特性が優れ、且つ製作過程においても該リード線の特性
が失なわれることのない様なＰＩＣ用リード線を提供し
ようとするものである。
しかして上記目的を達成した本発明のＰＩＣ用リード線
とは、ＰＩＣのウエーファ電極部に、７００〜９００℃
の加熱下にろう付は接合されるＰＩＣ用リード線であっ
て、 Ｓｉ：０．２〜１，５％ Ｍｎ ： ０．０２〜１．０％ Ｎｉ ： １，０〜５．０％ Ｚｎ ： Ｑ、 ｌ 〜５．０ ％ Ｃｕ及び不可避不純物：残部 からなる点に要旨を有するものである。
とは、ＰＩＣのウエーファ電極部に、７００〜９００℃
の加熱下にろう付は接合されるＰＩＣ用リード線であっ
て、 Ｓｉ：０．２〜１，５％ Ｍｎ ： ０．０２〜１．０％ Ｎｉ ： １，０〜５．０％ Ｚｎ ： Ｑ、 ｌ 〜５．０ ％ Ｃｕ及び不可避不純物：残部 からなる点に要旨を有するものである。
まず始めに本発明に係るリード線の備えるべき特性につ
いて説明する。
いて説明する。
新しいリード線としては木質的な要求特性を満足し、且
つ従来品の欠点を解消する上でまず導電性並びに熱伝導
性の優れたものであることが不可欠であり、又この条件
を経済的に満足することも要求されており、これらを満
足するものとしてはやはりＣｕ合金の中から選択する必
要があると考えられた。もつともＣｕ合金を選択すれば
全てが導電性や熱伝導性において優れているという訳で
ないことは前に述べた例からも明らかであり、更に硬ろ
う付けという加熱環境をくぐり抜けた後も良好な導電性
や熱伝導性等を維持するものでなければならず、場合に
よっては上記加熱によって導電性や熱伝導性が更に向上
されるものであれば一層好ましいと言える。次に該リー
ド線の素材は元来機械的強度が優れると共にウエーファ
電極にろう付けされる時の加熱によってその機械的強度
を低下させるものであってはならず、結局機械的強度、
耐熱性、導電性、熱伝導性の４条件を全て満足するもの
を見出す必要があった。尚リード線は、例えばＣｕ合金
鋳片から熱間加工、焼鈍並びに冷間加工等の工程を経て
０．１〜０．６鱈の線に仕上げられることが多いので、
熱間加工性等の良好な素材である必要もある。更にリー
ド線には耐食性やろう付は時の接合性を良くする為には
んだめっき等を施すことが多いのではんだめっきの付き
易さ並びにはんだめっき層の耐剥離性等が良好であるこ
とも要求される。
つ従来品の欠点を解消する上でまず導電性並びに熱伝導
性の優れたものであることが不可欠であり、又この条件
を経済的に満足することも要求されており、これらを満
足するものとしてはやはりＣｕ合金の中から選択する必
要があると考えられた。もつともＣｕ合金を選択すれば
全てが導電性や熱伝導性において優れているという訳で
ないことは前に述べた例からも明らかであり、更に硬ろ
う付けという加熱環境をくぐり抜けた後も良好な導電性
や熱伝導性等を維持するものでなければならず、場合に
よっては上記加熱によって導電性や熱伝導性が更に向上
されるものであれば一層好ましいと言える。次に該リー
ド線の素材は元来機械的強度が優れると共にウエーファ
電極にろう付けされる時の加熱によってその機械的強度
を低下させるものであってはならず、結局機械的強度、
耐熱性、導電性、熱伝導性の４条件を全て満足するもの
を見出す必要があった。尚リード線は、例えばＣｕ合金
鋳片から熱間加工、焼鈍並びに冷間加工等の工程を経て
０．１〜０．６鱈の線に仕上げられることが多いので、
熱間加工性等の良好な素材である必要もある。更にリー
ド線には耐食性やろう付は時の接合性を良くする為には
んだめっき等を施すことが多いのではんだめっきの付き
易さ並びにはんだめっき層の耐剥離性等が良好であるこ
とも要求される。
本発明者等は以上の様な要求を満足するＣｕ合金組成に
ついて検討を重ねた結果、前記成分組成に到達した。
ついて検討を重ねた結果、前記成分組成に到達した。
以下成分組成の決定理由について説明する。
Ｓｉ：Ｑ、２〜１．５％
Ｎｉ：１，０〜５．０％
Ｓｉ及びＮｉは共にＣｕ合金自体の強度を向上させる元
素であるが、Ｓｔが０゜２％未満であるか又はＮｉが１
，０％未満である場合には、十分な強度が得られず、Ｓ
ｉ及びＮｉを上記範囲内で含有させると、ろう付は時の
加熱（７００〜９００℃）過程を経た後で十分な強度を
有すると共に導電率が向上する。一方Ｓｉを、１．５％
を越えて含有させると熱間加工性が劣化する。又Ｎｉの
強度向上効果は５％の配合で飽和し、仮に５％を越えて
配向すると一導゛市性が却って悪くなるという欠点が現
われてくる。
素であるが、Ｓｔが０゜２％未満であるか又はＮｉが１
，０％未満である場合には、十分な強度が得られず、Ｓ
ｉ及びＮｉを上記範囲内で含有させると、ろう付は時の
加熱（７００〜９００℃）過程を経た後で十分な強度を
有すると共に導電率が向上する。一方Ｓｉを、１．５％
を越えて含有させると熱間加工性が劣化する。又Ｎｉの
強度向上効果は５％の配合で飽和し、仮に５％を越えて
配向すると一導゛市性が却って悪くなるという欠点が現
われてくる。
Ｍｎ ： ０．０２〜１，０％
Ｍｎは熱間加工性を向上させる元素であるが、０．０２
９６未満では上記効果が小さく、一方ｉ、 ０９６を越
えて含有させると、合金鋳造時の湯流れ性が悪くなり、
鋳塊歩留りが著しく低下する。
９６未満では上記効果が小さく、一方ｉ、 ０９６を越
えて含有させると、合金鋳造時の湯流れ性が悪くなり、
鋳塊歩留りが著しく低下する。
” ： Ｏ，ｉ〜５．０％
Ｚｎはリード線表面のめっき層（Ｓｎめつき層又はＳｎ
合金めつき層）の耐剥離性を著しく改善する効果を発揮
する。しかし０．１％未満では改善効果かなく、一方５
．０％を越えて含有するとはんだ付は性が劣化する。
合金めつき層）の耐剥離性を著しく改善する効果を発揮
する。しかし０．１％未満では改善効果かなく、一方５
．０％を越えて含有するとはんだ付は性が劣化する。
本発明に係るリード線は上記各元素を上記に示す割合で
夫々含有し、且つ残部がＣｕ及び不可避不純物である組
成のＣｕ合金から製作されたものである。尚Ｃｕ合金か
らリード線を製造するに際しては例えば熱間加工・焼鈍
・冷間加工等の手法が利用されるが、該リード線製造工
程については特に制限を設けるものではない。
夫々含有し、且つ残部がＣｕ及び不可避不純物である組
成のＣｕ合金から製作されたものである。尚Ｃｕ合金か
らリード線を製造するに際しては例えば熱間加工・焼鈍
・冷間加工等の手法が利用されるが、該リード線製造工
程については特に制限を設けるものではない。
そしてＰＩＣのウエーファ電極部に、７００〜９００℃
の加熱条件下に上記リード線をろう付けしてＰＩＧを製
作するが、本発明のリード線はろう付は時の加熱によっ
てろう付は前より導電率が向上し且つ機械的強度並びに
熱伝導度も良好に保持される。尚本発明リード線とセラ
ミックスの熱膨張係数は近い値ではなかったが、熱膨張
係数の違いによる割れの発生は皆無であった。このこと
はセラミックスとリード線の熱膨張係数を近い値にしよ
うという従来の研究方向に疑問を呈示するものであり、
わざわざＦ−１５合金あるいはＦ−３０合金を使用する
ことの必要性はないものと思われる。又ろう付は後の冷
却速度はセラミックスの急冷割れを生じない程度とすれ
ばよい。
の加熱条件下に上記リード線をろう付けしてＰＩＧを製
作するが、本発明のリード線はろう付は時の加熱によっ
てろう付は前より導電率が向上し且つ機械的強度並びに
熱伝導度も良好に保持される。尚本発明リード線とセラ
ミックスの熱膨張係数は近い値ではなかったが、熱膨張
係数の違いによる割れの発生は皆無であった。このこと
はセラミックスとリード線の熱膨張係数を近い値にしよ
うという従来の研究方向に疑問を呈示するものであり、
わざわざＦ−１５合金あるいはＦ−３０合金を使用する
ことの必要性はないものと思われる。又ろう付は後の冷
却速度はセラミックスの急冷割れを生じない程度とすれ
ばよい。
その他−ろう付けされた本発明のリード線を、更に４５
０〜５５０℃の温度で１０〜３０分間熱処理すると硬度
並びに導電率を向上させることができる。
０〜５５０℃の温度で１０〜３０分間熱処理すると硬度
並びに導電率を向上させることができる。
尚ろう付けによって本発明リード線の導電率が高くなる
のは、ろう付は後の冷却過程で４５０〜６００℃の温度
領域を通過する際にＮ ｉ２ Ｓ ｘ が析出して母相
の純度が上がる為であり、この温度領域を通過する時間
が十分でない場合でも更に時効処理を追加すれば硬度及
び導電率が向上する。
のは、ろう付は後の冷却過程で４５０〜６００℃の温度
領域を通過する際にＮ ｉ２ Ｓ ｘ が析出して母相
の純度が上がる為であり、この温度領域を通過する時間
が十分でない場合でも更に時効処理を追加すれば硬度及
び導電率が向上する。
本発明は以上の様に構成されており、■ろう付は後にお
いても十分な機械的強度を有すると共に■高い導′屯率
並びに熱伝導性を有するリード線を提供することができ
た。これにより該リード線を使用したＰＩＣは発熱量が
少ないと共に熱放散性が良好であり、ＩＣの性能を長時
間保証することができた。又本発明のリード線はＣｕを
ベースにした安価な合金であるのでＰＩＣの価格低減に
貢献することができた。
いても十分な機械的強度を有すると共に■高い導′屯率
並びに熱伝導性を有するリード線を提供することができ
た。これにより該リード線を使用したＰＩＣは発熱量が
少ないと共に熱放散性が良好であり、ＩＣの性能を長時
間保証することができた。又本発明のリード線はＣｕを
ベースにした安価な合金であるのでＰＩＣの価格低減に
貢献することができた。
以下本発明の実施例について説明する。
実施例
Ｓｉ：０．７％
Ｍｎ：０．０４％
Ｎｉ：３，１％
Ｚｎ：Ｑ、３％
Ｃｕ及び不可避不純物：残部
上記化学組成からなるＣｕ合金製鋳造片から板厚１０＋
ｙの中間材を経て、６ｍｍＪｌの棒組を削り出し、８５
０℃で３０分加熱後、水中で急冷した。
ｙの中間材を経て、６ｍｍＪｌの棒組を削り出し、８５
０℃で３０分加熱後、水中で急冷した。
次いで該棒材を冷間スェージング加工後、更に０．４６
ｍＤまで冷間抽伸し、本発明品とした。
ｍＤまで冷間抽伸し、本発明品とした。
一方市販のＦ−１５合金（Ｎｉ：２９％、Ｃｏ ： ｌ
７％、Ｆｅ及び不可避不純物：残部）を０．４６ｍｎ
まで抽伸し比較品とした。
７％、Ｆｅ及び不可避不純物：残部）を０．４６ｍｎ
まで抽伸し比較品とした。
プラグイン型ＰＩＣのセラミック部分にタングステンメ
タライズを施し、更にＮｉめっきした゛磁極に、本発明
品及び比較品を鍜ろう（Ｊ Ｉ Ｓ −ＢＡｇ−８）を
用いて夫々接合した。尚ろう付けは還元性雰囲気中にお
いて８５０℃で１０分間加熱して行ない、加熱後９℃／
分の割合で冷却した。ろう付は前後の硬度および導電率
の変化を第１表に示す。
タライズを施し、更にＮｉめっきした゛磁極に、本発明
品及び比較品を鍜ろう（Ｊ Ｉ Ｓ −ＢＡｇ−８）を
用いて夫々接合した。尚ろう付けは還元性雰囲気中にお
いて８５０℃で１０分間加熱して行ない、加熱後９℃／
分の割合で冷却した。ろう付は前後の硬度および導電率
の変化を第１表に示す。
第１表
× ｌＡｃ５
又ろう付は後のリード線の引張強さを第２表に示す。
第２表
次にろう付は後の本発明品について、４５０℃または５
５０℃で１０または３０分間熱処理を施した。熱処理後
の硬度及び導電率を第３表に示す。
５０℃で１０または３０分間熱処理を施した。熱処理後
の硬度及び導電率を第３表に示す。
第３表
※ ｌＡＣ３
第１表に示される通り、本発明品はろう付は時の加熱条
件下においても硬度の低下が少なく耐熱性に優れている
。一方導電率は加熱により飛躍的に向上し比較例とは格
段の値を示している。又第２表に示される通り引張強さ
についても比較例より１．４時高くなっている。以上述
べたことから本発明品は機械的強度並びに耐熱性が優れ
、且つ導電性も優れたものであることがわかる。尚導電
性の向上に伴なって熱伝導性も良好であり、ＰＩＣに該
リード線を組み込んだ場合、発熱量が少ないと共に熱放
散性も優れているのでＰＩＣの性能を長期に亘り安全に
発揮させることができる。
件下においても硬度の低下が少なく耐熱性に優れている
。一方導電率は加熱により飛躍的に向上し比較例とは格
段の値を示している。又第２表に示される通り引張強さ
についても比較例より１．４時高くなっている。以上述
べたことから本発明品は機械的強度並びに耐熱性が優れ
、且つ導電性も優れたものであることがわかる。尚導電
性の向上に伴なって熱伝導性も良好であり、ＰＩＣに該
リード線を組み込んだ場合、発熱量が少ないと共に熱放
散性も優れているのでＰＩＣの性能を長期に亘り安全に
発揮させることができる。
更に第３表から、ろう付は後のリード線に４５０〜５５
０℃、１０〜３０分の後熱処理を施すことによって硬度
並びに導電率をいっそう向上させることができることが
わかる。
０℃、１０〜３０分の後熱処理を施すことによって硬度
並びに導電率をいっそう向上させることができることが
わかる。
尚Ｓｉ、Ｎｉ等の含有割合が異なるＣｕ合金鋳片を前記
と同様に冷間抽伸して得たリード線（比較例）について
、前記本発明品（実施例）と同様の条件下にろう付け・
冷却を行なった場合のろう付は前後の硬度および導′屯
率の変化、更に５５０℃で３０分間熱処理後の硬度およ
び導電率の変化を実施例についての結果と共に第４表に
示す。
と同様に冷間抽伸して得たリード線（比較例）について
、前記本発明品（実施例）と同様の条件下にろう付け・
冷却を行なった場合のろう付は前後の硬度および導′屯
率の変化、更に５５０℃で３０分間熱処理後の硬度およ
び導電率の変化を実施例についての結果と共に第４表に
示す。
第４表に示す通り、阻５はＳｉの含有量が規定範囲を越
える例並びにＮ１６はＮｉの含有量が規定範囲を越える
例でいずれも硬度については良好な値を示しており耐熱
性はあるが、導電率は満足できる値に至っていない。隘
２はＳｉ及びＮｉの含有量かいずれも規定範囲を下回る
例で導電率は良好であるが硬度が低く耐熱性に乏しい。
える例並びにＮ１６はＮｉの含有量が規定範囲を越える
例でいずれも硬度については良好な値を示しており耐熱
性はあるが、導電率は満足できる値に至っていない。隘
２はＳｉ及びＮｉの含有量かいずれも規定範囲を下回る
例で導電率は良好であるが硬度が低く耐熱性に乏しい。
阻３及び隘４はいずれもＳｉの含有量が規定範囲を越え
ると共にＮｉの含有量が規定範囲を下回る例であり、又
阻７はＳｉの含有量が規定範囲を下回ると共にＮｉの含
有量が規定範囲を越える例で、これらは硬度及び導電率
が共に満足できる値に至っていないＯ 次に本発明に係るＣｕ合金から得た薄板等を使用しはん
だ付性及び剥離性を調査した。
ると共にＮｉの含有量が規定範囲を下回る例であり、又
阻７はＳｉの含有量が規定範囲を下回ると共にＮｉの含
有量が規定範囲を越える例で、これらは硬度及び導電率
が共に満足できる値に至っていないＯ 次に本発明に係るＣｕ合金から得た薄板等を使用しはん
だ付性及び剥離性を調査した。
第６表に示す成分組成のＣｕ合金のインゴット〔幅８０
×長さ１３０×厚さ５０（龍）〕を夫々８５０℃に加熱
し、厚さ１５簡まで熱間加工した後、７００℃まで空冷
したのち３ｏ℃／秒にて強制冷却した。次いで該冷却材
を厚さ０．５ｆｌまで冷間加工したのち５００”Ｃにて
２時間焼鈍し、該焼鈍材を〔幅２５×長さ５０ｘ厚さ０
．５（間）〕に切断して試料とした。各試料をＭＩＬ−
８ＴＤ−２０２ＥＭｅ ｃｈｏｄ ２０８ ＣＩＣＭ
ツ＜はんだ付は試験に供した。又はんだ付けした試料に
ついて大気中における高温放置試験（１５０’ＣＸ５０
０時間）を実施しはんだの剥離性を調べた。結果は第５
表に示す通りであった。
×長さ１３０×厚さ５０（龍）〕を夫々８５０℃に加熱
し、厚さ１５簡まで熱間加工した後、７００℃まで空冷
したのち３ｏ℃／秒にて強制冷却した。次いで該冷却材
を厚さ０．５ｆｌまで冷間加工したのち５００”Ｃにて
２時間焼鈍し、該焼鈍材を〔幅２５×長さ５０ｘ厚さ０
．５（間）〕に切断して試料とした。各試料をＭＩＬ−
８ＴＤ−２０２ＥＭｅ ｃｈｏｄ ２０８ ＣＩＣＭ
ツ＜はんだ付は試験に供した。又はんだ付けした試料に
ついて大気中における高温放置試験（１５０’ＣＸ５０
０時間）を実施しはんだの剥離性を調べた。結果は第５
表に示す通りであった。
Ｔｈ １２．１３’、 １５についてはＺｎの含有量が
規定範囲以下である為にはんだめっき層の剥離が生じて
いる。尚Ｎａ１５においては、Ｚｎと共存させることに
より耐剥離性をいっそう向上させる効果があるとされて
いるＣｒを含有しているにもかかわらずＣｒ単独ではは
んだめっき屑の剥離を防止できていない。隘１４はＺｎ
の含有量が５％を越えているのではんだ付は性が悪化し
ている。これらに対シ１ｌｋＬ８〜１１はＺｎの含有量
が適正であるのではんだ付は性が良好であると共にはん
だめっき層の剥離も生じない。
規定範囲以下である為にはんだめっき層の剥離が生じて
いる。尚Ｎａ１５においては、Ｚｎと共存させることに
より耐剥離性をいっそう向上させる効果があるとされて
いるＣｒを含有しているにもかかわらずＣｒ単独ではは
んだめっき屑の剥離を防止できていない。隘１４はＺｎ
の含有量が５％を越えているのではんだ付は性が悪化し
ている。これらに対シ１ｌｋＬ８〜１１はＺｎの含有量
が適正であるのではんだ付は性が良好であると共にはん
だめっき層の剥離も生じない。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 セラミックパッケージＩＣのウエーファ電極部に、７０
０〜９００℃の加熱下にろう付は接合されるセラミック
パッケージＩＣ用リード線であって、 Ｓｉ：０．２〜１．５％（重量％の意味、以下同じ）Ｍ
ｎ ： ０．０２〜１．０％ Ｎｉ：１．Ｏ〜５．０％ Ｚｎ ： ０．１〜５．０％ Ｃｕ及び不可避不純物：残部 からなることを特徴とするセラミックパッケージＩＣ用
リード線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58103947A JPS59228746A (ja) | 1983-06-09 | 1983-06-09 | セラミツクパツケ−ジｉｃ用リ−ド線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58103947A JPS59228746A (ja) | 1983-06-09 | 1983-06-09 | セラミツクパツケ−ジｉｃ用リ−ド線 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59228746A true JPS59228746A (ja) | 1984-12-22 |
Family
ID=14367627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58103947A Pending JPS59228746A (ja) | 1983-06-09 | 1983-06-09 | セラミツクパツケ−ジｉｃ用リ−ド線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59228746A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58123862A (ja) * | 1982-01-20 | 1983-07-23 | Nippon Mining Co Ltd | 半導体機器のリ−ド材用銅合金の製造方法 |
| JPS58123846A (ja) * | 1982-01-20 | 1983-07-23 | Nippon Mining Co Ltd | 半導体機器用リ−ド材 |
| JPS59145746A (ja) * | 1983-12-13 | 1984-08-21 | Nippon Mining Co Ltd | 半導体機器のリ−ド材用銅合金 |
-
1983
- 1983-06-09 JP JP58103947A patent/JPS59228746A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58123862A (ja) * | 1982-01-20 | 1983-07-23 | Nippon Mining Co Ltd | 半導体機器のリ−ド材用銅合金の製造方法 |
| JPS58123846A (ja) * | 1982-01-20 | 1983-07-23 | Nippon Mining Co Ltd | 半導体機器用リ−ド材 |
| JPS59145746A (ja) * | 1983-12-13 | 1984-08-21 | Nippon Mining Co Ltd | 半導体機器のリ−ド材用銅合金 |
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