JPS593017A - アモルフアスシリコンカ−バイド膜の製造方法 - Google Patents
アモルフアスシリコンカ−バイド膜の製造方法Info
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- JPS593017A JPS593017A JP11266882A JP11266882A JPS593017A JP S593017 A JPS593017 A JP S593017A JP 11266882 A JP11266882 A JP 11266882A JP 11266882 A JP11266882 A JP 11266882A JP S593017 A JPS593017 A JP S593017A
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- Japan
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- silicon carbide
- amorphous silicon
- hydrogen
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
- C23C14/0036—Reactive sputtering
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はアモルファスシリコンカーバイド（ａ−ｓｉＸ
ｃｌ−Ｘ）膜の製造方法に関し、特に水素で安定化され
たアモルファスシリコンカーバ（）’（ａ−５Ｉ Ｘ
Ｃ１−ｘ： Ｈ）膜の製造方法に関するものである。
ｃｌ−Ｘ）膜の製造方法に関し、特に水素で安定化され
たアモルファスシリコンカーバ（）’（ａ−５Ｉ Ｘ
Ｃ１−ｘ： Ｈ）膜の製造方法に関するものである。
従来の単結晶材料を用いた半導体に加えて、近年非晶質
、微結晶質或いは多結晶等の薄膜半導体層を利用するこ
とか活発に試みられている。特にａｓＩＸｃＩ−Ｘ膜は
例えば光が照射された状態で顕著な光導電特性を示し、
半導体材料として注目されている。この種のａ−５ｉ）
（Ｃ１−８膜はプラズマＣＶＤ法をはじめ種々の作製方
法か提案されているが、従来のａ−８ｉＸｃｌ−エ膜作
製方法は、製造条件によって光導電特性や比抵抗等の電
気的諸特性を充分に制御することかできず、半導体材料
として実用化するには問題かあった。
、微結晶質或いは多結晶等の薄膜半導体層を利用するこ
とか活発に試みられている。特にａｓＩＸｃＩ−Ｘ膜は
例えば光が照射された状態で顕著な光導電特性を示し、
半導体材料として注目されている。この種のａ−５ｉ）
（Ｃ１−８膜はプラズマＣＶＤ法をはじめ種々の作製方
法か提案されているが、従来のａ−８ｉＸｃｌ−エ膜作
製方法は、製造条件によって光導電特性や比抵抗等の電
気的諸特性を充分に制御することかできず、半導体材料
として実用化するには問題かあった。
本発明は従来のａ−５ｉＸＣ１−Ｘ膜の製造方法の欠点
に鑑みてなされたもので、水素を利用して安定化すると
共に、広い範囲に亘って電気的諸特性を制御し得るａ−
８ｉｚ Ｃ１−Ｘ ： Ｈ膜の製造方法を提供する。
に鑑みてなされたもので、水素を利用して安定化すると
共に、広い範囲に亘って電気的諸特性を制御し得るａ−
８ｉｚ Ｃ１−Ｘ ： Ｈ膜の製造方法を提供する。
本発明を璧約すれば、ａ−５ｊＸＣ１−Ｘ：Ｈ膜中の水
素量及び膜中での水素の結合状態を容易にコントロール
する目的で、Ａｒ及びＣ：１Ｈ８（又はＣＨ４）ガスに
更にＨ２ガスを加えた混合ガスでＳｉ ターゲットを
スパッタリングして膜を形成するａ −５ｉＸＣ１−Ｘ
：Ｈ膜作製法である。
素量及び膜中での水素の結合状態を容易にコントロール
する目的で、Ａｒ及びＣ：１Ｈ８（又はＣＨ４）ガスに
更にＨ２ガスを加えた混合ガスでＳｉ ターゲットを
スパッタリングして膜を形成するａ −５ｉＸＣ１−Ｘ
：Ｈ膜作製法である。
第１図はａ−５ｉＸＣ１−Ｘ：Ｈ膜を作製するためのス
パッタリング装置で、反応室１内にはａ−５ｉ）（ＣＩ
−ｘ：Ｈ膜を作製するための基板２及びＳｉ源となるＳ
ｉターゲット３が対向させて配置されている。
パッタリング装置で、反応室１内にはａ−５ｉ）（ＣＩ
−ｘ：Ｈ膜を作製するための基板２及びＳｉ源となるＳ
ｉターゲット３が対向させて配置されている。
反応室ｌは真空系４に結合されている一方、混合ガス供
給系５にも結合されている。該混合ガス供給系はＣ及び
Ｈ源となるＣ３Ｈ８（又はＣＨ４）ガスを供給する系６
．Ｓｉ ターゲットを効率よくスパッタするためのＡｒ
ガス供給系７が設けられると共に、更にＨ２ガス供給系
８が設けられ、混合器９を介してＣ３Ｈ３（又はＣＨ４
）、Ａｒ及びＨ２の混合ガスが流量及び分圧を制御され
ながら反応室ｌに供給され、Ｓｉターゲット３をスパッ
タリングする。
給系５にも結合されている。該混合ガス供給系はＣ及び
Ｈ源となるＣ３Ｈ８（又はＣＨ４）ガスを供給する系６
．Ｓｉ ターゲットを効率よくスパッタするためのＡｒ
ガス供給系７が設けられると共に、更にＨ２ガス供給系
８が設けられ、混合器９を介してＣ３Ｈ３（又はＣＨ４
）、Ａｒ及びＨ２の混合ガスが流量及び分圧を制御され
ながら反応室ｌに供給され、Ｓｉターゲット３をスパッ
タリングする。
反応室１の周囲には磁場コイル１０か設置され、該磁場
コイルｌＯ及び基板２とＳｉターゲット３間に高周波電
源１１から１３．５６ＭＨ２の高周波電力が印加された
状態で上記混合ガスによるＳｉ ターゲット３のスパッ
タリングが行われ、基板２上にａ ５ＩＸＣＩ −Ｘ
： Ｈ膜の成膜が行われる。
コイルｌＯ及び基板２とＳｉターゲット３間に高周波電
源１１から１３．５６ＭＨ２の高周波電力が印加された
状態で上記混合ガスによるＳｉ ターゲット３のスパッ
タリングが行われ、基板２上にａ ５ＩＸＣＩ −Ｘ
： Ｈ膜の成膜が行われる。
ここで作製されたａ Ｓ ＩＸ Ｃ１−ｚ ： Ｈ膜
中の水素の量及び結合状態は膜の諸特性に大きく影響し
、特に光導電性や比抵抗はａ−５ｉの安定化に寄与して
いる水素量と密接な関係がある。
中の水素の量及び結合状態は膜の諸特性に大きく影響し
、特に光導電性や比抵抗はａ−５ｉの安定化に寄与して
いる水素量と密接な関係がある。
第２図はＨ２ガス添加の効果を示す赤外線吸収スペクト
ルで、同図中曲線■はＡｒとＣ５Ｈｇの混合ガスでＳｉ
ターゲットをスパッタして作製した従来のａｓｉＸｃ
ｌ−ｘ膜１曲線■はＡｒとＣ５Ｈｇ混合ガスに更にＨ２
ガスを加えてスパッタリングして作製した上記実施例に
よるａ −５ｉ）（ＣＩ−）（： Ｈ膜の夫々の赤外線
吸収スペクトルである。曲線■、■共に矢印１２で示す
様に８００ｃｍ−’付近に大きな吸収ピークが存在し、
このピークはＳｉ とＣとの結合（Ｓｉ−Ｃ結合と記す
）に基くものであることから、どちらの膜中にも５ｉ−
Ｃ結合が大量に存在することがわかる。なおピークの位
置が８００ｔＭ’から少しずれているのは、６４０ｃｒ
ｎ’に５ｉ−Ｈ結合の吸収ピークが存在する事によるも
のである。矢印＋３で示す８４０〜９００ｃｍ−’付近
には５ｉ−Ｈ結合。
ルで、同図中曲線■はＡｒとＣ５Ｈｇの混合ガスでＳｉ
ターゲットをスパッタして作製した従来のａｓｉＸｃ
ｌ−ｘ膜１曲線■はＡｒとＣ５Ｈｇ混合ガスに更にＨ２
ガスを加えてスパッタリングして作製した上記実施例に
よるａ −５ｉ）（ＣＩ−）（： Ｈ膜の夫々の赤外線
吸収スペクトルである。曲線■、■共に矢印１２で示す
様に８００ｃｍ−’付近に大きな吸収ピークが存在し、
このピークはＳｉ とＣとの結合（Ｓｉ−Ｃ結合と記す
）に基くものであることから、どちらの膜中にも５ｉ−
Ｃ結合が大量に存在することがわかる。なおピークの位
置が８００ｔＭ’から少しずれているのは、６４０ｃｒ
ｎ’に５ｉ−Ｈ結合の吸収ピークが存在する事によるも
のである。矢印＋３で示す８４０〜９００ｃｍ−’付近
には５ｉ−Ｈ結合。
１０００ｍ （矢印１４）にはＣ−Ｈ結合、そして２
０００〜２１００ｃ／ｎ（矢印１５）は５ｉ−Ｈ結合の
存在を示す吸収ピークが現われる。第２図の曲線■■を
異ると、これら水素に関連した５ｉ−Ｈ及びＣ−Ｈ結合
に基いて生じる吸収ピークは、曲線■では浅いのに比べ
、Ｈ２ガスを添加してスパッタリングした曲線■のａ
−８ｉ）（ＣＩ−Ｘ ： Ｈ膜では、はっきりとした深
いピークが現われており、水素が結合中に含まれている
ことがわかる０ 上記吸収ピークの深さは安定化に寄与している水素量に
関係し、従って作製されたａ−３ｉＸＣ１−え：Ｈ膜と
しての電気的緒特性とも相関関係をもち、水素量及び結
合状態を制御することによって膜の諸特性、特に電気的
特性を制御することができる０水素量及び結合状態の制
御は混合ガス中の水素ガスの割合、流量３分圧等を選ぶ
ことによって制御することができる。
０００〜２１００ｃ／ｎ（矢印１５）は５ｉ−Ｈ結合の
存在を示す吸収ピークが現われる。第２図の曲線■■を
異ると、これら水素に関連した５ｉ−Ｈ及びＣ−Ｈ結合
に基いて生じる吸収ピークは、曲線■では浅いのに比べ
、Ｈ２ガスを添加してスパッタリングした曲線■のａ
−８ｉ）（ＣＩ−Ｘ ： Ｈ膜では、はっきりとした深
いピークが現われており、水素が結合中に含まれている
ことがわかる０ 上記吸収ピークの深さは安定化に寄与している水素量に
関係し、従って作製されたａ−３ｉＸＣ１−え：Ｈ膜と
しての電気的緒特性とも相関関係をもち、水素量及び結
合状態を制御することによって膜の諸特性、特に電気的
特性を制御することができる０水素量及び結合状態の制
御は混合ガス中の水素ガスの割合、流量３分圧等を選ぶ
ことによって制御することができる。
以上本発明によれば、Ｈ２ガスを添加してＳｉをスパッ
タリングすることにより、Ｂ−５ｉｚＣＩ−ｘ：Ｈ膜中
の水素量及び結合状態を容易に制御することができ、種
々の膜特性をもつａ ５ｉ）（Ｃ１−Ｘ：Ｈ膜を作製
することができ、半導体材料等としてＢ −８ｉＸＣＩ
−ｘ ”膜の利用範囲を広めることができる。
タリングすることにより、Ｂ−５ｉｚＣＩ−ｘ：Ｈ膜中
の水素量及び結合状態を容易に制御することができ、種
々の膜特性をもつａ ５ｉ）（Ｃ１−Ｘ：Ｈ膜を作製
することができ、半導体材料等としてＢ −８ｉＸＣＩ
−ｘ ”膜の利用範囲を広めることができる。
第１図は本発明による薄膜を作製のだめの装置を示す図
、第２図は本発明を説明するための赤外線吸収スペクト
ル図である。
、第２図は本発明を説明するための赤外線吸収スペクト
ル図である。
Claims (1)
- １）Ｓｉ をターゲットとして、Ａｒ とＣ３Ｈ８（又
はＣＨ４）の混合ガスに更に水素ガスを加えた混合ガス
でスパッタリングすることにより、水素化されたアモル
ファスシリコンカーバイドＪＩＩＩ作製することを特徴
とするアモルファスシリコンカーバイド膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11266882A JPS593017A (ja) | 1982-06-29 | 1982-06-29 | アモルフアスシリコンカ−バイド膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11266882A JPS593017A (ja) | 1982-06-29 | 1982-06-29 | アモルフアスシリコンカ−バイド膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS593017A true JPS593017A (ja) | 1984-01-09 |
| JPS639012B2 JPS639012B2 (ja) | 1988-02-25 |
Family
ID=14592488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11266882A Granted JPS593017A (ja) | 1982-06-29 | 1982-06-29 | アモルフアスシリコンカ−バイド膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS593017A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61243166A (ja) * | 1985-04-18 | 1986-10-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 硬質膜およびその製造方法 |
| JPS627848A (ja) * | 1985-07-04 | 1987-01-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 耐摩耗膜およびその製造方法 |
| EP0762406A1 (de) * | 1995-09-01 | 1997-03-12 | Balzers Aktiengesellschaft | Informationsträger, Verfahren zur Schichtherstellung und Anlagen hierfür |
| US5611955A (en) * | 1993-10-18 | 1997-03-18 | Northrop Grumman Corp. | High resistivity silicon carbide substrates for high power microwave devices |
| JP2013503441A (ja) * | 2009-08-27 | 2013-01-31 | タイコ・エレクトロニクス・コーポレイション | 温度ヒューズ |
-
1982
- 1982-06-29 JP JP11266882A patent/JPS593017A/ja active Granted
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61243166A (ja) * | 1985-04-18 | 1986-10-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 硬質膜およびその製造方法 |
| JPS627848A (ja) * | 1985-07-04 | 1987-01-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 耐摩耗膜およびその製造方法 |
| US5611955A (en) * | 1993-10-18 | 1997-03-18 | Northrop Grumman Corp. | High resistivity silicon carbide substrates for high power microwave devices |
| EP0762406A1 (de) * | 1995-09-01 | 1997-03-12 | Balzers Aktiengesellschaft | Informationsträger, Verfahren zur Schichtherstellung und Anlagen hierfür |
| WO1997009715A1 (de) * | 1995-09-01 | 1997-03-13 | Balzers Aktiengesellschaft | Informationsträger, verfahren zur schichtherstellung und anlagen hierfür |
| US5965228A (en) * | 1995-09-01 | 1999-10-12 | Balzers Aktiengesellschaft | Information carrier, method for producing same |
| JP2013503441A (ja) * | 2009-08-27 | 2013-01-31 | タイコ・エレクトロニクス・コーポレイション | 温度ヒューズ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS639012B2 (ja) | 1988-02-25 |
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