JPS5928345A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS5928345A JPS5928345A JP57138318A JP13831882A JPS5928345A JP S5928345 A JPS5928345 A JP S5928345A JP 57138318 A JP57138318 A JP 57138318A JP 13831882 A JP13831882 A JP 13831882A JP S5928345 A JPS5928345 A JP S5928345A
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- Japan
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- gas
- film
- cell
- photochemical
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using incoherent light, UV to IR, e.g. lamps
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は化学気相反応を用いて膜を形成する装置に関し
、特に、光照射下での膜を形成する方法に関している。
、特に、光照射下での膜を形成する方法に関している。
従来、低温で膜を形成する方法として、プラズマ化学気
相反応を用いるのが一般的であった。しかしながら、プ
ラダｉを用いた化学気相成長に於いては、膜の堆積過程
で、プラズマ中に含まれるイオン、電子等の荷電粒子や
又プラズマから発生ずるＸ線等に因る下地や堆積膜への
照射損傷を避けることが回前「であった。近年プラズマ
エネルギーに代わって、光エネルギーを用いた光化学気
相反応に依る膜形成法が提唱された。この光化学気相反
応を用いることに依シ、上述したプラズマ法に因る損傷
の問題をとシ除く仁とが可能となる。
相反応を用いるのが一般的であった。しかしながら、プ
ラダｉを用いた化学気相成長に於いては、膜の堆積過程
で、プラズマ中に含まれるイオン、電子等の荷電粒子や
又プラズマから発生ずるＸ線等に因る下地や堆積膜への
照射損傷を避けることが回前「であった。近年プラズマ
エネルギーに代わって、光エネルギーを用いた光化学気
相反応に依る膜形成法が提唱された。この光化学気相反
応を用いることに依シ、上述したプラズマ法に因る損傷
の問題をとシ除く仁とが可能となる。
しかしながら、反応ガスへの光照射のみでｄ、堆積速度
が著しく遅く実用に供する事が難しかった。
が著しく遅く実用に供する事が難しかった。
この為に水銀蒸気を光増感剤として使用し、堆積水銀蒸
気を光増感剤として用いる製造方法によると、非常に微
量ではあるが堆積膜に水銀原子が入シ込み、それが膜質
の低下の要因となるという欠点や、又、水銀は有′Ｒ物
質であシ光増感剤として使用した水銀の処理法が難しく
かつ面倒であるという欠点がある。
気を光増感剤として用いる製造方法によると、非常に微
量ではあるが堆積膜に水銀原子が入シ込み、それが膜質
の低下の要因となるという欠点や、又、水銀は有′Ｒ物
質であシ光増感剤として使用した水銀の処理法が難しく
かつ面倒であるという欠点がある。
本発明の目的は、上記問題を除去し良質の堆ｆＩ（膜を
陸産的に形成する為の方法を提供することにある。
陸産的に形成する為の方法を提供することにある。
木兄ツＪの特徴は、光化学気相反応によシ堆積膜を形成
する際にキセノンガスを光増感剤として用い、発光体に
キセノンガスを含む光源を用いることを特徴とする。キ
セノンガスは、不活性ガスでありそのだめ堆積膜に微景
にはいったとしても、水銀の場合の様に膜質の低下をひ
きおとす事はない。さらに、光増感剤として使用したキ
セノンガスの後処理も水銀の場合の様に困）１１Ｇでｌ
−，１：なく、使用し易い利点がある。
する際にキセノンガスを光増感剤として用い、発光体に
キセノンガスを含む光源を用いることを特徴とする。キ
セノンガスは、不活性ガスでありそのだめ堆積膜に微景
にはいったとしても、水銀の場合の様に膜質の低下をひ
きおとす事はない。さらに、光増感剤として使用したキ
セノンガスの後処理も水銀の場合の様に困）１１Ｇでｌ
−，１：なく、使用し易い利点がある。
キセノンガスを光化学増感剤として使用して、例えば、
Ｓ目−１４とＮ２０を反応ガスに用い、５１０２膜を堆
積する際の反応過程は以下の通りである。
Ｓ目−１４とＮ２０を反応ガスに用い、５１０２膜を堆
積する際の反応過程は以下の通りである。
（１）Ｘ・（基底状態）」ｙ−＞Ｘ・（励起状態）（２
） Ｎ２０ ＋Ｎａ （励起状態）→Ｎ２−１−０
（励起状μｊｌ ） ＋Ｎａ （基底状態） （３） Ｓ＋ １．Ｔ ４−Ｆ ２０ （励起状態）
−＞ ８ ｉ ０２↓」−２１■２ ここで、光増感に主に開力しているＸｅの励起状態は、
λ＝ｚｓ９．ｉｉのものと考えられる。
） Ｎ２０ ＋Ｎａ （励起状態）→Ｎ２−１−０
（励起状μｊｌ ） ＋Ｎａ （基底状態） （３） Ｓ＋ １．Ｔ ４−Ｆ ２０ （励起状態）
−＞ ８ ｉ ０２↓」−２１■２ ここで、光増感に主に開力しているＸｅの励起状態は、
λ＝ｚｓ９．ｉｉのものと考えられる。
次に、実施例に基づき図面を用いて説明する。
第１図は本実施例に用いたガスハンドリング系および反
応セルの概要を示す。第１図において、反応セル１は、
λ＝２８９４人の紫外光を透過するように石英管を用い
ており、ガスノ・ンドリング系はパイレックスガラスを
用いている。まず、膜を堆積する基板２を反応セル１に
導入後ｓｂ合わせ部３を閉じ、パルプ４．パルプ５およ
びパルプ（３ａ。
応セルの概要を示す。第１図において、反応セル１は、
λ＝２８９４人の紫外光を透過するように石英管を用い
ており、ガスノ・ンドリング系はパイレックスガラスを
用いている。まず、膜を堆積する基板２を反応セル１に
導入後ｓｂ合わせ部３を閉じ、パルプ４．パルプ５およ
びパルプ（３ａ。
６ｂ 、５ｃを開き、反応セル１全体を赤外ランプ１０
で２００°Ｃに加熱し、クライオポンプで約１０分間排
気しパルプ４を閉じ反応セル１全体を１００°Ｃの温度
に降下させる。その後、パルプ５ ａ 、６ｂ。
で２００°Ｃに加熱し、クライオポンプで約１０分間排
気しパルプ４を閉じ反応セル１全体を１００°Ｃの温度
に降下させる。その後、パルプ５ ａ 、６ｂ。
６Ｃを閉じ、パルプ７ａ、７ｂ、７Ｃを開いて、ストレ
ージベッセル３ａ、８ｂ、８ｃに８ｉＨ，ガス、Ｎ２０
ガスおよび光化学増感剤のキセノンガスをそれぞれ導入
し、パルプ７ ａ 、 ７１） 、 ７ ｃを閉じ、パ
ルプ６ａ、６ｂ、６ｃを開き反応セル１にそれぞれのガ
スを導入してパルプ５を閉じる。
ージベッセル３ａ、８ｂ、８ｃに８ｉＨ，ガス、Ｎ２０
ガスおよび光化学増感剤のキセノンガスをそれぞれ導入
し、パルプ７ ａ 、 ７１） 、 ７ ｃを閉じ、パ
ルプ６ａ、６ｂ、６ｃを開き反応セル１にそれぞれのガ
スを導入してパルプ５を閉じる。
この時点において、５ｉｌｌ、ガスは１５ ’Ｊ”ｏｒ
ｒ、Ｎ２０ｊＪスはＩ Ｑ Ｔｏｒｒおよび光化学増感
剤のキセノンガスは５’ｌ’ｏｒｒになる様、それぞれ
のストレージベッセルの体積であらかじめ調整されてい
る。ここで、光増感剤としてのキセノンガスの分圧を５
１’ ｏ ｒ ｒと高くしている理由は、キセノン原子
の増感作用が水銀原子に比べ小さく、水銀の場合１Ｏ−
３Ｔｏｒｒで充分であるのに対し、キセノンガスの場合
５１’ｏｒｒ以上にしないと増感効果がみられない小実
圧基づくものである。次に基板２の幅度−１１００℃の
状態のま咬で反応セル１に５００Ｗの発光体にキセノン
を含む光源９によシ光を照射し、硅素酸化膜の」ｆｌ・
積を行なった。
ｒ、Ｎ２０ｊＪスはＩ Ｑ Ｔｏｒｒおよび光化学増感
剤のキセノンガスは５’ｌ’ｏｒｒになる様、それぞれ
のストレージベッセルの体積であらかじめ調整されてい
る。ここで、光増感剤としてのキセノンガスの分圧を５
１’ ｏ ｒ ｒと高くしている理由は、キセノン原子
の増感作用が水銀原子に比べ小さく、水銀の場合１Ｏ−
３Ｔｏｒｒで充分であるのに対し、キセノンガスの場合
５１’ｏｒｒ以上にしないと増感効果がみられない小実
圧基づくものである。次に基板２の幅度−１１００℃の
状態のま咬で反応セル１に５００Ｗの発光体にキセノン
を含む光源９によシ光を照射し、硅素酸化膜の」ｆｌ・
積を行なった。
以上の様にして形成した硅素酸化膜を用いて、Ｍ０８型
↑；２Ｊ造を作り、Ｃ−Ｖ特性を従来の水銀光増感法に
よる硅素酸化膜を用いたものと比較したととろ、同波数
分散が少なく特性の再現性も良く、又ヒステリシスも少
ない良好な結果を？’）ることかできた。
↑；２Ｊ造を作り、Ｃ−Ｖ特性を従来の水銀光増感法に
よる硅素酸化膜を用いたものと比較したととろ、同波数
分散が少なく特性の再現性も良く、又ヒステリシスも少
ない良好な結果を？’）ることかできた。
以上の様に木兄Ｆ！ＩＪは、低温で良質の堆積膜を量産
的に形成するのに役立つものである。
的に形成するのに役立つものである。
尚、本実施例においては反応ガスとして５ＩＨ４とＮ２
０ を用い、硅素酸化膜を形成したが反応ガスとして
Ｓ目■４とＮ１．Ｉ３ を用い良質の硅素窒化膜を反
応ガスとして５ＩＩＩ４のみを用いることにより、良質
の非晶質硅素膜を光増感剤としてキセノンガスを用いる
ことによシ、量産的に形成することが可能である。
０ を用い、硅素酸化膜を形成したが反応ガスとして
Ｓ目■４とＮ１．Ｉ３ を用い良質の硅素窒化膜を反
応ガスとして５ＩＩＩ４のみを用いることにより、良質
の非晶質硅素膜を光増感剤としてキセノンガスを用いる
ことによシ、量産的に形成することが可能である。
尚、第１図において１・・・・・・反応セル、２・・・
・・・基板、３・・・・・・磨υ合わせ、４，５，６．
７・・・・・・パルプ、８・・・・・・ストレージベッ
セル、９・・印・発光体にキセノンを含む光源、１０・
・・・・・反応セル１を加熱する赤外ラングである。
・・・基板、３・・・・・・磨υ合わせ、４，５，６．
７・・・・・・パルプ、８・・・・・・ストレージベッ
セル、９・・印・発光体にキセノンを含む光源、１０・
・・・・・反応セル１を加熱する赤外ラングである。
Claims (2)
- （１）基板上に、光化学気相反応によシ硅素酸化膜、硅
素窒化膜等の絶縁膜、あるいは非晶質硅素膜を形成する
工程において、光化学増感剤としてキセノンガスを用い
、発光体にキセノンガスを含む光源を用いることをｌ時
機とする半導体装置の製造方法。 - （２）特許８１１求の範囲第１項に記載する半導体装置
の製造方法において、光増感剤のキセノンガスを５ Ｔ
ｏｒｒ以上で用いることを特徴とする半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57138318A JPS5928345A (ja) | 1982-08-09 | 1982-08-09 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57138318A JPS5928345A (ja) | 1982-08-09 | 1982-08-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5928345A true JPS5928345A (ja) | 1984-02-15 |
Family
ID=15219089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57138318A Pending JPS5928345A (ja) | 1982-08-09 | 1982-08-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5928345A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61140175A (ja) * | 1984-12-13 | 1986-06-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 被膜作製方法 |
| JPS61144014A (ja) * | 1984-12-17 | 1986-07-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜形成方法 |
| US4753818A (en) * | 1986-07-25 | 1988-06-28 | Hughes Aircraft Company | Process for photochemical vapor deposition of oxide layers at enhanced deposition rates |
| EP0289963A1 (en) * | 1987-05-04 | 1988-11-09 | General Signal Corporation | Apparatus for, and methods of, obtaining the movement of a substance to a substrate |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51124401A (en) * | 1975-04-23 | 1976-10-29 | Sony Corp | Regenerative apparatus in stereophonic system |
-
1982
- 1982-08-09 JP JP57138318A patent/JPS5928345A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51124401A (en) * | 1975-04-23 | 1976-10-29 | Sony Corp | Regenerative apparatus in stereophonic system |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61140175A (ja) * | 1984-12-13 | 1986-06-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 被膜作製方法 |
| JPS61144014A (ja) * | 1984-12-17 | 1986-07-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜形成方法 |
| US4753818A (en) * | 1986-07-25 | 1988-06-28 | Hughes Aircraft Company | Process for photochemical vapor deposition of oxide layers at enhanced deposition rates |
| JPH01500444A (ja) * | 1986-07-25 | 1989-02-16 | ヒユーズ・エアクラフト・カンパニー | 増大した酸化層成長率の光化学気相成長方法 |
| EP0289963A1 (en) * | 1987-05-04 | 1988-11-09 | General Signal Corporation | Apparatus for, and methods of, obtaining the movement of a substance to a substrate |
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