JPS5922954B2 - 薄膜el表示装置の駆動装置 - Google Patents
薄膜el表示装置の駆動装置Info
- Publication number
- JPS5922954B2 JPS5922954B2 JP10651976A JP10651976A JPS5922954B2 JP S5922954 B2 JPS5922954 B2 JP S5922954B2 JP 10651976 A JP10651976 A JP 10651976A JP 10651976 A JP10651976 A JP 10651976A JP S5922954 B2 JPS5922954 B2 JP S5922954B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- switch
- pulse
- voltage
- electrodes
- turned
- Prior art date
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- Transforming Electric Information Into Light Information (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
く梗概〉
ヒステリシスメモリーを有する薄膜ELにおいて維持交
流駆動の下で、瞬時に維持交流振幅以上あるいは以下の
電圧を印加することによつて、書込み又は消去を行ない
、後続する維持交流電圧によつて、その発光状態又は消
灯状態を維持する技術は先願発明として、本出願人が既
に出願している。
流駆動の下で、瞬時に維持交流振幅以上あるいは以下の
電圧を印加することによつて、書込み又は消去を行ない
、後続する維持交流電圧によつて、その発光状態又は消
灯状態を維持する技術は先願発明として、本出願人が既
に出願している。
本発明は交流ヒステリシス現象、即ちメモリー機能を有
した薄膜ELマトリツクスパネルの維持駆動回路、書込
み回路及び清去回路に関するものである。
した薄膜ELマトリツクスパネルの維持駆動回路、書込
み回路及び清去回路に関するものである。
く先行技術〉
まず、本発明の基礎となる、先願発明の技術を簡単に説
明しておく。
明しておく。
最初にEL表示装置の構成を説明する。
ガラス基板の上に縞状の透明電極を一方向に平行に配置
する。この上全面に例えばY,O3等の誘電物質層を、
更にこの上全面に例えばMnをドープしたZnS等の蛍
光層を、更にその上に更に誘電物質層の3層を蒸着法、
スパツタ法等の薄膜技術により500〜10000人の
厚さに被着して3層構造にし、その上に透明電極と直交
する方向に縞状電極を平行に配置する。かかる構造にす
ると、第1の電極群のうちの一つと、第2の電極群のう
ちの一つに適当な交流電圧が印加された場合、両電極が
交叉して挟まれた微小面積のみが発光することになり、
これが画面の一絵素に相当する。EL発光する蛍灯層を
2つの誘電体層で挟んでその上に更に2つの電極を形成
すればEL表示装置は構成できるのであるが、上記の如
く、2つの電極を互いに直來するように格子状にしてお
くと、マトリツクス表示パネルが形成できるのである。
このような構造のELにおいては輝度や寿命・安定性の
点で従来の分散型EL素子に比して優れた特性を有して
いるが、この薄膜EL素子は新たに輝度と印加電圧の間
に履歴現象を示す。最初電圧振幅,のパルスを印加する
と輝度は低輝度B1のレベルにある。こ\で維持電圧,
は発光閾値電圧をThとすると1〉Thである。これに
書き込みの高電圧2を印加すると輝度は一挙に高輝度B
3まで上昇し、以後電圧値を再び維持電圧1に戻しても
輝度はB,より大きい輝度B2に落着く。これに消去用
の低電圧3を印加すると輝度レベルは急激に減少し、再
び光の維持電圧,まで戻すと輝度はB,に落着く。この
履歴現象は書込み電圧の振幅やパルス幅(図示せず)に
応じて任意の小ループをとりうる。即ち中間調の表示も
可能である。一度書込み電圧を与えると、各絵素は維持
パルスによつてそれぞれ与えられた階調を失わずに発光
し続けるのがELPの他の表示素子に無い大きな特徴で
ある。上記の各電圧は組成や膜厚及び印加波形により大
分異なるが、因みにある試作例ではTh−200,1=
210V,2=210〜280,3=190である。
する。この上全面に例えばY,O3等の誘電物質層を、
更にこの上全面に例えばMnをドープしたZnS等の蛍
光層を、更にその上に更に誘電物質層の3層を蒸着法、
スパツタ法等の薄膜技術により500〜10000人の
厚さに被着して3層構造にし、その上に透明電極と直交
する方向に縞状電極を平行に配置する。かかる構造にす
ると、第1の電極群のうちの一つと、第2の電極群のう
ちの一つに適当な交流電圧が印加された場合、両電極が
交叉して挟まれた微小面積のみが発光することになり、
これが画面の一絵素に相当する。EL発光する蛍灯層を
2つの誘電体層で挟んでその上に更に2つの電極を形成
すればEL表示装置は構成できるのであるが、上記の如
く、2つの電極を互いに直來するように格子状にしてお
くと、マトリツクス表示パネルが形成できるのである。
このような構造のELにおいては輝度や寿命・安定性の
点で従来の分散型EL素子に比して優れた特性を有して
いるが、この薄膜EL素子は新たに輝度と印加電圧の間
に履歴現象を示す。最初電圧振幅,のパルスを印加する
と輝度は低輝度B1のレベルにある。こ\で維持電圧,
は発光閾値電圧をThとすると1〉Thである。これに
書き込みの高電圧2を印加すると輝度は一挙に高輝度B
3まで上昇し、以後電圧値を再び維持電圧1に戻しても
輝度はB,より大きい輝度B2に落着く。これに消去用
の低電圧3を印加すると輝度レベルは急激に減少し、再
び光の維持電圧,まで戻すと輝度はB,に落着く。この
履歴現象は書込み電圧の振幅やパルス幅(図示せず)に
応じて任意の小ループをとりうる。即ち中間調の表示も
可能である。一度書込み電圧を与えると、各絵素は維持
パルスによつてそれぞれ与えられた階調を失わずに発光
し続けるのがELPの他の表示素子に無い大きな特徴で
ある。上記の各電圧は組成や膜厚及び印加波形により大
分異なるが、因みにある試作例ではTh−200,1=
210V,2=210〜280,3=190である。
く発明の課題〉
メモリ付薄膜ELマトリツクスパネルの一電源方式点順
次駆動回路として第1図の回路が考えられる。
次駆動回路として第1図の回路が考えられる。
第1図aはマトリツクス状に配置した電極と、これに接
続したスイツチ及び電源を示し、第1図bは第1図a中
のスイツチの1単位回路を示す。
続したスイツチ及び電源を示し、第1図bは第1図a中
のスイツチの1単位回路を示す。
X方向の電極Xl,x2・・・,Xmはそれぞれスイツ
チSxl,sx2,・・・,Sxmを通してアース側接
点と電源側接点に切換え接続される。この電極は文字、
記号、模様等信号発生回路(図示しない。)の出力でス
イツチSx,,sx2,・・・Sxmの切換が制御され
るので、データ電極と呼ぶ。Y方向の電極Yl,Y2,
・・・,YnもそれぞれスイツチSYl,SY2,・・
・,SYnを通してアース側接点と電源側接点に切換え
接続される。この電極はY方向に並んだ電極Yl,Y2
,・・・Ynの順番に順次スイツチSY,,SY2・・
・SYnが制御されるので、走査電極と言う。アース側
接点はライン10を通してアースされ、電源側接点はラ
イン20を通して維持電圧端子V8、書込電圧端子ぃ消
去電圧端子。、アース端子Eに切換え接続するスイツチ
30に接続される。上記スイツチSxl,sx2,・・
・,Sxm及びSYl,SY2,・・・,SYnは第1
図bに示すように、電源端子1と、入力端子2と、出力
端子3を持ち、2個のトランジスタTrl,Tr2から
成る。
チSxl,sx2,・・・,Sxmを通してアース側接
点と電源側接点に切換え接続される。この電極は文字、
記号、模様等信号発生回路(図示しない。)の出力でス
イツチSx,,sx2,・・・Sxmの切換が制御され
るので、データ電極と呼ぶ。Y方向の電極Yl,Y2,
・・・,YnもそれぞれスイツチSYl,SY2,・・
・,SYnを通してアース側接点と電源側接点に切換え
接続される。この電極はY方向に並んだ電極Yl,Y2
,・・・Ynの順番に順次スイツチSY,,SY2・・
・SYnが制御されるので、走査電極と言う。アース側
接点はライン10を通してアースされ、電源側接点はラ
イン20を通して維持電圧端子V8、書込電圧端子ぃ消
去電圧端子。、アース端子Eに切換え接続するスイツチ
30に接続される。上記スイツチSxl,sx2,・・
・,Sxm及びSYl,SY2,・・・,SYnは第1
図bに示すように、電源端子1と、入力端子2と、出力
端子3を持ち、2個のトランジスタTrl,Tr2から
成る。
トランジスタTrlのコレクタは電源端子1に接続され
、そのエミツタは出力端子3とダイオードD1を通して
トランジスタTr2のコレクタに接続されている。トラ
ンジスタTrlのコレクターベース間に抵抗R,が挿入
され、ベースはトランジスタTrlのコレクタに接続さ
れる。トランジスタTr2のベースは入力端子2と抵抗
R2を介して接続され、エミツタは直接アースされる。
以上の回路において、スイツチSX,,SX2,・・・
,SXm,SYl,SY2,・・・,SYnは表示絵素
点を順次一定の方向に選択して点順次方式の走査を行う
。このとき上記スイツチは100HZ〜5KHZ位の周
波数でアース電位と供給電圧間で交互にスイツチングし
、薄膜ELパネルに実質的に両極性パルスを印加する。
上記走査に同期してスイツチ30が切換えられ、選択絵
素点に維持電圧、書込み電圧、消去電圧を印加する。と
ころで、上記回路は第1図bに示すように、入力端子2
に加えられる正極性パルスでトランジスタTrl,Tr
2が交互にオン・オフ制御される。
、そのエミツタは出力端子3とダイオードD1を通して
トランジスタTr2のコレクタに接続されている。トラ
ンジスタTrlのコレクターベース間に抵抗R,が挿入
され、ベースはトランジスタTrlのコレクタに接続さ
れる。トランジスタTr2のベースは入力端子2と抵抗
R2を介して接続され、エミツタは直接アースされる。
以上の回路において、スイツチSX,,SX2,・・・
,SXm,SYl,SY2,・・・,SYnは表示絵素
点を順次一定の方向に選択して点順次方式の走査を行う
。このとき上記スイツチは100HZ〜5KHZ位の周
波数でアース電位と供給電圧間で交互にスイツチングし
、薄膜ELパネルに実質的に両極性パルスを印加する。
上記走査に同期してスイツチ30が切換えられ、選択絵
素点に維持電圧、書込み電圧、消去電圧を印加する。と
ころで、上記回路は第1図bに示すように、入力端子2
に加えられる正極性パルスでトランジスタTrl,Tr
2が交互にオン・オフ制御される。
このように交互にオン・オフ制御されるので走査電極及
びデータ電極がオープンの状態、即ち2つのトランジス
タTrl,Tr2がともにオフの状態に設定することが
できない。このことはメモリ付薄膜ELマトリツクスパ
ネルの読出し動作を不可能にし、1つの機能がなくなり
不利である。しかも常に一方のトランジスタがオンして
いるので電力消費が大きい。この問題を解決するために
、次に第2図に示す回路が考えられる。
びデータ電極がオープンの状態、即ち2つのトランジス
タTrl,Tr2がともにオフの状態に設定することが
できない。このことはメモリ付薄膜ELマトリツクスパ
ネルの読出し動作を不可能にし、1つの機能がなくなり
不利である。しかも常に一方のトランジスタがオンして
いるので電力消費が大きい。この問題を解決するために
、次に第2図に示す回路が考えられる。
第2図aは第1図と略同様に構成され、該当部分には同
一符号を付して説明を省略する。第2図aにおいて、デ
ータ側スイツチSXζ,SX6,・・・,SXm′と走
査側スイツチSY{,SY6,・・・,SY′nは2個
のオン・オフスイツチが1単位として構成されている。
スイツチSxl,sx2,・・・Sxm,sYl,sY
2,・・・,SYnは第2図bに示す通り、電源端子1
,2個の入力端子2a,2bと出力端子3を持ち、3個
のトランジスタTr3,Tr4,Tr5で構成される。
この回路では2個の入力端子2a,2bに加えられる信
号に従つてトランジスタTr3,Tr5とTr4がオン
又はオフし、入力端子2a,2bの両方に正極性パルス
が加えられないとき、3個のトランジスタTr3,Tr
4,Tr5は全てオフである。従つて走査電極及びデー
タ電極がともにオープンの状態に設定することが可能で
あり、第1図の回路の問題は解決される。しかしながら
、この第2図の回路では各データ電極、走査電極に3個
のトランジスタが必要である。
一符号を付して説明を省略する。第2図aにおいて、デ
ータ側スイツチSXζ,SX6,・・・,SXm′と走
査側スイツチSY{,SY6,・・・,SY′nは2個
のオン・オフスイツチが1単位として構成されている。
スイツチSxl,sx2,・・・Sxm,sYl,sY
2,・・・,SYnは第2図bに示す通り、電源端子1
,2個の入力端子2a,2bと出力端子3を持ち、3個
のトランジスタTr3,Tr4,Tr5で構成される。
この回路では2個の入力端子2a,2bに加えられる信
号に従つてトランジスタTr3,Tr5とTr4がオン
又はオフし、入力端子2a,2bの両方に正極性パルス
が加えられないとき、3個のトランジスタTr3,Tr
4,Tr5は全てオフである。従つて走査電極及びデー
タ電極がともにオープンの状態に設定することが可能で
あり、第1図の回路の問題は解決される。しかしながら
、この第2図の回路では各データ電極、走査電極に3個
のトランジスタが必要である。
現在8インチELパネルに2本/M7!L間隔で電極が
付けられ、データ電極320本、走査電極340本が設
けられている。従つてトランジスタの数が上記電極の本
数に応じて多くなる。このことは消費電力も大きくなる
ことを意味する。本発明は以上の問題点に鑑みて発明さ
れたものであり、トランジスタ数が少ない合理的な新し
い回路を提供する。また本発明の回路で生じる新しい問
題、即ち任意の選択絵素点に書込み消去を行う場合、書
込みパルス、消去パルスを選択点に接続される一方の電
極に加え、他方をアースにし、他の全てをオープン状態
にする訳であるが、書込みの場合、書込み電圧が高いた
め半選択ラインの浮き上りによる消去効果が現われるこ
とがある。
付けられ、データ電極320本、走査電極340本が設
けられている。従つてトランジスタの数が上記電極の本
数に応じて多くなる。このことは消費電力も大きくなる
ことを意味する。本発明は以上の問題点に鑑みて発明さ
れたものであり、トランジスタ数が少ない合理的な新し
い回路を提供する。また本発明の回路で生じる新しい問
題、即ち任意の選択絵素点に書込み消去を行う場合、書
込みパルス、消去パルスを選択点に接続される一方の電
極に加え、他方をアースにし、他の全てをオープン状態
にする訳であるが、書込みの場合、書込み電圧が高いた
め半選択ラインの浮き上りによる消去効果が現われるこ
とがある。
このため本発明では書込みパルスはその直前の維持パル
スと同極性にELパネルに加えて上記不所望な消去効果
が現われるのを防止する駆動方式を提供することを目的
とする。そして本発明は消去パルスの効果的な印加方法
を提供するものである。
スと同極性にELパネルに加えて上記不所望な消去効果
が現われるのを防止する駆動方式を提供することを目的
とする。そして本発明は消去パルスの効果的な印加方法
を提供するものである。
更に本発明はマトリツクスパネルの駆動の際に常に問題
となる半選択ラインの処理を、新たな回路を追加せずに
パルスを加えるタイミングによつて解決する方法を提供
するものである。
となる半選択ラインの処理を、新たな回路を追加せずに
パルスを加えるタイミングによつて解決する方法を提供
するものである。
く本発明の一実施例〉
第3図は本発明の装置の回路図を示し、データ電極Xl
,x2・・・Xmはオン・オフのデータスイツチSxl
,sx2,・・・,Sxmを介してライン40によりア
ースされる。
,x2・・・Xmはオン・オフのデータスイツチSxl
,sx2,・・・,Sxmを介してライン40によりア
ースされる。
また各データ電極はそれぞれダイオードD2を通し、共
通ライン50によりスイツチSXOを経てパルス電源ス
イツチ30に接続される。走査電極はオン・オフの走査
スイツチSYl,SY2,・・・,SYnを介してライ
ン60によりパルス電源スイツチ30に接続され、また
ダイオードD3を通し共通ライン70によりスイツチS
YOを経てアースされる。上記データスイツチSx,,
sx2,・・・,Sxmの1単位は第4図aの通り、1
個のトランジスタTr6で構成され、入力端子21は抵
抗R6を通してベースに接続され、エミツタはアースさ
れ、コレクタはデータ電極に接続される出力端子22に
接続される。
通ライン50によりスイツチSXOを経てパルス電源ス
イツチ30に接続される。走査電極はオン・オフの走査
スイツチSYl,SY2,・・・,SYnを介してライ
ン60によりパルス電源スイツチ30に接続され、また
ダイオードD3を通し共通ライン70によりスイツチS
YOを経てアースされる。上記データスイツチSx,,
sx2,・・・,Sxmの1単位は第4図aの通り、1
個のトランジスタTr6で構成され、入力端子21は抵
抗R6を通してベースに接続され、エミツタはアースさ
れ、コレクタはデータ電極に接続される出力端子22に
接続される。
スイツチSYOも第4図aのように構成され、出力端子
22は共通ライン70に接続される。また走査スイツチ
SY,,SY2,・・・,SYnの1単位は第4図bの
ように構成される。
22は共通ライン70に接続される。また走査スイツチ
SY,,SY2,・・・,SYnの1単位は第4図bの
ように構成される。
入力端子23は抵抗R,を通してトランジスタTr7の
ベースに接続され、そのエミツタはアースされる。トラ
ンジスタTr8のエミツタは共通ライン60に接続され
る端子24に接続され、そのコレクタは走査電極に接続
する出力端子25に接続される。端子24とトランジス
タTr8のベース間に抵抗R8が挿入され、トランジス
タTr,のコレクタとトランジスタTr8のベースは抵
抗馬によつて接続される。またスイツチSXOも第4図
bのように構成され、出力端子25はライン60に接続
される。なお、パルス電源スイツチ30の維持電圧源端
子S,書込み電圧源端子w、消去電圧源端子VEに供給
される電圧は、ここではいずれも正電圧とする。
ベースに接続され、そのエミツタはアースされる。トラ
ンジスタTr8のエミツタは共通ライン60に接続され
る端子24に接続され、そのコレクタは走査電極に接続
する出力端子25に接続される。端子24とトランジス
タTr8のベース間に抵抗R8が挿入され、トランジス
タTr,のコレクタとトランジスタTr8のベースは抵
抗馬によつて接続される。またスイツチSXOも第4図
bのように構成され、出力端子25はライン60に接続
される。なお、パルス電源スイツチ30の維持電圧源端
子S,書込み電圧源端子w、消去電圧源端子VEに供給
される電圧は、ここではいずれも正電圧とする。
本発明の回路は以上のように構成され、次の通り書込み
、消去、維持駆動が行われる。
、消去、維持駆動が行われる。
薄膜EL素子の電気的書込みは維持パルスより数10〜
100ボルト程度高い電圧の書込みパルスを1発1方向
に加えることで可能である。
100ボルト程度高い電圧の書込みパルスを1発1方向
に加えることで可能である。
また電気的消去は維持電圧より数10ボルト低い消去電
圧を持つ消去パルスを両方向に数多く加えることによつ
て完全な消去が行われるのであるが、片パルスを1発で
かなり消去することができ、基本的には片パルス消去で
充分消去可能である。因みに、一実施例において、維持
電圧(8)は200ボルト、書込電圧(w)は270ボ
ルト、消去電圧(Ve)は160ボルトであつた。
圧を持つ消去パルスを両方向に数多く加えることによつ
て完全な消去が行われるのであるが、片パルスを1発で
かなり消去することができ、基本的には片パルス消去で
充分消去可能である。因みに、一実施例において、維持
電圧(8)は200ボルト、書込電圧(w)は270ボ
ルト、消去電圧(Ve)は160ボルトであつた。
本発明は以上の考察に基ずき片パルスによる書込み、消
去を行うものである。先ず絵素(1,j)に書込み場合
を考える。
去を行うものである。先ず絵素(1,j)に書込み場合
を考える。
書込みの以前に薄膜ELパネル全面に両極性の維持パル
スPsを加えるため、パルス電源スイツチ30は維持電
圧源端子sに接続される。そして時刻T,ではスイツチ
SXOがオンし、データスイツチSX,,SX2,・・
・,SXi,SXk,・・・,SXmがオフであり、ス
イツチSYOがオンし、走査スイツチSYl,SY2,
・・・,SYj,SYl,・・・SYnがオフされる。
この結果データ電極側より見て薄膜ELパネルには負極
性の維持パルスPsが加えられる。次に時刻T2ではス
イツチSXOをオフ、全データスイツチSX,〜SXm
をオンし、スイツチSYOをオン、全走査スイツチSY
,〜SYnをオフにして薄膜ELパネルの走査電極とデ
ータ電極を短絡する。更に時刻T,ではスイツチSXO
をオフ、全データスイツチSxl〜Sxmをオン、スイ
ツチSYOをオフ全走査スイツチSYl〜SYnをオン
にして薄膜ELパネルに正極性の維持パルスPsを加え
る。時刻T4では前記時刻T,と同様に各スイツチは変
化され、薄膜ELパネルの印加電圧をO電圧にする。以
上のように維持パルスが加えられている場合において、
時刻Twのとき絵素(1,j)点に書込み電圧Vwを持
つた書込パルスPwを印加するため、パルス電源スイツ
チ30は端子Vwに接続される。
スPsを加えるため、パルス電源スイツチ30は維持電
圧源端子sに接続される。そして時刻T,ではスイツチ
SXOがオンし、データスイツチSX,,SX2,・・
・,SXi,SXk,・・・,SXmがオフであり、ス
イツチSYOがオンし、走査スイツチSYl,SY2,
・・・,SYj,SYl,・・・SYnがオフされる。
この結果データ電極側より見て薄膜ELパネルには負極
性の維持パルスPsが加えられる。次に時刻T2ではス
イツチSXOをオフ、全データスイツチSX,〜SXm
をオンし、スイツチSYOをオン、全走査スイツチSY
,〜SYnをオフにして薄膜ELパネルの走査電極とデ
ータ電極を短絡する。更に時刻T,ではスイツチSXO
をオフ、全データスイツチSxl〜Sxmをオン、スイ
ツチSYOをオフ全走査スイツチSYl〜SYnをオン
にして薄膜ELパネルに正極性の維持パルスPsを加え
る。時刻T4では前記時刻T,と同様に各スイツチは変
化され、薄膜ELパネルの印加電圧をO電圧にする。以
上のように維持パルスが加えられている場合において、
時刻Twのとき絵素(1,j)点に書込み電圧Vwを持
つた書込パルスPwを印加するため、パルス電源スイツ
チ30は端子Vwに接続される。
そして書込み絵素点を含むデータ電極のスイツチSXi
はオンし、その他のデータ電極のスイツチSXk(KX
i)はオフ、スイツチSxOはオフにされ、また書込み
絵素点を含む走査電極のスイツチSYjはオン、その他
の走査電極のスイツチSY2(l′8.j)はオフ、ス
イツチSYOはオフにされる。この結果絵素(1,j)
には書込みパルスPwが印加され、高輝度B,の発光を
する。このときスイツチSXk(KXi)、SYI(1
Sj)をともにオフ状態にしているため、データ電極X
i及び走査電極Y・と交差するJ絵素(1,1)(J,
k)(以下これらの点を半選択絵素点という。
はオンし、その他のデータ電極のスイツチSXk(KX
i)はオフ、スイツチSxOはオフにされ、また書込み
絵素点を含む走査電極のスイツチSYjはオン、その他
の走査電極のスイツチSY2(l′8.j)はオフ、ス
イツチSYOはオフにされる。この結果絵素(1,j)
には書込みパルスPwが印加され、高輝度B,の発光を
する。このときスイツチSXk(KXi)、SYI(1
Sj)をともにオフ状態にしているため、データ電極X
i及び走査電極Y・と交差するJ絵素(1,1)(J,
k)(以下これらの点を半選択絵素点という。
)また絵素(11,k)(以下これらの点を非選択絵素
点という。)には電位の浮上りを生じ、実質的にパルス
Pl,P2,P,が現われる。ここでこれらパルスPl
,P,,P,の電圧の大きさを計算すると、今、x方向
の電極数をMly方向の電極数をNll絵素の容量をC
とすると、容量は面積に比例するので各容量は、絵素点
(1,2)がC、絵素点(J,k)が(m−1)C1絵
素点(I,l)が(n−1)C1絵素点(!,k)が(
m−1)(n−1)Cとなる。したがつて書込みパルス
Pw(電圧w)が印加されたときの等価回路は第6図で
表わすことができる。ここで容量C,に現われる電圧が
パルスP1の電圧V1、容量C2に現われる電圧がパル
スP2の電圧2、容量C3に現われる電圧がパルスP3
の電圧3である。M,nは通常100以上なので、c1
=Mclc2=NcSc3=Mnc〉〉C,となるから
、C3の容量はCl,C2に比べてきわめて大きいので
ほぼ短絡と考えて、3=Oとなる。そうすると電圧1,
2は、となる。
点という。)には電位の浮上りを生じ、実質的にパルス
Pl,P2,P,が現われる。ここでこれらパルスPl
,P,,P,の電圧の大きさを計算すると、今、x方向
の電極数をMly方向の電極数をNll絵素の容量をC
とすると、容量は面積に比例するので各容量は、絵素点
(1,2)がC、絵素点(J,k)が(m−1)C1絵
素点(I,l)が(n−1)C1絵素点(!,k)が(
m−1)(n−1)Cとなる。したがつて書込みパルス
Pw(電圧w)が印加されたときの等価回路は第6図で
表わすことができる。ここで容量C,に現われる電圧が
パルスP1の電圧V1、容量C2に現われる電圧がパル
スP2の電圧2、容量C3に現われる電圧がパルスP3
の電圧3である。M,nは通常100以上なので、c1
=Mclc2=NcSc3=Mnc〉〉C,となるから
、C3の容量はCl,C2に比べてきわめて大きいので
ほぼ短絡と考えて、3=Oとなる。そうすると電圧1,
2は、となる。
m:n=4:3、維持電圧8=200書込み電圧w−2
80とすると、となる。
80とすると、となる。
最適消去電圧は大体百s−百sなので、160〜167
となり、電圧2が最適消去電圧となり、絵素(1,1)
に書込まれていた内容が消去されることになる。すなわ
ち書込み点に書込んだために、それ以外の絵素の一部に
影響が出るが、これは好ましいことではない。(1)式
からも明らかなように、n=mであれば、V,一2=百
Wとなり、このときMax〔,,2〕一,=2は最小と
なるが、これでも消去の可能性はあり、さらにn=mに
なれば、Max〔1,2〕はどんどん大きくなる。Ma
x〔,,2〕を消去レベル以下に押えるには、電圧Wを
できるだけ低くすればよいか限度があるので根本的解決
にはならない。ここで、この問題を解決する前に、消去
の現象を考えてみる。第7図cはメモリ付薄膜EL素子
単体に、維持パルスの間に第7図A,bに示すように消
去電圧Eを持つた消去パルスを挿入したとき、その電圧
値Eを横軸に、従軸に消去後の輝度をとつて描いたグラ
フである。
となり、電圧2が最適消去電圧となり、絵素(1,1)
に書込まれていた内容が消去されることになる。すなわ
ち書込み点に書込んだために、それ以外の絵素の一部に
影響が出るが、これは好ましいことではない。(1)式
からも明らかなように、n=mであれば、V,一2=百
Wとなり、このときMax〔,,2〕一,=2は最小と
なるが、これでも消去の可能性はあり、さらにn=mに
なれば、Max〔1,2〕はどんどん大きくなる。Ma
x〔,,2〕を消去レベル以下に押えるには、電圧Wを
できるだけ低くすればよいか限度があるので根本的解決
にはならない。ここで、この問題を解決する前に、消去
の現象を考えてみる。第7図cはメモリ付薄膜EL素子
単体に、維持パルスの間に第7図A,bに示すように消
去電圧Eを持つた消去パルスを挿入したとき、その電圧
値Eを横軸に、従軸に消去後の輝度をとつて描いたグラ
フである。
第7図c中、上の点線は書込み輝度、下の点線は消去輝
度を示す。又、電圧VEの正負は、第7図aのように直
前の維持パルスと逆方向のものを正、第7図bのように
同方向のものを負とする。第7図cよりわかるように、
消去効果があるのは、消去電圧が正で大きさが維持電圧
Vsより少し低い電圧であるときであることがわかる。
すなわち、第7図bのような消去パルスの加え方では全
く消去はできず、第7図aのように加えてはじめて消去
効果のあることがわかる。ところで第5図に示す印加波
形で消去が懸念されたのは、第5図に示すように直前の
維持パルスと逆方向に浮き上りが生じるからである。し
たがつて直前の維持パルスと同方向に書込みパルスを加
えれば、半選択ラインの浮き上りが同方向となるので、
第7図の考察より判るように浮き上りによる消去効果は
一切ない。書込みパルス電圧Wは維持電圧Vsより大き
いので、直前の維持パルスがどんな方向でも書込み効果
にはほとんど関係がない。以上のように、第5図に示す
ように維持パルスPSl書込みパルスPwを印加する場
合は前述及び第7図で考察した通り問題を生じるので、
本発明はこれら問題点及び考案に基づいて、半選沢絵素
の消去の可能性が完全になくなる駆動方式を提供する。
度を示す。又、電圧VEの正負は、第7図aのように直
前の維持パルスと逆方向のものを正、第7図bのように
同方向のものを負とする。第7図cよりわかるように、
消去効果があるのは、消去電圧が正で大きさが維持電圧
Vsより少し低い電圧であるときであることがわかる。
すなわち、第7図bのような消去パルスの加え方では全
く消去はできず、第7図aのように加えてはじめて消去
効果のあることがわかる。ところで第5図に示す印加波
形で消去が懸念されたのは、第5図に示すように直前の
維持パルスと逆方向に浮き上りが生じるからである。し
たがつて直前の維持パルスと同方向に書込みパルスを加
えれば、半選択ラインの浮き上りが同方向となるので、
第7図の考察より判るように浮き上りによる消去効果は
一切ない。書込みパルス電圧Wは維持電圧Vsより大き
いので、直前の維持パルスがどんな方向でも書込み効果
にはほとんど関係がない。以上のように、第5図に示す
ように維持パルスPSl書込みパルスPwを印加する場
合は前述及び第7図で考察した通り問題を生じるので、
本発明はこれら問題点及び考案に基づいて、半選沢絵素
の消去の可能性が完全になくなる駆動方式を提供する。
さらに本発明任意点の消去を行なう場合消去パルスとし
て意味を持つのは第7図aに示すように直前の維持パル
スと逆方向に出す消去パルルであるので、消去を行なう
とき第7図aに示すようなパルスを用いることである。
本発明により、任意の選択絵素(1,j)へ有効な書込
み、消去を行なう場合の維持パルスPs書込みパルスP
w、消去パルスPEのタイミングチヤートを第8図に示
す。
て意味を持つのは第7図aに示すように直前の維持パル
スと逆方向に出す消去パルルであるので、消去を行なう
とき第7図aに示すようなパルスを用いることである。
本発明により、任意の選択絵素(1,j)へ有効な書込
み、消去を行なう場合の維持パルスPs書込みパルスP
w、消去パルスPEのタイミングチヤートを第8図に示
す。
第8図中、Tl,T3,T5は維持パルス期間、T2は
書込み期間、T4は消去期間である。維持パルス期間T
,,T3,T5中の時刻t1〜T4は第5図とともに説
明したのと同じように各スイツチSxl〜Sxm,sx
O,SYl〜SYn,SYOは動作する。書込み期間T
2でも各スイツチは第5図の場合と同様に動作する訳で
あるが、但し、走査電極側より維持パルスが加えられた
直後に書込みパルスPwが印加さ・れる。直前の維持パ
ルスの極性と同極性の書込みパルスを印加する。このた
め半選択絵素の電位は浮き上りを生じ、パルスPl,P
2,P3が現われるが、このパルスは直前の維持パルス
と同極性であり第7図cで説明したように負の電圧であ
るから半選択絵素の消去現象はない。消去期間T4の時
刻Teでは、パルス電源スイツチ30は端子eに接続さ
れ、消去絵素(1,j)を含むデータ電極のスイツチS
Xiはオン、その他のデータ電極のスイツチSXk(K
Xi)はオフ、スイツチSXOはオフにされ、また書込
み絵素を含む走査電極のスイツチSYjはオン、その他
の走査電極のスイツチSYI(l−j)はオフ、スイツ
チSYOはオフにされる。
書込み期間、T4は消去期間である。維持パルス期間T
,,T3,T5中の時刻t1〜T4は第5図とともに説
明したのと同じように各スイツチSxl〜Sxm,sx
O,SYl〜SYn,SYOは動作する。書込み期間T
2でも各スイツチは第5図の場合と同様に動作する訳で
あるが、但し、走査電極側より維持パルスが加えられた
直後に書込みパルスPwが印加さ・れる。直前の維持パ
ルスの極性と同極性の書込みパルスを印加する。このた
め半選択絵素の電位は浮き上りを生じ、パルスPl,P
2,P3が現われるが、このパルスは直前の維持パルス
と同極性であり第7図cで説明したように負の電圧であ
るから半選択絵素の消去現象はない。消去期間T4の時
刻Teでは、パルス電源スイツチ30は端子eに接続さ
れ、消去絵素(1,j)を含むデータ電極のスイツチS
Xiはオン、その他のデータ電極のスイツチSXk(K
Xi)はオフ、スイツチSXOはオフにされ、また書込
み絵素を含む走査電極のスイツチSYjはオン、その他
の走査電極のスイツチSYI(l−j)はオフ、スイツ
チSYOはオフにされる。
この結果絵素(1,j)には消去パルスPeが印加され
る。消去パルスPeはその直前の維持パルスと逆極性で
あり、消去は完全に行われる。消去パルスPeを加えた
ため、半選択絵素(J,k)(I,l)の電位の浮上り
が考えられるが、維持電圧s一200V1最適消去電圧
E=160、m:n=4:3とした場合(1)式の,,
2に準じてとなり、少し浮上りはあるが電圧が消去電圧
160に比べて91Vと低く、且つ発光閾値電圧Vth
よりも低いため、薄膜ELパネルは何の動作も起さない
。く発明の効果〉 本発明は全走査電極に共通接続されアースに導くオン・
オフスイツチと、全データ電極に共通接続され、電源ラ
インに導くオン・オフスイツチを具備しているから各走
査電極及び各データ電極にそれぞれ接続されたオン・オ
フスイツチは薄膜ELパネルに両極性維持パルスを加え
ることができるとともに、このスイツチは走査電極及び
データ電極をオープン状態にする機能を有していなくて
もよく、従つて第3図及び第4図に示した実施例では、
2n+1+m+2=2n+m+3(個)のトランジスタ
を用いて構成することができる。
る。消去パルスPeはその直前の維持パルスと逆極性で
あり、消去は完全に行われる。消去パルスPeを加えた
ため、半選択絵素(J,k)(I,l)の電位の浮上り
が考えられるが、維持電圧s一200V1最適消去電圧
E=160、m:n=4:3とした場合(1)式の,,
2に準じてとなり、少し浮上りはあるが電圧が消去電圧
160に比べて91Vと低く、且つ発光閾値電圧Vth
よりも低いため、薄膜ELパネルは何の動作も起さない
。く発明の効果〉 本発明は全走査電極に共通接続されアースに導くオン・
オフスイツチと、全データ電極に共通接続され、電源ラ
インに導くオン・オフスイツチを具備しているから各走
査電極及び各データ電極にそれぞれ接続されたオン・オ
フスイツチは薄膜ELパネルに両極性維持パルスを加え
ることができるとともに、このスイツチは走査電極及び
データ電極をオープン状態にする機能を有していなくて
もよく、従つて第3図及び第4図に示した実施例では、
2n+1+m+2=2n+m+3(個)のトランジスタ
を用いて構成することができる。
これは第2図で考察した回路の場合には3(m+n)(
個)のトランジスタが必要であるのに対して、約半分で
済むことを意味する。このようにトランジスタ数が減少
した分だけ消費電力は低下する。また本発明は書込みパ
ルスを選択絵素点に加えた場合、半選択絵素点に生じる
消去効果の問題を薄膜ELパネルの性質を利用して書込
みパルスの印加タイミングによつて処理し、特別の付属
回路や新たな構成を必要としない。
個)のトランジスタが必要であるのに対して、約半分で
済むことを意味する。このようにトランジスタ数が減少
した分だけ消費電力は低下する。また本発明は書込みパ
ルスを選択絵素点に加えた場合、半選択絵素点に生じる
消去効果の問題を薄膜ELパネルの性質を利用して書込
みパルスの印加タイミングによつて処理し、特別の付属
回路や新たな構成を必要としない。
同様に消去パルスも薄膜ELパネルの性質を利用して消
去パルスの印加タイミングを選び、効果的に加えるので
、効果的な消去が行われ且つ半選択絵素への影響がない
。
去パルスの印加タイミングを選び、効果的に加えるので
、効果的な消去が行われ且つ半選択絵素への影響がない
。
第1図、第2図は本発明の前段階として考えられる薄膜
ELマトリツクスパネルの回路図、第3図は本発明の一
実施例の薄膜EL表示装置の駆動装置の回路図、第4図
A,bは第3図の回路に用いられるスイツチング素子の
回路図、第5図は本発明による動作を説明するタイムチ
ヤート、第6図は選択絵素に書込みパルスが印加された
ときの薄膜EL表示装置の等価回路図、第7図aとbは
それぞれ異なるタイミングで消去パルスを加える場合の
タイムチヤート、第7図cは消去パルス電圧と薄膜EL
表示装置の輝度との関係図、第8図は本発明による一実
施例の動作を説明するタイムチヤートである。 x1〜Xmはデータ電極、Y1〜Ynは走査電極、SX
,〜SXmはデータ側オン・オフスイツチ、SXOはス
イツチ、SYl〜SYnは走査側オン・オフスイツチ、
SYOはスイツチ、Psは維持パルス、Pwは書込みパ
ルス、Peは消去パルス。
ELマトリツクスパネルの回路図、第3図は本発明の一
実施例の薄膜EL表示装置の駆動装置の回路図、第4図
A,bは第3図の回路に用いられるスイツチング素子の
回路図、第5図は本発明による動作を説明するタイムチ
ヤート、第6図は選択絵素に書込みパルスが印加された
ときの薄膜EL表示装置の等価回路図、第7図aとbは
それぞれ異なるタイミングで消去パルスを加える場合の
タイムチヤート、第7図cは消去パルス電圧と薄膜EL
表示装置の輝度との関係図、第8図は本発明による一実
施例の動作を説明するタイムチヤートである。 x1〜Xmはデータ電極、Y1〜Ynは走査電極、SX
,〜SXmはデータ側オン・オフスイツチ、SXOはス
イツチ、SYl〜SYnは走査側オン・オフスイツチ、
SYOはスイツチ、Psは維持パルス、Pwは書込みパ
ルス、Peは消去パルス。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 薄膜EL表示装置にマトリックス状に配置された両
電極の一方を走査電極、他方をデータ電極とし、上記各
走査電極にそれぞれ接続され、電源ラインに接続するオ
ン・オフスイッチと、上記全走査電極に共通接続されア
ースに導くオン・オフスイッチと、上記各データ電極に
それぞれ接続され、アースに導くオン・オフスイッチと
、上記全データ電極に共通接続され、上記電源ラインに
接続するオン・オフスイッチとからなる薄膜EL表示装
置の駆動装置。 2 上記電源ラインに維持電圧、書込み電圧、消去電圧
を切換えて供給するスイッチを接続してなることを特徴
とする前記特許請求の範囲第1項に記載した薄膜EL表
示装置の駆動装置。 3 薄膜EL表示装置にマトリックス状に配置された両
電極の一方を走査電極、他方をデータ電極とし、任意の
選択絵素点に書込み電圧を有するパルスを加える際、そ
の直前の維持パルスと同極性の書込みパルスを加えるよ
うに全走査電極を維持電圧に接続し、全データ電極をア
ースに接続して薄膜EL表示装置に維持パルスを加えた
次に、上記選択絵素を含む走査電極に接続され書込み電
圧を印加するようオン状態にされるスイッチと、上記選
択絵素を含まない走査電極にそれぞれ接続され、オフ状
態にされるスイッチと、上記全走査電極に共通接続され
オフ状態にされるスイッチと、上記選択絵素を含むデー
タ電極に接続されアースに導くようオン状態にされるス
イッチと、上記選択絵素を含まないデータ電極にそれぞ
れ接続されオフ状態にされるスイッチと、上記全データ
電極に共通接続されオフ状態にされるスイッチと、から
なる薄膜EL表示装置の駆動装置。 4 薄膜EL表示装置にマトリックス状に配置された両
電極の一方を走査電極、他方をデータ電極とし、任意の
絵素点に消去電圧を有するパルスを加える際、その直前
の維持パルスと逆極性の消去パルスを加えるように全走
査電極をアースに接続し、全データ電極に維持電圧を接
続して薄膜EL表示装置に維持パルスを加えた次に、上
記選択絵素を含む走査電極に接続され消去電圧を印加す
るようオン状態にされるスイッチと、上記選択絵素を含
まない走査電極にそれぞれ接続され、オフ状態にされる
スイッチと、上記全走査電極に共通接続されオフ状態さ
れるスイッチと、上記選択絵素を含むデータ電極に接続
されアースに導くようオン状態にされるスイッチと、上
記選択絵素を含まないデータ電極にそれぞれ接続されオ
フ状態にされるスイッチと、上記全データ電極に共通接
続されオフ状態にされるスイッチと、からなる薄膜EL
表示装置の駆動装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10651976A JPS5922954B2 (ja) | 1976-09-03 | 1976-09-03 | 薄膜el表示装置の駆動装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10651976A JPS5922954B2 (ja) | 1976-09-03 | 1976-09-03 | 薄膜el表示装置の駆動装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5330891A JPS5330891A (en) | 1978-03-23 |
| JPS5922954B2 true JPS5922954B2 (ja) | 1984-05-30 |
Family
ID=14435643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10651976A Expired JPS5922954B2 (ja) | 1976-09-03 | 1976-09-03 | 薄膜el表示装置の駆動装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5922954B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5722289A (en) * | 1980-07-17 | 1982-02-05 | Fujitsu Ltd | Method of driving matrix display unit |
-
1976
- 1976-09-03 JP JP10651976A patent/JPS5922954B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5330891A (en) | 1978-03-23 |
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