JPS5928719A - 選局装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電子チューナを用い、電子チューナに印加する
同調電圧をデジタル化してチャネル番号に対応して不揮
発性メモリに記憶し、選局時には不揮発性メモリから同
調電圧データを読み出して選局を行なう選局装置に関す
る。

可変容量ダイオードなどが用いられた電圧制御型同調回
路からなる電子チューナを用い、同調電圧をデジタル信
号に符号化して、チャネル番号おのおのに対応させて、
不揮発性メモリに記憶し、選局時には不揮発性メモリか
ら希望のチャ洋ル番号に対応した同調′重圧データを読
み出し、その同調電圧データをデジタル−アナログ変換
（以下１）　−Ａ変換と略す。）し電子チューナに印加
して選局を行なうとともに、微調回路を設け、この回路
に工す出力される制御信号により同調電圧データを微少
変化し、電子チューすの同調周波数の微調を行ない、電
子チューナの局部発振回路の発振周波数変動による同調
周波数ずれの補正やＣＡＴＶ信号などの正規の信号周波
数よりずれた信号に同調させるなどする選局装置は従来
より知られている。これらの選局装置では、選局するた
びに微調操作を行なう心安がないように、どの程度同調
電圧データを変化したかを不揮発性メモリなどに記憶し
、そのチャネル番号を選局するたびに、チャネル番号の
同調電圧データにより設定される同調周波数を不揮発性
メモリに書き込んだ微調データに応じて変化させる。こ
の場合、電子チューナの同調電圧データの変化量は、同
じ周波数変化・量であっても受信チャネル番号により、
変化する。これはアナログ量である同調電圧の微少変化
に対する電子チューすの同調周波数の変化（以下同調電
圧制御感度と略す。）が受信するチャネル番号によって
数十倍の偏差があるためで、同調電圧制御感度が小さい
場合と大きい場合では、同じ周波数変化での微調による
同調電圧データ長は２進符号で記憶されるとすると、６
〜７ビツトのデータ差を生じる。このため、不揮発性メ
モリなどの記憶装置で、最大のビット数に合わせて記憶
エリア確保した場合、大きい同調電圧制御感度では、確
保した記憶エリアのごく一部しか使用せずメモリの利用
効率が悪いし、記憶容量の大きい記憶装置を使用するの
で高コストである。また記憶ビット数を削減した場合は
、同調電圧制御感度が小いチャイルでは微調による同調
電圧データの記憶が十分に行なえないなどの問題がある
○ 本発明は上記した従来技術の欠点をなくし、受信チャネ
ル番号や電子チューナの製造バラツキがあった場合でも
、微調による同調電圧データ変化量の記憶ビット数のす
くない、効率のよい規模の小さい安価な選局装置を提供
することにある。

前述した目的を達するため、本発明においては、選局し
たチャネル番号と他のチャイル番号間の同調電圧データ
の差を求め、この差の同調電圧データを分割して微調時
に１微調制御化号ごとに同調重圧データを変化して、同
調周波数をステップで変化させ、同調電圧データの変化
量ではなく微調制御信号を不揮発性メモリに記憶して微
調データ長を圧縮する。以下、本発明の内容について図
面を用いて説明する。第１図は、電圧制御素子として可
変容量ダイオードを用いた同調回路を有する電子チュー
ナの同調電圧に対する同調周波数の関係を示す同調曲線
である。第１図において、横軸は同調電圧、緬軸は同調
周波数を示１−でいる。一般にテレビ、ラジオなどの信
号はおよそ一定の周波数間隔Ｖｋｋ／／だけ離れ配置さ
れている。その周波数間隔′に″置きに配置された信号
にはチャネル番号ｎ−３゜ｎ−２，ｎ−１，ｎ、ｎ＋１
．ｎ＋２などと連続的にチャネル番号が設定されている
。各々のチャネル信号を同調し受信するため、電子チュ
ーナには同調電圧Ｖ７（ｎ　　３　）、Ｖ７（ｎ　−２
）　。

ＶＴ（ｎ　　１）、ＶＴ（ｎ）、ＶＴ（ｎ　＋　１）、
ＶＴ（ｎ　＋　２　）が印加される。選局したチャネル
番号′ｎ“の同ＩＡＩ電圧’ＶＴ（ｎ）と例えばとなり
あったチャネル番号（ｎ−１，ｎ＋１）の同調電圧ＶＴ
（−ｎ　　’　）　＋ＶＴ（ｎ　＋　１　）との差ｄＶ
Ｔ’（ｎ−１）、　ｄＶＴ（ｎ＋１）はチャネル番号ゝ
ｎ″の同調点近傍における１チヤネルの周波数間隔に分
だけの同調周波数変化に要する同調電圧の変化に匹適す
る。こずつ変化すれば同調周波数も周波数間隔にのほぼ
Ｘスアツフで変化することになる。差の同調電圧を各チ
ャネル番号でもとめ、同様な動作を行なわせれば、１微
調制御信号ごとの同調周波数の変化ステップを電子チュ
ーナなどの同調周波数制御感度のバラツキがあってもほ
ぼ均一化することができる。この差の同調電圧は、本発
明を用いる選局装置では、各チャネルの同調電圧データ
をデジタル信号として不揮発性メモリに記憶しており、
これらのチャネル番号の同調電圧データを読み出し、減
算演算を行なうことにより容易にもとまる。この微調制
御信号を計数するなどして微調データとして記憶するも
のである。

以下本発明を実施例によって詳細に説明する。

第２図から第５図は本発明の選局装置による微調動作と
微調データの記憶及び読み出しの動作の概ｇを説明する
ものである。第２図で１は選局スイッチ、２は選局制御
回路、３は不揮発性メモリ、４は第１のデータセレクタ
、５は第１のシフトレジスタ、６は第２のデータセレク
タ７は第２のシフトレジスタ、８は演算回路、９は第５
のデータセレクタ、１０は第４のデータセレクタ、１１
は第５のシフトレジスタ、１２は微調操作スイッチ、１
６は微調回路、１４は第１の可逆カウンタ、１５は第４
のシフトレジスタ、１６は微調演算信号発生回路、１７
は第５のデータセレクタ、２０は第２の可逆カウンタ、
２１はＤ−Ａ変換器、２２は電子チューナである。第２
図では選局制御回路２の制御信号出力は、不揮発性メモ
リ２のみ図示しているが、第２図に示す各回路ブロック
へも出力されている。第３図は、選局スイッチの回路を
簡単に示したもので、１からｍまで選局スイッチがあり
、１０１はポジションが１の、１０２はポジションが２
，１０３はポジションがｍ−ｉの、１０４はポジション
ｍの選局スイッチである。同図では６〜ｍ−２の選局ス
イッチは省略しである。１０５から１０８は抵抗で一端
子を選局スイッチの一端に、もう一端を十Ｂ（電源）端
子に接続しており捷だ選局スイッチのもう一端はアース
に接続している。第４図は不揮発性メモリ６の記憶エリ
アを示したもので１アドレスあたり１４ビツトで′０１
“からｊアドレスまでの容量があるＯ第４図ではチャネ
ル番号に対応した同調電圧データが１４ピツトのデータ
長でアドレスＳ０１″からに一１！でに記憶されており
、またｋからＪまでのアドレスには前述１〜たｍ個の選
局スイッチに対応したｍポジ７ヨン分のチャネル番号と
微調データが記憶されている。第４図で、このポジショ
ンに対応したアドレスのＡの部分６ビツトが微調データ
を、Ｂの部分８ピツトがチャネル番号を記憶している。

まず第２図により選局動作について説明する。

選局スイッチ１では第５図に示す、選局スイッチのいず
れかが押され、選局制御回路２への信号が十Ｂ電位すな
わちＨレベルからアース電位Ｌレベルになると、選局制
御回路２で押されたポジションに対応した選局動作を行
ない選局制御回路２からの制御信号により、不揮発性メ
モリ３からボジンヨンに対応したアドレスのデータを読
み出し、第１のデータセレクタ４を経て第１のシフトレ
ジスタ５にチャネル番号を、第２のデータセレクタ６を
経て第２のシフトレジスタ７に微調データを入力し、さ
らに、との微調データを第１の可逆カウンタ１４にプリ
セットする。次に第１のシフトレジスタのチャネル蒼号
に応じて、選局制御回路２から制御信号を出力して、不
揮発性メモリ３から同調電圧データを読み出し、第１の
データセレクタ４、及び第６のデータセレクタ９を経て
、第３のシフトレジスタ１１に入力する。その後再び選
局制御回路２からの制御信号により、選局するチャネル
番号と一定チャネル数、本実施例では１チヤネル離れた
チャネル番号の同調電圧データを不揮発性メモリ６から
読み出し、第１のデータセレクタ４、第３のデータセレ
クタ９を経て演算回路８に入力する。この２回目の同調
電圧データ読み出しと同時に、選局制御回路２からの制
御信号により、第６のシフトレジスタ１１の同調電圧デ
ータを出力して、第３のデータセレクタ９に入力して、
演算回路８で減算を行ない、第４のデータセレクタ１０
、第５のデータセレクタ１７を経て第４のシフトレジス
タ１５に入力する０このとき、第３のシフトレジスタ１
１には、第３のデータセレクタ９から、同じ同調電圧デ
ータが入力される０次に、第３のシフトレジスタ１１０
同調電圧データを第６のデータセレクタ９を経てまた第
２のシフトレジスタ７の微調データを共に演算回路８に
入力し、第４のシフトレジスタの差の同調電圧データに
対応した微調演算信号発生回路１６の微調演算信号に応
じて微調データの加減算を行ない、第４のデータセレク
タ１０ヲ経て、選局チャネル番号の同調電圧データに微
調データが加減算された信号を第３のシフトレジスタに
入力する。このとき、第２のシフトレジスタ７では、Ｗ
ｉ、調データは第２のデータセレクタ６を経て同じデー
タが再入力される。その後第３のシフトレジスタ１１の
同調電圧データを第２の可逆カウンタ２０にプリセット
し、この第２の可逆カウンタ２０のカウンタ値に応じて
、Ｄ−Ａ変換器２１にて直流の同調電圧に変換して電子
チューナ２２に印加して選局チャネル番号の信号に同調
して選局を行なう。

次に微調動作の概要について説明する。微調操作スイッ
チ１２は図示はしないが、微調アップ（正方向）、微調
ダウン（負方向）、微調メモリの６個のスイッチから構
成されている。いま微調アップあるいはダウンの操作が
行なわれると微調回路１３では微調制御信号を出力して
、第４のシフトレジスタ１５のデータに応じた、第２の
可逆カウンタ２０の特定のカウンタ段に入力し微調の正
あるいは負の方向に従いカウンタ値を増減して、Ｄ−Ａ
変換器２１の同調電圧出力値を変化させ、電子チューナ
２２の同調周波数の微調を行なうものである。このとき
の微調制御信号を第１の可逆カウンタ１４で同様に微調
の止あるいは負の方向に従いカウントするＯ微調回路１
３−ｒは、ｘｉの可逆カウンタ１４のカウンタ値を監視
して、微調範囲に相当するカウンタ値に達した場合は、
微調制御信号の出力を禁止して微調動作を停止する。ま
た、微調操作スイッチ１２の微調メモリのスイッチ操作
により、微調メモリ信号が選局制御回路２に入力され、
微調メモリ動作が行なわれ、第１の可逆カウンタ１４の
カウンタ値を第２のシフトレジスタ７にプリセットした
後、第１のシフトレジスタ５のチャネル番号と第２のシ
フトレジスタ７の微調データを合わせ、第１のデータセ
レクタ４を経て、現在選局しているポジションに対応ｊ
〜だ不揮発性メモリ６のアドレスに記憶する。このとき
同じデータが第１のデータセレクタ４、第２のデータセ
レクタ６を経て、第１のシフトレジスタ５及び第２のシ
フトレジスタ７に再入力される。

次に各動作について詳細に説明する。第５図は本発明の
実施例の微調動作を説明するだめのものであり、第２図
と同様の動作を行なうものについては説明を略する。第
５図で第１の可逆カウンタ１４は６ビツトのカウンタ、
第２可逆カウンタは１４ビツトで構成されており、２０
１〜２０７゜２１６はＯＲゲー）　、　２０８〜２１５
はＡＮＤゲートである。また第４のシフトレジスタ１５
は８ビツトで構成されている。３１１１　、　３０３０
　Ｒゲート。

３０２はＡＮＤゲー１’＋　　３０４〜３１０は１クロ
ツク相自の遅延素子、３１１はＮＯＲゲートでこれらで
微調演算信号発生回路１６を構成している１、また４０
６は微調制御信号発生回路、４０７は微調方白判定回路
、４０１はインバータ、４０２はＮＡＮＤゲー）、４０
３はＯＲゲートでこれらで微調回路１３を構成している
。なお、これらの回路は図示していないがクロック同期
で動作する。いま、微調時における１微調制御ごとの同
調電圧データの変化量を１チャネル分の周波数変化に相
当する差の同調電圧データのｉとすると、第５図に示す
ように、演算回路８で求めた差の同調電圧データがＭＳ
Ｄ側（Ｍｏ５ｔ　５１ｇｎ１ｆｉｃａｎｔ　Ｄｉｇｉｔ
）からゝ００００１０１１１０１１００　″　として求
まったとき、これを−することはＬ　Ｓ　Ｄ　（Ｌｅａ
ｓｔ　５１ｇｎ１ｆｉｃａｎｔ４ Ｄｉｇｉｔ　）　６ビツトを切捨て、Ｍ　Ｓ　Ｄ側８ビ
ットの値’　００００１０１１　″を選択する。ここで
第３のシフトレジスタ１１のデータシフトと第２図に示
す不揮発性メモリ６からの１チーヤネル離れたチャネル
番号の同調電圧データ読み出しを同期して行ない、演算
回路８に入力して同調電圧データのＬＳＤ側から減算演
算をすすめ、同時に選局制御回路２から第４のシフトレ
ジスタ１５へも同期してシフト信号を出力してこの演算
回路８から出力される差の同調電圧データを第４のシフ
トレジスタ１５に入力する。第４のシフトレジスタ１５
は８ビツトで構成されているので、先に入力されるＬ　
Ｓ　Ｄ　ＩＩＩ　６ビソトはシフトレジスタ内に残らず
、結果的に差の同調電圧データのＬ　Ｓ　Ｄ側６ピツト
を切捨てたことになり、これにより差の同調電圧データ
をｉにした値が第４の／アトレジスタ１５にセットされ
る。一連の選局動作では、さらに微調データを選局チャ
坏ル番号の同調電圧データに加減算するため選局制御回
路２から、第４のシフトレジスタ１５．微調演算信号発
生回路１６．第３のシフトレジスタ１１には同調電圧デ
ータ長に相当する１４クロツク相当の期間シフト信号を
出力する。（第６のシフトレジスタ１１への信号出力は
図示せず。）ここでは、微調データの加減算については
後述することとし、微調演算信号発生回路１６と第４の
シフトレジスタ１５の動作について説明する。第６図は
、シフト信号と微調演算信号発生回路１６の動作につい
て説明したものである。第４のシフトレジスタ１５に第
６図（ａ）に示すようなシフト信号が入力されるとデー
タをＭＳＤ側からＬＳＤ側に１クロック単位でデータを
シフトする。この時、第５のデータセレクタ１７は遅延
素子′５１０の出力を第４のシフトレジスタ１５に入力
する。このシフト信号が入力される前には遅延素子３０
４〜３１０のデータはすべて′０“であるから、例えば
シフト信号発生前の第４のシフトレジスタ１５のデータ
が、前述した同様にＭＳＤ側から’　００００１０１１
　″であったとすれば、１クロツク相当のシフト信号発
生後には’　０００００１０１　″　となり、次の１ク
ロツク相当のシフト信号発生後は’　ｏｏｏｏｏｏｉ　
ｏ　″　となる。以上のようにデータシフトが行なわれ
るが第４のシフトレジスタ１５０Ｍ５Ｄ側から１〜７段
のレジスタ段データはＮ　ＯＲ３０１に接続されており
、３クロツク相当のシフト信号が発生した後に、すべて
データは０″となり、Ｎ０Ｒ５０１の出力が′１“とな
る〇一方Ａ　Ｎ　Ｄ　３Ｃ１２にはシフト信号及びＮ　
ＯＲ３１１の出力が接続されている。Ｎ０Ｒ３１１には
遅延素子３０４〜３１０のデータが入力されており、こ
のとき、これらのデータはすべて′０“であるからＮ　
ＯＲ３１１の出力も１１″でＡ　Ｎ　Ｄ　３０２の出力
が１１″で次の４クロツク目に相当するシフト信号で遅
延素子３０４のデータは１０″から１１“に変化する。

４クロツク　　　　□相当のシフト信号発生後は遅延素
子６０４の出力が′１“であるからＮ　ＯＲ３１１の出
力は′０“で第６図の（ａ）に示すようにＡＮＤろ０２
の出力も０″となる。その後さらにシフト信号が発生し
て１０クロツク相当のシフト信号発生後には遅延素子３
１０のデータは′１“となり、さらに１１クロツク相当
のシフト信号発生後には、第５のデータセレクタ１７を
へて第４のシフトレジスタに′１″信号を出力する。１
４クロツク相当のシフト信号発生後には第４のシフトレ
ジスタ１５のデータは第６図（ｂ）に示すように、シフ
ト信号発生前の第４のシフトレジスタのＭ　Ｓ　Ｄ　Ｉ
ＩＩの最上位ビットの１１“データのみを残し、それ以
下のデータはすべて１０“となる。この動作は第４のシ
フトレジスタ１５にどのようなデータが入力されても同
様に行なわれる。この第４のシフトレジスタ１５のデー
タを第２の可逆カウンタ２０のＡＮＤＮ−ゲート群力す
る。第４のシフトレジスタ１５のＬ　Ｓ　Ｄ側の１段目
のレジスタ段のデータをＯＲ２１６を経てＡ　Ｎ　Ｄ　
２０８に、ＬＳＤ但１１の２段目のし・ジスタ段のデー
タはＡ　Ｎ　Ｄ　２０９に、同様に第５図に示すように
、残りのＬ　Ｓ　Ｄ側から３〜８段目の各レジスタ段の
出力はＡＮＤ２１０〜２１５に接続している。可逆カウ
ンタ２０ではＡ　Ｎ　Ｄ　２０８はカウンタの最下位ビ
ット（２°）のクロック入力端子に、Ａ　Ｎ　Ｄ　２０
９は０Ｒ２０１で前段のカウンタのキャリー出力との論
理第１とりカウンタの２１段のクロック入力端子に接続
し、同様にＡ　Ｎ　Ｄ　２１０〜ＡＮＤ２１５もＯＲ２
０２からＯＲ２０７を経てカウンタの２２〜２７のクロ
ック入力端子に接続されている１、またＡ　Ｎ　Ｄ　２
０８〜２１５には微調回路１３からの微調制御信号を共
に入力している。前述したように一連の選局動作が行な
われたあとは第４のシフトレジスタ１５では特定のレジ
スタ段のみが′１“であり他はゝ０“であるから、可逆
カウンタ２０のＡＮＤＮ−ゲート群だ一つのみのゲート
が選択きれる。第６図（ｂ）のように、第４のシフトレ
ジスタ１５のＭ　Ｓ　Ｄ側から５段目のレジスタ段のデ
ータのみが′１″である場合ＡＮＤ２１ｉのゲートが開
いている。いま、微調操作スイッチ１２で微調アップあ
るいはダウンの操作が行なわれると、微調（ロ）路１３
で、微調方向判定回路４０７からの正あるいは負の微調
方向の判定信号を可逆カウンタ２０に出力するとともに
、微調制御信号発生回路４０６から１クロツク相当の微
調制御信号を出力する。ここでＡ　Ｎ　Ｄ　４０５は後
述する微調範囲制限動作を行なうものであり、制限がな
くＡＮＤ４（１５のゲートが開いているものとすると、
微調制御信号はＡ　Ｎ　Ｄ　２０８〜２１５に入力され
る。い才ＡＮＤ２１１のゲートが開いているので、微調
制御信号はＯＲ２０３を経て２３のカウンタ段の値を１
デジット分すなわち第２の可逆カウンタ２０のカウンタ
値を２３　（８）プレット分微調方向判定回路４０７か
らの判定信号に応じて増減して変更し、Ｄ−Ａ変換器２
１から出力される同調電圧を変化させ電子チューナ２２
の同調周波数を微調する。同様にして他のチャ坏ル番号
でも差の同調電圧データをｉした値の、′Ａ１“信号の
ある最上位ビットをもって符号化し、すなワチ、本実施
例では、第４のシフトレジスタ１５のＭＳＤ側よりの″
１“信号のあるレジスタ段以外の信号を切捨て（１１ｏ
　／／にして）、符号化した値に応じて、第２の可逆カ
ウンタの各々のカウンタ段のクロック入力端子をＡＮＤ
ゲートで切換えて、微調制御信号を入力してカウンタ値
を変更して微調が行なわれる。本実施例では、差の同調
電圧データを託した値の１１″信号のある最上位ビット
をもって符号化し、第２の可逆カウンタ２０の特定のカ
ウンタ段のクロック入力端子から微調制御信号を入力す
るため、最上位ビット未満のデータは切捨てられる。例
えば差の同調電圧データを謳した値がＭＳＤ側から１０
００１１１１１　″（３１プツトの変化）でもゝ０００
１００００“（１６デジツトの変化）でも、第４のシフ
トレジスタ１５のＭＳＤ側４段目のレジスタの″′１″
信号により符号化して、第２の可逆カウンタ２ｏのＬＳ
Ｄ側から５段目２４のカウント段を選択して微調を行な
うので、１微調制御信号ごとのカウンタ値の変更は共に
２４＝１６デジツトになり同調電圧データにより約２倍
の偏差を生じる。このため本実施例では１微調制御信号
ごとに同調電圧データが１チャネル分の差の同調電圧デ
ータネルの周波数間隔の−から約１２８の周波数ステ４ ラグの間で変化する。以上、本実施例によれば電子チュ
ーナの同調電圧制御感度のチャネル間あるいは、製造時
にバラツキあった場合でも、１微調制御信号あたりの同
調周波数の変化量を１ −から約−７に−の約２倍程度に均一化でき、また微調
制御時、同調電圧データの設定されているｉ１逆カウン
タのカウンタ値の変更も最下位ヒツトからではなく、カ
ウンタ段の途中から行なうので、データ変更が迅速にな
るなどの利点かある。なお、本実施νりで、差の同調電
圧データをＮ分割するとき、差の同調電圧データがＮデ
ジット未満、すなわち第５図で、Ｎ＝６４とした時差の
同調電圧データが６４デジット未満で、第４のシフトレ
ジスタ１５のデータがすべて′Ｏ“の時はＮＯＲ己０１
７１）Ｅ″″１“であり、ＯＲ２１６をへてＡ　Ｎ　Ｄ
　２０８に入力しており等何曲にＬＳＤ側の最下位のレ
ジスタ段に′１“信号があると等価な動作を行なうの　
　　　゛ なお、電子チューナなどでは制御素子である可変容量ダ
イオードの可変範囲に限界があること、チャネル番号が
連続であっても、信号周波数帯が異なるなどするため、
第１図に示すように全チャネル番号連続して同調電圧が
変化することはまれである。例えば日本国内のテレビジ
ョン信号では受信周波数帯はチャネル番号１〜３４〜１
２．１３〜６２と３チャネル群に分は設定されており、
チャネル番号３と４、チャネル番号１２と１３では同調
電圧の変化は連続的でない０まだ比較するチャネル番号
を選局チャネル番号の上下どちらにとるにしても、この
受信可能なチャネル群の最高、最小のチャネル番号どち
らかでは、比較するチャネル番号の同調電圧データがな
いことになる。このため、選局するチャネル番号に応じ
て、比較するチャネル番号を、上側（大きい）の一定チ
ャネル番号離れたチャネルにするか、下側（小さい）の
一定チャ坏ル番号離れたチャネルを選択するかを選局制
御回路２にて記憶し、選局時、チャネル番号に応じて比
較するチャネル番号の上側、下側を判断し同調′重圧デ
ータを読み出している。これにより演算回路８では一定
チャネル離れたチャネル番号の同ＦＪ＠出圧データと選
局チャネル番号の同調′重圧データの大小関係を、選局
制御回路２からの比較するチャネル番号が選局チャネル
番号の上側か、下側かであるかの制御信号により判断し
て選局チャネル番号の同調電圧データと一定チャネル番
号離れたチャネル番号の同調電圧を破算数と減数に選定
区別して、常に正あるいは負どちらか一方の差の同調電
圧データを第４のシフトレジスタ１５に入力するもので
ある。本発明の実施例では常に正の差の同調電圧データ
が得られるようにしている。

以上、微調動作について説明したが、次に微調範囲制限
動作について述べる。第５図の本発明の実施例にもとづ
き、詳しく述べる。前述したように微調操作スイッチ１
２で、微調アップあるいはダウンスイッチが操作される
と微調回路１３の微調方向判定回路４０７から微調方向
の正か負の判定信号を出力するとともに微調制御信号発
生回路４０６から１クロツクの微調制御信号を出力する
。この判定信号と微調制御信号は同調電圧データがセッ
トされている第２の可逆カウンタ２０に印加され、同調
電圧データを増減するとともに、第１の可逆カラ／り１
４にも入力して微調制御信号を判定信号に応じて積算ｉ
〜でカウントしている（　この第１の可逆カウンタ１４
は６ビツトで構成され、そのＬ　Ｓ　Ｄ　ｆｉｌｌ　’
５ビットの信号と、ＭＳＤ側の最上位ビットをインノ（
−タ４０１で符号反転した信号はＮＡＮＤ４０２及びＯ
Ｒ４０３に入力している０またこれらのＮＡＮＤ４０２
　、　ＯＲ４０３には微調方向判定信号も入力している
。なおこの微調方向判定信号は正方向ではゝゝ１“、負
方向では′０″の信号が微調方向判定回路４０７から出
力される。さらにＮ　Ａ　Ｎ　Ｄ　４０２とＯＲ４０３
の出力信号’！ｆ−Ａ　Ｎ　Ｄ　４０４に入力し、この
Ａ　Ｎ　Ｄ　４０４の信号出力をＡ　Ｎ　Ｄ　４０５に
入力して、Ａ　Ｎ　Ｄ　４０５で微調制御信号の出力を
制限しており、これらで微調範囲制限回路を構成してい
る。いま微調制御信号を積算してカウントする第１の可
逆カウンタ１４のカウンタ値がすべて″０″として基準
状態から考える。第１の可逆カウンタ１４のカウンタ値
が１０“で、Ｎ０Ｒ４０３Ａ　Ｎ　Ｄ　４０２の出力信
号は１１″となり、Ａ　ＮＤ４０４　　　　’の出力信
号も１“となるから、ＡＮＤ４０５のゲートが開いてい
る。このとき、微調スイッチ１２ＯＮ、　Ｌ％アップ（
正方向）スイッチが操作されると、微調方向判定回路４
０７から１１″信号が、また微調制御信号発生回路４０
６から微調制御信号が出力されＡ　Ｎ　Ｄ　４０５のゲ
ートが開いているので微調制御信号は、第２の可逆カウ
ンタ２０に入力され微調動作が行なわれるとともに、第
１の可逆カウンタ１４で微調制御信号をカウント・しは
じめる。さらに正方向の微調アップ操作を続は第１の可
逆カウンタ１４のカウンタ値がＬＳＤ側から’１１１１
１０″　となり、さらに正方向の微調アップ操作を続け
ようとするとＮＡＮＤ４０２の入力がすべて′１“とな
り、Ｎ　Ａ　Ｎ　Ｄ　４０２の出力が０″でＡ　Ｎ　Ｄ
　４０４の信号出力もゝ０“となりＡＮＤ４０５のゲー
トを閉じて微調制御信号の出力を停止して、これ以上の
正方向への微調動作が行なわれないようにする。この状
態で負方向の微調ダウン操作が行なわれると、微調方向
判定回路４０７の信号出力が′０“であるからＮＡＮＤ
４０２の信号出力が１１“でＡ　Ｎ　Ｄ　４０４の信号
出力もゝ１“となり、Ａ　Ｎ　Ｄ　４０５のゲートを開
き、微調制御信号を出力して負方向の微調動作を開始す
る。

この後、負方向の微調ダウン操作が続けら扛、第１の可
逆カウンタ１４のカウンタ値がすべて０″になったあと
、全て１“となり、カウンタ値がＬＳＤ側から１０００
００１”　となり、さらに負方向の微調ダウン操作を続
けようとした場合はＮ０Ｒ４０３のＡＪＩ”ｏ“で、出
カモ１０″トなり、ＡＮＤ４０４の信号出力がゝ０〃と
なり、Ａ　Ｎ　Ｄ　４０５のゲートを閉じて微調制御信
号の出力を停止して、これ以上の負方向への微調動作が
行なわれないようにする。この状態で正方向の微調アッ
プ操作が行なわれた場合には微調方向判定信号が′１“
となり０Ｒ４０ろの出力が１″でＡ　Ｎ　Ｄ　４０４の
出力も１１″となり、Ａ　Ｎ　Ｄ　４０５のゲートを開
き微調制御信号を出力して正方向の微調動作を開始する
。以上のようにして微調範囲の制限が行なわれ基準状態
から見て、正方向には３１微調制御信号分、負方向には
第７の可逆カウンタ１４のカウンタ値が全て５０″から
全て９１〃となる変化点を含み３２微調制御信号分だけ
の微調範囲に制限する。第５図に示す実施例では１微調
制御化号で１チヤネルの周波数間隔の約乙から１２８で
同調周波数が変化するから、制限範囲は正負方に各々１
チヤネルの周波数間隔の７〜丁となり、微調操作時に異
なるチャネル番号の信号受信を防止できる。本発明を用
いる選局装置ではチャネル番号に対応した同調電圧デー
タが不揮発性メモリに記憶されており、またこの差の同
調電圧データを選局するたびに求め、この値をＮ分割し
て１微調制御化号による同調周波数の変化量を得ており
、チャネル番号が変化してもあるいは電子チューナ等の
生産時に同調電圧制御感度などにバラツキを生じた場合
でも、偏差の少ない微調時の周波数変化制限範囲を得ら
れ異なったチャネル番号の信号受信を防止できる０次に
微調データの不揮発性メモリ３への記憶と選局時に再び
読み出した微調データの加減算について説明する。まず
第５図に示す本発明の実施例にもとづき、微調データに
ついて説明する。前述したように微調操作時には、微調
制御信号を第１の可逆カウンタ１４で積算してカウント
しており、また１微調制御化号ごとの同調電圧データの
変化を符号化して、同調電圧データがセットされている
第２の可逆カウンタ２０ノ特定のカウンタ段のＭＳＤ側
のカウンタ値を１微調制御化号ごとに１デジツトずつ対
応して変化させているので、微調制御信号の第１の可逆
カウンタ１４のカウンタ値と第２の可逆カウンタ２０の
特定のカウンタ段のＭ　Ｓ　Ｄ側のカウンタ値を変更し
たデジット数と対応する。前述した例のように、第２の
可逆カウンタ２０の２３のカウンタ段に例えば基準状態
から正方向に微調操作が打力われ、１５度微調制御信号
が入力されると、第１の可逆カウンタ１４のカウンタ値
はＬ　Ｓ　Ｄ側から’１１１１００”であり、また第２
の可逆カウンタ２０の基準状態のカウンタ値がＬＳＤ側
から’　１１１０００００１０１０００“であったとす
ればＬＳＤ側から２３のカウンタ段、すなわちＬＳＤ側
から４ビツト目以降のカウンタ値に１５デジツト加算し
たゝ１１１１１１１０１０１０００”　となる。また基
準状態から負方向の微調操作が行なわれ、同じ＜１５度
微調制御信号が入力した場合には第１の可逆カウンタ１
４のカウンタ値が全て１０″から全て１″となり、この
後ＬＳＤ側から’１０００１１“となる。

これは正方向の１５度の微調制御信号のカウンタ値の２
“の補数値であり、基準状態から負方向の微調制御信号
はすべて１２″の補数値でカウントする。これは第１の
可逆カウンタ１４のカウンタ値が全て′０“から全て′
１“になるダウンカウント動作がカウンタ値を単に１″
１０″を反転する１１″の補数に１デジット分データ加
算することになり、これによりダウンカウント時のカウ
ンタ値がゞゝ２“の補数となるものである。このとき、
第２の可逆カウンタ２０では、同様にＬＳＤ側から４ビ
ツト目以降のカウンタ値を１５デジツト減算した’　１
１１１０００１００１０００　″　となる。一方、前述
したように本発明の実施例では、微調制限動作を行なっ
ており、第１の可逆カウンタ１４では正方向の微調、す
なわち、ＭＳＤ側の最上位ピットが′０“の時、ＬＳＤ
側５ビットのデータの変化をＬＳＤから’　ｏｏｏｏｏ
“から這１１１１“の間に、また負方向の微調、すなわ
ち、ＭＳＤ側の最上位ビットが′１“の時、ＬＳＤ側５
ビットのデータ変化を同様に′０００００″から５１１
１１１″のカウンタ値に制限しているので、第１の可逆
カウンタ１４の６ビツトのカウンタ段で微調状態をすべ
てあられすことができる。Ｌ　、Ｓ　Ｄ側５ビットが微
調制御信号の計数値で、Ｉｖ＋　Ｓ　Ｄ側１ビットが基
準状態からの微調方向を示しておりゝゝ０　／／が正方
向、′１“が負方向への微調であることを示す。この第
１の可逆カウンタ１４の微調データは前述したように第
２図で微調操作スイッチ１２の微調メモリスイッチの操
作により、第２のシフトレジスタ７にプリセットされ、
第１の７フトレジスタ５のチャネル番号とともに選局し
ているポジションに対応した不揮発性メモリ３のアドレ
スに記憶される。以上の微調データの構成によれば、電
子チューす等に、同調周波数制御感度に数十倍のバラツ
キがあった場合でも、所要の同調周波数の微調変化範囲
をほぼ偏差なく短かいデータ長（記憶ビット数）で表わ
すことが可能で、メモリ容量を小さくできる。

次に微調データの加減算について説明する。

第７図は第２図及び第５図に示す本発明の実施例のうち
同調電圧データへの微調データの加減算につ礒て説明す
るための主要回路を示すものである。５０１　、　　’
）０２はＮＯＲゲートで、ＲＳフリップフロップ５０３
を構成し、また５０４　、５０５はインバータ、５０６
　、５０９ではＡＮＤゲート、５０７はＮＯＲゲート、
５０８はフルアダー（加算器）、５１０は１クロツク遅
延素子で、これらで演算回路８の同調電圧データへの微
調データの加減算回路部を構成している。７０１は第２
のシフトレジスタ７の１段、７０２は５段のそれぞれレ
ジスタ段である。また６０１は、データセレクタで第２
図に示す、第２のデータセレクタ６と等価であるが、微
調データの加減算動作時に、シフトレジスタ段７０２の
データを再入力するためのものである０選局時、微調デ
ータは第２のシフトレジスタ７にセットされレジスタ段
７０１には微調データのうちＭＳＤ側の１ビツトで微調
方向を示す信号が、７０２のレジスタ段には残りの５ビ
ツトの微調程度を示す微調制御信号の計数値がセットさ
れる０第８図は、第７図に示す回路動作を示すだめの信
号波形図で、第５図、第６図で説明した微調演算信号発
生回路１６の動作と関連し説明する。基準状態の同調電
圧データが第５図の説明と同様にＬＳＤ側から”ｉ　ｉ
　ｉ　ｏｏｏｏｏｉ　ｏｌｏｏｏ　″　であり、微調デ
ータがＬＳＤ側から“１０００１１″　で、下位６ビツ
トを切捨てた第４のシフトレジスタ１５の差の四Ｒ）Ａ
ｎｔ圧データがＭ　Ｓ　Ｄ側からゝｏｏｏｎｉｏ１ｉ”
　であるとする。第７図で選局制御回路２からは微調デ
ータの加算時、１４クロツク相当のシフト信号を第６の
ソフトレジスタ１１．演算回路８．及び第４のシフトレ
ジスタ１５に出力している、また微調演算信号発生回路
１６のＡ　Ｎ　Ｄ　３０２．０Ｒ３ｎ３の出力を演算回
路８に入力している０微調データの加減算演算が始捷り
、選局制御回路２からシフト信号が発生しＡＮＤ３０２
の出力がゝ゛１″となりＲＳＳフリラグフロップ５０の
出力が９０″から９１“となる一方０Ｒ３０３の微調演
算信号も１″となり第２のシフトレジスタ７のレジスタ
段７０２のデータをシフトしてＡ　Ｎ　Ｄ　５０９を経
て０Ｒ５０７に入力する。Ｑ　Ｒ３０３は、Ａ　Ｎ　Ｄ
　３０２が１１″となったあと、レジスタ段７０２の全
データをシフトする５クロック間の微調演算信号の１１
″信号を出力する。Ａ　Ｎ　Ｄ　５０６にはレジスタ段
７０１の微調方向の信号と前述した微調演算信号をイン
バータ５０５で反転した信号とＮ　ＯＲ５０２の出力信
号を入力している。ＡＮＴ）５０６の出力はＡＮＤ５０
９とともにＯＲ５０７に入力し、ＯＲ５０７の出力信号
は、フルアダー５０８で第３のシフトレジスタ１１から
第６のデータセレクタ９を経て入力する同調電圧データ
と加算演算するとともに、第４のデータセレクタ１０を
経て、第６のシフトレジスタ１１に再入力して微調デー
タの加減算を行なう。本実施例のデータ例では、第８図
に示すように、シフト信号が発生する前はインバータ５
０４の出力は１“となり、Ｎ　ＯＲ５０２の出力も′０
“で、Ａ　Ｎ　Ｄ　５０６が９０“であり、シフト信号
が出力して３クロック間は微調演算信号出力もｑ′０“
でＡ　Ｎ　Ｄ　５０９の出力も′ＶＯ″でＯＲ５０９の
出力は“０“である、−，４クロツク目にはＡ　Ｎ　Ｄ
　３０２が９１″となるのでＮ　ＯＲ５０２の出力がゝ
１１　／／となるが微調演算信号がＯＲ３０３から５ク
ロック間゛１“信号出力するので、インバータ５０５ノ
出力が１０“でＡ　Ｎ　Ｄ　５０６の出力はゝＤ〃のｉ
ｔである。

一方、微調演算信号が１“の間はＡ１１Ｄ５０９のゲー
トは開いており、レジスタ７０２の微調制御信号の計数
値を本実施例でば’ｔｎｏｏｉ“のデータをＡ　Ｎ　Ｄ
　５０８に入力する。すなわち、同調電圧データと、こ
の微調制御信号の計数値の加算は同調電圧データのＬＳ
Ｄ側４ビット目かう加算を行ない、微調操作時の、同調
電圧データの変更ビット数と対応させている。５クロッ
ク間の微調演算信号出力後、ＡＮＤ５０９のゲートは閉
じるが、インバータ５０５の出力が９１″となってレジ
スタ７０１の微調方向の信号が１１“であるからＡ　Ｎ
　Ｄ　５０６の出力がゝゝ１″、Ｑ　Ｒ５０７の出力も
ゝ１“となり、それ以後シフト信号が出力されている期
間はゝゝ１“信号を入力する。これは、同調電圧データ
のＬ　Ｓ　Ｄから４ビツト目以降のデータに、微調制御
信号の計数値１５の２“の補数、第８図に示すようにＬ
　Ｓ　Ｄ側から’１０００１１４１１１１　″を加算す
なわち同調電圧データの４ビツト目以降データを１５デ
ジット分減算する。これにより同調電圧データは微調操
作時と同じデータ、ＬＳＤ側からゝ１１１１０００１０
０１０００　″　となる。微調データが正方向でレジス
タ７０１のデータが０″のときは、ＡＮＤ５０６の出力
も常に′０“なので微調演算信号が出力後はＮＯＲ５０
７の出力は１０″となり同調電圧データには、レジスタ
７０２のデータがそのまま、差の同調電圧データに対応
したビット数から５ピット分加算される。なお、同調電
圧データと微調データの加減算はシフト信号のクロック
同期で時系列にデータのＬ　Ｓ　Ｄ側から演算が行なわ
れ、そのクロック（ビット数）桁上げ信号が出た時には
、１クロツク遅延素子５１０で信号遅延してフルアダー
５０８の桁上げ信号端子に入力して、次のクロック同期
（ビット数）での演算を行なう。

この微調演算信号は、第５図及び第６図に示１〜だよう
に常に微調操作時の同調電圧データがセントされている
第２の可逆カウンタ２０の変更ビット数と対応した、す
なわち同調電圧データの変更ビット数が出力されるクロ
ックに同期して信号が出力される。基準となる差の同調
電圧データは微調操作時と、選局時、微調データを加減
算する時では変化がないので、選局時、微調操作時と同
じ微調データの変更が行なわれる。

以上の本発明の実施例によれば微調データの加減算が再
現よく容易にしかも迅速に行なわれるなどの利点を有す
る。

なお、上述した本発明の実施例では１微調制御 両信号で約Ｎ”２Ｎの２倍程度の周波数変化スブッダの
差があるが、これを減少させほぼ均一とするような微調
回路、例えば、前述した実施例の第４のシフトレジスタ
ー４の差の同ＭＳ’４圧データの上位ビットをもって単
位符号化するではなく、１微調制御信号ごとに、この差
の同調電圧データ分を、同調電圧データがセットされて
いる可逆カウンタの最下位ビットからクロック信号入力
するような微調方法であっても、実施例と同様に、微調
制御信号を符号化して扱え同様の効果が得られる。

また本発明の実施例では、微調データをチャネル番号の
同調可、圧データが記憶されている同一不揮発性メモリ
内に記憶しているが、他の記憶装置に記憶してもなんら
問題はない。

本発明によれば、電子チューナ等の生産時のバラツキあ
るいはチャネル番号によって同調周波数制御感度に数十
倍の偏差があっても、微調状態を短かいデータ長、すな
わち短かい記憶ビット数での構成することが可能で、記
憶装置のビット数を削減でき規模の小さい安価な選局装
置が得られるなどの効果を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の内容の概略を説明するための電子チュ
ーナの同調曲線を説明するだめの特性図、第２図は本発
明の選局装置の一実施例を示すブロック図、第３図は第
２図に示す本発明の実施例の１部分の回路図、第４図は
本発明の実施例に用いる記憶装置のメモリ内容を示す模
式図、第５図は第２図の本発明の実施例の動作を説明す
るための回路図、第６図（ａ）は第５図に示す回路動作
を説明するだめの信号波形図、第６図（ｈ）はシフトレ
ジスタを示す模式図、第７［図は第５図に示す回路動作
をさらに詳しく説明するための回路図、第８図は第７図
に示す回路の動作を説明するだめの信号波形図である。 ２　・選局制御回路　　３・・不揮発性メモリ７・・・
第２のシフトレジスタ ８・・演算回路 １１・・第３のシフトレジスタ １３・微調回路 １４・・第１の可逆カウンタ １５・第４の７フトレジスタ １６・・・微調演算信号発生回路 ２０・・・第２の可逆カウンタ ２１・・Ｄ−Ａ変換器　　２２・電子チューナ第　６　
図 （α） （し） 第　７　図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、　電圧制御型の同調回路を有する電子チューナと、
   電子チューナに印加す・・る同調電圧をデジタル信号に
   変換して、選局するチャネル番号に対応した同調電圧デ
   ータを恒久的に記憶する不揮発性メモリと、選局時には
   選局希望チャネル番号に対する同調電圧データを前記不
   揮発性メモリから読み出し、この同調電圧データをＤ−
   Ａ（デジタル−アナログ）変換して前記電子チューナに
   印加して選局を行なう手段と、同調電圧データを微少変
   化して、電子チュー、すの同調周波数を変化させる微調
   回路と、前記微調状態を微調データとして記憶する記憶
   装置と、選局時に前記記憶装置からの微調状態を示す微
   調データを読み出し、微調データに応じて選局チャネル
   番号の同調電圧データを変化してなる選局装置において
   微調操作時の微調制御信号を前記微調回路から出力し、
   １微調制御化号ごとの同調電圧データの変化量を選局し
   たチャネル番号と、このチャネル番号とほぼ一定のチャ
   ネル数だけ離れたチャネル番号との同調電圧データとの
   差の同調電圧データを分割した値を基準にして求め、１
   微調制御化号ごとに変化させるとともに微調操作時、前
   記微調制御信号を微調操作時の同調電圧データの変化方
   向に応じて積算して計数し、微調データとすることを特
   徴とする選局装置。 ２、特許請求の範囲第一項記載の選局装置において、微
   調操作時の微調データを、選局時に同調電圧データに加
   減算して変更するにあたり、選局チャネル番号と、この
   チャネル番号から一定チャネル数だけ離れたチャネル番
   号との差の同調電圧データを分割した値に応じて、微調
   データの加減算を開始する同調電圧データのビット位置
   を変更してなる選局装置０３、　特許請求の範囲第１項
   又は第２項記載の選局装置において、微調操作が行なわ
   れていない基準状態から、同調電圧データの減少方向の
   微調操作では微調制御信号を２の補数値で檀して計数を
   行ない微調データとすることを特徴とする選局装置。 ４　特許請求の範囲第１項、第２項又は第６項記載の選
   局装置において、微調データをチャネル番号に対応（−
   ７だ同調電圧データを記憶している前記不揮発性メモリ
   内に記憶することを特徴とする選局装置。