JPH0328518Y2 - - Google Patents
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- JPH0328518Y2 JPH0328518Y2 JP1984114328U JP11432884U JPH0328518Y2 JP H0328518 Y2 JPH0328518 Y2 JP H0328518Y2 JP 1984114328 U JP1984114328 U JP 1984114328U JP 11432884 U JP11432884 U JP 11432884U JP H0328518 Y2 JPH0328518 Y2 JP H0328518Y2
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- JP
- Japan
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- cathode
- gate electrode
- auxiliary
- press
- electrode
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Description
【考案の詳細な説明】
産業上の利用分野
本考案は圧接形半導体装置に関する。
従来の技術
従来、数100A以上の電流容量を持つサイリス
タやゲートターンオフサイリスタ（以下、GTO
と称す）等では数トン程度の圧接力でアノード、
カソード電極を外部に取出す圧接形の構造がとら
れている。しかし制御極、例えばサイリスタのセ
ンターゲート電極と外部ゲート端子を結ぶリード
線や増幅ゲート構造を持つサイリスタの補助サイ
リスタカソードと主サイリスタを結ぶリード線
は、アルミのボンデイングリード線によつて配線
されていた。ここで第３図に従来の圧接形半導体
装置の一例を示す。第３図において１は
P1N1P2N2層から成る補助GTOとP1N1P2N3層か
ら成る主GTOを同一ウエハ上に設けた増幅ゲー
ト構造のGTOである。２はモリブデンMoやタン
グステンＷから成るアノード熱補償板である。こ
の熱補償板２は前記GTO１のP1層と合金されて
いる。３はドーナツ形状を有するカソード熱補償
板である。この熱補償板３は前記GTO１のN3層
表面に設けられた主カソード電極４上に配置され
ている。５は前記GTO１のP2層の中央部表面に
設けられた補助ゲート電極であり、６は前記
GTO１のN2層表面に設けられた補助カソード電
極であり、７は前記GTO１のP2層の外周部表面
に設けられた主ゲート電極である。８はアルミ等
から成る内部リード線であり、その一端は補助ゲ
ート電極５上に超音波ボンデイングされている。
内部リード線８の他端は前記熱補償板３上に配設
されたカソード銅ポスト１０の破線で示す切欠溝
を通して引き出され、外部ゲート端子１１に圧着
接続されている。９はアルミ等から成る内部リー
ド線であり、その一端は補助カソード電極６上に
超音波ボンデイングされている。内部リード線９
の他端は前記カソード銅ポスト１０の破線で示す
切欠溝を通して引き出され、主ゲート電極７上に
超音波ボンデイングされている。尚、１２はアノ
ード銅ポスト、１３はセラミツク容器を示してい
る。
タやゲートターンオフサイリスタ（以下、GTO
と称す）等では数トン程度の圧接力でアノード、
カソード電極を外部に取出す圧接形の構造がとら
れている。しかし制御極、例えばサイリスタのセ
ンターゲート電極と外部ゲート端子を結ぶリード
線や増幅ゲート構造を持つサイリスタの補助サイ
リスタカソードと主サイリスタを結ぶリード線
は、アルミのボンデイングリード線によつて配線
されていた。ここで第３図に従来の圧接形半導体
装置の一例を示す。第３図において１は
P1N1P2N2層から成る補助GTOとP1N1P2N3層か
ら成る主GTOを同一ウエハ上に設けた増幅ゲー
ト構造のGTOである。２はモリブデンMoやタン
グステンＷから成るアノード熱補償板である。こ
の熱補償板２は前記GTO１のP1層と合金されて
いる。３はドーナツ形状を有するカソード熱補償
板である。この熱補償板３は前記GTO１のN3層
表面に設けられた主カソード電極４上に配置され
ている。５は前記GTO１のP2層の中央部表面に
設けられた補助ゲート電極であり、６は前記
GTO１のN2層表面に設けられた補助カソード電
極であり、７は前記GTO１のP2層の外周部表面
に設けられた主ゲート電極である。８はアルミ等
から成る内部リード線であり、その一端は補助ゲ
ート電極５上に超音波ボンデイングされている。
内部リード線８の他端は前記熱補償板３上に配設
されたカソード銅ポスト１０の破線で示す切欠溝
を通して引き出され、外部ゲート端子１１に圧着
接続されている。９はアルミ等から成る内部リー
ド線であり、その一端は補助カソード電極６上に
超音波ボンデイングされている。内部リード線９
の他端は前記カソード銅ポスト１０の破線で示す
切欠溝を通して引き出され、主ゲート電極７上に
超音波ボンデイングされている。尚、１２はアノ
ード銅ポスト、１３はセラミツク容器を示してい
る。
考案が解決しようとする問題点
上記のように構成された装置は、一般に高周波
で使用され且つ温度変化の激しい条件下で使用さ
れることが多い。このように温度変化の激しい条
件下で使用すると電極５，６，７上において内部
リード線８，９のボンデイング部分が発熱によつ
て劣化してしまい、この結果内部リード線８，９
が断線してしまう。
で使用され且つ温度変化の激しい条件下で使用さ
れることが多い。このように温度変化の激しい条
件下で使用すると電極５，６，７上において内部
リード線８，９のボンデイング部分が発熱によつ
て劣化してしまい、この結果内部リード線８，９
が断線してしまう。
本考案は上記の点に鑑みてなされたもので、内
部リード線の断線事故を防止して信頼性の向上を
図つた圧接形半導体装置を提供することを目的と
している。
部リード線の断線事故を防止して信頼性の向上を
図つた圧接形半導体装置を提供することを目的と
している。
問題点を解決するための手段
本考案は、同一ウエハの中央部表面に設けられ
た補助GTOのゲート電極およびカソード電極、
これら電極から所定距離隔てた前記ウエハの外周
部表面に設けられた主GTOのゲート電極および
カソード電極から成る増幅ゲート形GTOと、導
電性を有し前記増幅ゲート形GTOのアノードに
配設されるアノード圧接板と、導電性を有し前記
主GTOのカソード電極に配設されるカソード圧
接板とを備え、これら圧接板により前記増幅ゲー
ト形GTOを所要の圧力で圧接して成る圧接形半
導体装置において、前記カソード圧接板の前記補
助GTOのゲート電極およびカソード電極に対向
する部位に凹部を設け、前記カソード圧接板の前
記主GTOのゲート電極に対向する部位に鍔部を
設け、前記カソード圧接板に前記凹部と鍔部を連
通する通路を形成し、前記凹部および鍔部に、一
端が前記補助GTOのゲート電極に接触されると
ともに他端が前記通路を介して外部に引き出され
る第１の導体と、一方が前記補助GTOのカソー
ド電極に接触されるとともに他方が前記通路を介
して前記主GTOのゲート電極に接触される第２
の導体とを配設し、前記凹部に、前記第１の導体
の一端を前記補助GTOのゲート電極に圧接せし
める第１の弾性体と、前記第２の導体の一方を前
記補助GTOのカソード電極に圧接せしめる第２
の弾性体とを収納し、前記鍔部に、前記第２の導
体の他方を前記主GTOのゲート電極に圧接せし
める第３の弾性体とを収納し、前記カソード圧接
板の主カソード電極に対向する面Ｂよりも前記凹
部との境界面Ａを突出させて形成し、前記カソー
ド圧接板の凹部の面のうち、前記補助ゲート電極
に対向する面Ｃを補助ゲート電極に対向しない面
Ｄよりも突出させて形成したことを特徴としてい
る。
た補助GTOのゲート電極およびカソード電極、
これら電極から所定距離隔てた前記ウエハの外周
部表面に設けられた主GTOのゲート電極および
カソード電極から成る増幅ゲート形GTOと、導
電性を有し前記増幅ゲート形GTOのアノードに
配設されるアノード圧接板と、導電性を有し前記
主GTOのカソード電極に配設されるカソード圧
接板とを備え、これら圧接板により前記増幅ゲー
ト形GTOを所要の圧力で圧接して成る圧接形半
導体装置において、前記カソード圧接板の前記補
助GTOのゲート電極およびカソード電極に対向
する部位に凹部を設け、前記カソード圧接板の前
記主GTOのゲート電極に対向する部位に鍔部を
設け、前記カソード圧接板に前記凹部と鍔部を連
通する通路を形成し、前記凹部および鍔部に、一
端が前記補助GTOのゲート電極に接触されると
ともに他端が前記通路を介して外部に引き出され
る第１の導体と、一方が前記補助GTOのカソー
ド電極に接触されるとともに他方が前記通路を介
して前記主GTOのゲート電極に接触される第２
の導体とを配設し、前記凹部に、前記第１の導体
の一端を前記補助GTOのゲート電極に圧接せし
める第１の弾性体と、前記第２の導体の一方を前
記補助GTOのカソード電極に圧接せしめる第２
の弾性体とを収納し、前記鍔部に、前記第２の導
体の他方を前記主GTOのゲート電極に圧接せし
める第３の弾性体とを収納し、前記カソード圧接
板の主カソード電極に対向する面Ｂよりも前記凹
部との境界面Ａを突出させて形成し、前記カソー
ド圧接板の凹部の面のうち、前記補助ゲート電極
に対向する面Ｃを補助ゲート電極に対向しない面
Ｄよりも突出させて形成したことを特徴としてい
る。
作 用
上記のように構成された装置において、第１の
導体の一端が第１の弾性体によつて補助GTOの
ゲート電極に圧接されるので、補助GTOのゲー
ト電極は第１の導体を介して外部に引き出され
る。また、第２の導体の一方が第２の弾性体によ
つて補助GTOのカソード電極に圧接されるとと
もに、第２の導体の他方が第３の弾性体によつて
主GTOのゲート電極に圧接される。この為補助
GTOのカソード電極と主GTOのゲート電極は第
２の導体によつて接続状態に保持される。このよ
うに電極はすべて圧接接続されるので、装置の内
部にはリード線が不要となる。
導体の一端が第１の弾性体によつて補助GTOの
ゲート電極に圧接されるので、補助GTOのゲー
ト電極は第１の導体を介して外部に引き出され
る。また、第２の導体の一方が第２の弾性体によ
つて補助GTOのカソード電極に圧接されるとと
もに、第２の導体の他方が第３の弾性体によつて
主GTOのゲート電極に圧接される。この為補助
GTOのカソード電極と主GTOのゲート電極は第
２の導体によつて接続状態に保持される。このよ
うに電極はすべて圧接接続されるので、装置の内
部にはリード線が不要となる。
実施例
以下、図面を参照しながら本考案の一実施例を
説明する。第１図ｂは圧接しようとする半導体素
子の構造を示している。この図において１０１は
P1N1P2N2層から成る補助GTOとP1N1P2N3層か
ら成る主GTOを同一ウエハ上に設けた増幅ゲー
ト形GTOである。このGTO１０１のP2層の中央
部表面には補助ゲート電極１０５が設けられてい
る。この電極１０５から所定距離隔てた外周の
N2層表面には補助カソード電極１０６が設けら
れている。この電極１０６から所定距離隔てた外
周のN3層表面には主カソード電極１０４が設け
られている。この電極１０４から所定距離隔てた
外周のP2層表面には主ゲート電極１０７が設け
られている。増幅ゲート形GTO１０１はP1層側
でモリブデンMoやタングステンＷから成るアノ
ード熱補償板１０２と合金されている。このよう
に構成されたGTO１０１の表面の各電極の配線
を圧接によつて接続した実施例を第１図ａに示
し、その組立図を第２図に示す。これらの図にお
いて、１２４は前記アノード熱補償板１０２に配
設された圧接板、例えばアノード銅ポストであ
る。１０３は前記GTO１０１の主カソード電極
１０４に対向して配設されたモリブデンMoやタ
ングステンＷから成るカソード熱補償板である。
１１０はカソード熱補償板１０３を介して前記
GTO１０１の主カソード電極１０４に圧接され
る圧接板、例えばカソード銅ポストである。この
カソード銅ポスト１１０の前記補助ゲート電極１
０５および補助カソード電極１０６に対向する部
位には凹部１３０が設けられている。カソード銅
ポスト１１０の前記主ゲート電極１０７に対向す
る部位には鍔部１３１が設けられている。カソー
ド銅ポスト１１０には面Ａ〜面Ｇが設けられてい
る。このポスト１１０の面Ａと面Ｂはカソード熱
補償板１０３の厚さより小さい段差を有し、面Ａ
の外周部径はカソード熱補償板１０３の内周径よ
りわずかに小さくして形成されている。この為組
立て時にカソード熱補償板１０３の位置決めが容
易に行なえる。カソード銅ポスト１１０の面Ｃは
面Ｄより内側に、且つ突出して設けられている。
この面Ｃは補助ゲート電極１０５を圧接するとき
の基準面となる。面Ｂはカソード熱補償板１０３
を介して主カソード電極１０４に圧接される主面
であり、なめらかに形成される。面Ｄは補助カソ
ード電極１０６および主ゲート電極１０７を圧接
するときの基準面となる。カソード銅ポスト１１
０には、その上部から面Ｄまでの間、凹部１３０
から半径方向に同一巾で切欠き溝１３２が設けら
れている。この切欠き溝１３２は、補助カソード
電極１０６と主ゲート電極１０７を橋絡するため
の橋絡リング１１８の渡り部１１８′および一端
が補助ゲート電極１０５に接触されるゲート圧接
リング１１９のリード部１２０を通すための溝で
ある。カソード銅ポスト１１０の鍔部１３１の面
Ｄ上には外周皿バネ１１１が設けられ、凹部１３
０の面Ｄ上には内周皿バネ１１３が設けられ、面
Ｃ上にはコイルバネ１１４が設けられている。こ
れらバネ１１１，１１３および１１４は前記
GTO１０１がアノード銅ポスト１２４、カソー
ド銅ポスト１１０によつて圧接されたとき所定の
圧力が加わるよう設定しておく。前記コイルバネ
１１４上にはテフロン等の絶縁物から成り、切欠
部１１５ａを有するゲートポストガイドリング１
１５が配設されている。このガイドリング１１５
はカソード銅ポスト１１０の面Ｇによつて位置決
めが容易になされる。前記内周皿バネ１１３上に
は、テフロン等の絶縁物から成り、切欠部１１７
ａを有する内周絶縁ポストガイドリング１１７が
配設されている。このガイドリング１１７はカソ
ード銅ポスト１１０の面Ｆによつて位置決めが容
易になされる。前記外周皿バネ１１１上にはテフ
ロン等の絶縁物から成り、切欠部１１６ａを有す
る外周絶縁ポストガイドリング１１６が配設され
ている。このガイドリング１１６はカソード銅ポ
スト１１０の面Ｅによつて位置決めが容易になさ
れる。前記ガイドリング１１６，１１７上には導
電性の薄板から成る橋絡リング１１８が配置され
ている。この橋絡リング１１８は図示の如く内周
部と外周部を渡り部１１８′によつて橋絡した形
状に形成されており、渡り部１１８′は前記ガイ
ドリング１１７の切欠部１１７ａ、カソード銅ポ
スト１１０の切欠き溝１３２および前記ガイドリ
ング１１６の切欠部１１６ａを通る。前記橋絡リ
ング１１８上の前記主ゲート電極１０７に対向す
る位置には、導電性部材から成り、切欠部１２１
ａを有する外周圧接リング１２１が配置されてい
る。前記橋絡リング１１８上の前記補助カソード
電極１０６に対向する位置には、導電性部材から
成り、切欠部１２２ａを有する内周圧接リング１
２２が配置されている。前記補助ゲート電極１０
５に対向する位置のゲートポストガイドリング１
１５には導電性を有する部材から成るゲート圧接
リング１１９が嵌入されている。このリング１１
９のリード部１２０は前記ガイドリング１１５の
切欠部１１５ａ、内周圧接リング１２２の切欠部
１２２ａ、前記ガイドリング１１７の切欠部１１
７ａ、カソード銅ポスト１１０の切欠き溝１３
２、前記ガイドリング１１６の切欠部１１６ａお
よび外周圧接リング１２１の切欠部１２１ａを順
次通して引き出され、ケースのセラミツク１２６
に設けられたゲート引出しパイプ１２７に嵌入さ
れ圧着される。
説明する。第１図ｂは圧接しようとする半導体素
子の構造を示している。この図において１０１は
P1N1P2N2層から成る補助GTOとP1N1P2N3層か
ら成る主GTOを同一ウエハ上に設けた増幅ゲー
ト形GTOである。このGTO１０１のP2層の中央
部表面には補助ゲート電極１０５が設けられてい
る。この電極１０５から所定距離隔てた外周の
N2層表面には補助カソード電極１０６が設けら
れている。この電極１０６から所定距離隔てた外
周のN3層表面には主カソード電極１０４が設け
られている。この電極１０４から所定距離隔てた
外周のP2層表面には主ゲート電極１０７が設け
られている。増幅ゲート形GTO１０１はP1層側
でモリブデンMoやタングステンＷから成るアノ
ード熱補償板１０２と合金されている。このよう
に構成されたGTO１０１の表面の各電極の配線
を圧接によつて接続した実施例を第１図ａに示
し、その組立図を第２図に示す。これらの図にお
いて、１２４は前記アノード熱補償板１０２に配
設された圧接板、例えばアノード銅ポストであ
る。１０３は前記GTO１０１の主カソード電極
１０４に対向して配設されたモリブデンMoやタ
ングステンＷから成るカソード熱補償板である。
１１０はカソード熱補償板１０３を介して前記
GTO１０１の主カソード電極１０４に圧接され
る圧接板、例えばカソード銅ポストである。この
カソード銅ポスト１１０の前記補助ゲート電極１
０５および補助カソード電極１０６に対向する部
位には凹部１３０が設けられている。カソード銅
ポスト１１０の前記主ゲート電極１０７に対向す
る部位には鍔部１３１が設けられている。カソー
ド銅ポスト１１０には面Ａ〜面Ｇが設けられてい
る。このポスト１１０の面Ａと面Ｂはカソード熱
補償板１０３の厚さより小さい段差を有し、面Ａ
の外周部径はカソード熱補償板１０３の内周径よ
りわずかに小さくして形成されている。この為組
立て時にカソード熱補償板１０３の位置決めが容
易に行なえる。カソード銅ポスト１１０の面Ｃは
面Ｄより内側に、且つ突出して設けられている。
この面Ｃは補助ゲート電極１０５を圧接するとき
の基準面となる。面Ｂはカソード熱補償板１０３
を介して主カソード電極１０４に圧接される主面
であり、なめらかに形成される。面Ｄは補助カソ
ード電極１０６および主ゲート電極１０７を圧接
するときの基準面となる。カソード銅ポスト１１
０には、その上部から面Ｄまでの間、凹部１３０
から半径方向に同一巾で切欠き溝１３２が設けら
れている。この切欠き溝１３２は、補助カソード
電極１０６と主ゲート電極１０７を橋絡するため
の橋絡リング１１８の渡り部１１８′および一端
が補助ゲート電極１０５に接触されるゲート圧接
リング１１９のリード部１２０を通すための溝で
ある。カソード銅ポスト１１０の鍔部１３１の面
Ｄ上には外周皿バネ１１１が設けられ、凹部１３
０の面Ｄ上には内周皿バネ１１３が設けられ、面
Ｃ上にはコイルバネ１１４が設けられている。こ
れらバネ１１１，１１３および１１４は前記
GTO１０１がアノード銅ポスト１２４、カソー
ド銅ポスト１１０によつて圧接されたとき所定の
圧力が加わるよう設定しておく。前記コイルバネ
１１４上にはテフロン等の絶縁物から成り、切欠
部１１５ａを有するゲートポストガイドリング１
１５が配設されている。このガイドリング１１５
はカソード銅ポスト１１０の面Ｇによつて位置決
めが容易になされる。前記内周皿バネ１１３上に
は、テフロン等の絶縁物から成り、切欠部１１７
ａを有する内周絶縁ポストガイドリング１１７が
配設されている。このガイドリング１１７はカソ
ード銅ポスト１１０の面Ｆによつて位置決めが容
易になされる。前記外周皿バネ１１１上にはテフ
ロン等の絶縁物から成り、切欠部１１６ａを有す
る外周絶縁ポストガイドリング１１６が配設され
ている。このガイドリング１１６はカソード銅ポ
スト１１０の面Ｅによつて位置決めが容易になさ
れる。前記ガイドリング１１６，１１７上には導
電性の薄板から成る橋絡リング１１８が配置され
ている。この橋絡リング１１８は図示の如く内周
部と外周部を渡り部１１８′によつて橋絡した形
状に形成されており、渡り部１１８′は前記ガイ
ドリング１１７の切欠部１１７ａ、カソード銅ポ
スト１１０の切欠き溝１３２および前記ガイドリ
ング１１６の切欠部１１６ａを通る。前記橋絡リ
ング１１８上の前記主ゲート電極１０７に対向す
る位置には、導電性部材から成り、切欠部１２１
ａを有する外周圧接リング１２１が配置されてい
る。前記橋絡リング１１８上の前記補助カソード
電極１０６に対向する位置には、導電性部材から
成り、切欠部１２２ａを有する内周圧接リング１
２２が配置されている。前記補助ゲート電極１０
５に対向する位置のゲートポストガイドリング１
１５には導電性を有する部材から成るゲート圧接
リング１１９が嵌入されている。このリング１１
９のリード部１２０は前記ガイドリング１１５の
切欠部１１５ａ、内周圧接リング１２２の切欠部
１２２ａ、前記ガイドリング１１７の切欠部１１
７ａ、カソード銅ポスト１１０の切欠き溝１３
２、前記ガイドリング１１６の切欠部１１６ａお
よび外周圧接リング１２１の切欠部１２１ａを順
次通して引き出され、ケースのセラミツク１２６
に設けられたゲート引出しパイプ１２７に嵌入さ
れ圧着される。
上記のように構成された装置を組立てる場合
は、まずカソード熱補償板１０３をカソード銅ポ
スト１１０の面Ｂ上に載置し、その上にアノード
熱補償板１０２と一体化されたGTO１０１をカ
ソード面がケースの内側にくるよう設置する。こ
のときテフロン等の絶縁物から成るアノードガイ
ド１２３を用いて位置を固定し、外周圧接リング
１２１とアノードガイド１２３を嵌合させる。こ
れによつてカソード銅ポスト１１０に設けられた
各種リングは容易に位置決めされる。次にアノー
ド銅ポスト１２４およびカソード銅ポスト１１０
を各々外側から圧接する。これによつてGTO１
０１の補助ゲート電極１０５はコイルバネ１１４
によつてゲート圧接リング１１９に圧接され、ゲ
ート引き出しパイプ１２７と接続状態になる。ま
た内周皿バネ１１３によつて橋絡リング１１８が
内周圧接リング１２２に、該リング１２２が補助
カソード電極１０６に各々圧接される。さらに外
周皿バネ１１１によつて橋絡リング１１８が外周
圧接リング１２１に、該リング１２１が主ゲート
電極１０７に各々圧接される。この為補助カソー
ド電極１０６と主ゲート電極１０７は橋絡リング
１１８によつて接続状態となる。
は、まずカソード熱補償板１０３をカソード銅ポ
スト１１０の面Ｂ上に載置し、その上にアノード
熱補償板１０２と一体化されたGTO１０１をカ
ソード面がケースの内側にくるよう設置する。こ
のときテフロン等の絶縁物から成るアノードガイ
ド１２３を用いて位置を固定し、外周圧接リング
１２１とアノードガイド１２３を嵌合させる。こ
れによつてカソード銅ポスト１１０に設けられた
各種リングは容易に位置決めされる。次にアノー
ド銅ポスト１２４およびカソード銅ポスト１１０
を各々外側から圧接する。これによつてGTO１
０１の補助ゲート電極１０５はコイルバネ１１４
によつてゲート圧接リング１１９に圧接され、ゲ
ート引き出しパイプ１２７と接続状態になる。ま
た内周皿バネ１１３によつて橋絡リング１１８が
内周圧接リング１２２に、該リング１２２が補助
カソード電極１０６に各々圧接される。さらに外
周皿バネ１１１によつて橋絡リング１１８が外周
圧接リング１２１に、該リング１２１が主ゲート
電極１０７に各々圧接される。この為補助カソー
ド電極１０６と主ゲート電極１０７は橋絡リング
１１８によつて接続状態となる。
以上のように増幅ゲート形GTO１０１の電極
はすべて圧接によつて接続されるので、内部リー
ド線およびそのボンデイング部を除去することが
でき、これによつて発熱による断線事故を防ぐこ
とができる。また、カソード銅ポスト１１０の各
部面Ａ〜面Ｇを設けたので、組立て時の各部材の
位置決めが容易に行なえるとともに組立て精度が
向上する。すなわち、 (1) 面Ａは面Ｂより突出させて設けているので、
カソード熱補償板１０３の位置決めが精度良
く、容易に行なえる。
はすべて圧接によつて接続されるので、内部リー
ド線およびそのボンデイング部を除去することが
でき、これによつて発熱による断線事故を防ぐこ
とができる。また、カソード銅ポスト１１０の各
部面Ａ〜面Ｇを設けたので、組立て時の各部材の
位置決めが容易に行なえるとともに組立て精度が
向上する。すなわち、 (1) 面Ａは面Ｂより突出させて設けているので、
カソード熱補償板１０３の位置決めが精度良
く、容易に行なえる。
(2) 凹部１３０の面Ｄと面Ｃに段差を設けるとと
もに面Ｇを設けたので、ゲートポストガイドリ
ング１１５の位置決めが精度良く、容易に行な
える。
もに面Ｇを設けたので、ゲートポストガイドリ
ング１１５の位置決めが精度良く、容易に行な
える。
(3) 凹部１３０の面Ｆを利用して内周絶縁ポスト
ガイドリング１１７の位置決めを容易に且つ精
度良く行なえる。
ガイドリング１１７の位置決めを容易に且つ精
度良く行なえる。
(4) 鍔部１３１の面Ｅを利用して外周絶縁ポスト
ガイドリング１１６の位置決めを容易に且つ精
度良く行なえる。
ガイドリング１１６の位置決めを容易に且つ精
度良く行なえる。
さらに外周絶縁ポストガイドリング１１６によ
つて外周圧接リング１２１の位置決めが、内周絶
縁ポストガイドリング１１７によつて内周圧接リ
ング１２２の位置決めが各々容易に且つ精度良く
行なえる。
つて外周圧接リング１２１の位置決めが、内周絶
縁ポストガイドリング１１７によつて内周圧接リ
ング１２２の位置決めが各々容易に且つ精度良く
行なえる。
尚、圧接される半導体素子は、増幅ゲート形
GTO１０１に限らず増幅ゲート形サイリスタで
あつても良い。また、第１〜第３の弾性体はコイ
ルバネや皿バネに限らず他の弾性体を用いても良
い。さらにカソード圧接板の凹部と鍔部を連通す
る通路は、実施例において切欠き溝１３２を面Ｄ
の高さまで形成していたが、橋絡リング１１８の
渡り部１１８′およびゲート圧接リング１１９の
リード部１２０を通せる範囲であればこれに限定
されない。
GTO１０１に限らず増幅ゲート形サイリスタで
あつても良い。また、第１〜第３の弾性体はコイ
ルバネや皿バネに限らず他の弾性体を用いても良
い。さらにカソード圧接板の凹部と鍔部を連通す
る通路は、実施例において切欠き溝１３２を面Ｄ
の高さまで形成していたが、橋絡リング１１８の
渡り部１１８′およびゲート圧接リング１１９の
リード部１２０を通せる範囲であればこれに限定
されない。
考案の効果
以上のように本考案によれば、次のような効果
が得られる。すなわち、 (1) 半導体素子の電極はすべて圧接によつて接続
されるので、強固な構造になるとともに内部リ
ード線およびそのボンデイング部を除去するこ
とができ、これによつて発熱による断線事故を
防ぐことができる。
が得られる。すなわち、 (1) 半導体素子の電極はすべて圧接によつて接続
されるので、強固な構造になるとともに内部リ
ード線およびそのボンデイング部を除去するこ
とができ、これによつて発熱による断線事故を
防ぐことができる。
(2) カソード圧接板に凹部および鍔部を設けると
ともに、これら凹部および鍔部に第１および第
２の導体を配設したので、カソード熱補償板の
位置決めが容易に且つ精度良く行なえる。
ともに、これら凹部および鍔部に第１および第
２の導体を配設したので、カソード熱補償板の
位置決めが容易に且つ精度良く行なえる。
(3) カソード圧接板を基準にして各部の位置決め
がなされるので、組立て時の位置決めが容易に
行なわれるとともに位置決め精度が向上する。
がなされるので、組立て時の位置決めが容易に
行なわれるとともに位置決め精度が向上する。
第１図ａ，ｂおよび第２図はともに本考案の一
実施例を示し、第１図ａは断面図、第１図ｂは圧
接される半導体素子の断面図、第２図は要部の分
解斜視図、第３図は従来の圧接形半導体装置の一
例を示す断面図である。 １０１…増幅ゲート形GTO、１０３…カソー
ド熱補償板、１０４…主カソード電極、１０５…
補助ゲート電極、１０６…補助カソード電極、１
０７…主ゲート電極、１１０…カソード銅ポス
ト、１１１…外周皿バネ、１１３…内周皿バネ、
１１４…コイルバネ、１１５…ゲートポストガイ
ドリング、１１６…外周絶縁ポストガイドリン
グ、１１７…内周絶縁ポストガイドリング、１１
８…橋絡リング、１１９…ゲート圧接リング、１
２１…外周圧接リング、１２２…内周圧接リン
グ、１２４…アノード銅ポスト、１２７…ゲート
引き出しパイプ、１３０…凹部、１３１…鍔部、
１３２…切欠き溝。
実施例を示し、第１図ａは断面図、第１図ｂは圧
接される半導体素子の断面図、第２図は要部の分
解斜視図、第３図は従来の圧接形半導体装置の一
例を示す断面図である。 １０１…増幅ゲート形GTO、１０３…カソー
ド熱補償板、１０４…主カソード電極、１０５…
補助ゲート電極、１０６…補助カソード電極、１
０７…主ゲート電極、１１０…カソード銅ポス
ト、１１１…外周皿バネ、１１３…内周皿バネ、
１１４…コイルバネ、１１５…ゲートポストガイ
ドリング、１１６…外周絶縁ポストガイドリン
グ、１１７…内周絶縁ポストガイドリング、１１
８…橋絡リング、１１９…ゲート圧接リング、１
２１…外周圧接リング、１２２…内周圧接リン
グ、１２４…アノード銅ポスト、１２７…ゲート
引き出しパイプ、１３０…凹部、１３１…鍔部、
１３２…切欠き溝。
Claims (1)
- 同一ウエハの中央部表面に設けられた補助ゲー
ト電極および補助カソード電極、これら電極から
所定距離隔てた前記ウエハの外周部表面に設けら
れた主ゲート電極および主カソード電極とを有し
て成る半導体素子と、導電性を有し前記半導体素
子のアノードに配設されるアノード圧接板と、導
電性を有し前記半導体素子の主カソード電極に配
設されるカソード圧接板とを備え、これら圧接板
により前記半導体素子を所要の圧力で圧接して成
る圧接形半導体装置において、前記カソード圧接
板の前記補助ゲート電極および補助カソード電極
に対向する部位に凹部を設け、前記カソード圧接
板の前記主ゲート電極に対向する部位に鍔部を設
け、前記カソード圧接板に前記凹部と鍔部を連通
する通路を形成し、前記凹部および鍔部に、一端
が前記補助ゲート電極に接触されるとともに他端
が前記通路を介して外部に引き出される第１の導
体と、一方が前記補助カソード電極に接触される
とともに他方が前記通路を介して前記主ゲート電
極に接触される第２の導体とを配設し、前記凹部
に、前記第１の導体の一端を前記補助ゲート電極
に圧接せしめる第１の弾性体と、前記第２の導体
の一方を前記補助カソード電極に圧接せしめる第
２の弾性体とを収納し、前記鍔部に、前記第２の
導体の他方を前記主ゲート電極に圧接せしめる第
３の弾性体とを収納し、前記カソード圧接板の主
カソード電極に対向する面Ｂよりも前記凹部との
境界面Ａを突出させて形成し、前記カソード圧接
板の凹部の面のうち、前記補助ゲート電極に対向
する面Ｃを補助ゲート電極に対向しない面Ｄより
も突出させて形成したことを特徴とする圧接形半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11432884U JPS6130256U (ja) | 1984-07-27 | 1984-07-27 | 圧接形半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11432884U JPS6130256U (ja) | 1984-07-27 | 1984-07-27 | 圧接形半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6130256U JPS6130256U (ja) | 1986-02-24 |
| JPH0328518Y2 true JPH0328518Y2 (ja) | 1991-06-19 |
Family
ID=30673349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11432884U Granted JPS6130256U (ja) | 1984-07-27 | 1984-07-27 | 圧接形半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6130256U (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54175278U (ja) * | 1978-05-29 | 1979-12-11 | ||
| JPS5855650Y2 (ja) * | 1979-04-14 | 1983-12-20 | 株式会社明電舎 | 半導体装置 |
| JPS5757561U (ja) * | 1980-09-22 | 1982-04-05 | ||
| JPS57111040A (en) * | 1980-12-27 | 1982-07-10 | Mitsubishi Electric Corp | Pressure contact type semiconductor device |
-
1984
- 1984-07-27 JP JP11432884U patent/JPS6130256U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6130256U (ja) | 1986-02-24 |
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