JPS5928076B2 - レ−ザダイオ−ドのバイアス回路 - Google Patents

レ−ザダイオ−ドのバイアス回路

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JPS5928076B2
JPS5928076B2 JP12058079A JP12058079A JPS5928076B2 JP S5928076 B2 JPS5928076 B2 JP S5928076B2 JP 12058079 A JP12058079 A JP 12058079A JP 12058079 A JP12058079 A JP 12058079A JP S5928076 B2 JPS5928076 B2 JP S5928076B2
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JP
Japan
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laser diode
photodiode
current
bias circuit
light
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Expired
Application number
JP12058079A
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English (en)
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JPS5643792A (en
Inventor
忠義 北山
尭久 太田
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Expired legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、レーザダイオードの発光出力を安定化する
と共に、その発光出力の出力波形がモニタできるレーザ
ダイオードのバイアス回路に関するものである。
レーザダイオードは、そのスレッショルド電流を越える
電流を流すと発光(発振)を生ずる。
このスレッショルド電流の値は温度により大きく変動す
るので、単にそのバイアス電流(駆動電流)の値を一定
にするようなバイアス回路を用いたのでは、温度変化に
より発光出力は大きく変動する。第1図は従来のバイア
ス回路を示すもので、1はレーザダイオード、2はレー
ザダイオード1の発光出力の1部を光導波路9を通して
受光するホトダイオード、3および10はダーリントン
接続されたNPN型のトランジスタで、その後段トラン
ジスタ3のコレクタは抵抗4を介してレーザダイオード
1のカソードに接続され、また初段トランジスタ10の
ベースにはホトダイオード2のカソードおよび抵抗5、
コンデンサ6の一端がそれぞれ接続されている。
7は直流電源で、そのプラス側にはレーザダイオード1
のアノードおよび抵抗5の他端が、またマイナス側には
ホトダイオード2のアノード、トランジスタ3のエミッ
タおよびコンデンサ6の他端がそれぞれ接続されている
8はレーザダイオード1のカソード側に接続された変調
信号の入力端子である。
このような構成において、レーザダイオード1はトラン
ジスタ3よりそのバイアス電流の供給を受け、ある動作
レベルで入力端子8より入力される変調信号に応じた発
光動作をしているものとする。
このレーザダイオード1の発光出力の1部は光導波路9
を介してホトダイオード2に伝送、受光され、ホトダイ
オード2はその受光量すなわちレーザダイオード1の発
光出力に応じた受光出力を出力し、これをトランジスタ
10のベースに入カホる。この場合、トランジスタ10
のベースはコンデンサ6により交流的に接地されている
ので、ホトダイオード2より出力される受光電流の交流
分(すなわら入力端子8より入力される変調信号成分)
はコンデンサ6により平滑され、その平滑電流すなわら
直流分のみが制御信号としてトランジスタ10のベース
に入力される。トランジスタ10および3からなる増幅
器は、その入力制御信号に応じてレーザダイオード1の
バイアス電流を制御し、その平均発光出力が一定となる
よう動作する。ところで、従来の回路では、ホトダイオ
ード2に直接コンデンサ6を並列接続し、その受光電流
を平均化しているので、このままではホトダイオード2
の受光電流すなわちレーザダイオード1の発光出力波形
のモニタはできず、また発光出力波形をモニタしたい場
合は、上述のバイアス回路とは別に専用の波形モニタ回
路が必要であり、回路が複雑、高価になる等の欠点があ
つた。
この発明は、上記のような従来のものの欠点を除去する
ためなされたもので、ホトダイオードと直列接続され、
その受光電流を検出する抵抗素子を設けることにより安
価、かつ簡単な回路構成で、レーザダイオードの発光出
力の安定化を損なうことなくその発光出力波形のモニタ
が行えるレーザダイオードのバイアス回路を提供するこ
とを目的としている。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第2図において、符号1〜11は従来の第1図のものと
同一である。12はホトダイオード2のカソードとトラ
ンジスタ10のベース間に直列挿入された抵抗、13は
モニタ端子14とホトダイオード2のカソード間に接続
されたコンデンサである。
まず、この第2図におけるモニタ動作について述べる。
従来の回路動作と同様にレーザダイオード1の発光出力
の1部は光導波路9を介してホトダイオード2に伝送、
受光され、その受光量すなわちレーザダイオード1の発
光出力に応じた受光電流がホトダイオード2より出力さ
れる。この受光電流は抵抗12を介し、コンデンサ6で
平滑され、その直流分がトランジスタ10のベースに入
力される。この場合、抵抗12の両端にはホトダイオー
ド2の受光電流による電圧降下すなわちレーザダイオー
ド1の発光出力波形と相似な電圧波形を得ることができ
る。また、この抵抗器12の−端はコンデンサ6により
交流的に接地されているので、抵抗器12の他端からコ
ンデンサ13を通してモニタするようにすれば、レーザ
ダイオード1の発光出力波形の交流分を取出しモニタす
ることができる。
次に、このモニター時における発光出力の安定化動作に
ついて説明する。
モニタ端子14は、コンデンサ13により直流的には発
光出力安定化回路から切離されているので、その直流動
作すなわち安定化動作は従来回路と同様である。すなわ
ち、ホトダイオード2の内部抵抗が抵抗12の抵抗値分
だけ増加したのと等価となるが、一般にホトダイオード
2はその内部抵抗が非常に大きく、定電流源(内部抵抗
無限大)と見なせるので、ホトダイオード2に直列に接
続された抵抗12は、ホトダイオード2の動作に殆ど影
響を与えない。
それ故第2図の回路の動作は直流的には第1図の従来回
路と同じとなりレーザダイオード1の発光出力の安定化
が行われる。このように、この発明の従来との相違点は
、ホトダイオード2に直列に挿入した抵抗12を用いて
ホトダイオード2に流れる電流の交流分をモニタ電圧と
してピツクアツプする点にある。
したがつて、抵抗12は必ずしもホトダイオード2のカ
ソード側に接続しなくでも良く、第3図のようにホトダ
イオード2のアノード側に接続しても良い。いずれの場
合もホトダイオード2と抵抗12の接続点から、直流阻
止用のコンデンサ13を通してレーザダイオード1の発
光出力波形と相似な交流電圧波形をモニタすることがで
きる。なお、上記実施例では、便宜上、電源7のマイナ
ス側を接地電位としているが、交流的に同電位と見なせ
る点であればどこを接地電位としても良く、例えば電源
7のプラス側を接地電位とすることもできる。
またトランジスタ3,10の接続段数は2段に限らず、
1段とする場合、あるいは3段以上に構成する場合、お
よびNPNトランジスタの代りにPNPトランジスタを
用い電源7およびダイオード1,2の極性を逆にする場
合もこの発明に含まれることは云うまでもない。以上の
ように、この発明によればホトダイオードと直列に抵抗
素子を挿入すると云う極めて簡単な回路構成で、レーザ
ダイオードの平均発光出力の安定化動作を損なうことな
くその発光出力波形を電圧波形としてモニタすることが
できるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のレーザダイオードのバイアス回路を示す
回路図、第2図はこの発明の一実施例によるレーザダイ
オードのバイアス回路を示す回路図、第3図図はこの発
明の他の実施例を示す回路図である。 図中、1はレーザダイオード、2はホトダイオード、3
および10はトランジスタ、6はコンデンサ、12は抵
抗、14はモニタ端子である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 入力側が交流的に接地された増幅器よりレーザダイ
    オードにバイアス電流を供給し、そのレーザダイオード
    の発光出力の1部を上記増幅器の入力側に設けられたホ
    トダイオードに帰還し、その受光電流を上記増幅器に入
    力することにより上記レーザダイオードの平均発光出力
    の安定化を図るものにおいて、上記ホトダイオードと直
    列接続され、その受光電流のみを検出する抵抗素子を備
    えたことを特徴とするレーザダイオードのバイアス回路
JP12058079A 1979-09-18 1979-09-18 レ−ザダイオ−ドのバイアス回路 Expired JPS5928076B2 (ja)

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JP12058079A JPS5928076B2 (ja) 1979-09-18 1979-09-18 レ−ザダイオ−ドのバイアス回路

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JPS5643792A JPS5643792A (en) 1981-04-22
JPS5928076B2 true JPS5928076B2 (ja) 1984-07-10

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JP12058079A Expired JPS5928076B2 (ja) 1979-09-18 1979-09-18 レ−ザダイオ−ドのバイアス回路

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS60227488A (ja) * 1984-04-26 1985-11-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体レ−ザの出射光強度安定化装置

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JPS5643792A (en) 1981-04-22

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