JPS59230666A - 溶射膜形成方法 - Google Patents
溶射膜形成方法Info
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- JPS59230666A JPS59230666A JP58079792A JP7979283A JPS59230666A JP S59230666 A JPS59230666 A JP S59230666A JP 58079792 A JP58079792 A JP 58079792A JP 7979283 A JP7979283 A JP 7979283A JP S59230666 A JPS59230666 A JP S59230666A
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- JP
- Japan
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- sprayed film
- sprayed
- thermal expansion
- difference
- flame sprayed
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- Pending
Links
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Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、基盤材上にセラミックス等を溶則し、その溶
射皮膜の特性、特に電気的特性を利用する場合の皮膜形
成の改善に関づるものである。
射皮膜の特性、特に電気的特性を利用する場合の皮膜形
成の改善に関づるものである。
基盤材上に形成された溶射皮膜は、基盤と溶射皮膜の熱
膨張係数（＝β）の差が大きくとも、皮膜の剥離や亀裂
の発生が起り難い。従って基盤と皮膜のβの差は余り考
處されなかった。例えば、熱定着用ロールの場合には、
アルミ製ロール上に絶縁材どしてＡｌ２Ｏ３・ＭｏＯ溶
射膜を形成し、さらにその上に抵抗体として’Ｔ−！０
２一式を溶射する。このような場合には差によってスｌ
〜レスが加わりセラミックス抵抗体の電気抵抗が大きく
変化するため実用時に支障をぎす等の欠点が示された。
膨張係数（＝β）の差が大きくとも、皮膜の剥離や亀裂
の発生が起り難い。従って基盤と皮膜のβの差は余り考
處されなかった。例えば、熱定着用ロールの場合には、
アルミ製ロール上に絶縁材どしてＡｌ２Ｏ３・ＭｏＯ溶
射膜を形成し、さらにその上に抵抗体として’Ｔ−！０
２一式を溶射する。このような場合には差によってスｌ
〜レスが加わりセラミックス抵抗体の電気抵抗が大きく
変化するため実用時に支障をぎす等の欠点が示された。
本発明は、上述の従来技術の問題点を改善することによ
って、品質の安定した溶射皮膜を提供しようとするもの
である。
って、品質の安定した溶射皮膜を提供しようとするもの
である。
溶射皮膜の電気特性が影響を受（プない範囲の基ＩＩ、
１と皮ｎ分のβ差を調べ、この範囲になるよう材料のβ
を選択する。
１と皮ｎ分のβ差を調べ、この範囲になるよう材料のβ
を選択する。
アルミ基盤上にＡｌ２Ｏ３，その上にさらにＴｉ０２−
ｘ ｉ８ 割膜を形成した。本サンプルを急熱して４０
０℃とし１時間保持した後、室温で放冷し室温にお【プ
る比抵抗（ρ）を測定した。基盤として熱膨張係数βが
小さいチタン合金を柄らび、これにΔ１２０３どＴ！０
２−、ｘ溶射膜を形成し、上記と同様の加熱処理を施し
た。結果は第１表の通りである。
ｘ ｉ８ 割膜を形成した。本サンプルを急熱して４０
０℃とし１時間保持した後、室温で放冷し室温にお【プ
る比抵抗（ρ）を測定した。基盤として熱膨張係数βが
小さいチタン合金を柄らび、これにΔ１２０３どＴ！０
２−、ｘ溶射膜を形成し、上記と同様の加熱処理を施し
た。結果は第１表の通りである。
第 １ 表
このＪ：うにβの差が小さいと急熱、急冷時にβの差に
よって、もたらされるストレスが小さく、Ｔｉ０２−ｘ
溶射抵抗１．ｊの抵抗変化が抑えられる。
よって、もたらされるストレスが小さく、Ｔｉ０２−ｘ
溶射抵抗１．ｊの抵抗変化が抑えられる。
各種の基盤と溶射膜のβ差を検討すると、第１図に示す
ようにβ差が小ざい方の、βの４０％以下であれば、溶
射抵抗体膜の抵抗変化率（４００℃Ｘ１ｈの加熱処理後
の室温での比較）が零に抑えられる。
ようにβ差が小ざい方の、βの４０％以下であれば、溶
射抵抗体膜の抵抗変化率（４００℃Ｘ１ｈの加熱処理後
の室温での比較）が零に抑えられる。
第１図のＡは大きい方のβの小さいｈのβに対する割合
、Ｂは抵抗体溶射膜の抵抗体溶射膜の抵抗率の変化率を
示づ。
、Ｂは抵抗体溶射膜の抵抗体溶射膜の抵抗率の変化率を
示づ。
本発明によって、加熱処理による溶射被膜の特性変化防
止が可能となった。これにより溶射被膜の実用化が大き
く前進した。
止が可能となった。これにより溶射被膜の実用化が大き
く前進した。
第１図は基盤材と溶剛抵抗膜の熱膨張係数と抵抗体の抵
抗率変化を示す図である。 Ａ：大きい方のβと小さい方のβどの割合Ｂ：抵抗体の
抵抗率変化率 第 ７ 図 Ａ （勿 手続ネ山、１［二書 ５８８ １８ 昭和 年 月 日 特許庁審査宮殿 事件の表示 昭和５８年 特許願 第７９７９２号 発明の名称 溶射膜形成方法 補正をする者 事件との関１系 １）ｒ［出願人 住所 東京都千代田区丸）内二丁目１ Ｍ ２号名称
（５０８）日立金屈株式会社 電話 東京０３−２８４−４６４２ 明２ＩＩ１店の「発明の詳細な説明」のｌｌｉ！ｌ。 補正の内容
抗率変化を示す図である。 Ａ：大きい方のβと小さい方のβどの割合Ｂ：抵抗体の
抵抗率変化率 第 ７ 図 Ａ （勿 手続ネ山、１［二書 ５８８ １８ 昭和 年 月 日 特許庁審査宮殿 事件の表示 昭和５８年 特許願 第７９７９２号 発明の名称 溶射膜形成方法 補正をする者 事件との関１系 １）ｒ［出願人 住所 東京都千代田区丸）内二丁目１ Ｍ ２号名称
（５０８）日立金屈株式会社 電話 東京０３−２８４−４６４２ 明２ＩＩ１店の「発明の詳細な説明」のｌｌｉ！ｌ。 補正の内容
Claims (1)
- １．基盤材の上に溶射皮膜を形成する方法において、基
盤材と溶射皮膜の熱膨張係数の差を小さくすることを特
徴とする溶射膜形成方法。 ２、特許請求の範囲第１項において、溶射皮膜をプラズ
マ溶射皮膜とすることを特徴とする溶射膜形成方法。 ３、特許請求の範囲第１項において、基盤材と溶射皮膜
の熱膨張係数の差が小さい方の熱膨張係数の４０％以下
であることを特徴とする溶射膜形成方法。 ４、特許請求の範囲第１項において、基盤材を金属、溶
射皮膜をセラミックス溶射皮膜とすることを特徴とする
溶射膜形成方法。 ５、特許請求の範囲第４項において、熱膨張係数の差が
小さい方の熱膨張係数の４０％以下であることを特徴と
する溶射膜形成方法。 ６、特許請求の範囲第１項において、基盤材の熱膨張係
数が１０×１０−６／℃以下の材料、溶射皮膜がセラミ
ックスかサーメットであることを特徴とする溶射膜形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58079792A JPS59230666A (ja) | 1983-05-07 | 1983-05-07 | 溶射膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58079792A JPS59230666A (ja) | 1983-05-07 | 1983-05-07 | 溶射膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59230666A true JPS59230666A (ja) | 1984-12-25 |
Family
ID=13700060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58079792A Pending JPS59230666A (ja) | 1983-05-07 | 1983-05-07 | 溶射膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59230666A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03264659A (ja) * | 1990-03-13 | 1991-11-25 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | 表面改質セラミックス及びその製造方法 |
| CN111593287A (zh) * | 2020-05-29 | 2020-08-28 | 深圳市万泽中南研究院有限公司 | 一种超声速等离子喷涂形成陶瓷型芯氧化铝涂层的方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5354214A (en) * | 1976-10-27 | 1978-05-17 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Ceramics coating method |
-
1983
- 1983-05-07 JP JP58079792A patent/JPS59230666A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5354214A (en) * | 1976-10-27 | 1978-05-17 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Ceramics coating method |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03264659A (ja) * | 1990-03-13 | 1991-11-25 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | 表面改質セラミックス及びその製造方法 |
| CN111593287A (zh) * | 2020-05-29 | 2020-08-28 | 深圳市万泽中南研究院有限公司 | 一种超声速等离子喷涂形成陶瓷型芯氧化铝涂层的方法 |
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