JPS5929455A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5929455A JPS5929455A JP57139371A JP13937182A JPS5929455A JP S5929455 A JPS5929455 A JP S5929455A JP 57139371 A JP57139371 A JP 57139371A JP 13937182 A JP13937182 A JP 13937182A JP S5929455 A JPS5929455 A JP S5929455A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistance
- contact
- semiconductor
- conductivity type
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
- H10D64/20—Electrodes characterised by their shapes, relative sizes or dispositions
- H10D64/23—Electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. sources, drains, anodes or cathodes
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は集積回路装ｆｉ！ｉ：（ＩＣ）に関する。
近年、１「子機器の信頼性に対する要求が高まるにつれ
て、ＩＣ自体の信頼性も高いことが必要となってきた。
て、ＩＣ自体の信頼性も高いことが必要となってきた。
その信頼性を低下させる要因の一つに、ＩＣ内部回路素
子の静電破壊が有り、これはＩＣ機能の破壊才たは特性
不良等を引き起すことになり信頼性上問題となる。従来
のバイポーラ■Ｃにおいて、例えばＩＣ内部の抵抗素子
の一端の電極がボンディング配線によって直接入出力端
子に導ひかれている場合、前述の抵抗素子の金属電極と
抵抗領域との接続部（コンタクト部）のそれぞれの面状
は通常、内部回路素子に用いられている標準的なコンタ
クト部の面積と等しいものを用いていた。
子の静電破壊が有り、これはＩＣ機能の破壊才たは特性
不良等を引き起すことになり信頼性上問題となる。従来
のバイポーラ■Ｃにおいて、例えばＩＣ内部の抵抗素子
の一端の電極がボンディング配線によって直接入出力端
子に導ひかれている場合、前述の抵抗素子の金属電極と
抵抗領域との接続部（コンタクト部）のそれぞれの面状
は通常、内部回路素子に用いられている標準的なコンタ
クト部の面積と等しいものを用いていた。
ここで、従来構造の抵抗素子の平面図を第１図に、また
第２図に第１図中のＸ−Ｘ による断面図をそれぞれ示
す。第１図及び第２図における半導体装置は以下の工程
を経て製造される。まず、ｐ＋型型半導体基板１ニ１ 長層１０２を形成し、熱拡散により形成されるｐ＋＋半
導体領域によって分離領域を形成する。前述分離領域中
にｐ型半導体抵抗領域１０４を熱拡散及び酸化すること
により形成し、同時に絶縁膜１０５を形成する。その後
、ｐ型半導体抵抗領域１０４に電極を設けるため絶縁膜
１０５にエツチングを施してｐ型半導体抵抗領域１０４
との接続部（コンタクト部）１０６を形成し、前述コン
タクト部１０６を金属電極１０７によって包囲した半導
体装置が完成する。また１０８は内部素子間等を接続す
る金属配線であり、１０９は金属電極１０７を入出力端
子に接続するためのポンディングパッドであることを示
す。
第２図に第１図中のＸ−Ｘ による断面図をそれぞれ示
す。第１図及び第２図における半導体装置は以下の工程
を経て製造される。まず、ｐ＋型型半導体基板１ニ１ 長層１０２を形成し、熱拡散により形成されるｐ＋＋半
導体領域によって分離領域を形成する。前述分離領域中
にｐ型半導体抵抗領域１０４を熱拡散及び酸化すること
により形成し、同時に絶縁膜１０５を形成する。その後
、ｐ型半導体抵抗領域１０４に電極を設けるため絶縁膜
１０５にエツチングを施してｐ型半導体抵抗領域１０４
との接続部（コンタクト部）１０６を形成し、前述コン
タクト部１０６を金属電極１０７によって包囲した半導
体装置が完成する。また１０８は内部素子間等を接続す
る金属配線であり、１０９は金属電極１０７を入出力端
子に接続するためのポンディングパッドであることを示
す。
次に前述した従来構造の抵抗素子を用いた場合の欠点を
示ず。例えば、正の電荷（数百ピコファラッドのコンア
ン→）°−に数百ボルトの電圧を印加した場合の蓄積電
荷に相当）が帯電している人体が従来構造の抵抗素子を
内蔵したバイポーラＩＣを電子機器に実装する段階で、
前述した入出力端子が人体と接触し、かつＩＣの基板電
位にある端子が接地箱１位にあった場合、入出力端子か
ら抵抗素子のコンタクト部１０６及びｐ型半導体抵抗領
域１０４を通じてｐ型半導体１０１へ前述の帯電電荷が
過大電流となって流れる。この時、コンタクト部１０６
のコンタクト抵抗によるジュール熱のため抵抗素子のコ
ンタクト部１０６刊近の金属電極１０７が溶解し、さら
にはｐ型半導体抵抗領域１０４内部深く浸入してｐ型半
導体抵抗領域１０４とｎ型半導体の気相成長層１０２と
の接合部を破壊する。この結果、入出力の耐圧不良もし
くは短絡状態を生じ信頼性を低下させる。
示ず。例えば、正の電荷（数百ピコファラッドのコンア
ン→）°−に数百ボルトの電圧を印加した場合の蓄積電
荷に相当）が帯電している人体が従来構造の抵抗素子を
内蔵したバイポーラＩＣを電子機器に実装する段階で、
前述した入出力端子が人体と接触し、かつＩＣの基板電
位にある端子が接地箱１位にあった場合、入出力端子か
ら抵抗素子のコンタクト部１０６及びｐ型半導体抵抗領
域１０４を通じてｐ型半導体１０１へ前述の帯電電荷が
過大電流となって流れる。この時、コンタクト部１０６
のコンタクト抵抗によるジュール熱のため抵抗素子のコ
ンタクト部１０６刊近の金属電極１０７が溶解し、さら
にはｐ型半導体抵抗領域１０４内部深く浸入してｐ型半
導体抵抗領域１０４とｎ型半導体の気相成長層１０２と
の接合部を破壊する。この結果、入出力の耐圧不良もし
くは短絡状態を生じ信頼性を低下させる。
本発明の目的はプロセス変更や、面状の過大な拡大を招
くことなく大幅にバイポーラＩＣの静電破壊耐圧の向上
をはかることにある。
くことなく大幅にバイポーラＩＣの静電破壊耐圧の向上
をはかることにある。
本発明は一導電型の半導体基体と、該半導体基体の一側
面から内部に形成された反対導′区型の半導体領域と、
前記半導体基体及び反対導電型の半導体領域の表面上に
形成された絶縁層と、前記反対導電型の半導体領域表面
上の絶縁層が少なくとも二つの開口部を有し、該開口部
を介して前記反対導１に型の半導体領域に接続された金
属１１１極とを含む半導体装置において、前記開口部の
少なくとも一つが他の開口部の面積よりも広いことを特
徴とする。
面から内部に形成された反対導′区型の半導体領域と、
前記半導体基体及び反対導電型の半導体領域の表面上に
形成された絶縁層と、前記反対導電型の半導体領域表面
上の絶縁層が少なくとも二つの開口部を有し、該開口部
を介して前記反対導１に型の半導体領域に接続された金
属１１１極とを含む半導体装置において、前記開口部の
少なくとも一つが他の開口部の面積よりも広いことを特
徴とする。
次に、本発明を実施例により説明する。
第１の実施例は、第３図の平面図で示されるような抵抗
素子であり、第４図は第３図中のｘ−ｘ’による断面図
である。図中の連続番号は従来構造の第１図及び第２図
中に示すものと同じであって構造がほぼ同じであること
を示唆している。ただし、第３図及び第４図において電
極のコンタクト部１０６ （ｂ）が１０６ （ａ）の面
接よりも広いことを／ｉ？徴とする。第２の実施例を第
５図に示す。第５図において、コンタクト部の形状を円
形として用いることにより更に静電破壊に強い抵抗素子
を実現できる。
素子であり、第４図は第３図中のｘ−ｘ’による断面図
である。図中の連続番号は従来構造の第１図及び第２図
中に示すものと同じであって構造がほぼ同じであること
を示唆している。ただし、第３図及び第４図において電
極のコンタクト部１０６ （ｂ）が１０６ （ａ）の面
接よりも広いことを／ｉ？徴とする。第２の実施例を第
５図に示す。第５図において、コンタクト部の形状を円
形として用いることにより更に静電破壊に強い抵抗素子
を実現できる。
このような抵抗素子を用いることによりコンタクト部の
コンタクト抵抗が従来のコンタクト抵抗よりも小さくな
るため、コンタクト部に発生ずるジュール熱が小さくな
るとともに箱５界の集中を防ぐことが出来る。この結果
、前述した帯電電荷による静電破壊耐圧の著しい向上が
図れた。以上のように本発明は抵抗素子にのみ限定され
るものではないことはいうまでもない。
コンタクト抵抗が従来のコンタクト抵抗よりも小さくな
るため、コンタクト部に発生ずるジュール熱が小さくな
るとともに箱５界の集中を防ぐことが出来る。この結果
、前述した帯電電荷による静電破壊耐圧の著しい向上が
図れた。以上のように本発明は抵抗素子にのみ限定され
るものではないことはいうまでもない。
第１図は従来構造による抵抗素子の平面図であり、第２
図は第１図中のｘ−ｘ’による断面図である。第３図は
本発明による構造の抵抗素子の平面図であり、第４図は
第３図中のｘ−ｘ’による断面図である。第５図はコン
タクト部の形状を円形にしたものである。 １０１・・・・・・ｐ生型半導体基板、１０２・・・・
・・ｎ型気相成長層、１０３・・・・・・ｐ十型絶縁領
域、１０４・・・・・・ｐ型半導体抵抗領域、１０５・
・・・・・絶縁層、１０６・・・・・・電極のコンタク
ト部、１０７・・・・・・金属１；Ｌ極、１０８・・・
・・・ボンティング配線、１０９・・・・・ポンディン
グパッド。
図は第１図中のｘ−ｘ’による断面図である。第３図は
本発明による構造の抵抗素子の平面図であり、第４図は
第３図中のｘ−ｘ’による断面図である。第５図はコン
タクト部の形状を円形にしたものである。 １０１・・・・・・ｐ生型半導体基板、１０２・・・・
・・ｎ型気相成長層、１０３・・・・・・ｐ十型絶縁領
域、１０４・・・・・・ｐ型半導体抵抗領域、１０５・
・・・・・絶縁層、１０６・・・・・・電極のコンタク
ト部、１０７・・・・・・金属１；Ｌ極、１０８・・・
・・・ボンティング配線、１０９・・・・・ポンディン
グパッド。
Claims (1)
- 一導電型の半導体基体と、該半導体基体の一側面から内
部に形成された反対導電型の半導体領域と、前記半導体
基体及び反対導電型の半導体領域の表面上に形成された
絶縁層と、前記反対導ｖＬ型の半導体領域表面上の絶縁
層が少なくとも二つの開口部を有し、該開口部を介して
前記反対導電型の半導体領域に接続された金属電極とを
含む半導体装置において、前記開口部の少なくとも一つ
が他の開口部の面撰よりも広いことを特徴とするバイポ
ーラ集積回路を含む半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57139371A JPS5929455A (ja) | 1982-08-11 | 1982-08-11 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57139371A JPS5929455A (ja) | 1982-08-11 | 1982-08-11 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5929455A true JPS5929455A (ja) | 1984-02-16 |
Family
ID=15243764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57139371A Pending JPS5929455A (ja) | 1982-08-11 | 1982-08-11 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5929455A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6144457A (ja) * | 1984-08-09 | 1986-03-04 | Nec Corp | スタテイツク型半導体メモリ |
| JPH04107709U (ja) * | 1991-02-27 | 1992-09-17 | 松下電器産業株式会社 | ベルトコンベア装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54160186A (en) * | 1978-06-09 | 1979-12-18 | Toshiba Corp | Semiconductor integrated circuit device |
| JPS56146277A (en) * | 1980-04-15 | 1981-11-13 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
-
1982
- 1982-08-11 JP JP57139371A patent/JPS5929455A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54160186A (en) * | 1978-06-09 | 1979-12-18 | Toshiba Corp | Semiconductor integrated circuit device |
| JPS56146277A (en) * | 1980-04-15 | 1981-11-13 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6144457A (ja) * | 1984-08-09 | 1986-03-04 | Nec Corp | スタテイツク型半導体メモリ |
| JPH04107709U (ja) * | 1991-02-27 | 1992-09-17 | 松下電器産業株式会社 | ベルトコンベア装置 |
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