JPS592413A - 相互コンダクタンス制御回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は相互コンタクタンス制御回路に関するものであ
る。

光力イトパルス伝送システムでは、光力イト内で生ずる
パルス減衰のｌｊ：１題を克服する為に（４号再生用の
広帯域中継器を用いる。システム信号の電位は、部品の
経年変化や周囲温度の変化によって変わるので、中継器
に自動利得制償１１　）幾構を用いると有効である。光
ガイドシステムの帯域幅は非常に大きいので自動利得制
飾をもったリニアアンプの役割には多くの問題があ小。

一つの問題は、平坦な制御特性ケもって非常に広い周波
数帯域で動作する制御回路の設計である。

の伝導型をもつ第一、第二の内部結合されたトランジス
タ、即ち、コレクタ接地方式をもつ第一種伝導型の第一
トランジスタと、エミッタ接地方式をもつ第二種伝導型
の第二トランジスタを宮み、また、第一、第二トランジ
スタのベース・エミッタ接合を結合することにより、低
い入力補償電位で、それらにかかる順電圧を同じに保つ
ようにした手段金倉み、９６に、第一トランジスタのエ
ミッタ回路において、第一トランジスタのエミッタ・コ
レクタ従路にバイアス電流を供給して、第二トランジス
タの相互コンダクタンスを決定するようにした手段を含
む。

本発明の別の態様について宵えば、回路はコレクタ接地
方式で動作するよう配置された第一種伝導型の入力トラ
ンジスタと、その入力トランジスタのベースに結合され
て入力信号全受信するための尺段と、エミッタ接地方式
で動作するよう配置された第二種伝導型の出力トランジ
スタと、その出力トランジスタのコレクタに結合されて
出ツノ信号電流を伝送す７−）りめの手段と、人力トラ
ンジスタのベースを出力トランジスタのベース・エミッ
タ接合間に実質的に同じ電圧全維持するための手段ト、
入力トランジスタのエミッタを出力トランジスタのベー
スに接続し、入力トランジスタから出力トランジスタへ
信号を結合させ且つ出力トランジスタの相互コンダクタ
ンスを決定するための手段とヲ會んでいる。

本発明の更にもう一つの態様について言えば、回路は、
それぞれが第一種と第二独の伝導型でどちらもコレクタ
接地方式で動作するよう配置された第一、第二人力１−
ランジスタと、それら第一、第二人力トランジスタのベ
ースに接続されて入力信号電流を受イハするための手段
と、それぞれが第二柚、第一種伝導型でどちらもエミッ
タ接地方式で動作するよう配置された第一、第二出力ト
ランジスタと、それら第一、第二出力トランジスタのコ
レクタに接続されて、出力信号電流を伝送する手段と、
第一と第二出力トランジスタのエミッタを共に接続する
手段と、第一人力トランジスタのエミッタｘｈＥ−出力
トランジスタのベースに接続し、第二人力トランジスタ
のエミッタを第二出力トランジスタのベースに接続し、
第一と第二の人力トランジスタからの１′８号電流をそ
れぞれ拙−１第二の出力トランジスタへ結合させ且つ第
一、第二人力トランジスタのバイアス電流に応答して第
一、第二出力トランジスタの相互コンダクタンスを決め
るための手段とを含んでいる。これから旧居する図面を
参照しながら本発明による回路の実施例について説明す
る。

まず、第１図に関しでは、壇Ｉ唱回路１０はモノリシッ
ク集積回路として有利に作ることができその中には、逆
の伝導特性をもった２つのバイポーラ型トランジスタ１
１と１２を含む。その１１と１２のデバイスは広帯域の
動作特性をもつことができる。また、たとえば、光ガイ
ドパルス伝達システムの中に含まれる回路に用いられる
ような場合、マイクロ波周波数領域で動作する為、非常
に高速のデバイスになりうる。より低い周波数領域で動
作する別の応用の場合は、これらのデバイスは前述した
ように非常に高速であっても、よシ遅くても構わない。

回路１０ｉよ、非常に高速のデバイスケ用いることによ
って、例えば前述した光力イトパルス伝送システムのよ
うな高容量の伝送システムで、固定あるいは可変の相互
コンダクタンスをもった増幅器として用いられる。この
システムは短距離、あるいは長距離システムのどちらで
もよい。

ＰＮＰ入力トランジスタ１１はコレクタ接地方式に配置
され、正常な順バイアスの動作領域で動作するようにバ
イアス電圧かがけられている。負の極性をもったバイア
ス電源１３が入力トランジスタ１１のコレクタ電極に直
接つながっている。そして正の極性をもったバイアス電
源１４は、バイアス電流源１８全通して、トランジスタ
１１の出カニミッタ゛Ｉ域極につながっている。電源１
８は固定あるいは可変の電流源である。この電流電源１
８は人力トランジスタ１１のエミッタ回路の中に挿入さ
れ、そのトランジスタのエミッターコレクタ径路におけ
るバイアス電流Ｉｂを供給する役目をする。入力トラン
ジスタのエミッタ電極に直接つながった負荷はトランジ
スタ１２のベース−エミッタ入力回路である。

ＰＮＰトランジスタ１１に対するバイアス電流よりは正
の電源１４からバイアス電源１８とトランジスタ１１の
エミッタ・コレクタ径路を通して、負の電源１３に流れ
る。負荷は、トランジスタ１２のベース・エミッタ回路
であるから、この負荷に供給されるバイアス電流は小さ
く、ここでの記述の目的からは無視して構わないであろ
う。

入力トランジスタ１１は電圧フォロアーあるいは利得１
の電圧緩衝器として動作し、そこでは入力信号源２０は
入力ベース電極につながれ、ベース電極に電圧を供給す
る。そうして、トランジスタ１１のベースは回路１０へ
印加された人力信号を受信する。信号源２０は入力信号
電流源２１奮旨み、そして、これは分岐抵抗２２と並列
配置になっていて、アース電位２３とトランジスタ１１
のベース電極との間に結線されている。人力補償電位は
トランジスタ１１０ベース電流から抵抗２２全通して流
れることによって生じるもので、その値は小さく、ここ
での記述の目的からは無視できる。

動作時、トランジスタ１１の電圧フォロワー配置は（ｒ
３号源２０によって作られ、トランジスタ１１のベース
電極に印加された入力信号電圧■、　　に応答する。電
圧フォロワー配　ｎ ｉｔの故にトランジスタ１１の出カニミッタ電極も同じ
信号電位となる。エミッタ信号電流はエミッタ・コレク
タ通路を流れる。この電流はトランジスタ１２の信号ベ
ース電流となるから小さい。トランジスタ１１はコレク
タ接地方式の為、入力インピーダンスが高く、それは近
似的にトランジスタ１１のβとエミッタ接地方式のＩト
ランジスタ１２の負荷をもった人力インピーダンスとの
積に等しい。

トランジスタ１１のベースとコレクタ電極の間、に存在
する寄生のコレクタ結合容量は、回路１０の広帯域の線
形ｌ−性に極めて小さい効果しか持たない。このような
寄生容量はトランジスタ１１のベースでの人力節点と、
電源１３の基準電位での共通節点との間に現われる。負
荷のインピーダンスｋ　ｊｔ！ｉ　Ｌで流れる電流は変
化するので、容量の実質的な増加はない。

ＮＰＮ出力トランジスタ１２はエミッタ接地方式で配置
されていて、正常な順バイアスの動作領域で動作するよ
うバイアス電位がかけられている。出力トランジスタ１
２のエミッタ電極は直接アース電位２３につながってい
る。正の極性をもったバイアス電源１４はバイアス電流
源２５を通してトランジスタ１２の出力コレクタ電極に
つながっている。負荷２８はトランジスタ１２のコレク
タ電極とアース電位２３０間に結線され−Ｃいる。

ＮＰＮトランジスタ１２に対するバイアス電流ｎ　Ｉ　
ｂ　　は正の電源１４からバイアス電流源２５、および
、トランジスタ１２のコレクタ・エミッタ通路を通して
アース電位２３に“まで流れる。

人力トランジスタ１１は、電圧フォロワーとして働くの
で、信号源２０によってかけられた人力信号電圧Ｖ、　
　は、トランジスタ　ｎ １１のエミッタに現われ、゛そ゛して、出力トランジス
タ１２０ベース・エミッタ接合間にかけられる。バイア
スと信号の両方にとって、トランジスタ１１と１２のベ
ース・エミッタ接合部にかけられる電圧は実質的には′
同じになる。これはトランジスタ１１のエミッタとトラ
ンジスタ１２のベースがつながっている為であり、また
トランジスタ１１のへｉスとトランジスタ１２のエミッ
タの両方が基準のアース電位になっている為である。電
圧は前に小さいと記述した電源の抵抗２２にかかる電圧
分だけ異なっている。

動作時、トランジスタ１２からの出力信号電流■。の振
幅は次の理由によって、トランジスタ１１のバイアス電
流Ｉｂ　によって決定される。即ち、電流Ｉ。は、トラ
ンジスタ１２にかけられた入力信号電圧ｖｉｎ　　と＝
　ｑｉで定義される、その相互コレクタｍ　　　　ＫＴ タンスｇ　の積に等しい。この式の中で、ｑは電子の箪
荷、Ｋはボルツマンの定数、Ｔは絶対温度である。ｎＩ
ｂＩｎ　　に等しい電流Ｉはトランジスタ１２の全エミ
ッタｋ　ｉ５：ｉ：であり、次に示す周知の等式によっ
てトランジスタ１２のベース・エミッタ電圧ｖｂｅ□２
に関係づけられる。

ここで、■８□２　はトランジスタ１２の飽和電流であ
る。この表式から、全エミッタ電流は のように表わされる。

同じ等式に従って、電圧Ｖ　　は、電源ｅ１２ １８によって供給され、トランジスタ１１を通って流れ
る電流によって決定される。かくして、ベース・エミッ
タ電圧は次式で表わされる。

（３）式を全エミッタ電流工に対する表式に代表わされ
る。結果として出力の信号電流は次式のようになる。

ここで、■８１２と■８□１はそれぞれ、トランジスタ
１２と１１の飽和電流である。

トランジスタのエミッタの面積はお互いに同じか、ある
いは異なっている。もし、トランジスタ１２のエミッタ
の面積が、トランジスタ１１のエミッタ面積のｎ倍であ
れば、飽和電流工　　゛め大きさは、他の要因が同じで
１２ ある限シ、飽和電流Ｉ　　の大きさのｎ倍にｌｌ なるであろう。従って、出力信号電流はのように表わさ
れる。そういう訳で、トランジスタ１２の相互フンダク
タンスはバイアス電流■、と工、ミッタ面積の比によ・
つて決められる。実際の製作では、エミッタ面積比狂は
１よシ大きい方が望ましい。

図４に示したように、トランジスタ１２の相！ｌ、コン
タクタンス制飴ｊ特性ｇ　と■５　　の関係は、対数表
示のＶ−Ｉ関係式が成立する領域では直線状になる。こ
の線形の領域には数桁の幅ケもったバイアス′眠流が含
址れる。この領域を・はずれると、制御特性は平坦では
あるが線形ではなくなる。″図４に示した特性は図１と
同じ回路に対するものであシ、そこではエミツタ面積比
ｎ　＝　３としている。相互コンタクタンス制御特性の
より先金な理解は周波数応答特性も含めて、−緒に審竹
中の米国出願勃゛訂第３８５５５７号を参、照すること
によって１ｉＩられるであろう。

相互コンダクタンスハ、トランジスタ１２の外接した利
イ！＋　１’の周波数ｆＴに及ぶ周波数寸で殆ど周波数
に依存しない。シリコンのバイポーラ型トランジスタで
はｆＴは数ギカヘルツになるであろう。相互コンダクタ
ンスだけが増幅器の周波数応答を制御する範囲寸では、
増幅器は周波数ｆＴに近づくバンド幅をもつように作ら
れるであろう。増幅器の周波数応答を制限する他の快囚
としてはＩ・ランジスタ１２のβが高い周波数で、膚、
に減少すること及び寄生容量での不安な信号電流があげ
られる。

高周波数でのβの急な減少の問題は、現在の回路ではト
ランジスタ１１を電圧フォロワーとして結合することに
よって処理される。

トランジスタ１１の人力インピータンスは近似的にβと
エミッタ接地のトランジスタ１２の人力インピーダンス
の積で与えられる。したがって、トランジスタ１１の人
力インピーダンスはエミッタ接地トランジスタだけの場
合に可能な人力インピーダンスよシずつと広い周波数領
域で信号電源抵抗２２に比べて太きくして−やれば良い
。

容量性負荷の効果、行にコレクタ・ベースの容量のミラ
ー効果による増加はこの回路では最小になっている。ミ
ラー効果はトランジスタのベースとコレクタの間の信号
電位差によってひきおこされ、そしてその電位差に比例
している。この電位差はこれに比例した望”土しくない
電流をひきおこし、これがベースとコレクタ電極の間に
できた寄生容量に流れる。、゛、：＋−周波数で容量性
インピータンスが低い１１．ＪＪは、この寄生容量中を
θＩＣれる望ましくない電６ｉｊ　Ｈ−、相対的に大き
くなる。この上うカ望斗しくない電流は、トランジスタ
のベース・コレクタ間の信号電位差を最小にすることに
よって小さくすることができる。

広帯域の応用では、ベース・コレクタ信号電位差の最小
化は回路１０でソースとトランジスタ１２の負荷インピ
ータンス全非常に小ささい値に抑えることで達成される
。

、トランジスタ１１のエミッタ・フォロワ一層は低い電
源・インピーダンスを与える。これらの低いインピーダ
ンスによって、トランジスタ１２のベース入力とコレク
タ出力の両方での電圧の振幅を低い状態に保つ。

ベースとコレクタの両方の信号電圧が低い為にベースと
コレクタ間にはほんのＡつ−Ｊ４カ・な電位点しかなく
、シたがって、寄生容、￥′全通して小さな電流だけが
流れる。

素子のサイスやそれらの伝導型について前述した差を除
けば、トランジスタ１１と１２は同様の動作特性をもっ
ている。逆の伝導型のトランジスタで広い周波数と温度
領域で同様な動作特性をもつものの製作を容易にする方
法はわかっている。これらの方法は一緒に審査中の米国
特許出願番号第３３７．７０７号に記述されている。

さて次に、図２に移ると、増幅回路３０が示されている
が、これはコレクタ接地方式に配置された人力トランジ
スタ３１がＮ″ＰＮＰＮトランジスタことを除けば、図
１に示した回路と良く似ている。ノλイアス電流は正の
極性をもった電源３３からコレクタ・エミッタ接地とバ
イアス電流電源３８゛全通して、負電位の電源３４に流
れる。エミッタ接地゛方式に配置された出力トランジス
タ３２は、ＰＮＰトランジスタである。出力トランジス
タ３２に対するバイアス電流ｎＩ５　　はアース電位２
３からトランジスタ３２のエミッタ・コレクタ径路と電
流源４５を通って負の極性をもった電源３４に流れる。

負荷４８は出力トランジスタ３２のコレクタとアース電
位２３０間に配線されて入る。

図２に符号で示したように出力トランジスタ３２のエミ
ッタ断面の面積は入力トランジスタ３１のエミッタ断面
の面積Ａの」倍である。トランジスタ３１と３２はそれ
らのサイズと伝導型の違いを除けば、−類似したパラメ
ータと動作特性ケもっている。

動作時、図２の回路は極性の変化を除いて図１の回路と
同様に働く。トランジスタ３２の相互コンダクタンスｇ
ｍ　は電流源３８を通して流れるバイアス電流■５　　
によって決定される。トランジスタ３２に対し平坦々相
互コンタクタンス特性が作られる。増幅器は非常に広い
周波数領域をもっている。

次に図３では、増幅回路５０が示されているが、これは
図１と２で示された回路を内部で結合した配ｆｆｔ、に
なっている。

図３では、人カドランシスター１と３１はそれぞれＰＮ
ＰとＮＰＮ伝導特性をもっている。これらのベース入力
電極はリード＃Ａ５１によってどちらも人力信号の電源
２０につな、かっている。出カドランシスター２と３１
１それぞれＮＰＮとＰＮＰの伝導型である。これらのエ
ミッタ電極は、リード線５２によってどちらもアース電
位２３につながっている。

図３の組み合せ配置は上半分が図１の回路、下半分が図
２の回路を含んでいる。

逆の伝導型の入カドランシスター１と３１のベース′岨
（参の間に共通の人力リード結線５１があることが有利
に働いてそれぞれのベース電極に対するバイアス電流■
　はお互いに補償しあうことになる。ベース電極での入
力節点５５は実質上アース基準電位なので、殆どあるい
は全く入力補償電位はない。補償電位が生じるとすれば
、それはトランジス′夕１１と３１の特性の差異に起因
するものである。

′−！、た、逆の伝導型の出力トランジスタ１２と３２
のエミッタ電極の間に共通の出力リード結線５２がある
ことが有利に働いて、それらのコレクタ・エミッタバイ
アス電流ｎＩｂはお〃いに補償しあうことになる。エミ
ッタの接合部での節点５４は実質上アース電位になって
いる。もし、負荷４０が節点５４でつ々がれているなら
、その負荷に静止電圧はかからないであろう。この方法
では、図３の回路は、電源２０と負荷４０“の間で利得
１の電圧緩衝器として用いられるであろう。このような
緩衝器的な配置では、電源と負荷を結ぶ容量性あるいは
誘導性の独立した部品は必要とされない。利得１の応答
が０ヘルツから数百メ、力ヘルツに至るまで得られる。

図３に示したように、図１と図２を内部結合した回路は
平坦な制御特性をもち、殆ど０から数百メカヘルツまで
にわたる広い周波数領域で応答する相互コしダクタンス
制御回路をもった増幅器ケ形成する。

節点５５の入力ポート及びトランジスタ１２と３２のコ
レクタ部の出力ポート５７と５８は電源１３，１４．３
３と３４およびアース基準点２３のバイアスポートから
切り離されている。したがって、信号電源あるいは回路
網は、回路の静止条件全部すことなしに、寸だ、独立し
たインダクタンスやキャパシタンスを用いることなしに
節点５４と５５でつなぐことができる。広帯域の伝送シ
ステムに共通に用いられるように、電源２０に対して適
当な値のインピーダンスヲ、寸だ、負荷２８と４８に適
当な値の負荷インピーダンスを選ぶことによって、設言
１者は全体の回路が広い周波数領域にわたって線形に動
作することを確めることができる。また、その領域にわ
たって、トランジスタ１２と３２の相互コンダクタンス
は電源１８と３８によって供給されるバイアス電流Ｉ５
　　の変化にしたがってなめらかに変わる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明を具体化し７た一つの回路の系統図で
あシ、 第２図は、本発明を具体化した別の回路の系統図であシ
、 第３図は、本発明を具体化した更にもう一つの回路の系
統図であり、 第４図は相互コンダクタンスの制御特性図である。 〔主安部分の符号の説明〕 １０．３０．５０・・・増幅回路 １１．３２・・・ＰＮＰＮＰ型４ランジスタ１２．３１
・・・ＮＰＮ伝導型トランジスタ１３．３４・・・負極
性バイアス電源 １４．３３・・・正極性バイアス電源 ２０・・・信号源 ２３・・・アース基準点 ２Ｂ、４０．４８・・・負荷、５４．５５・・・節点Ｆ
ＩＧ、　／ 一″′２３ ＦＩＧ、　２ ＦＩＧ、ｊ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ■、　コレクタ接地方式に配置された第一種伝導型の第
   一トランジスタとエミッタ接地方式に配置された第二種
   伝導型の第二トランジスタの２つの逆の伝導特性をもつ
   第一と第二を内部結合したトランジスタと、第一と第二
   トランジスタのベース・エミッタ接合を内部結合し低い
   入力補償電位で、それにかかる順電圧を実質上同じに保
   つようにするための手段と、第一トランジスタのエミッ
   タ回路において、第一トランジスタのエミッタ・コレク
   タ径路にバイアス電流を供給して第二トランジスタの相
   互コンダクタンスを決めるようにした手段とを含むこと
   を特徴とする回路。 ２、特許請求の範囲第１項に記載された回路において、
   第一トランジスタがエミッタ断面の面積Ａｉもち、第二
   トランジスタがエミッタ断面の面積ｎＡ　ｆもち、■が
   １よシ大きいこと全特徴とする回路。 ３、特許請求の範囲第１項又は第２項に記載された回路
   において、第一トランジスタがＮＰＮ伝導型トランジス
   タであり、第二トランジスタがＰＮＰ伝導型トランジス
   タであること’ｆｆｉ％徴とする回路。 ４、特許請求の範囲第１項又は第２項に記載された回路
   において、第一トランジスタがＰＮＰ伝導型トランジス
   タであり、第二トランジスタがＮＰＮ伝導型トランジス
   タであることを特徴とする回路。 ５、特許請求の範囲第１項に記載された回路において、
   コレクタ接地方式に配置された第二種伝導型の第三トラ
   ンジスタとエミッタ接地方式に配置された第一種伝尋型
   の第四トランジスタの２つの逆の伝４特性をもつトラン
   ジスタを内部結合した第３と第４のトランジスタと、前
   記第三と第四トランシスタのベース・エミッタ接合を内
   部結合し、低い人力補償電位でそれにかかる順ｒ■圧を
   ・実質Ｊｌ　ｒ（Ｊじに保つようにするだめの手段と、
   第三トランジスタのエミッタ回路において、第三トラン
   ジスタのエミッタ・コレクタ径路にバイアス電流を供給
   して第四トランジスタの相互コンタクタンスを決定する
   ようにした手段を含むことｋ　４’＝７徴とする回路。 ６、　４’Ｆ”　Ｆ’「ｌ請求の範囲第５項に記載され
   た回路において、第一トランジスタのベース回路と；゛
   ８三トランジスタのベース回路全内部接続して人力（ｉ
   ｊ号を共通にそれらにかけるようにした手段と、第二ト
   ランジスタのエミッタ回路と第四トランジスタのエミッ
   タ回路を内部１′ｙ、：Ｉ！にして共通の基”ｆ’：　
   ’ｌｆＶ位を保つようにするだめの手段を含むことを特
   徴とする回路。 ７′ｔ’ｒ　ｒｉ′ｌ請求の範囲第５項又は第６項に記
   載さ′１１た回路において、第二と８１モ三トランジス
   タの各／ｚがエミッタ断面の面積Ａをもち、第二と第四
   トランジスタの各々がエミッタ断面の面積ｎＡ　全もち
   、その店が１よシ大きく、寸だ、伝／！’ｉ　！１庁性
   を除けば、第一と第三トランジスタおよび、第二と第四
   トランジスタが類似した動作特性ケもつことを特徴とす
   る回路。 ８、　コレクタ接ＪＩ！２方式で動作するよう配置され
   ｆｃ　ｍ　　Ｍ伝導型の入力トランジスタと、前記入力
   トランジスタのベースに接続された人力信号を受信する
   手段と、エミッタ接地方式で動作するよう配置された第
   二種伝導型の出力トランジスタと、前記出力トランジス
   タのコレクタに接続きれ出力信号′電流を伝送するため
   の手段と、前記入力トランジスタのベースを前記出力ト
   ランジスタのエミッタに７結合させて、前記人力、出力
   トランジスタのベース・エミッタ接合にかかる電圧を実
   質的に同じに保つようにするための手段と、更に、前記
   入力トランジスタのエミッタを？Ｊ′ｌＪ記出力トラン
   ジスタのベースにｊ安続し前屈人力トランジスタからの
   信号ケ前乙ピ出力トランジスタに結合させ、ＭｆＪ５１
   ２出力トランジスタの相互コンダクタンス金６１４定す
   るための手段とを含むことを特徴とする回ｊ１１１゜ ９　特π４ｉ！ｌ’ｆ求のｉｌｉα囲第８項第８項ｊ戒
   された回路ニオイて、前記人力トランジスタが断面。 面積Ａｆもち、前記出力トランジスタが断面の面積ｎ八
   ′（ｉｌ、−もち、その…が１より大きいことケ生！徴
   とする回路。 １０　　第一種、第二種の伝導型で、どちらもコレクタ
   接地方式に配置された第一、第二人力トランジスタと、
   前記第一、第二人カトランシスタのベースに接続をれ、
   入力信号　１電６ｉｉ：　’；ｇ　’ン情するための手
   段と、それぞれが第二種、第−抽の伝導型で、どちらも
   エミッタ接地方式で動作するように配置された第−及び
   第二の出力トランジスタと、前記第一、第二出力トラン
   ジスタのコレクタに接続され出力信号電流を伝送するだ
   めの手段と、前記第一と第二出力トランジスタのエミッ
   タ全共に接続する手段と、前記第−人力トランジスタの
   エミッタを前記第−出力トランジスタのベースに接続し
   前、記第二人力トランジスタのエミッタｆｒ：　ＭｉＪ
   　ＳＪ　ｍ二出力トランジスタのベースにに続して前記
   ε１）−１第二人カトランジスタからの信号屯流孕それ
   ぞれ前記第一、第二出力トランジスタに結合さぜ前記第
   一、第二人力トランジスタのバイアス電流に応じて前記
   第一、第二出力トランジスタの相互コンダクタンスを決
   定するための手段とを含むことを特徴とする回路。 １、特許請求の範囲第１０項に記載された回路において
   、前記第一と第二人力トランジスタがエミッタ断面の面
   積Ａをもち、前記第一と第二出力トランジスタがエミッ
   タ断面の面積ｎＡ　ｆもち、そのユが１よシ犬きいこと
   を特徴とする特許 １２、特許請求の範囲第１１項に記載された回路におい
   て、前記婦−と第二人力トランジスタが伝４特性ケ除け
   ば類似した動作特性をもち、前記第一と第二出力トラン
   ジスタが伝導特性を除けば類似した動作特性をもつこと
   全特徴とする回路。