JPS5930541A - 電子写真用感光体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は近赤外域に吸収を持つ半導体レーザー用感光体
に関するものである。

近年半桿体レーザーの発展は目ざましく、小型で安定し
たレーザー発振器が安価に入手出来るようになってきて
おり、電子写真用光源として用いられ始めている。

しかし、このような装置に用いられる場合光源として用
いられる半導体レーザー光の波長は比較的長波長のもの
に限定されている。

短波長光を発振出来る半導体レーザーを電子写真用光源
として用いるのは、寿命、出力等を考Ｌｉ＆ずれは問題
があるからである。

従って、従来用いられて来た比較的短波長側に吸収を持
つ感光体を半導体レーザー用に用いるのは不適当であり
、近赤外域に吸収を持つ感光体か必要となって来ている
。

゛重子写真用感光体としては、無機化合物としては、Ｓ
ｅ、”ｒｅ、ＣｄＳ及びＺｎＯか知られており、有機化
合物としてはポリビニルカルバゾール等が知られている
。これらの無機化合物、有機化合物とも長波長側での感
度が不十分な為、上記の近赤外域に中心波長を有する半
導体レーザー光用に用いるには問題がある。また無機化
合物では強い７．ｉｌｉ性も欠点となっている。

半導体レーザー技術が進歩するにつれ、上記の欠点・を
克服する近赤外域の光に対し高感度であり、毒性か無く
且つ削欠性のある感光体の出現が待ち望まれていた。

本発明は前記現状に鑑みてなされたもので、その目的は
近赤外領域の光に対し市感度であり毒性が無く、且つ耐
久性のある新規な電子写真用光源とその製造方法とを４
Ｊｉ−供することにある。

そこで本発明者らは鋭意努力した結果、このような電子
写真用光源の開発に成功し、本発明に至ったのである。

即ち本発明は、台車性基板」二に設けた第■族金属を含
有するフタロシアニン化合物波ひにベンゾフェノン誘導
体、ベンジル誘導体、ジベンジルケトン誘導体、ジフェ
ニル誘導体、いずれか一つの置換基かニトロ基、シアン
基、アセチル基、アルデヒド基であるベンゼン誘導体、
ナフタリン誘導体、アセナフテン誘導体、アセナフチ１
／ン誘導体より成る群から選ばれた、１種又は２種以上
のシフト化剤とから成る有機、ｊｌ、：膜で構成した７
＋ｉ荷発生層を形成し、その上に、電荷移動剤と結合剤
とから成る′電荷移動層を形成してなることを特徴と１
−る積層型電子写真用感光体に関するものであり、史に
その１製法即ち導′ｃ１（性基板上に設けた第１Ｖ族金
属を含有するフタロシアニン化合物を有する有機薄膜を
、溶媒中に溶したペン・／フヱノン誘尋体、ベンジル誘
Ｑ　体、’）　ヘア　’；ルケトン誘誘体体ジフェニル
誘導体いずＡｔ力）一つの置換基がニトロ基、シアノ基
、アセチルノ市、アルデヒド基であるベンゼン誘導体、
ナフタリン誘導体、アセナフテン誘導体、アセナフチレ
ン誘導体より成る群より選ばｉｔだ１種又は２種以上の
シフト化剤と接触させて電荷発生層を形成し、その」二
に、電荷移動剤と結合剤とから成る電荷移動層を形成す
ることを特徴とする積層型電子写真用感光体の製造方法
に関するものである。

以下本発明について詳述する。

本発明の第■族金属とは−ｒｉ、Ｓｎおよび／またはｐ
ｂ　　でありこれを含有するフタロシアニン化合物とは
、チタニウム・フタロシアニン（Ｔｉ　Ｐ　ｃ　）、モ
ノクロルチタニウム・フタロシアニン（′ｌ″１ＣｅＰ
ｃ）、ベンゼン環の一つヲクロル化したモノクロルチタ
ニウム・フタロシアニンモノクロライド（１”１Ｃ（Ｊ
ＰｃＣ：５）、スズフタロシアニン（ＳｎＰｃ）、モノ
クロルスズ・フタロシアニン（ＳｎＣ５１’ｃ）、ベン
ゼン環の一つをクロル化シたモノクロルスズ−フタロシ
アニンモノクロライド（ＳｎＣｅＰｃＣｅ）、ナマリ・
フタロシアニン（ｐｂｃ６）、モノクロルナマリ・フタ
ロシアニン（ＰｂにｊＰｃ）　　ベンゼン環の一つをク
ロル化したモノクロルナマリ−フタロシアニンモノクロ
ライド（Ｐｂ（Ｊ！ＰｃＣＪ）等のことである。

本発明に於いて使用されるシフト化剤とは、１１Ｖ族金
属を含有するフタロシアニン化合物と接触することによ
り、その吸収波長を長波長側ヘシフトさせる化合物のこ
とである。該シフト化剤は特定のベンゾフェノン誘導体
、ベンジル誘導体、ジベンジルケ！・ン誘４ス体、ジフ
ェニル誘導体、いずれか一つの置換基がニトロ基、シア
ノ基、アセチル基、アルデヒド基であるベンゼン誘導体
、ナフタリン誘導体、アセナフテン誘導体、アセナフチ
レン誘２９体より選ばれ、１棟又は２種以−りが組合せ
て使用される。

ベンゾフェノン誘導体とは一般式（１１式で表わされる
化合物である。

（ここで、ｉｔ　、〜Ｒ１ｏは水素原子、炭素原子数１
〜１０のアルキル基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ
基、ハロゲン１ｑ子、水酸基、ニトロ基、シアン基、ア
セデル基、アルデヒド基、カルボキシル基又は−ＣＯＣ
ｕｔ１ｍ１ で表わされ且つｎが１−１０．Ｉｎが３〜２０の整数で
あるエステル基であるものとする。）ベンジル誘導体と
は一般式（２）式で表わされる化合物である。

（ここで、１（１〜Ｒ，ｏは水素原子、炭素原子数１〜
１０のアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、水酸
基、二１・四基、アミノ基、シアノ基、アセチル基、カ
ルボキシル基、又は−ＣＯＣｎ　Ｈｍで表わされ、佳つ
！１が１ １　””　Ｉ　Ｏｌｍが３〜２０の整数のエステル基で
あるものとする。） ジベンジルケトン誘導体とは一般式（３）式で表わされ
る化合物である。

（ここでＲ、〜に１０は水素原子、炭素原子数１−１０
のアルキル基、炭素原子ｍｔ〜１０のアルコキシ基、ハ
ロゲン原子、水酸基、ニトロ基、”ｒミノｌｋ　、シア
ノ基、アセチル基、カルボキシル基又は−ＣＯい１１１
ｍで１ 表わされ且つｎがｌ　〜ｌ　Ｑ　、　ＩＩ＋が３〜２０
の整数のエステル基であるものとする。）ジフェニル誘
導体とは一般式（４）で表わされる化合物である。

（ここに、ｔｔｌ、ｉｔ１０は少なくともいずれか一つ
がニトロ基、シアン基、アセチル基、アルデヒド基、カ
ルボキシル基又は−ＣＯＣ：ｎ１石１１ が水素原子、炭素原子にＱｌ−１０のアルキル基、炭メ
・；原子数１−１０のアルコキシ基、ハロゲン原子、水
酸基、ニトロ基、シアノ基、アセチル基、カルボキシル
基又は −ＣＯＣｎｌｌｍ　で表わされ且−Ｊ　ｎか１〜１０、
１ ｍか８〜２０のエステル基であるものとする。） ベンゼン誘導体とは一般式（５）式または（６）式で表
わされる化合物である。

４ Ｒ。

（ここで、Ｒ，＃Ｒ６は少くともいずれか１つがニトロ
基、シアン基、アセチル基またはアルデヒド基であり、
それ以外が水素原子、炭素原子数１−１０のアルキル基
、アルコキシ基、ノーロゲン１県子、水酸基、ニトロ基
、シアノ基、アセチル基またはアルデヒド基（であるも
のとする。） ４ １（１ （ここで、側鎖エステル基中のｎはｌ　−１０゜ｍは８
〜２（１）’ｌｉ数であり、Ｒ，−Ｒ，は水素原子、炭
素原子数１−１　（ｌのアルキル基、アルコキシ基、ハ
ロゲン原子、水酸基、ニトロ糸、ジｒ）基、アセチル基
またはカルボキシル基であるものとする。） ナフタリン誘導体とは一般式（７）式で表わされる化合
物である。

（ここに、Ｒ，〜Ｒ８は少くともいずれか一つがニトロ
基、シアノ基、アセチル基またはアルデヒド基であり、
それ以外が水素原子、・炭素原子数１−１ｏのアルキル
基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、ハロゲン原子
、水酸基、二ｌ・口糸、シアノ基、アセチル基、アルデ
ヒド基又は−ＣＯＣｎｌ１ｍ１ で表わされ且ッＩＩがｌ−ＩＱＳｍが３〜２゜の整数の
エステル基であるものとする。）アセナフテン誘導体と
は一般式（８）式で表わされる化合物である。

（ここにＲ１〜Ｒ，は少くともいずれか一つがニトロ基
、シアノ基、アセチル基、アで表わされ肚つｎが１〜１
０、ｍが８〜２０の整数であるエステル基であり、それ
以外が水素原子、炭素原子数１〜１０のアルキル基、炭
素原子数１〜ＩＯのアルコキシ基、ハロゲン原子、水酸
基、ニトロ基、シアン基、アセチル基、アルデヒド基、
カルボキシル基又は−ＣＯＣｎＨｍで表わされ且つｎが
１１ 〜１０、ｍが８〜２０の整数であるエステル基であるも
のとする。） アセナフチレン誘導体とは一般式（９）式で表わされる
化合物である。

（ここに、Ｒ１−Ｒ８は少くともいずれか一つがニトロ
基、シアノ基、アセチル基、アルデヒド基、カルボキシ
ル基又は−Ｃ（ＪＣｎｌ−１ｍ凸 で表わされ且つｎがｌ〜１Ｏ１ｉｎが８〜２０の整数で
あるエステル基であり、それ以外が水素原子、炭素原子
数１〜ＩＯのアルキル基、゛炭素原子数１〜１０のアル
コキシ基、ハロゲン＋ｓｘ　子、水酸基、ニトロ基、シ
アン基、アセチル基、アルデヒド基、〕Ｊルボキシルｈ
（又は−〇〇Ｃｎ１１ｍで表わされ且つ！１が１ １〜ＩＱ、ｍが８〜２０の整数のエステル基であるもの
とする。） また、シフト化剤としての前記化合物の具体例としては
、安息香酸、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香
酸プロピル、安息香酸ブチル、安息香酸フェニル、Ｐ−
ヒドロキシ安息香酸、Ｐ−ヒドロキシ安息香酸エチル、
Ｐ−ヒドロキシ安息香酸エチル、Ｐ−ヒドロキシ安息香
酸プロピル、Ｐ−ヒドロキシ安息香酸ブチル、Ｐ−ヒド
ロキシ安息香酸フェニ／Ｌｚ、ｍ−ヒドロキシ安息香酸
、ｎｌ−ヒドロキシ安息香酸メチル、′１ｎ−ヒドロキ
シ安息香酸エチル、Ｉｎ−ヒドロキシ安息香酸プロピル
、ｍ−ヒドロキシ安息香酸ブチル、ｉｎ−ヒドロキシ安
息香酸フェニル、サリチル酸、サリチル酸メチル、サリ
チル酸エチル、サリチル酸プロピル、サリチル酸ブチル
、サリチル酸フェニル、フェニル酢酸、フェニル酢酸メ
チル、フェニル酢酸エチル、フェニル酢酸プロピル、フ
ェニル酢酸メチル、フェニル酢酸フェニル、ニトロベン
ゼン、Ｐ−ジニトロベンゼン、ｎ１−ジニトロベンゼン
、０−ジニトロベンゼン、ベンズアルデヒド、ベンゾニ
トリル、ｐ−７タロニトリル、ｍ−フタロニトリル、０
−フタロニトリル、テレフタル酸、テレフタル酸ジメチ
ル、テレフタル酸ジエチル、テレフタル酸ジプロピル、
テレフタル酸ジブチル、テレフタル酸ジフェニル、Ｐ−
メチル安息香酸、Ｐ−メチル安息香酸メチル、Ｐ−メチ
ル安息香酸エチル、Ｐ−メチル安息香酸プロピル、Ｐ−
メチル安息香酸ブチノペＰ−メチル安息香酸フェニル、
ｍ−メチル安息香酸、ｍ−メチル安息香酸メチル、ｍ−
メチル安息香酸エチル、Ｉｎ−メチル安息香酸ピロピル
、　Ｉｎ−メチル安息香酸ブチル、Ｉｎ−メチル安息香
酸フェニル、０−メチル安息香酸、０−メチル安息香酸
メチル、０−メチル安息香ｒ１ジエチル、Ｏ−メチル安
息香酸プロピル、０−メチル安息香酸ブチル、０−メチ
ル安息香ｎψフェニル、アセトフェノン、ｐ−メチルア
セトフェノン、ｍ−エチルアセトフェノン、０−メチル
アセトフェノン、Ｐ−エチルアセトフェノン、ｍ−エチ
ルアセトフェノン、０−エチルアセトフェノン、））−
プロピルアセトフェノン、ｌｌｌ−プロピルアセトフェ
ノン、０−プロピルアセトフェノン、Ｐ−ブチルアセト
フェノン、ｍ−ブチルアセトフェノン、０−ブチルアセ
トフェノン、Ｐ−フェニルアセトフェノン、１ｎ−フェ
ニルアセトフヱノン、Ｏ／−フェニルアセトフェノン、
ベンゾフェノン、４−メチルベンゾフェノン、４−エチ
ルベンゾフェノン、４−プロピルベンゾフェノン、４−
−ｊチルベンゾフェノン、４−フェニルベンゾフェノン
、２．２′−ジヒドロキシ−４，４’−ジメトキシベン
ゾフェノン、２−ヒドロキシ−５−クロルベンゾフェノ
ン、２．４−ジヒドロキシベンゾフェノン、４．４’　
−ジクロルベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メト
キシベンゾフェノン、４−ドブシクロ−２−ヒドロキシ
−ベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−オクタデシロ
キシベンゾフェノン、２．２′−ジヒドロキシ−４−メ
トキシベンベンゾフェノン、２．２’、４．４’　−テ
トラヒドロキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−
メトキシ−５−スルフオペンゾフエノン、２−ヒドロキ
シ−４−メトキシ−２′−カルボキシベンゾフェノン、
２−ヒドロキシ−４−クロロベンゾフェノン、４−（ヒ
ドロキシ）ベンジルベンゾニトリル、ジフェニル、０−
ヒドロキシジフェニル、４−ニトロジフェニル、４−シ
アノジフェニル、１）−キュミルファノール、フェノー
ル２．５−ジメチルキシレノール、５−ニトロアセナフ
テン、５−シアノアセナフテン、５−アセチルアセナフ
デン、５−ニトロアセナフチレン、５−シアノアセナフ
チレン、５−ア七チルアセナフチレン、２−ニトロナフ
タリン、２−シアノナフタリン、２−アセトナフタリン
、２−ニトロフエナントレシ、２−シアノフェナントレ
ン、２−アセチルフェナントレン、２−ニトロピレン、
２−シアノビレ７．２−７セチルピレン、２−ニトロト
リフェニレン、２−シアノトリフェニレン、２−アセチ
ルトリフェニレン、１−ニトロフルオラン−壮ン、■−
シアノフルオランセン、ｌ−アセチルフルオランセン ｌ−シアノベンズアントラセン、ｌ−アセトベンズアン
トラセン、ベンジル、４−メチルベンジル、４−ヒドロ
キシベンジル、４−ニトロベンジル、４−シアノベンシ
ル、４−アセチルベンジル、ジベンジルケトン、４　、
　４’−（ジメチル）ジベンジルケトン等が挙げられる
。

本発明の積層感光体は、尊重性基板、第■族金属を含有
するフタロシアニン化合物とシフト化剤とを接触させて
形成した有に０　＋’、’Ｔ　ｌｌ５ＩＧからなる電荷
発生層、更に電７６ｊ移動剤と結合剤とを溶剤に溶かし
て得た塗布液を塗布してなる１゛１イ荷移動層とから構
成される。シフト化剤を用いて電荷発生層を形成した後
電荷移動層を形成する方法以外に、例えば弗［Ｖ族金属
を含有するフタロシアニン化合物を尋電性板上に真空蒸
着した後、その」二に電荷移動剤、結合剤及びシフト化
剤を溶剤に溶して得た塗布液を塗布して、近赤外域に吸
収ピークを有する電荷発生層の形成と電荷移動層の形成
とを同時に行うことも出来、このような方法も本゛発明
の範囲に含まれる。

本発明の第■族金属を含有するフタロシアニン化合物の
有機肋膜を形成するには、真空蒸着法を用いても良いし
、スピンコード法を用いても良い。前者の場合、Ｌ　（
１’−５〜ｔ　０−Ｊｌ・／Ｌ／　（’ｌ’ｏｒｒ）の
高真空下でフタロシアニン化合物を４００〜５００℃に
加熱することにより得られ、後者の場合、フタロシアニ
ン化合物をピリジン、ジメチルアミノ、アミド等の溶剤
に溶して得た塗布液を用いて回転数８．０００〜７．０
０　Ｏｒｐｍでスピンコーチインクして得られる。

両コーティング法には一長一短があり簡便さの点からは
後者か優れているか、得られた薄膜の吸光度の点からは
前者が優れ、容易に大きな吸光ＩＶを持つ薄膜が得られ
る。

本発明において、第■族金属を含有するフタロシアニン
化合物の有機薄膜とシフト化剤とを接触させる）Ｔ法に
は、次の方法がある。

その一つの方法はシフト化剤をその可溶性溶剤に均一γ
ｄ解させ、その溶剤に導′ｔ１１性基板」−に設けた前
記有機薄膜を浸ｌ責（ディッピング）する方法である。

他の方法にはこの溶剤を有機ＨＢ＞＞上に均一にスプレ
ーする方法及び減圧下でシフト化剤を蒸発させ均一に接
触させる方法がある。尚、シフト化剤のこの溶液中の４
′１度はｏ、ａ　〜３ＱｗＬ％、好ましくは１．０〜１
０．０Ｗ　１％である。

本発明の電荷発生層に用いる電′子写真用感光体の構成
については前述の通りであるが、電荷移動層としては電
荷発生層に生成した電荷をＰＡ層型電子写真用感光体表
面迄移動させ得るものが好ましく、近赤外域に吸収を持
つ半導体レーザー光を十分過過するものか良い。

電荷移動層を電荷発生層上に形成する＋（：ｌよ、スピ
ンコーター、ドクターブレード等により、塗布する方法
がある。即ち電荷移動剤とその結合剤とを両者の溶剤中
に溶して得た塗布液を塗布する方法である。

電荷移動層に用いる電荷移動剤とし”Ｃは、ポール伝導
性のものなら良く、例えば、カルバゾール、Ｎ−エチル
カルバゾール、１３−（Ｎ−メヂルーＮ−フェニルヒド
ラゾン）メグ゛ルー９−エチルカルバゾール、トリフェ
ニルメタン、フルオレン、１．２−ベンゾフルオレン、
２．３−ベンゾフルオレン、２．５−ビス（４−ジエチ
ルアミノフェニル）−１，８゜４−オキサジアゾール、
ｐ−（ジメチルアミノ）スチルベン、ピラゾリン、ｌ−
フェニル−８−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾ
リン、■−（２−ピリジル）−８−（ｐ−ジエチルアミ
ノフェニル）ピラゾリン、３゜８′−ビス（１，５−ジ
フェニル−２−ピラゾリン）、３．８′−ビス（１，４
，５−トリフェニル−２−ピラゾリン）、８．３’−ビ
ス（ｌ、５−ジフェニル−４，５−ジメチル−２−ピラ
ゾリン）等が例示される。

電荷移動層に用いる結合剤としては、ポリビニルカルバ
ゾール、ポリビニルピラゾリン、ポリビニルピレン、ポ
リ塩化ビニル、ポリスチレン、エチレン−酢酸ビニル共
重合体、塩化ヒニルー酢酸ビニル共重合体、スチレン−
ブタジェン共重合体、ポリカーボネート、ポリエステル
、ポリアミド、メチルペンテンポリマー、ポリサルフォ
ン、ポリエーテルサルホン、エポキシ＋・シ、１脂、ア
クリル樹脂、シリコーン樹脂等がある。

以下本発明の実施例を示すか、本発明はこれに限定され
るものではない。

亥考例１ チタニウム・フタロシアニン（ＴｉＰｃ）　　を５Ｘｌ
（１’　　トル（Ｔｏｒｒ　）の真空下で約４００〜５
００℃に加熱し、ガラス基板」二に真空蒸着した。水晶
振動式膜厚計（日本真空技術製）で膜厚を測定すると、
ｌ　８　Ｑ　ｎｍであった。ＵＶ−Ｖ　Ｉ　Ｓスペク１
トロメーター（島津ＵＶ２１０Δ）を用いて吸収曲線を
測定すると、最大吸収波長は７２Ｑ　ｎ　ｍであったが
、該基板をペンゾフヱノンｌ　ｗＬ％を均一溶解させた
トリクロルエチレン溶液中に浸漬（ディッピング）し、
１００℃でＱ、５１−１乾燥したところ、最大吸収波長
は第１図の如＜　８２５　ｎ　ｓｎにシフトしているこ
とが判明した。

実施例１ チタニウム・フタロシアニンを５Ｘｌ（）−６トル（Ｔ
ｏ　ｒ　ｒ　）の真空下で加熱し、水晶振動式膜厚計で
モニタリングしながらアルミニウム蒸着基板上に膜厚が
ｌ　ｌ　０１１１ＴＩになるように真空７８　Ｍした。

これをベンゾフェノンｌ　ｗｔ％を溶解したトリクロル
エチレン溶液に浸漬（ディッピング）し、風乾後１００
℃でＱ、　５１１乾燥した。

次に、ｌ−フェニル−５−（＋３−ジエチルアミノスチ
リル）−５−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）ピラゾリ
ンを５１、ポリカーボネートを５１、テトラヒドロフラ
ン９０りに溶解させた塗布ｌ＋Ｍを用いて該基した。

静電気帯電試験装置（川口？ｌｉ　８Ｇ、製）を用い、
上記積層型感光体を７ＫＶのコロナ放′市で負（こ帯電
させた。その後、５００’ｖＶＸｅランプ（ワコム製）
を外部光源とし、モノクロメータ−（ジョバン・イボン
製）で単色光にして外↑り１９光人力部よりｊ（ａＣ付
することにより、該感光体の表面電位の光減衰を測定し
た。

その結果、近赤外域のｆ３３　Ｑ　ｎ　ｒｎのｍ色光を
用いた場合、半減露光は（市位残４タシ転が−になる時
間と光強度の積）は１，２μＪ／ｌｒｉであった。

比較例１ 銅フタロシアニン（１３型）を５　Ｘ　ｌ　Ｏ”−’ト
ル（Ｔｏｒｒ）でアルミ蒸着・基板−ヒに真空蒸着して
、実施例１のチタニウム・フタロシアニンと同様の試料
を！ルリ作し同一条件で表向電位の光減衰を測定したと
ころ、３３　Ｑｎｍの単色光に対する半減露光）律は０
．５１１１．ｌ／Ｆ以」；であり、実施例１のチタニウ
ム・フタロシアニンに比べ大幅に感＋ｉが悪かった。

銅フタロシアニンをガラス基板上、（こ真空蒸着して吸
収曲線を測定したところ、第２Ｉこ１゜ 実施例２ ガラスノ【（（坂」二に′屯極間隔３００μ口１の金′
市極を真空蒸着により形成した。該電極−１−に実施例
１と同様な方法でチタニウム・］％を含有するトリクロ
ルエチレン（こ短時間漬ン＊（ディッピング）し、９（
）℃でＱ、５　ＩＩ乾燥することにより、表ｕｎｉ　′
小流型セルを形成した。

上記電極間（ご３■の電圧を印加し、５００ＷＸ　ｅラ
ンプ（ワコム製）を光源としモノクロメータ−（ジッノ
（ン・イボン製）により８８０　ｎ　ｍの単色光を照射
し°Ｃ光電流を測＞’ｉ　Ｌだところ、１．２　Ｘ　Ｌ
　Ｏ−”　Ａであった。

出車Ｉ例２ ガラス基板上にｔｔｉ極間隔３００μＩｎの？Ｊ。

極を金蒸梢で形成し、その」二に、実施例１をＩＩＫ成
した。＋１１１記の方法で光′＠１１流を／［１！ｌ定
したところ、５　Ｘ　ｌ　０−１３Ａであった。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に於ける参り１例１のチタニウム・フタ
ロシアニン真空Ｘ％　着＋１５４及びシフト他剤処理後
の同真空蒸イ１膜の、ｊｌｌ＆光度（０〜２Ａｂｓ）と
波長との関係を示したものである。 １も２図は比較例１の銅フタロシアニン真？と蒸’Ｉｔ
　ＩＩＫの吸光度（０〜２Ａｂｇ）と波撓との関係を示
したものである。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ■）導電性基板上に第■族金属を含有するフタロシアニ
   ン化合物並びにベンゾフェノン誘導体、ベンジル誘導体
   、ジベンジルケトン誘導体、ジフェニル誘導体、いずれ
   か一つの置換基がニトロ基、シアノ基、アセデル基、ア
   ルデヒド基であるベンゼン誘導体、ナフタリン誘導体、
   アセナフテン誘導体、アセナフチレン誘導体より成る群
   から選ばれた１６１Ｂ又は２種以上のシフト化剤とから
   成る有機；Ｌ’ｉ　＋ＩＱで構成した電荷発生層を形成
   し、その上に、電荷移　：動剤と結合剤とから成る電荷
   移動層を形成してなることを特徴とする積層型電子写真
   用感光体。 ２）導電性基板上に設けた第■族金属を含有するフタロ
   シアニン化合物を有する有機薄膜を溶媒中に溶したベン
   ゾフェノン誘導体、ベンジル誘導体、ジベンジルケトン
   誘導体、ジフェニル誘導体、いずれか一つの置換基が二
   ｌ・口糸、シアノ基、アセチル基、アルデヒド基である
   ベンゼン誘導体、ナフタリン誘導体、アセナフテン誘導
   体、アセナフチレン誘導体より成る群から選ばれた、１
   棟又は２種以上のシフト化剤と接触さぜ電荷発生１１☆
   を形成し、その上に、？１イ荷移動剤と結合剤とから成
   るｒ１荷移動層を形成することを特徴とする積層型電子
   写真用感光体の製造方法。 ８）ＷＩＶ族金属がＴｉ、Ｓｎ　および／またはＰｂで
   あることを特徴とする特ｇ’Ｆ　請求の範囲第１項の積
   層型′電子写真用感光体。