JPS5929006B2 - 感光半導体スイツチ - Google Patents
感光半導体スイツチInfo
- Publication number
- JPS5929006B2 JPS5929006B2 JP49082186A JP8218674A JPS5929006B2 JP S5929006 B2 JPS5929006 B2 JP S5929006B2 JP 49082186 A JP49082186 A JP 49082186A JP 8218674 A JP8218674 A JP 8218674A JP S5929006 B2 JPS5929006 B2 JP S5929006B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photosensitive
- switch
- pnpn
- semiconductor switch
- transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/16—Modifications for eliminating interference voltages or currents
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/78—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled
- H03K17/79—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled controlling bipolar semiconductor switches with more than two PN-junctions, or more than three electrodes, or more than one electrode connected to the same conductivity region
Landscapes
- Thyristors (AREA)
- Thyristor Switches And Gates (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＰＮＰＮ構造の感光半導体スイッチの改良にか
かり、特にｄｖ／旧耐量が大きくかつ高感度の閉成でき
る感光半導体スイッチを提供するものである。
かり、特にｄｖ／旧耐量が大きくかつ高感度の閉成でき
る感光半導体スイッチを提供するものである。
ＰＮＰＮ構造の感光半導体スイッチ（以下単に感光ＰＮ
ＰＮスイッチという）には、アノードとカソード電極の
み取り出した２端子のダイオード光スイッチ、カソード
ゲート端子も取り出した３端子のＬＡＳＣＲ（Ｌ ｉｇ
ｈｔ Ａｃｔｉｖａｔｅｄ ＳＣＲ）、さらにアノード
ゲート端子も取り出した４端子のＬＡＳＣ８（Ｌ ｉｇ
ｈｔ Ａｃｔｉｖａｔｅｄ ＳＣ８）等がある。
ＰＮスイッチという）には、アノードとカソード電極の
み取り出した２端子のダイオード光スイッチ、カソード
ゲート端子も取り出した３端子のＬＡＳＣＲ（Ｌ ｉｇ
ｈｔ Ａｃｔｉｖａｔｅｄ ＳＣＲ）、さらにアノード
ゲート端子も取り出した４端子のＬＡＳＣ８（Ｌ ｉｇ
ｈｔ Ａｃｔｉｖａｔｅｄ ＳＣ８）等がある。
これら感光ＰＮＰＮスイッチは、一般のＰＮＰＮスイッ
チの利点である。
チの利点である。
制御できる電流電圧が大きいこと、自己保持機能を有す
ること、双方向に高耐圧が得られること等に加えてさら
に駆動回路と主回路とを電気的に分離できるという大き
な利点を有し、種々の制御回路等に用いられる。
ること、双方向に高耐圧が得られること等に加えてさら
に駆動回路と主回路とを電気的に分離できるという大き
な利点を有し、種々の制御回路等に用いられる。
例えば感光ＰＮＰＮスイッチを逆並列接続し、リンギン
グ信号も通過させる通話路スイッチとして用いる例をあ
げることができる。
グ信号も通過させる通話路スイッチとして用いる例をあ
げることができる。
普通のＰＮＰＮスイッチを用いるとゲート駆動回路と主
回路が分離されないため、ゲート制御電流が主回路に流
れてしまい、通話路スイッチのように多段接続される回
路ではこの電流が加算され無視できなくなる。
回路が分離されないため、ゲート制御電流が主回路に流
れてしまい、通話路スイッチのように多段接続される回
路ではこの電流が加算され無視できなくなる。
またリンキング信号を通過させる時は容量性の負荷とな
るため電流波形と電圧波形に位相差が生じ、電流が保持
電流以下になってゲート電流を供給しナイと開放してし
まう状態では、カソードのレベルが振幅の最大値付近に
まで高くなっていることがある。
るため電流波形と電圧波形に位相差が生じ、電流が保持
電流以下になってゲート電流を供給しナイと開放してし
まう状態では、カソードのレベルが振幅の最大値付近に
まで高くなっていることがある。
従ってゲート電流を供給するためにゲート駆動回路はリ
ンキング信号の最大値より高い電圧を用意しておく必要
がある。
ンキング信号の最大値より高い電圧を用意しておく必要
がある。
これに対し感光ＰＮＰＮスイッチを用いると、ゲート駆
動回路と主回路を電気的に分離できるため、上述のよう
な問題を解決することができ非常に有利である。
動回路と主回路を電気的に分離できるため、上述のよう
な問題を解決することができ非常に有利である。
しかしながら感光ＰＮＰＮスイッチでもやはりＰＮＰＮ
スイッチと同様アノードカソード間に急激な電圧変化ｄ
ｖ／ｄｔが加わると誤閉成してしまうという欠点を持っ
ている。
スイッチと同様アノードカソード間に急激な電圧変化ｄ
ｖ／ｄｔが加わると誤閉成してしまうという欠点を持っ
ている。
これはｄｖ／ｄｔ効果（あるいはレイト効果）と呼ばれ
るもので、これを防ぐため従来の感光半導体スイッチは
第１図に示したように感光ＰＮＰＮスイッチ１のカソー
ドゲート、カソード間に側流用の抵抗２を接続したもの
が用いられている。
るもので、これを防ぐため従来の感光半導体スイッチは
第１図に示したように感光ＰＮＰＮスイッチ１のカソー
ドゲート、カソード間に側流用の抵抗２を接続したもの
が用いられている。
しかしこの方法は点弧感度が悪く、点弧させるための駆
動電力が大きくなる欠点を有する。
動電力が大きくなる欠点を有する。
従って、従来の感光半導体スイッチでは、感光ＰＮＰＮ
スイッチに投光する光源の電気−光変換効率（たとえば
発光ダイオード等を考えると効率は高々数パーセント）
を考慮すると非常に能率が悪く、実用性に乏しかった。
スイッチに投光する光源の電気−光変換効率（たとえば
発光ダイオード等を考えると効率は高々数パーセント）
を考慮すると非常に能率が悪く、実用性に乏しかった。
一方、本発明者らは、ｄ■／ｄｔ耐量が大きく、かつ高
感度で動作するＰＮＰＮ構造の半導体スイッチを特願昭
４９−２７１１５号にて提案した。
感度で動作するＰＮＰＮ構造の半導体スイッチを特願昭
４９−２７１１５号にて提案した。
本発明はかかる先願の発明を感光半導体スイッチに積極
的に応用したもので、従来技術の欠点をなくシ、ｄｖ／
ｄｔ耐量が大きくかつ点弧感度がよく、シかもゲート駆
動回路と主回路を電気的に分離できるすぐれた感光半導
体スイッチを提供するものである。
的に応用したもので、従来技術の欠点をなくシ、ｄｖ／
ｄｔ耐量が大きくかつ点弧感度がよく、シかもゲート駆
動回路と主回路を電気的に分離できるすぐれた感光半導
体スイッチを提供するものである。
本発明は、感光ＰＮＰＮスイッチと、第１及び第２のイ
ンピーダンス素子と、スイッチング装置及び容量性素子
とから構成され、感光ＰＮＰＮスイッチのカソードゲー
トとカソード間、又はアノードとアノードゲート間に上
記第１のインピーダンス素子とスイッチング装置の並列
回路を接続し、上記スイッチング装置は上記容量性素子
を通して駆動されるとともに、上記第２のインピーダン
ス素子を上記容量性素子の放電路に接続したことを特徴
とする。
ンピーダンス素子と、スイッチング装置及び容量性素子
とから構成され、感光ＰＮＰＮスイッチのカソードゲー
トとカソード間、又はアノードとアノードゲート間に上
記第１のインピーダンス素子とスイッチング装置の並列
回路を接続し、上記スイッチング装置は上記容量性素子
を通して駆動されるとともに、上記第２のインピーダン
ス素子を上記容量性素子の放電路に接続したことを特徴
とする。
以下図を用いて本発明の一実施例を詳細に説明する。
２ 第２図は本発明に係る感光半導体スイッチの一実施
例の等価回路図で、１は感光ＰＮＰＮスイッチ、Ｒ１は
小さな ／ａｔ効果保護用の側流抵抗、Ｑｌは大きなｄ
ｖ／ｄ１効果保護用の側流トランジスタ、Ｃはｄ■／ｄ
１効果保護用トランジスタＱ。
例の等価回路図で、１は感光ＰＮＰＮスイッチ、Ｒ１は
小さな ／ａｔ効果保護用の側流抵抗、Ｑｌは大きなｄ
ｖ／ｄ１効果保護用の側流トランジスタ、Ｃはｄ■／ｄ
１効果保護用トランジスタＱ。
を過渡的に１駆動するコンデンサ、Ｒ２はコンデンサＣ
およびトランジスタＱ１の蓄積電荷放電用の抵抗を示す
。
およびトランジスタＱ１の蓄積電荷放電用の抵抗を示す
。
アノードＡ１カソードに間に電圧変化ｄ■／ｄ１が加わ
るとアノードゲート、カソードゲート間のＰＮ接合容量
ＣＪの充電電流が流れ、この電流がカソードゲート電流
となってＰＮＰＮスイッチを誤閉成させるのがｄｖ／′
ｄ１効果であるが、第２図図示の本発明に係る感光半導
体スイッチにおいては ｄｖ ／ｄｔが加わると、コン
デンサＣを通してｄｖ ／ｄｔ保護用トランジスタＱ１
にベース電流が供給され、このトランジスタＱ１が動作
して、ＰＮ接合容量ｃＪの充電電流を吸収させることが
できる。
るとアノードゲート、カソードゲート間のＰＮ接合容量
ＣＪの充電電流が流れ、この電流がカソードゲート電流
となってＰＮＰＮスイッチを誤閉成させるのがｄｖ／′
ｄ１効果であるが、第２図図示の本発明に係る感光半導
体スイッチにおいては ｄｖ ／ｄｔが加わると、コン
デンサＣを通してｄｖ ／ｄｔ保護用トランジスタＱ１
にベース電流が供給され、このトランジスタＱ１が動作
して、ＰＮ接合容量ｃＪの充電電流を吸収させることが
できる。
この時トランジスタＱ１が飽和領域で動作し、しかもコ
レクタエミッタ間飽和電圧が感光ＰＮＰＮスイッチ１の
カソードゲート、カソード間順方向ＯＮ電圧より低けれ
ば、感光ＰＮＰＮスイッチ１の誤閉成を防ぐことができ
る。
レクタエミッタ間飽和電圧が感光ＰＮＰＮスイッチ１の
カソードゲート、カソード間順方向ＯＮ電圧より低けれ
ば、感光ＰＮＰＮスイッチ１の誤閉成を防ぐことができ
る。
これはＰＮ接合容量に見合ったコンデンサＣの容量と、
トランジスタＱ１のエミッタ接地電流増幅率βＱ１およ
びコレクタエミッタ間飽和電圧ｖｃＥｓＱ１を適蟲に選
ぶことにより容易に可能である。
トランジスタＱ１のエミッタ接地電流増幅率βＱ１およ
びコレクタエミッタ間飽和電圧ｖｃＥｓＱ１を適蟲に選
ぶことにより容易に可能である。
すなわち次の関係式を満足させればよい。
ここで■ＢＥＱ１はトランジスタＱｉのペースエミッタ
間順方向電圧、ＶＧＫ（ＯＮ）は感光ＰＮＰ Ｎスイッ
チ１のカソードゲート、カソード間順方向ＯＮ電圧であ
る。
間順方向電圧、ＶＧＫ（ＯＮ）は感光ＰＮＰ Ｎスイッ
チ１のカソードゲート、カソード間順方向ＯＮ電圧であ
る。
なお抵抗Ｒ２はコンデンサＣとトランジスタＱ１の蓄積
電荷放電用として必要であるが、このために小さな ／
ｄｔが加わった時、すなわちｄ ｖ ＜ＶＢ ＥＱ“の
場合にはトランジスタＱ１はｔＲ２ 遮断状態となる。
電荷放電用として必要であるが、このために小さな ／
ｄｔが加わった時、すなわちｄ ｖ ＜ＶＢ ＥＱ“の
場合にはトランジスタＱ１はｔＲ２ 遮断状態となる。
従ってこの場合のｄｖ／ｄｔ効果保護として抵抗Ｒ１が
必要となる。
必要となる。
ただし抵抗Ｒ１は第１図図示の従来法と異なり小さなｄ
■／ｄｔ保護だけをすればよいから高抵抗にすることが
できる。
■／ｄｔ保護だけをすればよいから高抵抗にすることが
できる。
もちろん定常状態ではトランジスタＱ１は遮断状態であ
るのでゲート点弧電流は高抵抗Ｒ１で決まることになり
高感度にできる。
るのでゲート点弧電流は高抵抗Ｒ１で決まることになり
高感度にできる。
トランジスタＱ１をｄｖ／ｄｔが加わる過渡時だけ働か
せる容量性のベース電流供給回路としては第３図図示の
ようにダイオードＤを感光ＰＮＰＮスイッチ１のアノー
ドゲートとトランジスタＱ１のデース間に接続してもよ
い。
せる容量性のベース電流供給回路としては第３図図示の
ようにダイオードＤを感光ＰＮＰＮスイッチ１のアノー
ドゲートとトランジスタＱ１のデース間に接続してもよ
い。
あるいは電流増幅率の小さなＰＮＰ）ランジスタを、感
光ＰＮＰＮスイッチ１を形成するＰＮＰトランジスタと
エミッタおよびベース共通接続としてコレクタをトラン
ジスタＱ１のベースに接続する構成としてもよい。
光ＰＮＰＮスイッチ１を形成するＰＮＰトランジスタと
エミッタおよびベース共通接続としてコレクタをトラン
ジスタＱ１のベースに接続する構成としてもよい。
この場合には抵抗Ｒ２に蓄積電荷放電用としての役目に
加えて定常状態でトランジスタＱ１が動作しないように
保護する働きをさせることになる。
加えて定常状態でトランジスタＱ１が動作しないように
保護する働きをさせることになる。
また抵抗Ｒ１と並列に容量性の素子を接続しておいても
よい。
よい。
さらに第４図図示のように上述の例と同様の原理で相補
的な構成すなわち、ｄｖ ／ａ、効果保護用トランジス
タＱ１とインピーダンス素子Ｒ１を感光ＰＮＰＮスイッ
チ１のアノード、アノードゲート間に並列に接続して、
ｄ■／ｄｔ効果保護用トランジスタＱ１を容量性の素子
Ｃで駆動するようにしてもよい。
的な構成すなわち、ｄｖ ／ａ、効果保護用トランジス
タＱ１とインピーダンス素子Ｒ１を感光ＰＮＰＮスイッ
チ１のアノード、アノードゲート間に並列に接続して、
ｄ■／ｄｔ効果保護用トランジスタＱ１を容量性の素子
Ｃで駆動するようにしてもよい。
以上説明した如く、本発明は定常時には高インピーダン
スで、ｄｖ／ｄｔが加わった時は低インピーダンスとな
る可変インピーダンスの側流回路を感光ＰＮＰＮスイッ
チのカソードゲートとカソード間またはアノードとアノ
ードゲート間に並列に接続することによって、ｄＶ／ｄ
１耐量が犬キ＜、かつ高感度で動作し、しかも主スィッ
チとゲート駆動回路とを電気的に分離できる感光半導体
スイッチを提供するもので、従来機械スイッチで構成さ
れていた通話路スイッチのようにリンギング信号（７５
Ｖｒｍｓ ）といった大振幅信号を通過させ、しかも駆
動系と主スィッチとが電気的に分離される必要のあるス
イッチを半導体スイッチに置換えるような場合に適用す
るのに極めて有効な手段を提供するものである。
スで、ｄｖ／ｄｔが加わった時は低インピーダンスとな
る可変インピーダンスの側流回路を感光ＰＮＰＮスイッ
チのカソードゲートとカソード間またはアノードとアノ
ードゲート間に並列に接続することによって、ｄＶ／ｄ
１耐量が犬キ＜、かつ高感度で動作し、しかも主スィッ
チとゲート駆動回路とを電気的に分離できる感光半導体
スイッチを提供するもので、従来機械スイッチで構成さ
れていた通話路スイッチのようにリンギング信号（７５
Ｖｒｍｓ ）といった大振幅信号を通過させ、しかも駆
動系と主スィッチとが電気的に分離される必要のあるス
イッチを半導体スイッチに置換えるような場合に適用す
るのに極めて有効な手段を提供するものである。
第１図は感光ＰＮＰＮスイッチ１のｄ■／ｄ１耐量をあ
げるために従来用いられたゲート短絡方式の回路例を示
す。 第２図は本発明にかかる感光半導体スイッチの一実施例
の等価回路構成例、第３図、第４図は本発明に係る感光
半導体スイッチの他の実施例の等価回路構成例を示す。 １．、、、ｄｖ １・・・・・・感光ＰＮＰＮスイッチ、２・ ／ｄ
を効果保護抵抗、Ｑｌ・・・・・・ｄｖ／ｄｔ効果保
護トランジスタ、Ｒ１，Ｒ２・・・・・・抵抗、Ｃ・・
・・・・コンデンサ、Ｄ・・・・・・ダイオード。
げるために従来用いられたゲート短絡方式の回路例を示
す。 第２図は本発明にかかる感光半導体スイッチの一実施例
の等価回路構成例、第３図、第４図は本発明に係る感光
半導体スイッチの他の実施例の等価回路構成例を示す。 １．、、、ｄｖ １・・・・・・感光ＰＮＰＮスイッチ、２・ ／ｄ
を効果保護抵抗、Ｑｌ・・・・・・ｄｖ／ｄｔ効果保
護トランジスタ、Ｒ１，Ｒ２・・・・・・抵抗、Ｃ・・
・・・・コンデンサ、Ｄ・・・・・・ダイオード。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 感光ＰＮＰＮスイッチと、第１のインピーダンス素
子と、スイッチング装置と、容量性素子及び第２のイン
ピーダンス素子とから構成され、感光ＰＮＰＮスイッチ
のカソードゲートとカソード間に上記第１のインピーダ
ンス素子とスイッチング装置の並列回路を接続し、上記
スイッチング装置は上記容量性素子を通して駆動される
とともに、上記第２の１ンピーダンス素子を上記容量性
素子の放電路に接続して構成されたことを特徴とする感
光半導体スイッチ。 ２ 感光ＰＮＰＮスイッチと、第１のインピーダンス素
子と、スイッチング装置と、容量性素子及び第２のイン
ピーダンス素子とから構成され、感光ＰＮＰＮスイッチ
のアノードとアノードゲート間に上記第１のインピーダ
ンス素子とスイッチング装置の並列回路を接続し、上記
スイッチング装置は上記容量性素子を通して駆動される
とともに、上記第２のインピーダンス素子を上記容量性
素子の放電路に接続して構成されたことを特徴とする感
光半導体スイッチ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49082186A JPS5929006B2 (ja) | 1974-07-19 | 1974-07-19 | 感光半導体スイツチ |
| US05/590,562 US4039863A (en) | 1974-07-19 | 1975-06-26 | Light activated semiconductor switch device |
| CA230,400A CA1040734A (en) | 1974-07-19 | 1975-06-27 | Light activated semiconductor switch device |
| DE2529124A DE2529124C3 (de) | 1974-07-19 | 1975-06-30 | Lichtbetätigte Halbleiter-Schaltvorrichtung |
| AU82605/75A AU479788B2 (en) | 1974-07-19 | 1975-07-01 | Semiconductor switch device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP49082186A JPS5929006B2 (ja) | 1974-07-19 | 1974-07-19 | 感光半導体スイツチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5111176A JPS5111176A (ja) | 1976-01-29 |
| JPS5929006B2 true JPS5929006B2 (ja) | 1984-07-17 |
Family
ID=13767397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP49082186A Expired JPS5929006B2 (ja) | 1974-07-19 | 1974-07-19 | 感光半導体スイツチ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4039863A (ja) |
| JP (1) | JPS5929006B2 (ja) |
| CA (1) | CA1040734A (ja) |
| DE (1) | DE2529124C3 (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS605142B2 (ja) * | 1977-05-11 | 1985-02-08 | 株式会社日立製作所 | 半導体スイツチング装置 |
| JPS5832539B2 (ja) * | 1978-06-20 | 1983-07-13 | 日本電信電話株式会社 | 光スイツチ回路 |
| US4323793A (en) * | 1978-09-27 | 1982-04-06 | Eaton Corporation | Thyristor having widened region of temperature sensitivity with respect to breakover voltage |
| US4257091A (en) * | 1978-11-21 | 1981-03-17 | Kaufman Lance R | Electrical power converter thyristor firing circuit having noise immunity |
| US4295058A (en) * | 1979-06-07 | 1981-10-13 | Eaton Corporation | Radiant energy activated semiconductor switch |
| JPS5636228A (en) * | 1979-08-31 | 1981-04-09 | Fujitsu Ltd | Photo coupling element |
| EP0027888B1 (en) * | 1979-09-21 | 1986-04-16 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor switch |
| US4489340A (en) * | 1980-02-04 | 1984-12-18 | Nippon Telegraph & Telephone Public Corporation | PNPN Light sensitive semiconductor switch with phototransistor connected across inner base regions |
| NL8402544A (nl) * | 1984-08-20 | 1986-03-17 | Philips Nv | Opto-elektrische signaalomzetter. |
| EP0268430A3 (en) * | 1986-11-14 | 1989-04-26 | Oki Electric Industry Company, Limited | An optically coupled semiconductor switch and driving method adapted thereto |
| JPH07112150B2 (ja) * | 1989-04-28 | 1995-11-29 | 株式会社東芝 | 光トリガースイッチング回路 |
| US5138177A (en) * | 1991-03-26 | 1992-08-11 | At&T Bell Laboratories | Solid-state relay |
| JP3023858B2 (ja) * | 1991-03-29 | 2000-03-21 | 矢崎総業株式会社 | 光静電誘導サイリスタの駆動回路 |
| US5387802A (en) * | 1993-05-05 | 1995-02-07 | Industrial Technology Research Institute | High-speed electronic switch having low effective series resistance |
| CN1191394A (zh) * | 1997-02-20 | 1998-08-26 | 杨泰和 | 藉前置光－电转换元件驱动的绝缘栅双极晶体管 |
| US7902532B2 (en) * | 2009-01-16 | 2011-03-08 | General Electric Company | Systems and methods involving transducer signals |
| US20110221275A1 (en) * | 2010-03-12 | 2011-09-15 | Al-Absi Munir A | High output impedance current source |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3609413A (en) * | 1969-11-03 | 1971-09-28 | Fairchild Camera Instr Co | Circuit for the protection of monolithic silicon-controlled rectifiers from false triggering |
| US3714443A (en) * | 1971-01-22 | 1973-01-30 | Honeywell Inc | Remotely controlled light sensing apparatus |
| JPS5528457B2 (ja) * | 1972-07-08 | 1980-07-28 |
-
1974
- 1974-07-19 JP JP49082186A patent/JPS5929006B2/ja not_active Expired
-
1975
- 1975-06-26 US US05/590,562 patent/US4039863A/en not_active Expired - Lifetime
- 1975-06-27 CA CA230,400A patent/CA1040734A/en not_active Expired
- 1975-06-30 DE DE2529124A patent/DE2529124C3/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2529124C3 (de) | 1984-07-19 |
| DE2529124A1 (de) | 1976-01-29 |
| CA1040734A (en) | 1978-10-17 |
| AU8260575A (en) | 1977-01-27 |
| US4039863A (en) | 1977-08-02 |
| JPS5111176A (ja) | 1976-01-29 |
| DE2529124B2 (de) | 1977-01-27 |
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