JPS5925164B2 - 半導体光検出装置 - Google Patents
半導体光検出装置Info
- Publication number
- JPS5925164B2 JPS5925164B2 JP54108111A JP10811179A JPS5925164B2 JP S5925164 B2 JPS5925164 B2 JP S5925164B2 JP 54108111 A JP54108111 A JP 54108111A JP 10811179 A JP10811179 A JP 10811179A JP S5925164 B2 JPS5925164 B2 JP S5925164B2
- Authority
- JP
- Japan
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- semiconductor
- photodiode
- type
- layer
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
- H10F39/186—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors having arrangements for blooming suppression
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体光検出装置に係り、特に複数の光検出半
導体素子を同一基板上に配列してなる半導体検出装置に
関する。
導体素子を同一基板上に配列してなる半導体検出装置に
関する。
イメージセンサや位置検出等にマルチチャンネル検出法
を適用することは従来すでに行なわれているが、近年半
導体技術の進歩による光検出器自体の安定化および高感
度化に伴なつてこのマルチチャンネル検出法を分光測定
などへ適用することが意図されている。
を適用することは従来すでに行なわれているが、近年半
導体技術の進歩による光検出器自体の安定化および高感
度化に伴なつてこのマルチチャンネル検出法を分光測定
などへ適用することが意図されている。
この場合には小型軽量化および高性能化等の点で走査回
路を内蔵した自己走査型のホトダイオードアレイが有望
な光検出装置と考えられている。このようなダイオード
アレイを用いる際にはアレイを構成する素子間での信号
の相互干渉が問題となるが、特に分光光度計等の機器に
おいては検出装置からの出力光電流の波長スペクトル特
性の形状が機器の分析能力を決定する一つの重要な要因
となる。
路を内蔵した自己走査型のホトダイオードアレイが有望
な光検出装置と考えられている。このようなダイオード
アレイを用いる際にはアレイを構成する素子間での信号
の相互干渉が問題となるが、特に分光光度計等の機器に
おいては検出装置からの出力光電流の波長スペクトル特
性の形状が機器の分析能力を決定する一つの重要な要因
となる。
波長分解能に影響する一つの因子としては光信号の滲み
に起因する影響、いわゆるブルーミングがあり、このブ
ルーミングを低減することが光信号の検出素子において
特に重要となる。ブルーミングは具体的には位置センサ
における位置境界の不鮮明さ、分析センサにおける隣接
する二つの信号ピークの区別の不明確さおよびそれによ
るピークの誤読、イメージセンサにおける色ずれ、にじ
み、輪郭ぼけ等の欠陥として現われる半導体アレイセン
サにおけるこのようなブルーミングの原因は吸収係数の
小さい光が半導体素子の内部で電子および正孔の対を発
生し、これらのキャリアが拡散によつて同一アレイ内の
隣接する半導体素子に到達することによつて生じる。こ
こでキャリアの拡散距離は通常数１０Ｎｏ、から１００
μｍ程度におよぶとされており、分離能の向上のために
素子配列密度を増加して各素子間の距離を狭めるほどこ
のブルーミングの影響が大きくなる。このようなブルー
ミングに対して従来、たとえば第１図に示すように、光
吸収領域としてのｎ層２の厚さを必要最小限に小さくす
ることによつてそのｎ層２に発生したキャリアがこの領
域に対応する個々のｐ層３とのｐ−ｎ接合に集められる
ようにし、かつ基板としてのｎ一層１の不純物濃度を高
くしてここで発生しているキヤリアの寿命を短くし拡散
によつて前記ｐ−ｎ接合に到着する割合いを低減する方
策がとられている。なお第１図中、４は酸化膜、５は反
射防止膜をまた６および７はそれぞれ電極を示す。この
ような従来技術の手段によつてある程度ブルーミングを
減少させることは可能であるが、キヤリアの隣接素子へ
の拡散を積極的に防止し得るものではないため完全なブ
ルーミングの除去は達成されずさらに適確な対策が望ま
れている。
に起因する影響、いわゆるブルーミングがあり、このブ
ルーミングを低減することが光信号の検出素子において
特に重要となる。ブルーミングは具体的には位置センサ
における位置境界の不鮮明さ、分析センサにおける隣接
する二つの信号ピークの区別の不明確さおよびそれによ
るピークの誤読、イメージセンサにおける色ずれ、にじ
み、輪郭ぼけ等の欠陥として現われる半導体アレイセン
サにおけるこのようなブルーミングの原因は吸収係数の
小さい光が半導体素子の内部で電子および正孔の対を発
生し、これらのキャリアが拡散によつて同一アレイ内の
隣接する半導体素子に到達することによつて生じる。こ
こでキャリアの拡散距離は通常数１０Ｎｏ、から１００
μｍ程度におよぶとされており、分離能の向上のために
素子配列密度を増加して各素子間の距離を狭めるほどこ
のブルーミングの影響が大きくなる。このようなブルー
ミングに対して従来、たとえば第１図に示すように、光
吸収領域としてのｎ層２の厚さを必要最小限に小さくす
ることによつてそのｎ層２に発生したキャリアがこの領
域に対応する個々のｐ層３とのｐ−ｎ接合に集められる
ようにし、かつ基板としてのｎ一層１の不純物濃度を高
くしてここで発生しているキヤリアの寿命を短くし拡散
によつて前記ｐ−ｎ接合に到着する割合いを低減する方
策がとられている。なお第１図中、４は酸化膜、５は反
射防止膜をまた６および７はそれぞれ電極を示す。この
ような従来技術の手段によつてある程度ブルーミングを
減少させることは可能であるが、キヤリアの隣接素子へ
の拡散を積極的に防止し得るものではないため完全なブ
ルーミングの除去は達成されずさらに適確な対策が望ま
れている。
本発明の目的はアレイ内のブルーミングを著しく低下さ
せることのできる半導体光検出装置を提供することにあ
る。本発明の特徴はアレイ内の各光検出半導体素子を半
導体基体に設けられたｐ−ｎ接合で隔離された島状領域
中にそれぞれ分離して設けることによりブルーミングを
低下させることにある。
せることのできる半導体光検出装置を提供することにあ
る。本発明の特徴はアレイ内の各光検出半導体素子を半
導体基体に設けられたｐ−ｎ接合で隔離された島状領域
中にそれぞれ分離して設けることによりブルーミングを
低下させることにある。
更に詳しく言えば、光検出のための接合部を有する複数
の半導体素子からなるアレイを同一の半導体基板内に配
列してなる半導体光検出装置において、第１の導電型を
有する前記半導体基板と、この半導体基板の主表面内に
形成された第２の導電型を有する一方の半導体領域およ
びこの一方の半導体領域の表面内に形成された第１の導
電型を有する互いに分離された複数の他方の半導体領域
よりなる複数の半導体素子と、前記複数の半導体素子を
互いに隔離するように前記半導体基板の主表面内に形成
された第１の導電型を有する半導体隔離領域とを有する
ことを特徴とする。以下本発明を図面に示す実施例に基
いて詳細に説明する。
の半導体素子からなるアレイを同一の半導体基板内に配
列してなる半導体光検出装置において、第１の導電型を
有する前記半導体基板と、この半導体基板の主表面内に
形成された第２の導電型を有する一方の半導体領域およ
びこの一方の半導体領域の表面内に形成された第１の導
電型を有する互いに分離された複数の他方の半導体領域
よりなる複数の半導体素子と、前記複数の半導体素子を
互いに隔離するように前記半導体基板の主表面内に形成
された第１の導電型を有する半導体隔離領域とを有する
ことを特徴とする。以下本発明を図面に示す実施例に基
いて詳細に説明する。
第２図に要部断面を示す本発明実施例のホトダイオード
アレイの構成をその製造工程にしたがつて説明すると、
まずｐ型シリコン基板１１（比抵抗４０Ω−Ｃｍ）中に
イオン打込みおよび熱処理によつて表面不純物濃度５×
１０１５ｃＴｎ−３のｎ形層１２が３μｍの深さで形成
される。
アレイの構成をその製造工程にしたがつて説明すると、
まずｐ型シリコン基板１１（比抵抗４０Ω−Ｃｍ）中に
イオン打込みおよび熱処理によつて表面不純物濃度５×
１０１５ｃＴｎ−３のｎ形層１２が３μｍの深さで形成
される。
次いで、このｎ層１２中にボロン拡散によつてｐ＋形の
隔離領域１３を形成するが、この場合隔離領域１３は第
２図および後述する第３図に示すようにホトダイオード
アレイ中の配列素子数に対応する複数の領域中のｎ形層
１２Ａ，１２Ｂ，１２０，・・・・・・を囲むような形
状でまた少なくとも前記シリコン基板１１とｎ形層１２
との接合部に到る深さに拡散される。次に酸化膜を全主
表面にわたつて約１μｍの厚さで形成し、ホトダイオー
ド受光様のｐ＋層形成部分およびＭＯＳトランジスタ形
成部分に対応する部分の酸化膜をホトエツチングで選択
的に除去する。
隔離領域１３を形成するが、この場合隔離領域１３は第
２図および後述する第３図に示すようにホトダイオード
アレイ中の配列素子数に対応する複数の領域中のｎ形層
１２Ａ，１２Ｂ，１２０，・・・・・・を囲むような形
状でまた少なくとも前記シリコン基板１１とｎ形層１２
との接合部に到る深さに拡散される。次に酸化膜を全主
表面にわたつて約１μｍの厚さで形成し、ホトダイオー
ド受光様のｐ＋層形成部分およびＭＯＳトランジスタ形
成部分に対応する部分の酸化膜をホトエツチングで選択
的に除去する。
乾燥酸素雰囲気中でゲート酸化膜１６を０．１μｍの厚
さに形成した後多結晶シリコン層を形成する。さらにホ
トエツチングによつて不要部の多結晶シリコンを除去し
た後、ｐ＋層形成部分上の前記ゲート酸化膜を除去する
。次いでｐ＋層１４をボロン拡散方法によつて１μｍの
厚さに形成する。これらの処理によつてＭＯＳトランジ
スタのソースおよびドレインがそれぞれ形成される。ｐ
＋層の領域１４はＭＯＳトランジスタのソースとしてま
た後述するｐ形層１５のガードリングとして作用するも
のである。この後、受光部領域の酸化膜を除去し、ボロ
ン拡散によつて１μｍより浅い深さでｐ形の拡散層１５
（１５Ａ，１５Ｂ，１５０・・・・・・）を形成する。
さに形成した後多結晶シリコン層を形成する。さらにホ
トエツチングによつて不要部の多結晶シリコンを除去し
た後、ｐ＋層形成部分上の前記ゲート酸化膜を除去する
。次いでｐ＋層１４をボロン拡散方法によつて１μｍの
厚さに形成する。これらの処理によつてＭＯＳトランジ
スタのソースおよびドレインがそれぞれ形成される。ｐ
＋層の領域１４はＭＯＳトランジスタのソースとしてま
た後述するｐ形層１５のガードリングとして作用するも
のである。この後、受光部領域の酸化膜を除去し、ボロ
ン拡散によつて１μｍより浅い深さでｐ形の拡散層１５
（１５Ａ，１５Ｂ，１５０・・・・・・）を形成する。
この場合短波長の感度を上げるためにはこの接合の深さ
を０．１〜０．２μｍとすることが好ましい。以上のイ
オン打込み、拡散、ホトエツチング等の処理はいずれも
公知の方法で行なわれる。それらの処理によつて第２図
に示すように、シリコン基板１１上にはｎ形層１２Ａ，
１２Ｂ，１２ｃ，・・・・・・およびｐ形層１５Ａ，１
５Ｂ，１５ｃ，・・・・・・よりそれぞれ光検出用のｐ
−ｎ接合ＪＡ，Ｊ３，ＪＯ，・・・・・・を有する複数
のホトダイオード素子が隔離層１３によつて互いに分離
された島状領域内に形成され、これら各アレイ構成素子
は各ｎ形層１２Ａ，１２Ｂ，１２ｃ（５ｐ＋形の隔離層
１３およびｐ形のシリコン基板１１との間のそれぞれの
ｐ−ｎ接合ＫＡ，ＫＢ，ＫＯ，・・・・・・によつて個
々に隔離されている。次いでこのようにして形成された
ホトダイオードアレイの表面の全体にわたつてＣＶＤ法
によつて燐ガラス１７が形成されその後電極１８の窓開
けが行なわれる。
を０．１〜０．２μｍとすることが好ましい。以上のイ
オン打込み、拡散、ホトエツチング等の処理はいずれも
公知の方法で行なわれる。それらの処理によつて第２図
に示すように、シリコン基板１１上にはｎ形層１２Ａ，
１２Ｂ，１２ｃ，・・・・・・およびｐ形層１５Ａ，１
５Ｂ，１５ｃ，・・・・・・よりそれぞれ光検出用のｐ
−ｎ接合ＪＡ，Ｊ３，ＪＯ，・・・・・・を有する複数
のホトダイオード素子が隔離層１３によつて互いに分離
された島状領域内に形成され、これら各アレイ構成素子
は各ｎ形層１２Ａ，１２Ｂ，１２ｃ（５ｐ＋形の隔離層
１３およびｐ形のシリコン基板１１との間のそれぞれの
ｐ−ｎ接合ＫＡ，ＫＢ，ＫＯ，・・・・・・によつて個
々に隔離されている。次いでこのようにして形成された
ホトダイオードアレイの表面の全体にわたつてＣＶＤ法
によつて燐ガラス１７が形成されその後電極１８の窓開
けが行なわれる。
電極としてのアルミニウムが蒸着され、これら電極間に
ホトエツチングにょって所定の配線部が形成される。な
お、図中１９は共通電極を示す。このような構成された
本実施例のホトダイオ一ドアレイにおける光検出動作時
のブルーミング防止作用について以下説明する。
ホトエツチングにょって所定の配線部が形成される。な
お、図中１９は共通電極を示す。このような構成された
本実施例のホトダイオ一ドアレイにおける光検出動作時
のブルーミング防止作用について以下説明する。
ホトダイオードアレイ中、たとえば第２図の左端島状領
域中の素子ｎ形層１２Ａで光励起されたキヤリア（正孔
）の大部分はｎ層１２Ａとｐ形層１５Ａとの間に形成さ
れたｐ−ｎ接合ＪＡに集められてこのホトダイオード素
子の光信号電流となる。一部のキヤリアはｎ形層１２Ａ
とｐ＋形の隔離領域１３およびｐ形のシリコン基板１１
とのｐ−ｎ接合部ＫＡに集められて基板１１等に入り消
滅する。また基板領域１１で光励起された電子および正
孔の対の中、正孔はｐ−ｎ接合ＫＡで遮断され基板領域
１１中で再結合する。ｐ−ｎ接合ＫＡの近傍で生じた電
子の一部はｎ形層１２Ａに入るがこれらがｐ−ｎ接合Ｊ
Ａに集められることはない。この結果、第２図中左端の
島状領域のホトダイオード素子中で光電流に寄与する光
励起のキヤリアはｎ形層１２Ａ（！：Ｐ形層１５Ａで生
じたもののみとなり、これら以外の領域で発生したキヤ
リアが前記ホトダイオード素子の光信号電流に混合する
ことはない。
域中の素子ｎ形層１２Ａで光励起されたキヤリア（正孔
）の大部分はｎ層１２Ａとｐ形層１５Ａとの間に形成さ
れたｐ−ｎ接合ＪＡに集められてこのホトダイオード素
子の光信号電流となる。一部のキヤリアはｎ形層１２Ａ
とｐ＋形の隔離領域１３およびｐ形のシリコン基板１１
とのｐ−ｎ接合部ＫＡに集められて基板１１等に入り消
滅する。また基板領域１１で光励起された電子および正
孔の対の中、正孔はｐ−ｎ接合ＫＡで遮断され基板領域
１１中で再結合する。ｐ−ｎ接合ＫＡの近傍で生じた電
子の一部はｎ形層１２Ａに入るがこれらがｐ−ｎ接合Ｊ
Ａに集められることはない。この結果、第２図中左端の
島状領域のホトダイオード素子中で光電流に寄与する光
励起のキヤリアはｎ形層１２Ａ（！：Ｐ形層１５Ａで生
じたもののみとなり、これら以外の領域で発生したキヤ
リアが前記ホトダイオード素子の光信号電流に混合する
ことはない。
これはその他の島状領域の各ホトダイオード素子につい
ても同様であり、したがつて、ホトダイオードアレイの
構成素子相互間のブルーミングは著しく減少される。第
３図および第４図は前記第２図に示したホトダイオード
アレイを自己走査型の光検出装置として構成した例を示
し、第５図はその等価回路である。
ても同様であり、したがつて、ホトダイオードアレイの
構成素子相互間のブルーミングは著しく減少される。第
３図および第４図は前記第２図に示したホトダイオード
アレイを自己走査型の光検出装置として構成した例を示
し、第５図はその等価回路である。
図中、隔離領域Ｘによつて個々に分離された島状領域１
Ａ，ＩＢ，ｃ，・・・・・・中に形成された各ホトダイ
オード素子ＰＡ，ＰＢ，ＰＯ，・・・・・・はそれぞれ
のＭＯＳトランジスタスイツチＱＡ，ＱＢ，ＱＯ，・・
・・・・によつて走査回路（シフトレジスタ）Ｓに接続
され、それらの光出力電流は第５図中の出力端０ＵＴよ
り順次読み出される。尚図中Ｅは電源でありＲは負荷抵
抗を示す。走査回路Ｓからサンプリング信号がＭＯＳト
ランジスタスイツチＱＡ，ＱＢ，ＱＣ，・・・・・・を
順次オン状態にし、オン状態から次のオン状態までの蓄
積時間内に第２図に示す各ホトダイオードＰＡ，ＰＢ，
ＰＯ，・・・・・・のｐ−ｎ接合ＪＡ，ＪＢ，ＪＣ，・
・・・・・の容量に蓄積時間中に入射した光量に応じて
充電された電荷が次のオン状態時にＲを通つて放電され
信号出力端子０ＵＴから続出される。
Ａ，ＩＢ，ｃ，・・・・・・中に形成された各ホトダイ
オード素子ＰＡ，ＰＢ，ＰＯ，・・・・・・はそれぞれ
のＭＯＳトランジスタスイツチＱＡ，ＱＢ，ＱＯ，・・
・・・・によつて走査回路（シフトレジスタ）Ｓに接続
され、それらの光出力電流は第５図中の出力端０ＵＴよ
り順次読み出される。尚図中Ｅは電源でありＲは負荷抵
抗を示す。走査回路Ｓからサンプリング信号がＭＯＳト
ランジスタスイツチＱＡ，ＱＢ，ＱＣ，・・・・・・を
順次オン状態にし、オン状態から次のオン状態までの蓄
積時間内に第２図に示す各ホトダイオードＰＡ，ＰＢ，
ＰＯ，・・・・・・のｐ−ｎ接合ＪＡ，ＪＢ，ＪＣ，・
・・・・・の容量に蓄積時間中に入射した光量に応じて
充電された電荷が次のオン状態時にＲを通つて放電され
信号出力端子０ＵＴから続出される。
以下上の動作をくり返す。本発明の前記実施例において
は、第２図に示すようにシリコン基板１１に形成される
ホトダイオードアレイの各構成素子が隔離領域１３によ
つて互いに分離された島状領域中に形成され、ｐ−ｎ接
合ＫＡ，ＫＢ，ＫＣ，・・・・・・によつて個々に隔離
されているので、光信号受信時の個々の構成素子間のブ
ルーミングの影響を著しく低減することができる。
は、第２図に示すようにシリコン基板１１に形成される
ホトダイオードアレイの各構成素子が隔離領域１３によ
つて互いに分離された島状領域中に形成され、ｐ−ｎ接
合ＫＡ，ＫＢ，ＫＣ，・・・・・・によつて個々に隔離
されているので、光信号受信時の個々の構成素子間のブ
ルーミングの影響を著しく低減することができる。
したがつて、このようなホトダイオードアレイをたとえ
ば分光光度計に適用して光検出装置として用いる際には
前記ブルーミングの低減によつて波長分解能が増大し分
析能力を大幅に向上させることができる。特に前記ホト
ダイオードアレイを第３図ないし第５図に示す自己走査
型の光検出装置に適用する場合には、各ホトダイオード
素子ＰＡ，ＰＢ，ＰＯ，・・・・・・が前記のように隔
離領域によつて島状領域ＩＡ，ＩＢ，ＩＣ，・・・・・
・に隔離されているので、走査回路部および他の隣接す
る素子との界面からの漏洩電流を除くことができ、した
がつて電荷蓄積時間を長くとつて低レベルの入射光を検
知することが可能となる。
ば分光光度計に適用して光検出装置として用いる際には
前記ブルーミングの低減によつて波長分解能が増大し分
析能力を大幅に向上させることができる。特に前記ホト
ダイオードアレイを第３図ないし第５図に示す自己走査
型の光検出装置に適用する場合には、各ホトダイオード
素子ＰＡ，ＰＢ，ＰＯ，・・・・・・が前記のように隔
離領域によつて島状領域ＩＡ，ＩＢ，ＩＣ，・・・・・
・に隔離されているので、走査回路部および他の隣接す
る素子との界面からの漏洩電流を除くことができ、した
がつて電荷蓄積時間を長くとつて低レベルの入射光を検
知することが可能となる。
さらに本実施例のホトダイオードアレイでは、前記ＭＯ
ＳトランジスタスイツチＱＡ，ＱＢ，ＱＯ，・・・・・
・の各ソースおよびドレインの拡散時に形成されるｐ＋
形層１４がホトダイオードのガードリングとして作用す
るので、短波長感度の増大のためにｐ−ｎ接合の深さを
浅くする場合において暗電流の低下およびバイアス耐圧
の改善効果が得られる。
ＳトランジスタスイツチＱＡ，ＱＢ，ＱＯ，・・・・・
・の各ソースおよびドレインの拡散時に形成されるｐ＋
形層１４がホトダイオードのガードリングとして作用す
るので、短波長感度の増大のためにｐ−ｎ接合の深さを
浅くする場合において暗電流の低下およびバイアス耐圧
の改善効果が得られる。
さらに、このようにｐ−ｎ接合が浅いとｐ形層１５の抵
抗が増加して電荷蓄積モードの動作の際に電荷の取り残
しを生じて検出能力を低下させる惧れがあるが、ガード
リングのｐ＋形領域１４の部分の抵抗が小さいので拡散
抵抗が実質的に低下しこのような不具合を避けることが
できる。特に分光光度計用途において分光器スリツトの
形状のために比較的大きなホトダイオードの受光面積を
必要とするときにはこのような構造が効果的である。尚
、前記実施例においてはホトダイオードアレイが自己走
査型のものであつてＭＯＳトランジスタスイツチを含む
ものとして説明されているが、本発明はもとよりホトダ
イオードアレイのみからなる光検出装置として構成する
こともできる。
抗が増加して電荷蓄積モードの動作の際に電荷の取り残
しを生じて検出能力を低下させる惧れがあるが、ガード
リングのｐ＋形領域１４の部分の抵抗が小さいので拡散
抵抗が実質的に低下しこのような不具合を避けることが
できる。特に分光光度計用途において分光器スリツトの
形状のために比較的大きなホトダイオードの受光面積を
必要とするときにはこのような構造が効果的である。尚
、前記実施例においてはホトダイオードアレイが自己走
査型のものであつてＭＯＳトランジスタスイツチを含む
ものとして説明されているが、本発明はもとよりホトダ
イオードアレイのみからなる光検出装置として構成する
こともできる。
また隔離領域の形成も前記実施例の方法に限定されるこ
とはなく、たとえばｐ＋形のシリコン基板上にｎ形層を
エピタキシヤル成長させこの層中にｐ＋形層を選択的に
拡散させて島状領域を形成することもできる。さらに本
発明の装置は前記実施例で用いたｐ形基板に代えてｎ形
基板から出発し、この主表面上に夫々所定の導電形の領
域を形成して構成することもできる。
とはなく、たとえばｐ＋形のシリコン基板上にｎ形層を
エピタキシヤル成長させこの層中にｐ＋形層を選択的に
拡散させて島状領域を形成することもできる。さらに本
発明の装置は前記実施例で用いたｐ形基板に代えてｎ形
基板から出発し、この主表面上に夫々所定の導電形の領
域を形成して構成することもできる。
尚、前記実施例ではホトダイオードの接合がｐ−ｎ接合
である場合について説明したが、本発明においてはその
他シヨツトキ接合、ヘテロ接合、ＳｉＯ２とＳ１との界
面反転層を利用して形成した場合等を用いることができ
る。
である場合について説明したが、本発明においてはその
他シヨツトキ接合、ヘテロ接合、ＳｉＯ２とＳ１との界
面反転層を利用して形成した場合等を用いることができ
る。
さらにダイオード素子の材料も前記実施例のシリコンに
限定されるものではなく、たとえばＧａＡｓ，ＩｎＰ等
の化合物半導体を用いることもできる。叙上のように本
発明の半導体光検出装置によれば個々の光検出素子間の
光信号のにじみの低減によつて検出能力を大幅に向上さ
せることができる。
限定されるものではなく、たとえばＧａＡｓ，ＩｎＰ等
の化合物半導体を用いることもできる。叙上のように本
発明の半導体光検出装置によれば個々の光検出素子間の
光信号のにじみの低減によつて検出能力を大幅に向上さ
せることができる。
第１図は従来のホトダイオードアレイの要部の断面図、
第２図は本発明実施例に用いるホトダイオードアレイの
要部の断面図、第３図および第４図は本発明実施例の要
部の平面図、第５図は前記実施例のホトダイオードアレ
イの等価回路である。 １１・・・・・・ｐ形シリコン基板、１２Ａ，１２Ｂ，
１２０・・・・・・ｎ形層、１３・・・・・・ｐ＋形隔
離領域、１５Ａ，１５Ｂ，１５０・・・・・・ｐ形層、
ＪＡ，ＪＢ：Ｊｃ・・・・・・ｐ−ｎ接合（光検出）、
ＫＡ，ＫＢ，ＫＣ・・・・・・ｐ−ｎ接合（隔離）。
第２図は本発明実施例に用いるホトダイオードアレイの
要部の断面図、第３図および第４図は本発明実施例の要
部の平面図、第５図は前記実施例のホトダイオードアレ
イの等価回路である。 １１・・・・・・ｐ形シリコン基板、１２Ａ，１２Ｂ，
１２０・・・・・・ｎ形層、１３・・・・・・ｐ＋形隔
離領域、１５Ａ，１５Ｂ，１５０・・・・・・ｐ形層、
ＪＡ，ＪＢ：Ｊｃ・・・・・・ｐ−ｎ接合（光検出）、
ＫＡ，ＫＢ，ＫＣ・・・・・・ｐ−ｎ接合（隔離）。
Claims (1)
- １ 光検出のための接合部を有する複数の半導体素子を
同一の半導体基板内に配列してなる半導体光検出装置に
おいて、第１の導電形を有する半導体基板と、この半導
体基板の一方の主表面内に形成された第２の導電形を有
する第１の半導体領域およびこの第１の半導体領域内上
に一方の主表面に露出するように形成された第１の導電
形を有する互いに分離された複数の第２の半導体領域を
有する複数のホトダイオード素子と、前記複数のホトタ
イオート素子を互いに隔離するように前記半導体基板の
主表面内に形成された第１の導電形を有する半導体隔離
領域とを有することを特徴とする半導体光検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54108111A JPS5925164B2 (ja) | 1979-08-27 | 1979-08-27 | 半導体光検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54108111A JPS5925164B2 (ja) | 1979-08-27 | 1979-08-27 | 半導体光検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5633515A JPS5633515A (en) | 1981-04-04 |
| JPS5925164B2 true JPS5925164B2 (ja) | 1984-06-15 |
Family
ID=14476166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54108111A Expired JPS5925164B2 (ja) | 1979-08-27 | 1979-08-27 | 半導体光検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5925164B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3189464B2 (ja) * | 1993-02-19 | 2001-07-16 | 株式会社デンソー | 回転位置検出装置 |
-
1979
- 1979-08-27 JP JP54108111A patent/JPS5925164B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5633515A (en) | 1981-04-04 |
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