JPS5927488B2 - 電力増幅器におけるバイアス回路 - Google Patents
電力増幅器におけるバイアス回路Info
- Publication number
- JPS5927488B2 JPS5927488B2 JP53141487A JP14148778A JPS5927488B2 JP S5927488 B2 JPS5927488 B2 JP S5927488B2 JP 53141487 A JP53141487 A JP 53141487A JP 14148778 A JP14148778 A JP 14148778A JP S5927488 B2 JPS5927488 B2 JP S5927488B2
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- JP
- Japan
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- transistor
- power
- collector
- emitter
- bias
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/30—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
- H03F1/307—Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in push-pull amplifiers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は温度補償を良好になし得るようにした電力増
幅器におけるバイアス回路に関する。
幅器におけるバイアス回路に関する。
一般にトランジスタで構成された電力増幅器においては
、周囲温度の変化やトランジスタの自己発熱によってト
ランジスタの動作点が変動する問題があるため、前記変
動を防止すべくバイアス回路に温度補償機能をもたせる
ようにしている。
、周囲温度の変化やトランジスタの自己発熱によってト
ランジスタの動作点が変動する問題があるため、前記変
動を防止すべくバイアス回路に温度補償機能をもたせる
ようにしている。
例えば第１図に示すＢ級電力増幅器は、それぞれダーリ
ントン接続されたトランジスタＱ１〜Ｑ３とトランジス
タＱ４〜Ｑ６（この場合Ｑ３．Ｑ６はパワートランジス
タ）とからなるコンプリメンタリ５ＥＰＰ回路において
、そのバイアス回路１をトランジスタＱ１．Ｑ４の各ベ
ース間に直列に介挿した抵抗２，３と、前記各ベース間
にコレクターエミッタを接続すると共に抵抗２，３の接
続点にベースを接続し、かつトランジスタＱ３と熱結合
されたトランジスタＱ７とで構成し、温度変化によって
トランジスタＱ１． Ｑ、の各ベース間の電圧が変化し
ようさした場合に、トランジスタＱ７のベースーエミッ
タ間電圧が上記の変化を打ち消すように変化して前記各
ベース間の電圧が一定に保たれ、もってトランジスタＱ
１〜Ｑ６における熱暴走やアイドリング電流不足による
クロスオーバ歪の発生等を防止するようにしたものであ
る。
ントン接続されたトランジスタＱ１〜Ｑ３とトランジス
タＱ４〜Ｑ６（この場合Ｑ３．Ｑ６はパワートランジス
タ）とからなるコンプリメンタリ５ＥＰＰ回路において
、そのバイアス回路１をトランジスタＱ１．Ｑ４の各ベ
ース間に直列に介挿した抵抗２，３と、前記各ベース間
にコレクターエミッタを接続すると共に抵抗２，３の接
続点にベースを接続し、かつトランジスタＱ３と熱結合
されたトランジスタＱ７とで構成し、温度変化によって
トランジスタＱ１． Ｑ、の各ベース間の電圧が変化し
ようさした場合に、トランジスタＱ７のベースーエミッ
タ間電圧が上記の変化を打ち消すように変化して前記各
ベース間の電圧が一定に保たれ、もってトランジスタＱ
１〜Ｑ６における熱暴走やアイドリング電流不足による
クロスオーバ歪の発生等を防止するようにしたものであ
る。
ところでトランジスタの温度補償は、結論的にトランジ
スタのジャンクション温度Ｔｊの変化による動作点の変
動を補償することであるが、この場合ジャンクション温
度Ｔｊの変化する要因は主として（１）周囲温度の変化
、（２）無信号時におけるトランジスタの自己発熱（コ
レクタ損失Ｐｃによる発熱）、（３）信号出力時におけ
るトランジスタの自己発熱の３つである。
スタのジャンクション温度Ｔｊの変化による動作点の変
動を補償することであるが、この場合ジャンクション温
度Ｔｊの変化する要因は主として（１）周囲温度の変化
、（２）無信号時におけるトランジスタの自己発熱（コ
レクタ損失Ｐｃによる発熱）、（３）信号出力時におけ
るトランジスタの自己発熱の３つである。
しかして、第１図に示す回路は、上記（１） 、 （２
）の要因に対して湿度補償を有効になし得るが、（３）
の要因に対する湿度補償をなす場合に、パワートランジ
スタＱ３のケース温度によって温度補償をなす関係から
次のような不都合を生じる。
）の要因に対して湿度補償を有効になし得るが、（３）
の要因に対する湿度補償をなす場合に、パワートランジ
スタＱ３のケース温度によって温度補償をなす関係から
次のような不都合を生じる。
すなわち第１図に示すようなり級増幅器においては、パ
ワートランジスタＱ３．Ｑ６を歪最小点におくバイアス
として通常１０〜２０ ｍＡ程度のアイドリング電流を
必要とする。
ワートランジスタＱ３．Ｑ６を歪最小点におくバイアス
として通常１０〜２０ ｍＡ程度のアイドリング電流を
必要とする。
一方この増幅器においては、各トランジスタが増幅動作
した場合に、無信号時に比較して各トランジスタのコレ
クタ損失が増大し、これによって各トランジスタのジャ
ンクション温度が上昇し、したがってこのとき各トラン
ジスタのある一定のアイドリング電流を流すのに必要な
ＶＢｇ （ベース−エミッタ間電圧）が無信号時より減
少した状態となる。
した場合に、無信号時に比較して各トランジスタのコレ
クタ損失が増大し、これによって各トランジスタのジャ
ンクション温度が上昇し、したがってこのとき各トラン
ジスタのある一定のアイドリング電流を流すのに必要な
ＶＢｇ （ベース−エミッタ間電圧）が無信号時より減
少した状態となる。
この結果上記の増幅器においては、バイアス値を大出力
時に歪最小となるように設定すると出力を減少させた際
に各トランジスタのジャンクション湿度が低下して同じ
アイドリング電流を流すのに必要とする各トランジスタ
のＶＢＨが増大する。
時に歪最小となるように設定すると出力を減少させた際
に各トランジスタのジャンクション湿度が低下して同じ
アイドリング電流を流すのに必要とする各トランジスタ
のＶＢＨが増大する。
しかし、トランジスタＱ７の■。
Ｆ、はパワートランジスタＱ３のケース温度を検知する
ことにより決っているので、これによってアイドリング
電流が減少してクロスオーバ歪の発生を招来する問題が
ある。
ことにより決っているので、これによってアイドリング
電流が減少してクロスオーバ歪の発生を招来する問題が
ある。
また、この種の電力増幅器においては、パワートランジ
スタが、例えばＴＯ−３形等の大型の外装ケースを用い
ているため、その内部ジャンクション湿度の変化が外部
に伝達されるまでに、かなりの遅れ時間を要するという
問題がある。
スタが、例えばＴＯ−３形等の大型の外装ケースを用い
ているため、その内部ジャンクション湿度の変化が外部
に伝達されるまでに、かなりの遅れ時間を要するという
問題がある。
したがって、このような遅れ時間による問題を解決する
には、ジャンクション温度の伝達時間が早い小型の外装
を有しかつパワートランジスタのコレクタ損失に比例し
た損失を発生するような他のトランジスタを設け、この
他のトランジスタの温度変化に応じてバイアスを制御す
るとよい。
には、ジャンクション温度の伝達時間が早い小型の外装
を有しかつパワートランジスタのコレクタ損失に比例し
た損失を発生するような他のトランジスタを設け、この
他のトランジスタの温度変化に応じてバイアスを制御す
るとよい。
この発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、その目
的とするところはトランジスタのコレクタ損失の変化に
かかわらず常に温度補償を適確になし得るようにした電
力増幅器におけるバイアス回路を提供するもので、パワ
ートランジスタのコレクタ損失をコレクタ損失検出用の
他のトランジスタによって検出すると共に、前記パワー
トランジスタのベースに接続されたバイアス発生用のト
ランジスタにこのコレクタ損失検出用のトランジスタを
熱結合し、これによってパワートランジスタのバイアス
値を制御するようにしたことにある。
的とするところはトランジスタのコレクタ損失の変化に
かかわらず常に温度補償を適確になし得るようにした電
力増幅器におけるバイアス回路を提供するもので、パワ
ートランジスタのコレクタ損失をコレクタ損失検出用の
他のトランジスタによって検出すると共に、前記パワー
トランジスタのベースに接続されたバイアス発生用のト
ランジスタにこのコレクタ損失検出用のトランジスタを
熱結合し、これによってパワートランジスタのバイアス
値を制御するようにしたことにある。
以下、この発明の一実施例を第２図を参照して説明する
。
。
第２図において電力増幅器１０は、トランジスタＱ１、
〜Ｑ１３とトランジスタＱ１４〜Ｑ１６（Ｑ１３゜Ｑ１
６は第１、第２のパワートランジスタ）とからなるコン
プリメンタリ５ＥＰＰ回路において、トランジスタＱ１
１ ｔ Ｑ１４の各ベース間に抵抗１２゜１３を直列に
介挿する一方同各ベース間に抵抗１２．１３の接続点に
ベースを接続したトランジスタＱ１□（バイアス発生用
のトランジスタ）のコレクターエミツクを接続してなる
もので、この構成は第１図の構成と同様である。
〜Ｑ１３とトランジスタＱ１４〜Ｑ１６（Ｑ１３゜Ｑ１
６は第１、第２のパワートランジスタ）とからなるコン
プリメンタリ５ＥＰＰ回路において、トランジスタＱ１
１ ｔ Ｑ１４の各ベース間に抵抗１２゜１３を直列に
介挿する一方同各ベース間に抵抗１２．１３の接続点に
ベースを接続したトランジスタＱ１□（バイアス発生用
のトランジスタ）のコレクターエミツクを接続してなる
もので、この構成は第１図の構成と同様である。
そしてこの電力増幅器１０においては、パワートランジ
スタＱ１３のエミッタとそのエミッタ抵抗１４（値Ｒ１
４）の一端との接続点がトランジスタＱ１８のベースに
接続されている。
スタＱ１３のエミッタとそのエミッタ抵抗１４（値Ｒ１
４）の一端との接続点がトランジスタＱ１８のベースに
接続されている。
トランジスタＱ１８は、そのコレクタが負電源端子１５
に接続され、エミッタがトランジスタＱ１．（コレクタ
損失検出用のトランジスタ）のベースに接続されると共
に抵抗１６を介して正電源端子１７に接続されている。
に接続され、エミッタがトランジスタＱ１．（コレクタ
損失検出用のトランジスタ）のベースに接続されると共
に抵抗１６を介して正電源端子１７に接続されている。
またトランジスタＱ１９は、そのコレクタが正電源端子
１７に接続され、エミッタが抵抗１８（値Ｒ１８）を介
してエミッタ抵抗１４の他端の接続された出力端子１９
に接続されている。
１７に接続され、エミッタが抵抗１８（値Ｒ１８）を介
してエミッタ抵抗１４の他端の接続された出力端子１９
に接続されている。
トランジスタＱ１８，１９はパワートランジスタＱ１ｇ
のコレクタ損失を検出する回路を構成しており、この際
トランジスタＱ１９はパワートランジスタＱ１３と熱結
合され、またこのトランジスタＱ１９は前記トランジス
タＱ１□と特に１チツプデユアルトランジスタ等で構成
されることによってこのトランジスタＱ１７とより密に
熱結合されている。
のコレクタ損失を検出する回路を構成しており、この際
トランジスタＱ１９はパワートランジスタＱ１３と熱結
合され、またこのトランジスタＱ１９は前記トランジス
タＱ１□と特に１チツプデユアルトランジスタ等で構成
されることによってこのトランジスタＱ１７とより密に
熱結合されている。
上記の構成において、パワートランジスタＱ１３におけ
るケース温度Ｔｃとジャンクション温度Ｔｊとの差Ｔ（
ｊ−ｃ）は、パワートランジスタＱ１３の固有の熱抵抗
θ（ｊ−ｃ）とそのときのパワートランジスタＱ１３の
コレクタ損失Ｐ１３との積になる。
るケース温度Ｔｃとジャンクション温度Ｔｊとの差Ｔ（
ｊ−ｃ）は、パワートランジスタＱ１３の固有の熱抵抗
θ（ｊ−ｃ）とそのときのパワートランジスタＱ１３の
コレクタ損失Ｐ１３との積になる。
そしてこの差Ｔ（ｊ−ｃ）は、前記熱抵抗θ（ｊ−ｃ）
の値が一定であることから、コレクタ損失”１３に比較
した値となる。
の値が一定であることから、コレクタ損失”１３に比較
した値となる。
しかして上記の構成からなる回路は、前記コレクタ損失
Ｐ１３を検出し、このコレクタ損失に比例して回路のバ
イアス量を制御し、もってコレクタ損失Ｐ１３に応じて
回路の温度補償をなすようにしたものである。
Ｐ１３を検出し、このコレクタ損失に比例して回路のバ
イアス量を制御し、もってコレクタ損失Ｐ１３に応じて
回路の温度補償をなすようにしたものである。
すなわち上記の構成において、トランジスタＱ□８はそ
の動作点がトランジスタＱ１．のＶＢＥをキャンセルす
る状態に設定される。
の動作点がトランジスタＱ１．のＶＢＥをキャンセルす
る状態に設定される。
そしていま、パワートランジスタＱ１３のコレクタ損失
Ｐ１３とトランジスタＱＩＯのコレクタ損失Ｐ１９とを
求めると、Ｐ１３＝ ”１３ （Ｖｃ ’１３ ’
Ｒ１４） ・−・・” （１）Ｐ１ｏ＝ ｉｔｏ
（Ｖｃ ｉ ｌｏ−Ｒ１８） ・”−・・・（２）
〔但し１１３；パワートランジスタＱ１３のコレク夕電
流、１１ｇ＋トランジスタＱ１９のコレクタ損失、■ｃ
；正電源端子１７と出力端子１９との間の電圧〕 となる。
Ｐ１３とトランジスタＱＩＯのコレクタ損失Ｐ１９とを
求めると、Ｐ１３＝ ”１３ （Ｖｃ ’１３ ’
Ｒ１４） ・−・・” （１）Ｐ１ｏ＝ ｉｔｏ
（Ｖｃ ｉ ｌｏ−Ｒ１８） ・”−・・・（２）
〔但し１１３；パワートランジスタＱ１３のコレク夕電
流、１１ｇ＋トランジスタＱ１９のコレクタ損失、■ｃ
；正電源端子１７と出力端子１９との間の電圧〕 となる。
またｉｔ、−−ｔａ −１％であるから（２）式は、
となる。
となる。
したがってパワートランジスタＱ１３とトランジスタＱ
１．との各コレクタ損失Ｐ１３ ｊ ”ＩＣＩの関係は
（１） 、 （３）式かり、 １３／、。
１．との各コレクタ損失Ｐ１３ ｊ ”ＩＣＩの関係は
（１） 、 （３）式かり、 １３／、。
−７−となり、単なる比例関係となる。
この結果トランジスタＱ１９は、パワートランジスタＱ
１３のコレクタ損失Ｐ１３に比例したコレクタ損失Ｐ１
．をもって発熱し、その温度がトランジスタＱ１７に伝
達される。
１３のコレクタ損失Ｐ１３に比例したコレクタ損失Ｐ１
．をもって発熱し、その温度がトランジスタＱ１７に伝
達される。
しかしてトランジスタＱ１□は、パワートランジスタＱ
１３のコレクタ損失に応じてトランジスタＱ１１ 、Ｑ
１４の各ベース間の電圧を制御し、もって上記回路の温
度補償がなされる。
１３のコレクタ損失に応じてトランジスタＱ１１ 、Ｑ
１４の各ベース間の電圧を制御し、もって上記回路の温
度補償がなされる。
以上の説明から明らかなように、この発明による電力増
幅器におけるバイアス回路は、第１、第２のパワートラ
ンジスタの両ベース間にコレクタ・エミッタ間が介挿さ
れ、かつこのコレクタ・エミッタ間の電圧の分圧電圧が
ベースに印加されたバイアス発生用のトランジスタと、
コレクタか前記第１．第２のパワートランジスタのどち
らか一方のパワートランジスタのコレクタに接続されエ
ミッタが抵抗を介して出力端子に接続されかつベースニ
前記一方のパワートランジスタのエミッタ出力が印加さ
れたコレクタ損失検出用のトランジスタとを設け、この
コレクタ損失検出用のトランジスタと前記バイアス発生
用のトランジスタとを熱結合したものであるから、前記
コレクタ損失検出用のトランジスタとして小型のトラン
ジスタを用いれば、パワートランジスタのジャンクショ
ン湿度の変化が殆んど遅れを伴なうことなく同コレクタ
損失検出用のケース湿度変化として現われ、この温度変
化をバイアス発生用のトランジスタに伝達することがで
きる。
幅器におけるバイアス回路は、第１、第２のパワートラ
ンジスタの両ベース間にコレクタ・エミッタ間が介挿さ
れ、かつこのコレクタ・エミッタ間の電圧の分圧電圧が
ベースに印加されたバイアス発生用のトランジスタと、
コレクタか前記第１．第２のパワートランジスタのどち
らか一方のパワートランジスタのコレクタに接続されエ
ミッタが抵抗を介して出力端子に接続されかつベースニ
前記一方のパワートランジスタのエミッタ出力が印加さ
れたコレクタ損失検出用のトランジスタとを設け、この
コレクタ損失検出用のトランジスタと前記バイアス発生
用のトランジスタとを熱結合したものであるから、前記
コレクタ損失検出用のトランジスタとして小型のトラン
ジスタを用いれば、パワートランジスタのジャンクショ
ン湿度の変化が殆んど遅れを伴なうことなく同コレクタ
損失検出用のケース湿度変化として現われ、この温度変
化をバイアス発生用のトランジスタに伝達することがで
きる。
またこの場合、前記コレクタ損失検出用のトランジスタ
とバイアス発生用のトランジスタとを特にデュアルトラ
ンジスタで構成すれば、パワートランジスタのジャンク
ション湿度変化を即座にバイアス発生用トランジスタの
ジャンクションに伝達することができる。
とバイアス発生用のトランジスタとを特にデュアルトラ
ンジスタで構成すれば、パワートランジスタのジャンク
ション湿度変化を即座にバイアス発生用トランジスタの
ジャンクションに伝達することができる。
したがって、この発明によれば、パワートランジスタの
コレクタ損失が大きく変化しても、このパワートランジ
スタに対する温度補償を適確になし得る効果が得られる
。
コレクタ損失が大きく変化しても、このパワートランジ
スタに対する温度補償を適確になし得る効果が得られる
。
第１図は従来の電力増幅器の一例を示す回路図、第２図
はこの発明の一実施例を示す回路図である。 １４．１８・・−・・・抵抗、Ｑ１３・・・・・・第１
のパワートランジスタ、Ｑ１６・・・・・・第２のパワ
ートランジスタ、Ｑ１□・・・・・・バイアス発生用の
トランジスタ、Ｑ、９・・・・・・コレクタ損失検出用
のトランジスタ。
はこの発明の一実施例を示す回路図である。 １４．１８・・−・・・抵抗、Ｑ１３・・・・・・第１
のパワートランジスタ、Ｑ１６・・・・・・第２のパワ
ートランジスタ、Ｑ１□・・・・・・バイアス発生用の
トランジスタ、Ｑ、９・・・・・・コレクタ損失検出用
のトランジスタ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 第１、Ｍ２のパワートランジスタの各エミッタが各
々抵抗を介して出力端子に接続されたプッシュプル出力
段にバイアスを与えるための電力増幅器におけるバイア
ス回路において、前記第、■。 第２のパワートランジスタの両ベース間にコレクタ・エ
ミッタ間が介挿されかつこのコレクタ・エミッタ間に発
生する電圧の分圧電圧がベースに印加されたバイアス発
生用のトランジスタと、コレクタが前記第１、第２のパ
ワートランジスタのうちのいずれか一方のパワートラン
ジスタのコレクタに接続されエミッタが抵抗−を介して
前記出力端子に接続されると共にベースには前記一方の
パワートランジスタのエミッタ出力が印加されたコレク
タ損失検出用のトランジスタとを設け、このコレクタ損
失検出用のトランジスタと前記バイアス発生用のトラン
ジスタとを熱結合して構成したことを特徴とする電力増
幅器におけるバイアス回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53141487A JPS5927488B2 (ja) | 1978-11-16 | 1978-11-16 | 電力増幅器におけるバイアス回路 |
| US06/091,485 US4302727A (en) | 1978-11-16 | 1979-11-05 | Power amplifier having bias circuit with temperature compensation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53141487A JPS5927488B2 (ja) | 1978-11-16 | 1978-11-16 | 電力増幅器におけるバイアス回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5567208A JPS5567208A (en) | 1980-05-21 |
| JPS5927488B2 true JPS5927488B2 (ja) | 1984-07-06 |
Family
ID=15293045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53141487A Expired JPS5927488B2 (ja) | 1978-11-16 | 1978-11-16 | 電力増幅器におけるバイアス回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4302727A (ja) |
| JP (1) | JPS5927488B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60154887U (ja) * | 1984-03-26 | 1985-10-15 | 東亜株式会社 | 置き時計 |
| JPS60161888U (ja) * | 1984-03-22 | 1985-10-28 | 東亜株式会社 | 置き時計 |
| JPS6115587U (ja) * | 1984-07-03 | 1986-01-29 | 東亜株式会社 | 置き時計 |
Families Citing this family (12)
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|---|---|---|---|---|
| US4442410A (en) * | 1981-10-29 | 1984-04-10 | Halliburton Company | Temperature stabilized amplifier for borehole use |
| EP0277421A1 (en) * | 1986-12-05 | 1988-08-10 | The University Of Western Australia | Capacitance sensor arrangement |
| JP2598265B2 (ja) * | 1987-05-11 | 1997-04-09 | オンキヨー株式会社 | バイアス回路 |
| US5337012A (en) * | 1992-03-18 | 1994-08-09 | U.S. Philips Corporation | Amplifier having temperature compensated bias control |
| US5477188A (en) * | 1994-07-14 | 1995-12-19 | Eni | Linear RF power amplifier |
| US5570065A (en) * | 1994-08-26 | 1996-10-29 | Motorola, Inc. | Active bias for radio frequency power amplifier |
| JP3317829B2 (ja) * | 1995-12-07 | 2002-08-26 | 株式会社日立製作所 | ダイナミックフォーカス回路及びそれを用いたディスプレイ装置 |
| DE19634052C2 (de) * | 1996-08-23 | 1998-07-30 | Telefunken Microelectron | Verfahren zur Steuerung einer Gegentakt-Endstufe |
| DE102017109216A1 (de) * | 2017-04-28 | 2018-10-31 | Tigris Elektronik Gmbh | Signalverstärkerschaltung |
| WO2018197694A1 (de) | 2017-04-28 | 2018-11-01 | Tigris Elektronik Gmbh | Signalverstärkerschaltung, spannungswandler und system |
| US11194357B2 (en) | 2019-09-13 | 2021-12-07 | Nxp Usa, Inc. | Systems and methods for operating a bias controller for an amplifier circuit |
| US11601097B2 (en) * | 2020-09-17 | 2023-03-07 | Benson Amps, Inc. | Devices and methods for automatic thermal bias of transistors in musical devices |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5845842B2 (ja) * | 1976-12-15 | 1983-10-13 | 株式会社東芝 | トランジスタ増幅回路 |
-
1978
- 1978-11-16 JP JP53141487A patent/JPS5927488B2/ja not_active Expired
-
1979
- 1979-11-05 US US06/091,485 patent/US4302727A/en not_active Expired - Lifetime
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|---|---|---|---|---|
| JPS60161888U (ja) * | 1984-03-22 | 1985-10-28 | 東亜株式会社 | 置き時計 |
| JPS60154887U (ja) * | 1984-03-26 | 1985-10-15 | 東亜株式会社 | 置き時計 |
| JPS6115587U (ja) * | 1984-07-03 | 1986-01-29 | 東亜株式会社 | 置き時計 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4302727A (en) | 1981-11-24 |
| JPS5567208A (en) | 1980-05-21 |
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