JPH0333054Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0333054Y2 JPH0333054Y2 JP1985003275U JP327585U JPH0333054Y2 JP H0333054 Y2 JPH0333054 Y2 JP H0333054Y2 JP 1985003275 U JP1985003275 U JP 1985003275U JP 327585 U JP327585 U JP 327585U JP H0333054 Y2 JPH0333054 Y2 JP H0333054Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- electrodes
- dielectric
- external
- ceramic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この考案は、各種の電子回路に用いる積層型の
チツプコンデンサに関するものである。
チツプコンデンサに関するものである。
〈従来の技術〉
従来の積層型のチツプコンデンサは、第4図に
示すようにセラミツク等の誘電体1の両端に外部
電極2,3を設け、この両外部電極に接続される
内部電極4,5を該誘電体内1に交互に埋めこん
だものである。
示すようにセラミツク等の誘電体1の両端に外部
電極2,3を設け、この両外部電極に接続される
内部電極4,5を該誘電体内1に交互に埋めこん
だものである。
〈考案が解決しようとする問題点〉
上記のような従来の積層型チツプコンデンサに
おいては、容量用の内部電極4,5は全て誘電体
1内に埋め込まれているので、製造に際して該各
内部電極4,5を誘電体1となるセラミツクとと
もに焼成しなければならない。従つて内部電極
4,5として耐熱性金属、例えばパラジウムのよ
うなものを用いる必要があるが、このような耐熱
性の金属は高価であり、又、高周波領域で使用す
る場合、電気伝導性がかなり悪く、高周波回路に
用いると電気抵抗による損失が大きいという問題
がある。
おいては、容量用の内部電極4,5は全て誘電体
1内に埋め込まれているので、製造に際して該各
内部電極4,5を誘電体1となるセラミツクとと
もに焼成しなければならない。従つて内部電極
4,5として耐熱性金属、例えばパラジウムのよ
うなものを用いる必要があるが、このような耐熱
性の金属は高価であり、又、高周波領域で使用す
る場合、電気伝導性がかなり悪く、高周波回路に
用いると電気抵抗による損失が大きいという問題
がある。
〈問題点を解決するための手段〉
この考案は上記のような問題点を解決するため
になされたもので、積層型のチツプコンデンサに
おいて、誘電体内に埋めこむ複数枚の内部電極を
一方の電極のみとし、これに対向する他方の電極
はセラミツク焼成後に付与される外部電極のみと
し、この外部電極は5×10-8Ωm以下の高導電率
材料とし、該外部電極と連なる側面電極を設けた
ものである。
になされたもので、積層型のチツプコンデンサに
おいて、誘電体内に埋めこむ複数枚の内部電極を
一方の電極のみとし、これに対向する他方の電極
はセラミツク焼成後に付与される外部電極のみと
し、この外部電極は5×10-8Ωm以下の高導電率
材料とし、該外部電極と連なる側面電極を設けた
ものである。
〈実施例〉
第1図ないし第3図はこの考案の実施例を示す
もので、11はセラミツクからなる誘電体で、第
1図の場合のその内部に2枚の内部電極12を埋
設する。
もので、11はセラミツクからなる誘電体で、第
1図の場合のその内部に2枚の内部電極12を埋
設する。
その方法は公知の方法を用いるが、誘電体11
となるセラミツクを焼成する際には既に内部電極
12はセラミツク内に埋め込んであるから該電極
の材料としてはパラジウム、プラチナ等のような
高融点金属を用いなければならない。
となるセラミツクを焼成する際には既に内部電極
12はセラミツク内に埋め込んであるから該電極
の材料としてはパラジウム、プラチナ等のような
高融点金属を用いなければならない。
13,14は外部電極であつて、一方の外部電
極13は誘電体11の表裏に広く塗布して、この
表裏の外部電極13と内部電極12間の静電容量
をもたせる。又、他方の外部電極14は短いもの
として、この外部電極14には前記内部電極12
を接続する。
極13は誘電体11の表裏に広く塗布して、この
表裏の外部電極13と内部電極12間の静電容量
をもたせる。又、他方の外部電極14は短いもの
として、この外部電極14には前記内部電極12
を接続する。
これら外部電極13,14の材料はセラミツク
の焼成後に付与すればよいので銀又は銅あるいは
アルミニウムのような導電率の高い(5×
10-8Ωm以下)金属を用いることができる。
の焼成後に付与すればよいので銀又は銅あるいは
アルミニウムのような導電率の高い(5×
10-8Ωm以下)金属を用いることができる。
第1図の実施例は内部電極12が2枚となつて
いるが、第2図の場合は4枚となつている。
いるが、第2図の場合は4枚となつている。
このように内部電極の枚数を増加し、かつ、こ
の各内部電極12を外部電極14に並列に接続す
ると個々の内部電極12の抵抗値が高い場合でも
内部電極12全体としての抵抗値を下げることが
できる。
の各内部電極12を外部電極14に並列に接続す
ると個々の内部電極12の抵抗値が高い場合でも
内部電極12全体としての抵抗値を下げることが
できる。
また、第3図は、この考案の斜視図であり、表
裏に設けた外部電極13を側面の電極15でつな
いでおり、これにより残留インダクタンスを小さ
くすることができる。
裏に設けた外部電極13を側面の電極15でつな
いでおり、これにより残留インダクタンスを小さ
くすることができる。
〈効果〉
この考案は上記のように誘電体内に埋め込む内
部電極を一方の電極のみで複数枚とし、これに対
向する他方の電極はセラミツク焼成後に付与され
る外部電極のみとし、この外部電極は5×
10-8Ωm以下の例えば銀または銅あるいはアルミ
ニウムのような導電率の高い材料とし、更に外部
電極と連なる側面電極を設けたものであるから、
従来の内部電極間で静電容量を得るものに比較し
て等価直列抵抗の極めて小さいチツプコンデンサ
が得られる。
部電極を一方の電極のみで複数枚とし、これに対
向する他方の電極はセラミツク焼成後に付与され
る外部電極のみとし、この外部電極は5×
10-8Ωm以下の例えば銀または銅あるいはアルミ
ニウムのような導電率の高い材料とし、更に外部
電極と連なる側面電極を設けたものであるから、
従来の内部電極間で静電容量を得るものに比較し
て等価直列抵抗の極めて小さいチツプコンデンサ
が得られる。
従つて、このコンデンサを共振回路に用いると
回路のQがあがり回路のゲインを上げることがで
きる。
回路のQがあがり回路のゲインを上げることがで
きる。
又、パスコンとして用いた場合は、大きな挿入
損失が得られる。
損失が得られる。
更にまた、残留インダクタンスを小さくするこ
とによりコンデンサの自己共振周波数が高くなり
コンデンサの高域使用限界を広げることができる
等の効果がある。
とによりコンデンサの自己共振周波数が高くなり
コンデンサの高域使用限界を広げることができる
等の効果がある。
第1図ないし第2図はこの考案のチツプコンデ
ンサの各実施例を示す縦断面図、第3図は実施例
の斜視図、第4図は従来のチツプコンデンサの縦
断側面図である。 11……誘電体、12……内部電極、13,1
4……外部電極、15……側面電極。
ンサの各実施例を示す縦断面図、第3図は実施例
の斜視図、第4図は従来のチツプコンデンサの縦
断側面図である。 11……誘電体、12……内部電極、13,1
4……外部電極、15……側面電極。
Claims (1)
- 積層型のチツプコンデンサにおいて、誘電体内
に埋めこむ複数枚の内部電極を一方の電極のみと
し、これに対向する他方の電極はセラミツク焼成
後に付与される外部電極のみとし、この外部電極
は5×10-8Ωm以下の高導電率材料とし、該外部
電極と連なる側面電極を設けたことを特徴とする
チツプコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985003275U JPH0333054Y2 (ja) | 1985-01-14 | 1985-01-14 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985003275U JPH0333054Y2 (ja) | 1985-01-14 | 1985-01-14 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61119332U JPS61119332U (ja) | 1986-07-28 |
| JPH0333054Y2 true JPH0333054Y2 (ja) | 1991-07-12 |
Family
ID=30477750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985003275U Expired JPH0333054Y2 (ja) | 1985-01-14 | 1985-01-14 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0333054Y2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS629704Y2 (ja) * | 1979-05-31 | 1987-03-06 | ||
| JPS56118324A (en) * | 1980-02-21 | 1981-09-17 | Tdk Electronics Co Ltd | Condenser |
| JPS59143032U (ja) * | 1983-03-14 | 1984-09-25 | 日本電気ホームエレクトロニクス株式会社 | セラミツクコンデンサ |
-
1985
- 1985-01-14 JP JP1985003275U patent/JPH0333054Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61119332U (ja) | 1986-07-28 |
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