JPS5931861B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS5931861B2 JPS5931861B2 JP12781476A JP12781476A JPS5931861B2 JP S5931861 B2 JPS5931861 B2 JP S5931861B2 JP 12781476 A JP12781476 A JP 12781476A JP 12781476 A JP12781476 A JP 12781476A JP S5931861 B2 JPS5931861 B2 JP S5931861B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- electrode
- envelope
- element assembly
- spring body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置に関し、特に圧接型の半導体装置に
て半導体素子の改良された固定構造を提供するものであ
る。
て半導体素子の改良された固定構造を提供するものであ
る。
圧接型の半導体装置の一例として第１図に断面図で示す
如きサイリスタがある。
如きサイリスタがある。
まず図ａにおいて、１ａはシリコン基板で１主面（下主
面）にアノード電極、他の１主面（上主面）にカソード
電極とゲート電極を備え、前記アノード電極は一例のＷ
、Ｍｏ等の保護板ｌｂが一例としてろう接されてなり半
導体素子組立体１を形成する。次に３ａは上記カソード
電極に金属板２を介して圧接導出する第１電極部材、３
ｂは上記アノード電極に接続された保護板を介して圧接
し導出する第２電極部材、１は外囲器で、排気管を兼ね
るゲート電極導出部材４ｂを側面に備えた電気絶縁部材
のたとえばセラミックスでなる筒体４ａとこの両端縁に
設けられたつば４ｃ、４ｃ’で夫々前記第１電極部材、
第２電極部材に接続されて前記半導体素子組立体を気密
封止する如くなる。５は金属のガイドリングで、第２電
極部材の側面から半導体素子に固着された保護板Ｉｂに
外囲し、半導体素子の位置決めをはかる。
面）にアノード電極、他の１主面（上主面）にカソード
電極とゲート電極を備え、前記アノード電極は一例のＷ
、Ｍｏ等の保護板ｌｂが一例としてろう接されてなり半
導体素子組立体１を形成する。次に３ａは上記カソード
電極に金属板２を介して圧接導出する第１電極部材、３
ｂは上記アノード電極に接続された保護板を介して圧接
し導出する第２電極部材、１は外囲器で、排気管を兼ね
るゲート電極導出部材４ｂを側面に備えた電気絶縁部材
のたとえばセラミックスでなる筒体４ａとこの両端縁に
設けられたつば４ｃ、４ｃ’で夫々前記第１電極部材、
第２電極部材に接続されて前記半導体素子組立体を気密
封止する如くなる。５は金属のガイドリングで、第２電
極部材の側面から半導体素子に固着された保護板Ｉｂに
外囲し、半導体素子の位置決めをはかる。
即ち圧接型にしてソルダーレスのかゝる半導体装置にあ
つては半導体素子が両面可滑動になるため動作時は第１
、第２電極部材に荷重することによつて連接をうる如く
なる。しかして動作させないときは圧接荷重がないため
微小な振動や、衝撃によつて半導体素子が変位する。特
に回転に対する固定には効なく、回転によりサイリスタ
の場合にはゲート電極導出用ワイヤが切断するに至ると
いう重大な欠点がある。また上記欠点は金属のガイドリ
ング５を第１図ｂに示す如くシリコンラバでなる柔軟な
リング５’に変えることによりー部改良されるが、素子
の動作によりリングから発生するガスなどの不純物が発
生して素子を汚染し電気的特性を損する欠点がある。本
発明は上記従来の欠点を除去する圧接型の半導体装置の
改良構造を提供するものである。本発明の圧接型の半導
体装置は両主面に電極が形成された半導体素子とこの１
電極に連接固着された保護板とを備えた半導体素子組立
体と、前記半導体素子組立体の電極または電極導出部材
を介して両電極に夫々圧接し導出する第１および第２電
極部材、前記両電極部材の各々の一部を露出するととも
に少くとも前記半導体素子組立体を気密に封止する外囲
器、前記半導体素子を定位するために保護板の縁部と外
囲器の内壁とに弾接介装された金属のばね体を備えを−
ことを特徴とする。以下に本発明の一実施例の圧接型の
半導体装置のサイリスタにつき図面を参照して詳細に説
明する。第２図ａ卦よび同図ｂに夫々斜視図で示す金属
のばね体１１，２１を第３図に示す如く外囲器の筒体の
内壁と保護板との間に介装せしめるもので第２図ａのば
ね体を装着したものを第３図ａに、また第２図ｂのばね
体を装着したものを第３図ｂに示す。このばね体はりん
青銅またはばね鋼などからなるばね性の平板を屈曲せし
めてリング状としたものである。また第２図ｂに示すも
のは周縁に内側に向う切り起し２「゛， ２１〃・・・
・・・を設け、これを保護板の第２電極部材との接触側
主面の周縁部に当接せしめることによつて、このばね体
が図に卦ける上下方向の変位を阻止する如くなる。次に
第３図によつて本発明を説明する。１ａは半導体素子で
１主面（下主面）ＦｌＣ．アノード電極、他の１主面（
上主面）にカソード電極とゲート電極を備え、前記アノ
ード電極は一例のＭＯ，Ｗ等の保護板１ｂが一例として
ろう接されてなり半導体素子組立体１を形成する。
つては半導体素子が両面可滑動になるため動作時は第１
、第２電極部材に荷重することによつて連接をうる如く
なる。しかして動作させないときは圧接荷重がないため
微小な振動や、衝撃によつて半導体素子が変位する。特
に回転に対する固定には効なく、回転によりサイリスタ
の場合にはゲート電極導出用ワイヤが切断するに至ると
いう重大な欠点がある。また上記欠点は金属のガイドリ
ング５を第１図ｂに示す如くシリコンラバでなる柔軟な
リング５’に変えることによりー部改良されるが、素子
の動作によりリングから発生するガスなどの不純物が発
生して素子を汚染し電気的特性を損する欠点がある。本
発明は上記従来の欠点を除去する圧接型の半導体装置の
改良構造を提供するものである。本発明の圧接型の半導
体装置は両主面に電極が形成された半導体素子とこの１
電極に連接固着された保護板とを備えた半導体素子組立
体と、前記半導体素子組立体の電極または電極導出部材
を介して両電極に夫々圧接し導出する第１および第２電
極部材、前記両電極部材の各々の一部を露出するととも
に少くとも前記半導体素子組立体を気密に封止する外囲
器、前記半導体素子を定位するために保護板の縁部と外
囲器の内壁とに弾接介装された金属のばね体を備えを−
ことを特徴とする。以下に本発明の一実施例の圧接型の
半導体装置のサイリスタにつき図面を参照して詳細に説
明する。第２図ａ卦よび同図ｂに夫々斜視図で示す金属
のばね体１１，２１を第３図に示す如く外囲器の筒体の
内壁と保護板との間に介装せしめるもので第２図ａのば
ね体を装着したものを第３図ａに、また第２図ｂのばね
体を装着したものを第３図ｂに示す。このばね体はりん
青銅またはばね鋼などからなるばね性の平板を屈曲せし
めてリング状としたものである。また第２図ｂに示すも
のは周縁に内側に向う切り起し２「゛， ２１〃・・・
・・・を設け、これを保護板の第２電極部材との接触側
主面の周縁部に当接せしめることによつて、このばね体
が図に卦ける上下方向の変位を阻止する如くなる。次に
第３図によつて本発明を説明する。１ａは半導体素子で
１主面（下主面）ＦｌＣ．アノード電極、他の１主面（
上主面）にカソード電極とゲート電極を備え、前記アノ
ード電極は一例のＭＯ，Ｗ等の保護板１ｂが一例として
ろう接されてなり半導体素子組立体１を形成する。
次に３ａは上記カソード電極に金属板２を介して圧接導
出するたとえば銅、銀で形成された第１電極部材、３ｂ
は上記アノード電極に接続された前記第１電極部材と等
しい材質でなる第２電極部材、４は外囲器で、排気管を
兼ねるゲート電極導出部材４ｂを側面に備えた電気絶縁
部材のたとえばセラミツクスでなる筒体４ａとこの両端
縁に設けられたつば４ｃ，４ｃ′で夫々前記第１電極部
材、第２電極部材に接続されて前記半導体素子組立体を
気密封止する如くなる。また１１はばね体で、その板厚
は保護板の大きさ、重さによつて決められるが、加工性
の点からしてりん青銅、ばね鋼の０．３−１．０ＷＩＩ
厚さの平板を屈曲して花形のリング状に形成し、最小径
部を第２電極部材の外周に外囲可能に、最大径部を外囲
器の筒体の内周に接する如く形成される。第３図Ｂｖｃ
．卦けるばね体２１ＶＣ．ついても主なる形状は上記第
３図ａに述べたところと変ｔるところなく、これに設け
られた切り起し２１′，２１〃・・・・・・を備える点
で異なる。前記切り起しについては既に述べた如くなり
、ばね体形成時のブレス加工により切り込み、曲げによ
り容易に形成される。な卦ばね体の形状は上記に限らず
、だ円形、星形、糸巻等任意にきめることができる。本
発明によれば半導体素子の水平面上の変位、水平面上の
回転等が防止できるため、電気的特性の低下、ゲートリ
ードの断線等の事故を防止しうるという顕著な利点があ
る。
出するたとえば銅、銀で形成された第１電極部材、３ｂ
は上記アノード電極に接続された前記第１電極部材と等
しい材質でなる第２電極部材、４は外囲器で、排気管を
兼ねるゲート電極導出部材４ｂを側面に備えた電気絶縁
部材のたとえばセラミツクスでなる筒体４ａとこの両端
縁に設けられたつば４ｃ，４ｃ′で夫々前記第１電極部
材、第２電極部材に接続されて前記半導体素子組立体を
気密封止する如くなる。また１１はばね体で、その板厚
は保護板の大きさ、重さによつて決められるが、加工性
の点からしてりん青銅、ばね鋼の０．３−１．０ＷＩＩ
厚さの平板を屈曲して花形のリング状に形成し、最小径
部を第２電極部材の外周に外囲可能に、最大径部を外囲
器の筒体の内周に接する如く形成される。第３図Ｂｖｃ
．卦けるばね体２１ＶＣ．ついても主なる形状は上記第
３図ａに述べたところと変ｔるところなく、これに設け
られた切り起し２１′，２１〃・・・・・・を備える点
で異なる。前記切り起しについては既に述べた如くなり
、ばね体形成時のブレス加工により切り込み、曲げによ
り容易に形成される。な卦ばね体の形状は上記に限らず
、だ円形、星形、糸巻等任意にきめることができる。本
発明によれば半導体素子の水平面上の変位、水平面上の
回転等が防止できるため、電気的特性の低下、ゲートリ
ードの断線等の事故を防止しうるという顕著な利点があ
る。
また本発明は実施が容易かつ廉価にして効果は著大であ
る。
る。
第１図Ａ，ｂはいづれも従来のサイリスタの断面図、第
２図Ａ，ｂはいづれも本発明の実施例のサイリスタのば
ね体を示す斜視図、第３図Ａ，ｂはいづれも本発明一実
施例のサイリスタの断面図である。 な卦図中同一符号は同一または相当部分を夫々示すもの
とする。１・・・・・・半導体素子組立体、１ａ・・・
・・・半導体素子、１ｂ・・・・・・保護板、３ａ・・
・・・・第１電極部材、３ｂ・・・・・・第２電極部材
、Ａ・・・・・・外囲器、１１，２１・・・・・・ばね
体。
２図Ａ，ｂはいづれも本発明の実施例のサイリスタのば
ね体を示す斜視図、第３図Ａ，ｂはいづれも本発明一実
施例のサイリスタの断面図である。 な卦図中同一符号は同一または相当部分を夫々示すもの
とする。１・・・・・・半導体素子組立体、１ａ・・・
・・・半導体素子、１ｂ・・・・・・保護板、３ａ・・
・・・・第１電極部材、３ｂ・・・・・・第２電極部材
、Ａ・・・・・・外囲器、１１，２１・・・・・・ばね
体。
Claims (1)
- １ 両主面に電極が形成された半導体素子とこの１電極
に導接固着された保護板とを備えた半導体素子組立体、
前記半導体素子組立体の電極または電極の導出部材を介
して両電極に夫々圧接し導出する第１および第２電極部
材、前記両電極部材の各々の一部を露出するとともに少
くとも前記半導体素子組立体を気密封止する外囲器、前
記半導体素子を定位するために保護板の縁部と外囲器の
内壁とに弾接介装された金属のばね体を具備した半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12781476A JPS5931861B2 (ja) | 1976-10-26 | 1976-10-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12781476A JPS5931861B2 (ja) | 1976-10-26 | 1976-10-26 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5353258A JPS5353258A (en) | 1978-05-15 |
| JPS5931861B2 true JPS5931861B2 (ja) | 1984-08-04 |
Family
ID=14969317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12781476A Expired JPS5931861B2 (ja) | 1976-10-26 | 1976-10-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5931861B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6315770U (ja) * | 1986-07-16 | 1988-02-02 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5558049U (ja) * | 1978-10-16 | 1980-04-19 |
-
1976
- 1976-10-26 JP JP12781476A patent/JPS5931861B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6315770U (ja) * | 1986-07-16 | 1988-02-02 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5353258A (en) | 1978-05-15 |
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