JPS5923263A - 電力検出器 - Google Patents
電力検出器Info
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- JPS5923263A JPS5923263A JP13204682A JP13204682A JPS5923263A JP S5923263 A JPS5923263 A JP S5923263A JP 13204682 A JP13204682 A JP 13204682A JP 13204682 A JP13204682 A JP 13204682A JP S5923263 A JPS5923263 A JP S5923263A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R21/00—Arrangements for measuring electric power or power factor
- G01R21/01—Arrangements for measuring electric power or power factor in circuits having distributed constants
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、傍熱形の検出素子を用いた電力検出器に関
する。従来、高周波電力を抵抗体に吸収させ、その発熱
で熱電対の接合部を加熱し、熱起電力を得るようにした
傍熱形の検出素子として第１図に示すものがあった。ま
だ、第２図はこの検出素子を用いた電力検出器の構造図
である０第１図において、誘電体基板１の一方の而１ａ
にはＮｉＣｒ抵抗体２、同軸線路の内部導体３に接続す
る円形のＡｕまだｌ１１−１Ａ、でなる内部電極４およ
びそれを囲むように外部導体５に接続する円形のＡｕま
たはＡｇでなる外部電極６がそれぞれ瀕膜で形成されて
いる。また、誘電体基板１の他方の面１ｂＫは一方の而
１ａに形成したものと同一形状のＡｕ ’ＪたはＡｇで
なる内部電極７およびＡｕまたはＡｇでなる外部電極８
とＮｉＣｒ抵抗体２の発熱部分にその接合部が来るよう
に山−８ｂ熱電対９．１０が直列接続で形成されている
。
する。従来、高周波電力を抵抗体に吸収させ、その発熱
で熱電対の接合部を加熱し、熱起電力を得るようにした
傍熱形の検出素子として第１図に示すものがあった。ま
だ、第２図はこの検出素子を用いた電力検出器の構造図
である０第１図において、誘電体基板１の一方の而１ａ
にはＮｉＣｒ抵抗体２、同軸線路の内部導体３に接続す
る円形のＡｕまだｌ１１−１Ａ、でなる内部電極４およ
びそれを囲むように外部導体５に接続する円形のＡｕま
たはＡｇでなる外部電極６がそれぞれ瀕膜で形成されて
いる。また、誘電体基板１の他方の面１ｂＫは一方の而
１ａに形成したものと同一形状のＡｕ ’ＪたはＡｇで
なる内部電極７およびＡｕまたはＡｇでなる外部電極８
とＮｉＣｒ抵抗体２の発熱部分にその接合部が来るよう
に山−８ｂ熱電対９．１０が直列接続で形成されている
。
ここで、内部電極７および外部電極８とＢＩ薄膜９ａ、
１０ａ捷たはｓｂ薄膜９ｂ、１０ｂが接合する部分は冷
接点である。才だ、１３１薄！Ｉ＠９ａ、１０ａとｓｂ
ルリ膜９ｂ、Ｈｌｂ の接合部分は温接点である。第３
１ゾ１は第２図の電力検出器の等価回路を示す。この等
価回路かられかるように、この電力検出器は集中定数形
になっており、尚周波帯域になると入出力端の抵抗には
−ｎ ＩＪアクタンス成分が直列接続される、１だ、人
出力の抵抗間の浮遊す軸の影響か友きくなる。したがっ
て、このリアクタンス分り／ζめにＰ 、１＞が兜「シ
〈周波数ＱｉＦ’Ｉ！ｌＥ １．ｉ、 ＪＪＣ−１０（
ｊｌｌｚ程＋）Ｊ二ｔ、か改善−さＪｌす、それ以−ヒ
の面周（ルでは周波し・（特注が悪化するｔＶ因になつ
でいる、このり−アクタンス成分を小きくするために検
出素子の彫状をより小さくすれにＪ゛よいが、小形にす
るにも製造上田ψ（１であった。
１０ａ捷たはｓｂ薄膜９ｂ、１０ｂが接合する部分は冷
接点である。才だ、１３１薄！Ｉ＠９ａ、１０ａとｓｂ
ルリ膜９ｂ、Ｈｌｂ の接合部分は温接点である。第３
１ゾ１は第２図の電力検出器の等価回路を示す。この等
価回路かられかるように、この電力検出器は集中定数形
になっており、尚周波帯域になると入出力端の抵抗には
−ｎ ＩＪアクタンス成分が直列接続される、１だ、人
出力の抵抗間の浮遊す軸の影響か友きくなる。したがっ
て、このリアクタンス分り／ζめにＰ 、１＞が兜「シ
〈周波数ＱｉＦ’Ｉ！ｌＥ １．ｉ、 ＪＪＣ−１０（
ｊｌｌｚ程＋）Ｊ二ｔ、か改善−さＪｌす、それ以−ヒ
の面周（ルでは周波し・（特注が悪化するｔＶ因になつ
でいる、このり−アクタンス成分を小きくするために検
出素子の彫状をより小さくすれにＪ゛よいが、小形にす
るにも製造上田ψ（１であった。
この究明ｄ１、以」−の問題にかんがみてなされたイ、
ので、市周波７１゛１性を良ぐするだめに、前： ′ｒ
ｌｊ体基（ノ４と該肪１１主体基板の中心刺）に対し−
Ｃｊ９ｉ定の第１−の］［１１噛をもってトノ、（仇の
一〕ｊの平面に形成された２個の外ｔ！ＩＩ ’ｒｉｂ
’、伜と該両夕目都ａ、 ：ｆｌ川に形成された前記、
′Ａ〜ｌの１１１１隔より狭い所定の幅をイ］する内部
電極と該内部電極および前記両外部′ｖ４．極を橋絡す
るようにそれらの電極の端部に接触させて形成された抵
抗体と２種類の薄膜金属部分を接合（７前記銹電休基板
を介して該抵抗体と対向する位置に有するとともに前記
内部電極の一端と所定の第２の間隔をもってその接合部
分が来るようにし前記誘電体基板の一万の平面と反対側
の他方の平面に形成された熱電対とを有する検出素子と
、該検出素子をその内部に配置する中空の外部導体とを
倫えることにより、分布定数形減肢器の構造にした電力
検出器を提供するものである。
ので、市周波７１゛１性を良ぐするだめに、前： ′ｒ
ｌｊ体基（ノ４と該肪１１主体基板の中心刺）に対し−
Ｃｊ９ｉ定の第１−の］［１１噛をもってトノ、（仇の
一〕ｊの平面に形成された２個の外ｔ！ＩＩ ’ｒｉｂ
’、伜と該両夕目都ａ、 ：ｆｌ川に形成された前記、
′Ａ〜ｌの１１１１隔より狭い所定の幅をイ］する内部
電極と該内部電極および前記両外部′ｖ４．極を橋絡す
るようにそれらの電極の端部に接触させて形成された抵
抗体と２種類の薄膜金属部分を接合（７前記銹電休基板
を介して該抵抗体と対向する位置に有するとともに前記
内部電極の一端と所定の第２の間隔をもってその接合部
分が来るようにし前記誘電体基板の一万の平面と反対側
の他方の平面に形成された熱電対とを有する検出素子と
、該検出素子をその内部に配置する中空の外部導体とを
倫えることにより、分布定数形減肢器の構造にした電力
検出器を提供するものである。
以下、この発明を実施例にもとついて説明する〇第４図
はこの発明に用いられる検出素子の一実施例ゲ示ずｏ−
！た、第５図は第４図の検出素子音用いた本発明の一実
施例である。第４図において、誘電体基板１１はマイカ
、ポリイミドフィルムなどを基材とする。外部′肛怜１
２．１３はＡｕ、Ａｇ などの金属で構成され、誘電
体基板１１の中心軸さ １１ａに対し、それぞれの一方の側か長′：８Ａたけ間
隔１）ｔもって対向するようにし、寸たそれぞれの他／
ｊの１１１１Ｉｄ一体になって誘電体幕板１１０表面１
１］）に形成されている。内部市、（傘Ｊ４はＡ。、Ａ
ｇなとの金属で構成され、外部電、極１２．１゛３の間
に陵さａ（＜ Ａ、 ）だけ幅（１（＜ Ｄ Ｊをもっ
て形成されている。
はこの発明に用いられる検出素子の一実施例ゲ示ずｏ−
！た、第５図は第４図の検出素子音用いた本発明の一実
施例である。第４図において、誘電体基板１１はマイカ
、ポリイミドフィルムなどを基材とする。外部′肛怜１
２．１３はＡｕ、Ａｇ などの金属で構成され、誘電
体基板１１の中心軸さ １１ａに対し、それぞれの一方の側か長′：８Ａたけ間
隔１）ｔもって対向するようにし、寸たそれぞれの他／
ｊの１１１１Ｉｄ一体になって誘電体幕板１１０表面１
１］）に形成されている。内部市、（傘Ｊ４はＡ。、Ａ
ｇなとの金属で構成され、外部電、極１２．１゛３の間
に陵さａ（＜ Ａ、 ）だけ幅（１（＜ Ｄ Ｊをもっ
て形成されている。
ここで、（１、Ｄは同軸線路の特性インピーダンスに合
わせて決定される。抵抗体１５はＩＮ ｉ Ｃｒ、Ｔａ
２１Ｎなどで構成きれ、外部電極１２．１３および内部
ｒＩ−ｉ、啄１４を橋絡するように両電極の端部に接触
させて形成されている。この構造により抵抗体部分は分
イｉ ′７．．ｆ数形の減状器となり入射してきだ高周
波市、力を吸収することができる。熱電対１６Ｉ」、１
３１．８ｂなどの薄膜金属部分を一接合して構成され、
誘７１１体基板１１’（ｒ−介して抵抗体１５と対向す
る１〜″Ｌ置に治る。しかも、内部電極Ｊ４の一端から
１）１１隔ｌをもってその接合す１１５分１６ａが来る
ように誘「ｌ：体基也１１の黒面１１（に形成されてい
る。
わせて決定される。抵抗体１５はＩＮ ｉ Ｃｒ、Ｔａ
２１Ｎなどで構成きれ、外部電極１２．１３および内部
ｒＩ−ｉ、啄１４を橋絡するように両電極の端部に接触
させて形成されている。この構造により抵抗体部分は分
イｉ ′７．．ｆ数形の減状器となり入射してきだ高周
波市、力を吸収することができる。熱電対１６Ｉ」、１
３１．８ｂなどの薄膜金属部分を一接合して構成され、
誘７１１体基板１１’（ｒ−介して抵抗体１５と対向す
る１〜″Ｌ置に治る。しかも、内部電極Ｊ４の一端から
１）１１隔ｌをもってその接合す１１５分１６ａが来る
ように誘「ｌ：体基也１１の黒面１１（に形成されてい
る。
ここで、ｔは面ｊＮ波入力の大きさに合わせて決定され
る。こうして、検出素子１７１ｄ誘′屯体基板１１、夕
日＜１５市１愼１２．１３、内部電極１４、抵抗体１５
および熱電対１６で構成される。才だ、第５図において
、１８は中空の外部導体で、内部に検出素子１７が配置
されている。］９目、入力ｊｉｌｌの同軸コネクタでそ
の一端は（ラミ出素子１７の内部電極１４に接続されて
いる。２０．２１は出力端子でそれぞれの一端は熱′電
対１６のＢ１ 薄膜金属部分とＳｂ薄膜金属部分に接
続されている。第６図は第５図のＴｂ、力検出器の等価
回路を示す。この等価回路かられかるように本発明の０
１力検出器は分布定数形の減衰器になっているので、人
力抵抗（Ｃは誘導リアクタンス成分を有することがな〈
従来の集中定数形にくらべ整合が容易になり、かつ、ま
た鼻面の熱′電対１６との浮遊容輔による反射は減衰さ
れるので影響が少なくなり、周波数特性は改善される。
る。こうして、検出素子１７１ｄ誘′屯体基板１１、夕
日＜１５市１愼１２．１３、内部電極１４、抵抗体１５
および熱電対１６で構成される。才だ、第５図において
、１８は中空の外部導体で、内部に検出素子１７が配置
されている。］９目、入力ｊｉｌｌの同軸コネクタでそ
の一端は（ラミ出素子１７の内部電極１４に接続されて
いる。２０．２１は出力端子でそれぞれの一端は熱′電
対１６のＢ１ 薄膜金属部分とＳｂ薄膜金属部分に接
続されている。第６図は第５図のＴｂ、力検出器の等価
回路を示す。この等価回路かられかるように本発明の０
１力検出器は分布定数形の減衰器になっているので、人
力抵抗（Ｃは誘導リアクタンス成分を有することがな〈
従来の集中定数形にくらべ整合が容易になり、かつ、ま
た鼻面の熱′電対１６との浮遊容輔による反射は減衰さ
れるので影響が少なくなり、周波数特性は改善される。
第７図は第２図および第５図の電力検出器の周波数特性
を示す実験データであって、本発明のものは従来のもの
と比較して周波数特性がさらに約１０ （ｊｌ−１ｚ改
善されていることがわかる。
を示す実験データであって、本発明のものは従来のもの
と比較して周波数特性がさらに約１０ （ｊｌ−１ｚ改
善されていることがわかる。
（ＶＳＷＲ＝ １．４において） なお、第４図の２個
の外部電極はその一端が一体になっているが他端と同一
の間隔をもって別個独立に形成されてもよい。また、前
記実Ｍｏ例の熱電対は１対のみで構成さＩしているが、
検出感興を−Ｉ―けるために複数対を・重列接続しても
よい。
の外部電極はその一端が一体になっているが他端と同一
の間隔をもって別個独立に形成されてもよい。また、前
記実Ｍｏ例の熱電対は１対のみで構成さＩしているが、
検出感興を−Ｉ―けるために複数対を・重列接続しても
よい。
Ｌ、Ｊ 、、、）、 説明したように、この発明は分布
定数形の回路１！ｌ’ｉ成を不するような構造ゲもっだ
高置θり電力を］染出する／辷めの十全出素子を中苧の
外ｆ％導体の内部に配）′１″、１′、するようにした
ので、入力端１１１］の整合が容易になり、高置ｒＢ；
−ｒ侍性が著し、〈改官さｆする。丑だ、′検出素子の
＋：’ｉ造が比、Ｍ９的ＪＦＩ純にな−っているので製
造が容易であるなどの効果を・有する。
定数形の回路１！ｌ’ｉ成を不するような構造ゲもっだ
高置θり電力を］染出する／辷めの十全出素子を中苧の
外ｆ％導体の内部に配）′１″、１′、するようにした
ので、入力端１１１］の整合が容易になり、高置ｒＢ；
−ｒ侍性が著し、〈改官さｆする。丑だ、′検出素子の
＋：’ｉ造が比、Ｍ９的ＪＦＩ純にな−っているので製
造が容易であるなどの効果を・有する。
２６１図はｒノＣ来の検出素−子をｙ」＜Ｌ （ン１）
は佇面図、（）））はに］）のＡ−八′ 断面図である
、第２図は従来のｉｉＴ、力、検出器を７Ｊｅず、・Ｉ
５３図シ、１−第２図の等１曲回路を示す、第４図はこ
の発明に用いしれる検出素子の一実施例ケ示しくａ）は
平面図、（ｂ） ｋＪ、 に＋１の１−５− Ｂ’
ｌｌｊ白Ｂ１図である、第５図は第４図の検出素ｆ分１
月い／で本発明の一実朔例をノｉ＋ −ｔ 、第６図は
第５図の等価回路を示す、第７図は周波数特性を示す実
験データである。１１は誘電体基板、１２．１３は外部
電極、１４は内部′ｒ１）５（愼、１５は抵抗体。 １６は熱電対、１７は検出素子、１８は夕ｉ部導体。 １９は四囲１コネクタ、２０．２１は出力端子を示す０ 特ｌ［出願人 安立電気株式会社 ＜〔（−、−１ 第２図 々
は佇面図、（）））はに］）のＡ−八′ 断面図である
、第２図は従来のｉｉＴ、力、検出器を７Ｊｅず、・Ｉ
５３図シ、１−第２図の等１曲回路を示す、第４図はこ
の発明に用いしれる検出素子の一実施例ケ示しくａ）は
平面図、（ｂ） ｋＪ、 に＋１の１−５− Ｂ’
ｌｌｊ白Ｂ１図である、第５図は第４図の検出素ｆ分１
月い／で本発明の一実朔例をノｉ＋ −ｔ 、第６図は
第５図の等価回路を示す、第７図は周波数特性を示す実
験データである。１１は誘電体基板、１２．１３は外部
電極、１４は内部′ｒ１）５（愼、１５は抵抗体。 １６は熱電対、１７は検出素子、１８は夕ｉ部導体。 １９は四囲１コネクタ、２０．２１は出力端子を示す０ 特ｌ［出願人 安立電気株式会社 ＜〔（−、−１ 第２図 々
Claims (1)
- 誘電体基板と、核誘電体基板の中心軸に対して所定の第
１の間隔をもって該基板の一方の平面に形成された２個
の外部電極と、該内外部′電極間に形成さｈだ前記ＦＯ
Ａ１の間隔より狭い所定の幅を有する内部電極と、該内
部゛電極ちまひ前記内外部電極を橋絡するようにそれら
の電極の端部に接触さすで形成さ第１た抵抗体と、２セ
Ｉ＋知の薄膜金属制料ケ斑合し、１１（■自シ誘由、体
基板を介して該抵抗体と対向する位置（ｚ＜有するとど
もにＮ！Ｉ ｉｔ’：内部′市・陰の一端と７９１定の
第２の間隔をもってその接合部分が来る」、うにし、１
１す記誘′亀体基根の電力の平面と反対側の他方の平１
１１１に形成されだ熱電対とを有する検出、木イーと；
該検出素子をその内部に配置直するだめの中空の外玲畳
鮮体と全備えた′目を力検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13204682A JPS5923263A (ja) | 1982-07-30 | 1982-07-30 | 電力検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13204682A JPS5923263A (ja) | 1982-07-30 | 1982-07-30 | 電力検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5923263A true JPS5923263A (ja) | 1984-02-06 |
Family
ID=15072245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13204682A Pending JPS5923263A (ja) | 1982-07-30 | 1982-07-30 | 電力検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5923263A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6162875A (ja) * | 1984-09-04 | 1986-03-31 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | 傍熱型電力センサ− |
| US4963195A (en) * | 1986-10-24 | 1990-10-16 | Anritsu Corporation | Electric resistor and a power detector both comprising a thin film conductor |
-
1982
- 1982-07-30 JP JP13204682A patent/JPS5923263A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6162875A (ja) * | 1984-09-04 | 1986-03-31 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | 傍熱型電力センサ− |
| US4963195A (en) * | 1986-10-24 | 1990-10-16 | Anritsu Corporation | Electric resistor and a power detector both comprising a thin film conductor |
| US5102470A (en) * | 1986-10-24 | 1992-04-07 | Anritsu Corporation | Electric resistor having a thin film conductor |
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