JPS59253B2 - キソウハンノウソウチ - Google Patents
キソウハンノウソウチInfo
- Publication number
- JPS59253B2 JPS59253B2 JP50099835A JP9983575A JPS59253B2 JP S59253 B2 JPS59253 B2 JP S59253B2 JP 50099835 A JP50099835 A JP 50099835A JP 9983575 A JP9983575 A JP 9983575A JP S59253 B2 JPS59253 B2 JP S59253B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- quartz plate
- chamber
- ring
- heating
- envelope
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は気相反応装置に関する。
半導体基板に気相成長の如き気相反応を施すための一例
の装置を第１図に示す。
の装置を第１図に示す。
第１図ａは一部を断面図で、また同図すは図ａの一部の
断面図を示し、図における１は外囲器でこれは基台１ａ
とふた体１ｂとからなり、半導体基板２を載置しこれを
加熱する基板載置加熱台３を前記外囲器内の基台に取着
して外囲器内部を反応室Ａと加熱室Ｂに分割する。
断面図を示し、図における１は外囲器でこれは基台１ａ
とふた体１ｂとからなり、半導体基板２を載置しこれを
加熱する基板載置加熱台３を前記外囲器内の基台に取着
して外囲器内部を反応室Ａと加熱室Ｂに分割する。
そして反応室内には気相成長のための反応ガス、たとえ
ばシランと酸素とをキャリアガスの窒素とともに導入す
る反応ガス導入管４と排気ガスを排出する排気管５とを
備える。
ばシランと酸素とをキャリアガスの窒素とともに導入す
る反応ガス導入管４と排気ガスを排出する排気管５とを
備える。
また基板載置加熱台は高純度の石英板が好適し、この下
部にある加熱室に装着されたカーボンでなる加熱体６に
よって載置した半導体基板２を一例の４００℃に加熱し
て反応せしめて低温酸化膜（図示省略）を形成する。
部にある加熱室に装着されたカーボンでなる加熱体６に
よって載置した半導体基板２を一例の４００℃に加熱し
て反応せしめて低温酸化膜（図示省略）を形成する。
上記気相反応装置における加熱室と反応室との遮断は第
１図すに示すように、石英板ホルダーＴに０１Ｊング８
を取り付け、この０１Ｊング上に石英板３を設置し、か
つ石英板３の上側よりステンレス製の締付リング９を石
英板破損防止用テフロンリング１０を介して載置し、前
記締付はリングを複数個のボルト１１により周囲を締結
していた。
１図すに示すように、石英板ホルダーＴに０１Ｊング８
を取り付け、この０１Ｊング上に石英板３を設置し、か
つ石英板３の上側よりステンレス製の締付リング９を石
英板破損防止用テフロンリング１０を介して載置し、前
記締付はリングを複数個のボルト１１により周囲を締結
していた。
しかるにこの方法は、ボルトを締め過ぎたり、周囲にわ
たり均一に締め付けできないと石英板を破損する。
たり均一に締め付けできないと石英板を破損する。
又、締め付けか弱すぎると、０リング８を通して加熱室
内に反応ガスである酸素その他ガスが入りこみ加熱源で
あるカーボンヒータ６を汚染しあるいは劣化させる原因
となる。
内に反応ガスである酸素その他ガスが入りこみ加熱源で
あるカーボンヒータ６を汚染しあるいは劣化させる原因
となる。
更に何度か反応を行うと石英板上にＳ ｉｏ ２が堆積
し、ウェハーがよごれる原因となる為石英板を洗わねば
ならず、その度に石英板を取りはずさねばならない。
し、ウェハーがよごれる原因となる為石英板を洗わねば
ならず、その度に石英板を取りはずさねばならない。
しかして上述の如き困難な石英板の装脱を繁く行わねば
ならないという重大な欠点がある。
ならないという重大な欠点がある。
本発明は上記欠点を改良する気相反応装置を提供するに
ある。
ある。
即ち本発明の気相反応装置は外囲器と、この外囲器内を
反応室と加熱室に分割する基板載置加熱台と、前記反応
室と加熱室との間を遮断するために前記外囲器の内壁ま
たはその延長部に複数条の遮断リングを備え前記基板載
置加熱台の表面の一部とで形成された遮断室と、前記遮
断室に接続された排気装置とを具備したことを特徴とす
るものである。
反応室と加熱室に分割する基板載置加熱台と、前記反応
室と加熱室との間を遮断するために前記外囲器の内壁ま
たはその延長部に複数条の遮断リングを備え前記基板載
置加熱台の表面の一部とで形成された遮断室と、前記遮
断室に接続された排気装置とを具備したことを特徴とす
るものである。
本発明の気相反応装置は基板載置加熱台、即ち石英板の
締め付けをボルトを用いず石英板ホルダーに複数個の遮
断リングたとえば０リングを設け、この上に石英板を乗
せる。
締め付けをボルトを用いず石英板ホルダーに複数個の遮
断リングたとえば０リングを設け、この上に石英板を乗
せる。
更に遮断リングと石英板、石英板ホルダーとによって囲
まれた遮断室を減圧することにより石英板を遮断リング
に密着させ完全に反応室と加熱室とを遮断することが出
来、石英板の装脱頻度を低減する。
まれた遮断室を減圧することにより石英板を遮断リング
に密着させ完全に反応室と加熱室とを遮断することが出
来、石英板の装脱頻度を低減する。
したがって石英板の破損もなく、作業性も締付作業なく
非常に向上する。
非常に向上する。
以下本発明の一実施例を図面を参照して詳細に説明する
。
。
第２図に示すように半導体基板２を載置した石英板３の
外縁に沿い石英板ホルダー２１に外側の０リング２２ａ
と内側の０リング２２ｂとが１０ｍｍ程度離れて設置で
きるような溝２３を作り、２本の０リングを設置する。
外縁に沿い石英板ホルダー２１に外側の０リング２２ａ
と内側の０リング２２ｂとが１０ｍｍ程度離れて設置で
きるような溝２３を作り、２本の０リングを設置する。
ＯＩＪソング硬度は、ゴム硬度で２０〜３０程度の軟か
いものが適当である。
いものが適当である。
２本のＯＩＪソングよって狭まれた石英板ホルダー上の
面に円周方向に沿って少くとも１個の孔２４をあけ外部
の真空装置に接続し、０リング間で囲まれた遮断室Ｃ゛
を真空装置（図示省略）で排気する。
面に円周方向に沿って少くとも１個の孔２４をあけ外部
の真空装置に接続し、０リング間で囲まれた遮断室Ｃ゛
を真空装置（図示省略）で排気する。
第３図は別の実施例である。すなわち第２図の真空引き
の孔２４の代りに円周にそう巾０．５朋程度のスリット
２５を設け、更にその下に真空引きの均一化をはかるた
めリザーバ （Ｒｅ５ｅｒｖｏｉｒ ） ２６を設ける。
の孔２４の代りに円周にそう巾０．５朋程度のスリット
２５を設け、更にその下に真空引きの均一化をはかるた
めリザーバ （Ｒｅ５ｅｒｖｏｉｒ ） ２６を設ける。
このようにすれば、外部真空装置と石英板ホルダーとの
継ぎは１本又は数本で済み第２図の方法より簡単となる
。
継ぎは１本又は数本で済み第２図の方法より簡単となる
。
石英板を取りはずす時は、外部真空装置と石英板ホルダ
ーとの間の配管の１部にバルブを設け、遮断室に空気又
は窒素を導入し大気圧にすれば石英板は簡単にはずすこ
とができる。
ーとの間の配管の１部にバルブを設け、遮断室に空気又
は窒素を導入し大気圧にすれば石英板は簡単にはずすこ
とができる。
以上のように本発明によれば、石英板はＯＩＪソング密
着し、反応室側から加熱室へのリークはなＧ）。
着し、反応室側から加熱室へのリークはなＧ）。
例えば５００φの石英板を用い外側０リングは外縁にそ
い内側０１Ｊングはそれより１０ｍｍ内側に設は遮断室
を５００ Ｔｏｒｒに真空引きすれば石英板は約６０ｋ
ｇの力で周囲を押さえる事になり、ゴム硬度２０〜３０
程度の０リングならば充分なつぶし代（しろ）がとれる
。
い内側０１Ｊングはそれより１０ｍｍ内側に設は遮断室
を５００ Ｔｏｒｒに真空引きすれば石英板は約６０ｋ
ｇの力で周囲を押さえる事になり、ゴム硬度２０〜３０
程度の０リングならば充分なつぶし代（しろ）がとれる
。
たとえ外縁０１Ｊング通して反応室側よりリークしても
遮断室で真空に引かれ加熱室側にもれることはない。
遮断室で真空に引かれ加熱室側にもれることはない。
さらにこの手段によれば石英板装着のテフロンリングも
不要でかつ締め付はミスもなく、熱膨張差も回避できる
ので石英板の破損はなくなるなどの顕著な効果がある。
不要でかつ締め付はミスもなく、熱膨張差も回避できる
ので石英板の破損はなくなるなどの顕著な効果がある。
第１図ａは一例の半導体気相反応装置の一実施例を示す
一部断面図、同図すは図ａの要部を示す一部断面図の拡
大図、第２図は本発明の要部を示す一部断面図の拡大図
、第３図は本発明の他の実施例を示す一部断面図である
。 なお図中同一符号は同一または相当部分を夫々示すもの
とする。 Ａ・・・・・・反応室、Ｂ・・・・・・加熱室、Ｃ・・
・・・・遮断室、１・・・・・・外囲器、３・・・・・
・基板載置加熱台、２２ａ。 ２２ｂ・・・・・・遮断リング。
一部断面図、同図すは図ａの要部を示す一部断面図の拡
大図、第２図は本発明の要部を示す一部断面図の拡大図
、第３図は本発明の他の実施例を示す一部断面図である
。 なお図中同一符号は同一または相当部分を夫々示すもの
とする。 Ａ・・・・・・反応室、Ｂ・・・・・・加熱室、Ｃ・・
・・・・遮断室、１・・・・・・外囲器、３・・・・・
・基板載置加熱台、２２ａ。 ２２ｂ・・・・・・遮断リング。
Claims (1)
- １ 外囲器とこの外囲器内を反応室と加熱室に分割する
基板載置加熱台と、前記反応室と加熱室との間を遮断す
るために前記外囲器の内壁またはその延長部に複数条の
遮断リングを備え前記基板載置加熱台の表面の一部とで
形成された遮断室と、前記遮断室に接続された排気装置
とを具備したことを特徴とする気相反応装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50099835A JPS59253B2 (ja) | 1975-08-19 | 1975-08-19 | キソウハンノウソウチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50099835A JPS59253B2 (ja) | 1975-08-19 | 1975-08-19 | キソウハンノウソウチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5223571A JPS5223571A (en) | 1977-02-22 |
| JPS59253B2 true JPS59253B2 (ja) | 1984-01-06 |
Family
ID=14257860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50099835A Expired JPS59253B2 (ja) | 1975-08-19 | 1975-08-19 | キソウハンノウソウチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59253B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH047189Y2 (ja) * | 1985-05-21 | 1992-02-26 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4913659U (ja) * | 1972-05-04 | 1974-02-05 |
-
1975
- 1975-08-19 JP JP50099835A patent/JPS59253B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5223571A (en) | 1977-02-22 |
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