JPS592384A - 発光ダイオ−ドランプ - Google Patents

発光ダイオ−ドランプ

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Publication number
JPS592384A
JPS592384A JP57112367A JP11236782A JPS592384A JP S592384 A JPS592384 A JP S592384A JP 57112367 A JP57112367 A JP 57112367A JP 11236782 A JP11236782 A JP 11236782A JP S592384 A JPS592384 A JP S592384A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead
emitting diode
pieces
substrates
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57112367A
Other languages
English (en)
Inventor
Teizo Fujita
藤田 貞三
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Idec Corp
Original Assignee
Idec Izumi Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Idec Izumi Corp filed Critical Idec Izumi Corp
Priority to JP57112367A priority Critical patent/JPS592384A/ja
Publication of JPS592384A publication Critical patent/JPS592384A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10HINORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80Constructional details
    • H10H20/85Packages
    • H10H20/857Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/541Dispositions of bond wires
    • H10W72/547Dispositions of multiple bond wires
    • H10W72/5473Dispositions of multiple bond wires multiple bond wires connected to a common bond pad
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

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  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は発光ダイオードランプに関するもので、特に
この種ランプにおけるリード基板の新規な構成に係わる
通常、発光ダイオードランプを構成するに当っては第1
図及び第2図に示すように、一対のリード基板10.1
1の上端を折曲して基台10a、 llaを形成し、片
方の基台10aの上面10cに1乃至複数個の発光ダイ
オード素子12.12を固着し、他方の基台11aの上
面11cとの間をリード線13を介して接続して光源部
を構成し、この光源部をリード片10b、 llbのみ
を外部に導出して透光性樹脂14にて一体成形して発光
ダイオードランプを構成している。ところで、実際に上
述のような光源部を構成するに当っては、リード基板1
0.11の厚さtが非常に薄いため、基台10aの上面
10cに固着できる素子12の数が面積的に限定されて
しまうといった難点がある。このため第3図に示すよう
に基台10aの上面にポンチにより、皿状部1(Mを形
成するなどしてその対策としているが、このようなもの
では加工に手間がかかるほか、十分な取り付は面積が得
られない欠点があった。また、発光ダイオードランプに
おいては常にランプの配光特性を均一にする必要があり
、このためランプの略中央部に発光ダイオード素子I2
を配設するのが望ましく、このためリード基板上の基台
の配設位置をランプの略中央部に位置さゼる必要がある
この発明は上述の点に鑑み゛C発明されたもので、非常
に簡単な方法により、基台として十分な取り付は面積が
得られるようにし、且つランプの配光特性の良好な発光
ダイオードランプを得られるようにしたものである。
以下、第4図乃至第10図を参照してこの発明の詳細な
説明する。、第4図乃至第7図はこの発明の第1実施例
で、第4図はこの発明に係る発光ダイオードランプの製
作過程を示しており、第4図(A)は正面図、第4図(
B)は同側面図を示す。
また第5図はこの発明の第1実施例に係る発光ダイオー
ドランプの外観斜視図、第6図は同平面図、第7図は接
続回路図である。図において、 1.2.3はリード基
板で、その製作初期の段階におい゛C帯状部材を第4図
a1及びblに示ずようプレスによりくし歯状に打ち抜
き且つ、隣接するり一ド基板の3冊を1組とし、各々リ
ード基板間は連結片4を介して連続的に形成される。ま
た、各々の基板1゜2.3の幅Tは基板の厚さ+1)に
比較して幅広に形成される。このようにくし歯状に連続
形成された基板の上片を、第4図alの点線11.の部
分から片側方向へ略氷平位置にまで折曲し、更に、点線
112の部分から反対方向に折曲して」1片を第4図b
2に示ずように略−状の折曲片とし、その上側水平片を
発光ダイオード素子5あるいはり一ド11i!6の接続
用の基台1a、 2a、 3aとし”Cいる。なお、こ
の発明によれば上記基板の折曲部位1(1及び11゜の
位置を所定の位置に設定することによって基台1a、 
2a、 3aの略中間下側部位に基板]、2.3のリー
ド片1b、 2b。
3bが延出されるようにし”(いる。したがって、リー
ド片1b、 2b、 3b側から見た場合、基台1a、
 2a。
3aは常にリード片によって中心部にバランスされて保
持された状態にある。このように加工した各基台1,2
.3において、その中央に位置する基板2の基台2a上
に第4図83及びb3に示ずように3個の発光ダイオー
ド素子5.5.5を中心部に1個とその両横に2開環間
隔となるように固着したのち、リ−F線6を介して第7
図に示す所定の結線をする。
このようにして光源部を形成したのち、第4図a4及び
す、に示ずようにリード片1b、 2b、 3bの下端
を外部に露呈した状態で、透光性樹脂7にて光源部のみ
を成形する。そして最終的に両端のリード片1bと3b
をそのままにして中央のリード片2bの透光性樹脂7か
ら露呈した部分を切断除去することにより発光タイオー
ドランプが完成される。この発光ダイオードランプは、
第6図の平面図からも明らかなとおり、ランプの略中央
部に発光ダイオード素子5.5.5が等間隔にバランス
されて取り付けられており、良好なランプの配光特性が
得られるものである。またこの発明によると、リード基
板1.2.3の幅Tが基台1a、 2a、 3aの取り
付は部分の幅になるので、十分な取り付は面積が得られ
るものである。第8図乃至第10図はこの発明の第2実
施例を示すもので、第1実施例が3個のリード基板1,
2.3からなるのに対して、第2実施例では4個のリー
ド基板1.2.2’、3からなるものである。すなわち
第1実施例のものにリード基板2′を中央部に加えた構
成からなるもので、基板2′は前述の基5− 板2と実質的に同一のものである。これによると基台2
+i及び28′上に3個ずつ計6個の発光ダイオード素
子5を第10図に示す所定の結線で固着してなるもので
ある。この場合においても第9図に示すよ・5発光ダイ
オーI゛素子5はランプの略中央部に等間隔にバランス
されて取り付けられるので良好な配光特性が得られるも
のである。
この発明によると、リード基板の幅Tを厚みtに比べて
十分に大きな幅にして帯状部材からリード基板をプレス
によりくし歯状に連続的に打ち抜いて形成し、前記リー
ド基板の上片を略−状に折曲しその上側水平片を基台と
して利用したので、従来に比べて基台面積を大きく取れ
ることはもちろん、特に各実施例に開示したように基台
を2個以上並設(第1実施例の場合3個、第2実施列の
場合4個)した場合においても各基台は常にランプの略
中央部に等間隔に位置させることができ、且つ各基台の
中央下部に必ずリード片が導出されるようになるので、
基台上に発光ダイオード素子5を配設する場合、ランプ
の配光特性を向上させ6− る上において略理想的な素子5の配設構成を採用できる
ものである。なお、各実施例において、1個の基台上に
3 illの発光ダイオード素子5を配設した例につい
てのみ説明したが、基台の長手方向の長さを選択するこ
とにより、基台に配設される発光ダイオードの数の増減
を図るのはきわめて容易である。またリード基板の数も
少なくとも2個以上を1組とするものであれば、基板の
個数はなんら限定されるものでないことは勿論である。
この発明は、特に多数の発光ダイオード素子を基台に集
設して、照度の高い発光ダイオ−1゛ランプを実現する
上において効果がある。
【図面の簡単な説明】
m1図は従来における発光ダイオードランプの外観斜視
図、第2図は第1図の平面図、第3図は従来における異
なる発光ダイオードランプの外観斜視図、第4図乃至第
7図はこの発明の第1実施例を示すもので、第4図はこ
の発明に係る発光ダイオードランプの製作過程を示して
おり、第4図(A)は正面図、第4図(B)は同側面図
を示す。 また第5図はこの発明の第1実施例に係る発光ダイオー
ドランプの外観斜視図、第6図は同平面図、第7図は接
続回路図である。第8図乃至第10図はこの発明の第2
実施例を示すもので、第8図はこの発明の第2実施例に
係る発光ダイオードランプの外観斜視図、第9図は同平
面図、第10図は接続回路図である。 1.2.2’、3・・・・・・リード基板、1a、2a
、2a’、3a・・・・・・基台、Ib、2b、2b’
、3b・・・・・・リード片、5・・・・・・発光ダイ
オ−1゛素子、6・・・・・・リード線、T・・・・・
・リード基板の幅、L・・・・・・リード基板の厚さ。 区 \ 区

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ■少なくとも2個以上を1組とするり一ド基板を打ち抜
    きにより形成するとともに、前記各リード基板の上片を
    略−状に折曲して上側水平片を基台とし、少なくとも1
    個の基台上面に発行ダイオード素子を固着するとともに
    、各基台の略中間下側部位に前記リード基板のリード片
    を延出させ、その一対を電源接続用リード片として利用
    するようにしたことを特徴とする発光ダイオードランプ
    。 ■基台上に等間隔に発行ダイオード素子を固着してなる
    特許請求の範囲第1項記載の発光ダイオードランプ。
JP57112367A 1982-06-28 1982-06-28 発光ダイオ−ドランプ Pending JPS592384A (ja)

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JP57112367A JPS592384A (ja) 1982-06-28 1982-06-28 発光ダイオ−ドランプ

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JP57112367A JPS592384A (ja) 1982-06-28 1982-06-28 発光ダイオ−ドランプ

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JPS592384A true JPS592384A (ja) 1984-01-07

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ID=14584910

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JP57112367A Pending JPS592384A (ja) 1982-06-28 1982-06-28 発光ダイオ−ドランプ

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002177303A (ja) * 2001-04-10 2002-06-25 Yoshida Dental Mfg Co Ltd 光重合用歯科用光照射器
JP2002177302A (ja) * 2000-12-15 2002-06-25 Yoshida Dental Mfg Co Ltd 光重合用歯科用光照射器
JP2004503120A (ja) * 2000-06-15 2004-01-29 システマックス プロプライアタリー リミティド Ledランプ

Cited By (3)

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JP2004503120A (ja) * 2000-06-15 2004-01-29 システマックス プロプライアタリー リミティド Ledランプ
JP2002177302A (ja) * 2000-12-15 2002-06-25 Yoshida Dental Mfg Co Ltd 光重合用歯科用光照射器
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