JPS5923676A - 撮像機構 - Google Patents
撮像機構Info
- Publication number
- JPS5923676A JPS5923676A JP57133041A JP13304182A JPS5923676A JP S5923676 A JPS5923676 A JP S5923676A JP 57133041 A JP57133041 A JP 57133041A JP 13304182 A JP13304182 A JP 13304182A JP S5923676 A JPS5923676 A JP S5923676A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- image pickup
- output
- plate
- solid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/48—Increasing resolution by shifting the sensor relative to the scene
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、固体撮像素子を用いる静止画記録用のビデオ
カメラに採用する撮像機構に関する。
カメラに採用する撮像機構に関する。
ビデオカメラの撮像手段としては、固体撮像素子と撮像
管とがあるが、前者は後者に比し、コンパクト且つ省電
力であり、残像現象もない等多くの利点がある。しかし
、この固体撮像素子中は、第1図にも図示する様にその
撮像面を縦横基盤の目状の多数の光電変換画素(1ビ)
・・・1こて形成して詔り、各光電変換画素(111!
: )・・・を隔てる格子状の空隙には信号伝送路(図
示省略)を形成している。
管とがあるが、前者は後者に比し、コンパクト且つ省電
力であり、残像現象もない等多くの利点がある。しかし
、この固体撮像素子中は、第1図にも図示する様にその
撮像面を縦横基盤の目状の多数の光電変換画素(1ビ)
・・・1こて形成して詔り、各光電変換画素(111!
: )・・・を隔てる格子状の空隙には信号伝送路(図
示省略)を形成している。
尚、通常の光電、変換画素(1&)・・・と空隙の占有
比は7:3に定められている。よって、固体撮像素子(
1)は、結像面をこれらの光電変換画素(16’ )・
・・によって間歇的に受光し、得られる光y11変換出
力を順次読み出して撮像出力とし°C導出している。
比は7:3に定められている。よって、固体撮像素子(
1)は、結像面をこれらの光電変換画素(16’ )・
・・によって間歇的に受光し、得られる光y11変換出
力を順次読み出して撮像出力とし°C導出している。
従って、固体撮像素子(」)が導出する1最像出力の情
報密度は光電変換画素数に依存すZ)。
報密度は光電変換画素数に依存すZ)。
〔発明が解決しようとしている問題点〕ビデオカメラに
は画質を向」二せしめる要tnがある。画質向上のため
には解像度も向上させる必要がある。固体tM像素子の
場合、解像度を向上させるには、限られた撮像面に対す
る光電変換画素(it Q; )・・・の形成密度を高
くしμ各月しば1λらない。
は画質を向」二せしめる要tnがある。画質向上のため
には解像度も向上させる必要がある。固体tM像素子の
場合、解像度を向上させるには、限られた撮像面に対す
る光電変換画素(it Q; )・・・の形成密度を高
くしμ各月しば1λらない。
しかし、光電変換画素(10j )・・・を高密度で形
成するには、技術的な困難を伴い、十分に高解像度の固
体撮像素子が得られても大+l+なコスト高は免れ得な
い。
成するには、技術的な困難を伴い、十分に高解像度の固
体撮像素子が得られても大+l+なコスト高は免れ得な
い。
そこで、本発明は、従来の固体撮像素子を利用して、撮
像出力の解像度のみを向−ヒせむべく、各光電変換画素
(I C: )・・・の左右各半分を交互に遮光し、各
光電変換画素(+、 6: )・・・を2倍に利用し、
変位前後の撮像出力を合成して2倍の解像度の撮像出力
を合成する新規且つ有効な撮像機構を提案するものであ
る。
像出力の解像度のみを向−ヒせむべく、各光電変換画素
(I C: )・・・の左右各半分を交互に遮光し、各
光電変換画素(+、 6: )・・・を2倍に利用し、
変位前後の撮像出力を合成して2倍の解像度の撮像出力
を合成する新規且つ有効な撮像機構を提案するものであ
る。
以下本発明を図示せる一実施例に従い説明する。
@2rgJは本実施例の遮光状態説明図である。
図より明らかな様に本実施例では、幅を画素列ピッチ(
乃の丁度半分に設定するスリ7) (2S)を画素列と
等ピッチで形成して成る遮光板(2)を撮像面上に近接
配置している。この遮光板(2)は、画素列右半分と左
半分を交互に遮光する様に構成されており、図示する第
1位置より図の右方に画素列半ビッヂずれた第2位置に
変位せしめられる。
乃の丁度半分に設定するスリ7) (2S)を画素列と
等ピッチで形成して成る遮光板(2)を撮像面上に近接
配置している。この遮光板(2)は、画素列右半分と左
半分を交互に遮光する様に構成されており、図示する第
1位置より図の右方に画素列半ビッヂずれた第2位置に
変位せしめられる。
第5図は、この遮光板(2)を変位せしめるための駆動
機購の斜視図である。本実施例に於いて、固体撮像素子
(1)は、基板(31上に形成した支持ブrJツク(3
a)に固定されCいる。
機購の斜視図である。本実施例に於いて、固体撮像素子
(1)は、基板(31上に形成した支持ブrJツク(3
a)に固定されCいる。
また遮光板(2)を支持する枠板(4)は、基板(31
」−に直立形成した支持板(3b)に対しLTE nF
X子(5)を介して固定されており、この枠板(4)
の他辺は基板(3)に一端を固定された板バネ(6)に
弾性的に当接している。よって、前記遮光板(2)は、
凸Tl¥[Fを前ル[+、r■:電素子(5)に印加す
ることにより、前記用型素子(5)の僅かな変形によっ
て変位せしめられる。尚、この変位状態は2フイールド
毎に反転し、4フイ一ルド周期で変位せしめられている
。
」−に直立形成した支持板(3b)に対しLTE nF
X子(5)を介して固定されており、この枠板(4)
の他辺は基板(3)に一端を固定された板バネ(6)に
弾性的に当接している。よって、前記遮光板(2)は、
凸Tl¥[Fを前ル[+、r■:電素子(5)に印加す
ることにより、前記用型素子(5)の僅かな変形によっ
て変位せしめられる。尚、この変位状態は2フイールド
毎に反転し、4フイ一ルド周期で変位せしめられている
。
第4図は、光電変換画素の左半分によって受光されたと
きの撮像出力と、右半分によって受光されたときの撮像
出力を合成するための合成回路であり、第5図は、第4
図1の要部波形図1を示す。本実施例の固体撮像素子(
1)は、撮像画(1a)とALl、Et部(1b)とよ
り成り、撮像画より得られる光電変換出力を垂直帰線期
間内に記憶部(目〕)に−気に転送し、記憶部より順次
読み出した光電変換出力を撮像出力として導出するCO
Dの固体(静像素子を採用する。本実施例では、まず、
固体撮像素子(1)を駆動するパルス発生器が発する垂
直同期パルス(Vlを174分周した出力(1’aを高
圧に変換して前記王N素子(5)に印加して前記遮光板
(2)を4フイ一ルド周期で変位ぜしめている。この変
位は機械的な遅れを伴うため、変位開始直後の光電変換
出力には変位前の光電変換出力も一部に含まれる。そこ
で、本実施例では、この様に不要成分が含まれる撮像出
力を地絡する第1切換スイツヂ(SW 1)を配してい
る。即ち、この第1切換スイツチ(SW +)に入力さ
れる第1制御入力(Sl)は、変位開始直前のフィール
ドで光電変換された正しい撮像出力を信号路に供給し、
変位開始直後のフィールドで光電変換され次の変位の直
前のフィールドで導出される不要成分を含む撮像出力を
地絡すべく、垂直同期パルス関を1/2分周し、変位開
始直後にハイレベルとなる出力である。尚、波形図に図
示した図番は便宜上付けたフィールド番号であり波形図
(目に付した香りは光電変捗時のフィールド番司である
。このフィールド番陣で(」にY数フィールドのみが第
1切換スイツヂ(S”/71)によって硬択される。
きの撮像出力と、右半分によって受光されたときの撮像
出力を合成するための合成回路であり、第5図は、第4
図1の要部波形図1を示す。本実施例の固体撮像素子(
1)は、撮像画(1a)とALl、Et部(1b)とよ
り成り、撮像画より得られる光電変換出力を垂直帰線期
間内に記憶部(目〕)に−気に転送し、記憶部より順次
読み出した光電変換出力を撮像出力として導出するCO
Dの固体(静像素子を採用する。本実施例では、まず、
固体撮像素子(1)を駆動するパルス発生器が発する垂
直同期パルス(Vlを174分周した出力(1’aを高
圧に変換して前記王N素子(5)に印加して前記遮光板
(2)を4フイ一ルド周期で変位ぜしめている。この変
位は機械的な遅れを伴うため、変位開始直後の光電変換
出力には変位前の光電変換出力も一部に含まれる。そこ
で、本実施例では、この様に不要成分が含まれる撮像出
力を地絡する第1切換スイツヂ(SW 1)を配してい
る。即ち、この第1切換スイツチ(SW +)に入力さ
れる第1制御入力(Sl)は、変位開始直前のフィール
ドで光電変換された正しい撮像出力を信号路に供給し、
変位開始直後のフィールドで光電変換され次の変位の直
前のフィールドで導出される不要成分を含む撮像出力を
地絡すべく、垂直同期パルス関を1/2分周し、変位開
始直後にハイレベルとなる出力である。尚、波形図に図
示した図番は便宜上付けたフィールド番号であり波形図
(目に付した香りは光電変捗時のフィールド番司である
。このフィールド番陣で(」にY数フィールドのみが第
1切換スイツヂ(S”/71)によって硬択される。
選択された撮像出力は第2切換スイツチ(SW2)によ
って遅延用のメモリー(7)と非遅延路に入力される。
って遅延用のメモリー(7)と非遅延路に入力される。
この第2切換スイツチ(SW 2)に人力される第2制
御人力(S2)は、第1フイールド(1F)と第5フイ
ールド(5F)の撮像出力を前記メモ1月7)に供給し
ている。尚、第1フイールド(1F)と第5フイールド
(5F)の撮像出力は、前flJ、 遮光板(2)が第
2図に図示する第1位置の状態にあるときに光電変換画
素の右半分で光電変換した撮像出力である。前記メモリ
(7)はアナログメモリで(1り成され、書込開始より
2フイールド後に、続出しパルス(11)を入力して続
出状態となり、非遅延路を通過する2フイールド後の撮
像出力と同11駅に導出される。
御人力(S2)は、第1フイールド(1F)と第5フイ
ールド(5F)の撮像出力を前記メモ1月7)に供給し
ている。尚、第1フイールド(1F)と第5フイールド
(5F)の撮像出力は、前flJ、 遮光板(2)が第
2図に図示する第1位置の状態にあるときに光電変換画
素の右半分で光電変換した撮像出力である。前記メモリ
(7)はアナログメモリで(1り成され、書込開始より
2フイールド後に、続出しパルス(11)を入力して続
出状態となり、非遅延路を通過する2フイールド後の撮
像出力と同11駅に導出される。
但し、続出出力の位相は、非遅延路側の撮像出力の位相
に対して頂度読出周期の半分だlJ進相ぜ1−められる
。よって同一光電変換画素より得られる右半分の光電変
換出力に対し左半分の光重変換出力4突を去刊(分切恍
−訃変巷−111カが半周期だけ進相せしめられる。ゲ
インコントロール回路(8)を介して導出される遅延出
力と非遅延路を介して導出される撮像出力とは、第6切
換スイツチ(SW、l)に光電変換出力を交互に入力す
る。第3制御入力(S3)はこの入力タイミングに合わ
ぜて交互に切換えられ、両出力を合成する。合成出力は
次段の信号処理回路(10)に於いて処理され、情報密
度の高い輝度信号(Y)と色差信号(R−Y ) (B
−Y )を導出する。これらの出力はビデオカメラが
有する周知の信号処理回路により一担NTSCカラー信
号に変換され、ビデオテープレコーダ等が有する周知の
記録回路を介して磁気媒体に記録される。前述しタケイ
ンコントロール回路(8)は、ケインコントロール出力
と、非遅延路の撮像出力とを比較回路(9)にて比較し
、比較出力を前記ゲインコントロール回路(8)に入力
している。よってゲインコントロール出力は非遅延路の
撮像出力に常時一致せしめられ、出力のアンバランスは
解消される。
に対して頂度読出周期の半分だlJ進相ぜ1−められる
。よって同一光電変換画素より得られる右半分の光電変
換出力に対し左半分の光重変換出力4突を去刊(分切恍
−訃変巷−111カが半周期だけ進相せしめられる。ゲ
インコントロール回路(8)を介して導出される遅延出
力と非遅延路を介して導出される撮像出力とは、第6切
換スイツチ(SW、l)に光電変換出力を交互に入力す
る。第3制御入力(S3)はこの入力タイミングに合わ
ぜて交互に切換えられ、両出力を合成する。合成出力は
次段の信号処理回路(10)に於いて処理され、情報密
度の高い輝度信号(Y)と色差信号(R−Y ) (B
−Y )を導出する。これらの出力はビデオカメラが
有する周知の信号処理回路により一担NTSCカラー信
号に変換され、ビデオテープレコーダ等が有する周知の
記録回路を介して磁気媒体に記録される。前述しタケイ
ンコントロール回路(8)は、ケインコントロール出力
と、非遅延路の撮像出力とを比較回路(9)にて比較し
、比較出力を前記ゲインコントロール回路(8)に入力
している。よってゲインコントロール出力は非遅延路の
撮像出力に常時一致せしめられ、出力のアンバランスは
解消される。
尚、本実施例では、遮光板のス’J ソトピ・・ノチを
丁度画素列ビッヂに一致せしめたが、スリソトピッヂを
画累列ビッヂの2倍に設定l、スIJ 、、、 ト幅を
画素列ビッヂに一致せしめ、遮光板を両軍列ビ・ノヂ分
変位ぜしめれば、同様の効果が得られる。
丁度画素列ビッヂに一致せしめたが、スリソトピッヂを
画累列ビッヂの2倍に設定l、スIJ 、、、 ト幅を
画素列ビッヂに一致せしめ、遮光板を両軍列ビ・ノヂ分
変位ぜしめれば、同様の効果が得られる。
上述する様に、本発明によれば、遮光板を変位せしめ変
位前後の肴1+に於ける1最像出力を合成するたりて高
解像度の静止画像を受4Jることかでき、その効果は大
である。
位前後の肴1+に於ける1最像出力を合成するたりて高
解像度の静止画像を受4Jることかでき、その効果は大
である。
第1図は従来の固体撮像素子の光電変換画素形成状態説
明図、第2図は木発明の詳細な説明図、第6図は木発明
の一実施例に係る遮光板の駆動機摺説明図、第4図は同
合成回路の回路ブロック図、第5図は第4図の要部波形
図をそれぞれ示す。 主な図番の説明 (1)・・・固体撮像素子、(1σ)・・・光重変換画
素、(2)・・・遮光板、(2S)・・・スリット。
明図、第2図は木発明の詳細な説明図、第6図は木発明
の一実施例に係る遮光板の駆動機摺説明図、第4図は同
合成回路の回路ブロック図、第5図は第4図の要部波形
図をそれぞれ示す。 主な図番の説明 (1)・・・固体撮像素子、(1σ)・・・光重変換画
素、(2)・・・遮光板、(2S)・・・スリット。
Claims (1)
- (11fii(構基板の目状に光電変換画素を形成して
成る固体撮像素子と、前記各光電、変換画素の半分を遮
光すべく縦方向にスリットを形成し前記固体撮像素子の
撮像面に近接配置せしめられる遮光板と、該遮光板を前
記固体撮像素子の撮像面に沿って変位ぜしめ前記光電変
換画素に対する遮光状態を反転せしめる変位手段と、変
位の′πi後に於ける撮像出力を合成し高密度の撮像出
力を導出する合成回路とをそれぞれ配して成る撮像機構
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57133041A JPS5923676A (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | 撮像機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57133041A JPS5923676A (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | 撮像機構 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5923676A true JPS5923676A (ja) | 1984-02-07 |
Family
ID=15095425
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57133041A Pending JPS5923676A (ja) | 1982-07-29 | 1982-07-29 | 撮像機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5923676A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6404220B1 (en) | 1997-11-20 | 2002-06-11 | Advantest Corporation | IC testing method and IC testing device using the same |
| JP2009074909A (ja) * | 2007-09-20 | 2009-04-09 | Yokogawa Electric Corp | 半導体試験装置 |
-
1982
- 1982-07-29 JP JP57133041A patent/JPS5923676A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6404220B1 (en) | 1997-11-20 | 2002-06-11 | Advantest Corporation | IC testing method and IC testing device using the same |
| JP2009074909A (ja) * | 2007-09-20 | 2009-04-09 | Yokogawa Electric Corp | 半導体試験装置 |
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