JPS5923572A - 太陽電池 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は従来利用されていなかった長い波長の光をも
利用できる効率のよい太ｉｔ池を提供せんとする。

従前の太ｒ＃電池は、第１図の如く例えば４００ミクロ
ン厚前後のＮ型層（またはＰ型層）Ｉ２）の表面に１ミ
クロン厚膜度のＰ型層（Ｐ型層に対してはＮ型層）（１
）を形成してＰ−Ｎ接合を形成し両層間に起電力を発生
せしめるものであって、表面より直射される太陽光によ
り起電力を発生させるものであったが、発電に寄与する
太陽光線は波長が７０００〜８００ｏＸ以下の所謂短い
波長のもののみであって、波長が７０００〜８０００Ａ
以上の長い波長の光は透過してしまって起電力発生に寄
与しないものであった。

この発明は上記欠点を除去せんとするものであるＯ 以下この発明を第２図図示例に基づいて説明する。

（２１は４００ミクロン厚前後のＮ型層であり、その表
面及び裏面の双方に岸さ１ミクロン厚膜度Ｐ型層ｆｉｌ
を形成せる・ Ｇ（１は裏面のＮ型１！！（２）の両側端部にスポット
的に形成されたオーミックコンタクトをとるためのＮ層
であり、リード線（５）により並列接続され負電極とさ
れている。

（４）は表面及び裏面のＰ型層（１）の表面に取着され
た電極であり、リード線β）により並列接続され電極と
されている。

而してこの発明による太陽電池の一方の側から太陽光線
が入射する場合、表面側のＰ−Ｎ接合部において短い波
長の光が起電力の形成に寄与し。

該部分を透過していく長い波長の光は裏面側のＰ・Ｎ接
合において起電力の形成に寄与する。

即ち短い波長の太陽光線により、表面側（受光面側）の
Ｐ、Ｎ接合部で、電子・正孔の対が発生し、正孔は受光
面に近い側のＰ層（１）に集められ、を子は下部のＮ中
層（３）に集められる。

また長い波長の太陽光線により、深い位置のＰ・Ｎ接合
で、電子・正孔の対が発生し、正孔は下部のＰ　１ｍ　
（１１に集められ、電子は下部のＮ中層（３）に集めら
れる。このようにしてＰＩＷ（１）とＮ　Ｉ６　（２）
間に起１．力か発生する。

以上のようにしてこの発明による太陽電池では、短い波
長から長い波長までのすべての太陽光線か有効に起電力
の形成に寄与するのである。

尚、上記実施例においては、Ｎ型層をベースとしてその
表裏にＰ型層の薄層を形成しているが、従来の太陽宵、
池においていずれの層をベースとしてもよかったのと同
様、逆にＰ型層をベースとしその表裏にＮ型層のＮ１−
を形成してもよいものである。

【図面の簡単な説明】

ｉ８１図は従来例を示す概略断面図、第２図はこの発明
の一実施例を示す概略断面図である。 特許出願人 松下電工株式会社 代理人弁理士　竹　元　敏　丸 （ほか２名）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）Ｎ型層またはＰ型層の厚膜の表面及び裏面に厚膜
   とは異層であるＮ型層またはＰ型層の薄膜を形成し両層
   間に起電力を発生せしめることを特徴とする太＃Ｊｔ池
   。