JPH0330853B2 - - Google Patents
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- JPH0330853B2 JPH0330853B2 JP57153981A JP15398182A JPH0330853B2 JP H0330853 B2 JPH0330853 B2 JP H0330853B2 JP 57153981 A JP57153981 A JP 57153981A JP 15398182 A JP15398182 A JP 15398182A JP H0330853 B2 JPH0330853 B2 JP H0330853B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoreceptor
- phthalocyanine
- chlorine
- gallium
- charge generation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子写真用感光体に関するものであ
り、特に物理的特性に優れ、かつ800nｍ前後の
長歯長光に対し高感度を有する感光体を提供しよ
うとするものである。
り、特に物理的特性に優れ、かつ800nｍ前後の
長歯長光に対し高感度を有する感光体を提供しよ
うとするものである。
従来の電子写真用感光体としては、例えば第１
図の如くアルミニウム等の導電性基板１１の上に
50μｍ程度のセレンSe膜１２を真空蒸着法により
形成したものがある。しかしこの場合のアルミニ
ウム蒸着は約１時間を要すること及びこのSe感
光体は波長500nｍ付近までしか感度を有してい
ない等の問題がある。またこの第２図に示すよう
に、導電性基板２１の上に50μｍ程度のSe層２を
形成し、この上に更に数μｍのセレン−テルル
（Se−Te）合金層２３を形成した感光体があるが
この感光体は上記Se−Te合金のTeの含有率が高
い程分光感度が長波長にまで伸びる反面、Teの
添加量が増加するにつれて表面電荷の保持特性が
不良となり事実上感光体として使用できなくなる
重大な問題がある。第６図には後記詳述する如
く、アルミニウム基板上に50μｍ厚のSe層を形成
し、この上に、Seが85mol％、Teが15mol％の
3μｍのSe−Te合金を形成した積層感光体の分光
感度を例示したが、この場合、Te添加量は、概
ねこの程度の量が限度であつて、しかもこの感光
体は700nｍ付近までしか感度を有していない
（曲線C′）。
図の如くアルミニウム等の導電性基板１１の上に
50μｍ程度のセレンSe膜１２を真空蒸着法により
形成したものがある。しかしこの場合のアルミニ
ウム蒸着は約１時間を要すること及びこのSe感
光体は波長500nｍ付近までしか感度を有してい
ない等の問題がある。またこの第２図に示すよう
に、導電性基板２１の上に50μｍ程度のSe層２を
形成し、この上に更に数μｍのセレン−テルル
（Se−Te）合金層２３を形成した感光体があるが
この感光体は上記Se−Te合金のTeの含有率が高
い程分光感度が長波長にまで伸びる反面、Teの
添加量が増加するにつれて表面電荷の保持特性が
不良となり事実上感光体として使用できなくなる
重大な問題がある。第６図には後記詳述する如
く、アルミニウム基板上に50μｍ厚のSe層を形成
し、この上に、Seが85mol％、Teが15mol％の
3μｍのSe−Te合金を形成した積層感光体の分光
感度を例示したが、この場合、Te添加量は、概
ねこの程度の量が限度であつて、しかもこの感光
体は700nｍ付近までしか感度を有していない
（曲線C′）。
更に別に第３図に示すように、アルミニウム基
板３１上に1μｍ程度のクロロジアンブルーまた
はスクウアリリウム酸誘導体をコーテイングして
電荷発生層３２を形成し、この上に絶縁抵抗の高
いポイビニルカルバゾールまたはピラゾリン誘導
体とポリカーボネート樹脂との混合物を10〜20μ
ｍコーテイングして電荷輸送層３３を形成した所
謂機能分離型の感光体もある。しかしかかる機能
分離型感光体の分光感度特性は、上記電荷発生層
の特性で決定されるが、現在この感光体は700n
ｍ以上の光に対して感度を有していないのが実状
である。
板３１上に1μｍ程度のクロロジアンブルーまた
はスクウアリリウム酸誘導体をコーテイングして
電荷発生層３２を形成し、この上に絶縁抵抗の高
いポイビニルカルバゾールまたはピラゾリン誘導
体とポリカーボネート樹脂との混合物を10〜20μ
ｍコーテイングして電荷輸送層３３を形成した所
謂機能分離型の感光体もある。しかしかかる機能
分離型感光体の分光感度特性は、上記電荷発生層
の特性で決定されるが、現在この感光体は700n
ｍ以上の光に対して感度を有していないのが実状
である。
近年レーザー光を光源とし、電子写真用感光体
を用いたレーザービームプリンタ等では、半導体
レーザーを光源に用いることが種々試みられてお
り、この場合該光源の波長は800nｍ前後である
ことから800nｍ前後の長波長光に対し高感度な
特性を有する感光体が強く要求されている。
を用いたレーザービームプリンタ等では、半導体
レーザーを光源に用いることが種々試みられてお
り、この場合該光源の波長は800nｍ前後である
ことから800nｍ前後の長波長光に対し高感度な
特性を有する感光体が強く要求されている。
ここに本発明者等は、上記の点に鑑み検討を重
ねた結果中心金属がガリウムで該ガリウムには塩
素が結合し更にフタロシアニン環の周囲のベンゼ
ン環の水素の一部分が塩素で置換されているフタ
ロシアニンを用い、その蒸着膜を溶媒蒸気処理し
てなる電荷発生体とした機能分離型感光体が、上
述の波長800nｍ前後の光に対して、高感度を有
し、しかも該感光体が安価に作成することが可能
である等の知見を得、この発明に到達したのであ
る。
ねた結果中心金属がガリウムで該ガリウムには塩
素が結合し更にフタロシアニン環の周囲のベンゼ
ン環の水素の一部分が塩素で置換されているフタ
ロシアニンを用い、その蒸着膜を溶媒蒸気処理し
てなる電荷発生体とした機能分離型感光体が、上
述の波長800nｍ前後の光に対して、高感度を有
し、しかも該感光体が安価に作成することが可能
である等の知見を得、この発明に到達したのであ
る。
即ちこの発明は、導電性支持体上に、有機光導
電性物質による電荷発生層及びこの上に電荷輸送
層を形成した機能分離型電子写真用感光体におい
て、前記電荷発生層の有機光導電性物質が、 一般式 で表わされるガリウムを中心金属として該ガリウ
ムに塩素が結合したフタロシアニンである基本構
造を持ち、このフタロシアニン環の周囲のベンゼ
ン環の水素の一部分が塩素で置換された構造のフ
タロシアニンであり、その蒸着膜を溶媒蒸気処理
したものであることを特徴とする電子写真用感光
体である。
電性物質による電荷発生層及びこの上に電荷輸送
層を形成した機能分離型電子写真用感光体におい
て、前記電荷発生層の有機光導電性物質が、 一般式 で表わされるガリウムを中心金属として該ガリウ
ムに塩素が結合したフタロシアニンである基本構
造を持ち、このフタロシアニン環の周囲のベンゼ
ン環の水素の一部分が塩素で置換された構造のフ
タロシアニンであり、その蒸着膜を溶媒蒸気処理
したものであることを特徴とする電子写真用感光
体である。
以下本発明を具体的な実施例を示しつつ詳述す
る。
る。
実施例
オルトフタロジニトリル（東京化成社製）12.8
ｇと純度99.999％の塩化ガリウム（フルウチ化学
社製）4.4ｇを300℃のマントルヒーター中のビー
カー中でかくはん混合しながら反応させフタロニ
トリル法を用いてガリウムを中心金属とする上記
一般式で示されるフタロシアニンである基本構造
を持ち、この基本構造のフタロシアニンと該基本
構造のフタロシアニン環の周囲のベンゼン環の水
素の一部分が塩素で置換されたフタロシアニンと
の混合物を合成した。かかる生成物は青黒色の塊
状として得られるので、これを微粉砕したのちテ
トラヒドロフラン（THF）で洗浄し、THF可溶
物を除去し精製した。次に、得られたフタロシア
ニンの含有塩素量を燃焼フラスコ法を用いて分析
した結果、その量はフタロシアニン１分子あたり
2.26個であり、このうち１個は中心金属のガリウ
ムと結合しているのでフタロシアニン環の周囲の
ベンゼン環の水素と置換している塩素は平均1.26
個であつた。
ｇと純度99.999％の塩化ガリウム（フルウチ化学
社製）4.4ｇを300℃のマントルヒーター中のビー
カー中でかくはん混合しながら反応させフタロニ
トリル法を用いてガリウムを中心金属とする上記
一般式で示されるフタロシアニンである基本構造
を持ち、この基本構造のフタロシアニンと該基本
構造のフタロシアニン環の周囲のベンゼン環の水
素の一部分が塩素で置換されたフタロシアニンと
の混合物を合成した。かかる生成物は青黒色の塊
状として得られるので、これを微粉砕したのちテ
トラヒドロフラン（THF）で洗浄し、THF可溶
物を除去し精製した。次に、得られたフタロシア
ニンの含有塩素量を燃焼フラスコ法を用いて分析
した結果、その量はフタロシアニン１分子あたり
2.26個であり、このうち１個は中心金属のガリウ
ムと結合しているのでフタロシアニン環の周囲の
ベンゼン環の水素と置換している塩素は平均1.26
個であつた。
次にこのフタロシアニンを、真空蒸着装置中の
アルミナるつぼに10mg入れ、るつぼ温度500℃で
抵抗加熱蒸着法によりガラス板上に0.02μｍの薄
膜を形成した。この薄膜の600〜900nｍの光に対
する光吸収スペクトルを自記分光光度計を用い測
定した結果を第４図の曲線Ａで示した。同図の如
くこの薄膜の吸収スペクトルは670mmに肩ピーク、
730nｍに最大ピークを示した。
アルミナるつぼに10mg入れ、るつぼ温度500℃で
抵抗加熱蒸着法によりガラス板上に0.02μｍの薄
膜を形成した。この薄膜の600〜900nｍの光に対
する光吸収スペクトルを自記分光光度計を用い測
定した結果を第４図の曲線Ａで示した。同図の如
くこの薄膜の吸収スペクトルは670mmに肩ピーク、
730nｍに最大ピークを示した。
上記薄膜試料を、テトラヒドロフラン蒸気中に
て20時間曝露し同様に光吸収スペクトルを調べた
ところ、同曲線Ｂのように前記吸収ピークが長波
長域即ち最大ピークが745nｍにシフトした。
て20時間曝露し同様に光吸収スペクトルを調べた
ところ、同曲線Ｂのように前記吸収ピークが長波
長域即ち最大ピークが745nｍにシフトした。
次に、具体的に上記のようにして得られたフタ
ロシアニンをアルミナるつぼ中に0.1ｇ入れ、る
つぼ温度500℃で抵抗加熱蒸着を約20分間行い第
５図に示す構造の如く、アルミニウム基板５１上
に、電荷発生層５２（0.2μｍ）を形成した。これ
をテトラヒドロフラン蒸気中に20時間曝露した
後、テトラヒドロフランに溶解したポリビニルカ
ルバゾール樹脂（東京化成社製、特級）をコーテ
イングし、テトラヒドロフランを充分乾燥させ電
荷輸送層５３（6μｍ厚さ）を形成し、感光体を
得た。
ロシアニンをアルミナるつぼ中に0.1ｇ入れ、る
つぼ温度500℃で抵抗加熱蒸着を約20分間行い第
５図に示す構造の如く、アルミニウム基板５１上
に、電荷発生層５２（0.2μｍ）を形成した。これ
をテトラヒドロフラン蒸気中に20時間曝露した
後、テトラヒドロフランに溶解したポリビニルカ
ルバゾール樹脂（東京化成社製、特級）をコーテ
イングし、テトラヒドロフランを充分乾燥させ電
荷輸送層５３（6μｍ厚さ）を形成し、感光体を
得た。
得られた感光体の電子写真的特性である分光感
度を測定した結果を第６図中に曲線Ｃで示した 同図から明らかなように、この感光体は900n
ｍにおいても１cm2／μJ以上の（実測値1.4cm2／μJ）
の非常に高い感度が認められ、800nｍにおいて
は2.5cm2／μJの高感度を示した。このように600〜
900nｍの領域において、ほぼフラツトな特性を
有する感光体は現在殆んど知らていないのであ
り、上述のレーザービームプリンター等の装置に
用いる場合極めて有利である。
度を測定した結果を第６図中に曲線Ｃで示した 同図から明らかなように、この感光体は900n
ｍにおいても１cm2／μJ以上の（実測値1.4cm2／μJ）
の非常に高い感度が認められ、800nｍにおいて
は2.5cm2／μJの高感度を示した。このように600〜
900nｍの領域において、ほぼフラツトな特性を
有する感光体は現在殆んど知らていないのであ
り、上述のレーザービームプリンター等の装置に
用いる場合極めて有利である。
比較例
アルミニウム基板上に実施例により得たフタロ
シアニンを真空蒸着法により薄膜0.2μｍを形成し
た。得られたものをテトラヒドロフラン溶媒蒸気
処理を行わずにポリビニルクラバゾールのテトラ
ヒドロフラン溶液をコーテイングし乾燥厚さ6μ
ｍの電荷輸送層を形成し感光体を作成した。
シアニンを真空蒸着法により薄膜0.2μｍを形成し
た。得られたものをテトラヒドロフラン溶媒蒸気
処理を行わずにポリビニルクラバゾールのテトラ
ヒドロフラン溶液をコーテイングし乾燥厚さ6μ
ｍの電荷輸送層を形成し感光体を作成した。
得られた感光体の分光感度を測定した結果を第
７図に示したが、同図によれば850nｍまでは１
〜1.5cm2／μJの感度を示したが、900nｍ附近に至
つてこれが約1/2に低下した。即ち同図からの実
測によれば800nｍにおいて1.5cm2／μJ、900nｍに
おいて0.7cm2／μJであつた。
７図に示したが、同図によれば850nｍまでは１
〜1.5cm2／μJの感度を示したが、900nｍ附近に至
つてこれが約1/2に低下した。即ち同図からの実
測によれば800nｍにおいて1.5cm2／μJ、900nｍに
おいて0.7cm2／μJであつた。
上述の通り、実施例による感光体は、蒸着膜に
対する溶媒蒸気処理によつてこれを行わない比較
列に比べて、特に850〜950nｍ波長域において約
1.7〜２倍の感度上昇が確認され、特性向上は顕
著であることが判つた。
対する溶媒蒸気処理によつてこれを行わない比較
列に比べて、特に850〜950nｍ波長域において約
1.7〜２倍の感度上昇が確認され、特性向上は顕
著であることが判つた。
以上説明したように本発明による感光体は、上
述した蒸着膜に対して、単に溶媒蒸気処理を行う
ことにより、800nｍ前後の近赤外域の感度を大
幅に上昇させ、かかる波長域の光源である半導体
レーザを用いたレーザビームプリンタ用の感光体
として優れた効果を発揮し、又使用する電荷発生
層は、ごく薄い膜で十分であり、真空装置を使用
する時間が短時間で済み感光体の作成が容易で安
価に量産が可能である等の効果を奏する。また本
感光体は上述したレーザービームプリンタのみで
なく、フアツクスまたはLEDを光源としたプリ
ンタ、更には、半導体レーザーを光源としたその
他の光記録デバイスにも適時応用することができ
る。
述した蒸着膜に対して、単に溶媒蒸気処理を行う
ことにより、800nｍ前後の近赤外域の感度を大
幅に上昇させ、かかる波長域の光源である半導体
レーザを用いたレーザビームプリンタ用の感光体
として優れた効果を発揮し、又使用する電荷発生
層は、ごく薄い膜で十分であり、真空装置を使用
する時間が短時間で済み感光体の作成が容易で安
価に量産が可能である等の効果を奏する。また本
感光体は上述したレーザービームプリンタのみで
なく、フアツクスまたはLEDを光源としたプリ
ンタ、更には、半導体レーザーを光源としたその
他の光記録デバイスにも適時応用することができ
る。
第１図は従来の電子写真用感光体の一例の断面
図、第２図は同他のSe−（Se−Te）積層型電子
写真用感光体の断面図、第３図は同機能分離型の
電子写真用感光体の一例の断面図、第４図は本発
明にて用いるフタロシアニンの一例の光吸収スペ
クトル図、第５図は本発明による感光体の一例の
断面図、第６図は実施例による感光体の分光感度
曲線、第７図は比較例による感光体の分光感度曲
線を示す図である。 ５１……アルミニウム基板、５２……電荷発生
層、５３……電荷輸送層。
図、第２図は同他のSe−（Se−Te）積層型電子
写真用感光体の断面図、第３図は同機能分離型の
電子写真用感光体の一例の断面図、第４図は本発
明にて用いるフタロシアニンの一例の光吸収スペ
クトル図、第５図は本発明による感光体の一例の
断面図、第６図は実施例による感光体の分光感度
曲線、第７図は比較例による感光体の分光感度曲
線を示す図である。 ５１……アルミニウム基板、５２……電荷発生
層、５３……電荷輸送層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 導電性支持体上に、有機光導性物質による電
荷発生層及びこの上に電荷輸送層を形成した機能
分離型電子写真用感光体において、前記電荷発生
層の有機光導電性物質が、 一般式 で表わされるガリウムを中心金属とし該ガリウム
に塩素が結合したフタロシアニンである基本構造
を持ち、このフタロシアニン環の周囲のベンゼン
環の水素の一部分が塩素で置換された構造のフタ
ロシアニンであり、その蒸着膜を溶媒蒸気処理し
たものであることを特徴とする電子写真用感光
体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15398182A JPS5944053A (ja) | 1982-09-06 | 1982-09-06 | 電子写真用感光体 |
| US06/528,122 US4587188A (en) | 1982-09-06 | 1983-08-31 | Phthalocyanine photoconductor for electrophotography |
| DE3332005A DE3332005C2 (de) | 1982-09-06 | 1983-09-05 | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15398182A JPS5944053A (ja) | 1982-09-06 | 1982-09-06 | 電子写真用感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5944053A JPS5944053A (ja) | 1984-03-12 |
| JPH0330853B2 true JPH0330853B2 (ja) | 1991-05-01 |
Family
ID=15574298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15398182A Granted JPS5944053A (ja) | 1982-09-06 | 1982-09-06 | 電子写真用感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5944053A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5358813A (en) * | 1902-01-13 | 1994-10-25 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Crystals of chlorogallium phthalocyanine and method of preparing them |
| JPS59155847A (ja) * | 1983-02-25 | 1984-09-05 | Toyo Ink Mfg Co Ltd | 電子写真感光体 |
| JP3166293B2 (ja) * | 1991-04-26 | 2001-05-14 | 富士ゼロックス株式会社 | ヒドロキシガリウムフタロシアニンの新規な結晶、その新規な結晶よりなる光導電材料およびそれを用いた電子写真感光体 |
| US5393629A (en) * | 1991-04-26 | 1995-02-28 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Electrophotographic photoreceptor |
| JP2797847B2 (ja) * | 1992-06-25 | 1998-09-17 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真感光体 |
| JP2797852B2 (ja) * | 1992-07-24 | 1998-09-17 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真感光体 |
| JPH08120190A (ja) * | 1994-08-31 | 1996-05-14 | Fuji Xerox Co Ltd | クロロガリウムフタロシアニン結晶の製造方法 |
| US8206880B2 (en) | 2009-06-05 | 2012-06-26 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoreceptor, and image forming apparatus and process cartridge therefor using the photoreceptor |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57148745A (en) * | 1981-03-11 | 1982-09-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Lamination type electrophotographic receptor |
-
1982
- 1982-09-06 JP JP15398182A patent/JPS5944053A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5944053A (ja) | 1984-03-12 |
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