JPS5932041B2 - 薄膜サ−ミスタ - Google Patents
薄膜サ−ミスタInfo
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- JPS5932041B2 JPS5932041B2 JP12105879A JP12105879A JPS5932041B2 JP S5932041 B2 JPS5932041 B2 JP S5932041B2 JP 12105879 A JP12105879 A JP 12105879A JP 12105879 A JP12105879 A JP 12105879A JP S5932041 B2 JPS5932041 B2 JP S5932041B2
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は薄膜サーミスタ、特に対象物との機械的な接触
を通して熱を感じる様構成された測温体のサーミスタに
関するものである。
を通して熱を感じる様構成された測温体のサーミスタに
関するものである。
この種測温体は、たとえば調理容器の外壁、あるいは石
油燃焼機器の気化器の外壁と接触して、調理容器内部の
調理物の温度あるいは気化器内での石油気化温度を検出
することに用いられる。
油燃焼機器の気化器の外壁と接触して、調理容器内部の
調理物の温度あるいは気化器内での石油気化温度を検出
することに用いられる。
この種測温体は通常第1図に示す如き構造、使われ方を
している。すなわち測温体1は、たとえば調理容器の外
壁10と接触する。通常測温体1は保護管2、サーミス
タ・チップ3および保護管2とサーミスタ・チップ3と
の接着層4から成り、更にサーミスタ・チップ3は通常
平板状絶縁性基板5の一方の表面に電極膜6、感温抵抗
体膜Tを形成して構成される。実際には更に電極膜6に
リード線8を接続し、リード線8を通して感温抵抗体T
の抵抗値、すなわち温度、を検出する。この種サーミス
タ・チップ3は、前述の如く平板状絶縁基板5、たとえ
ばアルミナ、ベリリア、ムライトなどのセラミックある
いは硼硅酸系硝子、の一方の表面に電極膜6、たとえば
Ag−Pd、Au−Pt、Au−Pd、Au、Ag、P
tなどの厚膜電極、あるいはCr−Au3Cr−Cu3
Cr−Ptなどの積層薄膜電極、感温抵抗体膜T、たと
えばGe、Si、SiC、あるいはFe−Cr−Co−
Mnなどの複合酸化物から成る厚膜、薄膜抵抗体、を形
成して構成される。しかしこの場合サーミスタチップ3
を保護管2、たとえばステンレス管、に接着する時以下
に示す如き欠点があつた。すなわち接着層4に有機物系
接着剤、たとえばエポキシ樹脂系、シアノ・アクリレー
ト系接着剤、を用いた場合、容易に安定した接着性を得
ることができるが、耐熱性が60〜150℃程度しかな
いという欠点があつた。この種測温体を調理器、燃焼器
に用いた場合、通常300〜600℃の耐熱性が要求さ
れる。
している。すなわち測温体1は、たとえば調理容器の外
壁10と接触する。通常測温体1は保護管2、サーミス
タ・チップ3および保護管2とサーミスタ・チップ3と
の接着層4から成り、更にサーミスタ・チップ3は通常
平板状絶縁性基板5の一方の表面に電極膜6、感温抵抗
体膜Tを形成して構成される。実際には更に電極膜6に
リード線8を接続し、リード線8を通して感温抵抗体T
の抵抗値、すなわち温度、を検出する。この種サーミス
タ・チップ3は、前述の如く平板状絶縁基板5、たとえ
ばアルミナ、ベリリア、ムライトなどのセラミックある
いは硼硅酸系硝子、の一方の表面に電極膜6、たとえば
Ag−Pd、Au−Pt、Au−Pd、Au、Ag、P
tなどの厚膜電極、あるいはCr−Au3Cr−Cu3
Cr−Ptなどの積層薄膜電極、感温抵抗体膜T、たと
えばGe、Si、SiC、あるいはFe−Cr−Co−
Mnなどの複合酸化物から成る厚膜、薄膜抵抗体、を形
成して構成される。しかしこの場合サーミスタチップ3
を保護管2、たとえばステンレス管、に接着する時以下
に示す如き欠点があつた。すなわち接着層4に有機物系
接着剤、たとえばエポキシ樹脂系、シアノ・アクリレー
ト系接着剤、を用いた場合、容易に安定した接着性を得
ることができるが、耐熱性が60〜150℃程度しかな
いという欠点があつた。この種測温体を調理器、燃焼器
に用いた場合、通常300〜600℃の耐熱性が要求さ
れる。
他方接着層4に無機質系接着剤、たとえばリン酸アルミ
ナ系、低融点硝子系、を用いた場合、耐熱性の高い接着
性を得られるが、熱的あるいは機械的衝撃に弱い、安定
した接着性が得られないという・ 欠点があつた。また
電極膜6、前述の如き厚膜、薄膜電極、にリード線8を
接続する場合、電子部品の接続に一般的に用いられる半
田付法は比較的太いリード線、たとえば0.2〜0.8
wm0の銅,ニツケル線を直接電極膜6に接続できる利
点があるが、耐熱性が100〜200℃程度しかなぃと
いう欠点があつた。
ナ系、低融点硝子系、を用いた場合、耐熱性の高い接着
性を得られるが、熱的あるいは機械的衝撃に弱い、安定
した接着性が得られないという・ 欠点があつた。また
電極膜6、前述の如き厚膜、薄膜電極、にリード線8を
接続する場合、電子部品の接続に一般的に用いられる半
田付法は比較的太いリード線、たとえば0.2〜0.8
wm0の銅,ニツケル線を直接電極膜6に接続できる利
点があるが、耐熱性が100〜200℃程度しかなぃと
いう欠点があつた。
他方溶接法は、耐熱性の高い接続を得られるが、電極膜
6の厚さが精々15〜20μmであるので熱容量の小さ
な細線、たとえば0.02〜0.2m0の金線、白金線
、アルミニウム線、を電極膜6に溶接していた。しかし
この場合溶接面積が必然的に小さくなる結果溶接強度も
通常数7〜数107程度と小さい欠点があつた。この欠
点を補う為に溶接部を電気絶縁性セメント、たとえばリ
ン酸アルミナ系,低融点硝子系,で被覆する構造がしば
しば用いられる。しかしこの場合構造が複雑になる、あ
るいはコストが高くなるなどの欠点が派生した。更に前
記細線はその機械的強度が小さい、価格が高い、取扱い
が困難などの理由により実用上リード線8として使用で
きない。この為通常実用上問題のない太いリード線を別
個に準備し、前記細線と太いリード線とを相互に溶接し
て使用しなければならない。
6の厚さが精々15〜20μmであるので熱容量の小さ
な細線、たとえば0.02〜0.2m0の金線、白金線
、アルミニウム線、を電極膜6に溶接していた。しかし
この場合溶接面積が必然的に小さくなる結果溶接強度も
通常数7〜数107程度と小さい欠点があつた。この欠
点を補う為に溶接部を電気絶縁性セメント、たとえばリ
ン酸アルミナ系,低融点硝子系,で被覆する構造がしば
しば用いられる。しかしこの場合構造が複雑になる、あ
るいはコストが高くなるなどの欠点が派生した。更に前
記細線はその機械的強度が小さい、価格が高い、取扱い
が困難などの理由により実用上リード線8として使用で
きない。この為通常実用上問題のない太いリード線を別
個に準備し、前記細線と太いリード線とを相互に溶接し
て使用しなければならない。
この結果構造が複雑になるあるいはコストが高くなるな
どの欠点が派生していた。
どの欠点が派生していた。
本発明はこれ等従来の欠点を解消した薄膜サーミスタ・
チツプを提供するもので、その要旨は第 二2図に示す
如く、平板状絶縁基板5の一方の表面に電極膜6、感温
抵抗体膜7を形成して成る薄膜サーミスタ・チツプ3に
おいて、少なくとも電極膜6にモリブデンもしくはタン
グステン・メタライズ膜を用い、且つ前記平板状絶縁基
板5の他の こ表面に前記メタライズ被覆膜9を全面に
形成することにある。
チツプを提供するもので、その要旨は第 二2図に示す
如く、平板状絶縁基板5の一方の表面に電極膜6、感温
抵抗体膜7を形成して成る薄膜サーミスタ・チツプ3に
おいて、少なくとも電極膜6にモリブデンもしくはタン
グステン・メタライズ膜を用い、且つ前記平板状絶縁基
板5の他の こ表面に前記メタライズ被覆膜9を全面に
形成することにある。
以下、本発明の一実施例を説明する。
本発明の薄膜サーミスタ・チツプ3は前述の如くモリブ
デンもしくはタングステン・メタライズ5被覆膜9が平
板状絶縁基板5の他の表面に全面に形成されているので
、第2図に示す如く保護管2、たとえばステンレス管に
本薄膜サーミスタ・チツプ3をロウ材接着層4で接着す
ることができる。
デンもしくはタングステン・メタライズ5被覆膜9が平
板状絶縁基板5の他の表面に全面に形成されているので
、第2図に示す如く保護管2、たとえばステンレス管に
本薄膜サーミスタ・チツプ3をロウ材接着層4で接着す
ることができる。
前記メタライズ被覆膜9および保護管2、たとえ 4ば
ステンレス管、ともロウ材は滑らかに流動し、安定な接
着性が得られるのみならず、その耐熱性もロウ材を適切
に選択することにより300〜600℃程度を実現する
ことができる。ステンレス保護管2に本薄膜サーミスタ
・チツプ3を銀ロウ材(液相線温度〜700℃)でロウ
付接着したところ、銀ロウ材は滑らかに流動し、引張強
度10〜50Kf/Cdが得られた。
ステンレス管、ともロウ材は滑らかに流動し、安定な接
着性が得られるのみならず、その耐熱性もロウ材を適切
に選択することにより300〜600℃程度を実現する
ことができる。ステンレス保護管2に本薄膜サーミスタ
・チツプ3を銀ロウ材(液相線温度〜700℃)でロウ
付接着したところ、銀ロウ材は滑らかに流動し、引張強
度10〜50Kf/Cdが得られた。
前記メタライズ被覆膜9の面積は通常10〜50mdで
あるので、実際の引張強度は1〜25Kf程度であり、
充分な実用性を有している。また液相線程度〜780℃
の銀ロウ材,〜930℃のニツケル系ロウ材、あるいは
〜1010℃の金ロウ材でステンレス保護管2と本サー
ミスタ・チツプ3とをロウ付接着したところ前述と同様
の引張強度が得られた。
あるので、実際の引張強度は1〜25Kf程度であり、
充分な実用性を有している。また液相線程度〜780℃
の銀ロウ材,〜930℃のニツケル系ロウ材、あるいは
〜1010℃の金ロウ材でステンレス保護管2と本サー
ミスタ・チツプ3とをロウ付接着したところ前述と同様
の引張強度が得られた。
このようにステンレス保護管2に本薄膜サーミスタ・チ
ツプ3をロウ付接続したものを、空気中300〜600
℃で連続100〜1000時間放置試験、あるいは空気
中300〜600℃,15分放置後室温,15分放置す
ることを1サイクルとして100〜1000サイクルの
熱サイクル試験をしてもその引張強度は殆んど低下しな
かつた。以上の如く本薄膜サーミスタ・チツプ3は、保
護管2とロウ付することができるので、容易に安定な接
着性を得られるのみならずロウ材の適切な選択により3
00〜600℃の耐熱性を得ることができ、従つて従来
の欠点を解消できる。
ツプ3をロウ付接続したものを、空気中300〜600
℃で連続100〜1000時間放置試験、あるいは空気
中300〜600℃,15分放置後室温,15分放置す
ることを1サイクルとして100〜1000サイクルの
熱サイクル試験をしてもその引張強度は殆んど低下しな
かつた。以上の如く本薄膜サーミスタ・チツプ3は、保
護管2とロウ付することができるので、容易に安定な接
着性を得られるのみならずロウ材の適切な選択により3
00〜600℃の耐熱性を得ることができ、従つて従来
の欠点を解消できる。
また本薄膜サーミスタ・チツプ3は電極膜6にも前記メ
タライズ膜を用いているので、前記メタライズ電極膜6
に太いリード線8を直接ロウ付することができる。
タライズ膜を用いているので、前記メタライズ電極膜6
に太いリード線8を直接ロウ付することができる。
従つて前述の保護管2と本薄膜サーミスタ・チツプ3と
のロウ付接着と同様、容易に安定な接着性を得られるの
みならずロウ材の適切な選択により300〜600℃の
耐熱性を得ることができる。
のロウ付接着と同様、容易に安定な接着性を得られるの
みならずロウ材の適切な選択により300〜600℃の
耐熱性を得ることができる。
このように本薄膜サーミスタ・チツプ3は簡単な構造で
高耐熱性リード線取出しを実現でき、従来の欠点を解消
することができる。本薄膜サーミスタ・チツプ3は感温
抵抗体膜7にSiC膜を用いた場合、特にその有用性が
大きい。
高耐熱性リード線取出しを実現でき、従来の欠点を解消
することができる。本薄膜サーミスタ・チツプ3は感温
抵抗体膜7にSiC膜を用いた場合、特にその有用性が
大きい。
すなわちSiC感温抵抗体膜7は広い使用温度範囲(3
0〜400℃)を有し、他方で高耐熱性(空気中300
〜600℃)を有している。従つて前述の如く容易に安
定な接着性を得られるのみならず他方で300〜600
℃の耐熱接着性の得られる本薄膜サーミスタ・チツプ3
にSiC感温抵抗体膜Tを用いた場合、SiC感温抵抗
体膜7の特性を最大限に引き出すことができる。なおS
iC感温抵抗体膜7に高耐熱性を付与する為に通常空気
中で500〜800℃で1〜100hrsアニール処理
をする必要がある。
0〜400℃)を有し、他方で高耐熱性(空気中300
〜600℃)を有している。従つて前述の如く容易に安
定な接着性を得られるのみならず他方で300〜600
℃の耐熱接着性の得られる本薄膜サーミスタ・チツプ3
にSiC感温抵抗体膜Tを用いた場合、SiC感温抵抗
体膜7の特性を最大限に引き出すことができる。なおS
iC感温抵抗体膜7に高耐熱性を付与する為に通常空気
中で500〜800℃で1〜100hrsアニール処理
をする必要がある。
これはSiC感温抵抗体膜7の初期的特性変化、主とし
て抵抗値変化、をアニール処理により充分進行せしめ、
その後の熱的抵抗値変化を安定化せしめることを目的と
している。このような空気中アニール処理により前記メ
タライズ電極膜6あるいは被覆膜9は酸化され、ロウ付
できなくなる。
て抵抗値変化、をアニール処理により充分進行せしめ、
その後の熱的抵抗値変化を安定化せしめることを目的と
している。このような空気中アニール処理により前記メ
タライズ電極膜6あるいは被覆膜9は酸化され、ロウ付
できなくなる。
しかしこの場合前記メタライズ電極膜6あるいは被覆膜
9上に酸化防止膜、たとえばAg−Pd,Au−Piな
どの厚膜電極膜、を形成することにより、前記酸化を防
止することができる。また前述の如きロウ付をする際に
も前記メタライズ電極膜6あるいは被覆膜9は酸化され
る。この場合にはロウ付時の雰囲気を真空もしくは不活
性ガス雰囲気にすることにより酸化を防ぐことができる
。また前記メタライズ被覆膜9は平板状絶縁基板5の他
の表面に全面に形成するとして説明してきたが、たとえ
ば第3図に示す如く平板状絶縁基板5の他の表面の周辺
部のみに前記メタライズ被覆膜9を形成し、他方で保護
管2の部に小穴を設け、その小穴の形状を前記メタライ
ズ被覆膜9のパターンに重なり合う如く成形せしめ、両
者をロウ付するように構成しても良いことはもちろんで
ある。
9上に酸化防止膜、たとえばAg−Pd,Au−Piな
どの厚膜電極膜、を形成することにより、前記酸化を防
止することができる。また前述の如きロウ付をする際に
も前記メタライズ電極膜6あるいは被覆膜9は酸化され
る。この場合にはロウ付時の雰囲気を真空もしくは不活
性ガス雰囲気にすることにより酸化を防ぐことができる
。また前記メタライズ被覆膜9は平板状絶縁基板5の他
の表面に全面に形成するとして説明してきたが、たとえ
ば第3図に示す如く平板状絶縁基板5の他の表面の周辺
部のみに前記メタライズ被覆膜9を形成し、他方で保護
管2の部に小穴を設け、その小穴の形状を前記メタライ
ズ被覆膜9のパターンに重なり合う如く成形せしめ、両
者をロウ付するように構成しても良いことはもちろんで
ある。
第1図は従来の薄膜サーミスタの断面図、第2図は本発
明の一実施例における薄膜サーミスタの断面図、第3図
は同他の実施例における薄膜サーミスタの断面図である
。 3・・・・・・サーミスタ・チツプ、5・・・・・・平
板状絶縁基板、6・・・・・・電極膜、7・・・・・・
感温抵抗体膜、8・・・・・・リード線、9・・・・・
・メタライズ被覆膜。
明の一実施例における薄膜サーミスタの断面図、第3図
は同他の実施例における薄膜サーミスタの断面図である
。 3・・・・・・サーミスタ・チツプ、5・・・・・・平
板状絶縁基板、6・・・・・・電極膜、7・・・・・・
感温抵抗体膜、8・・・・・・リード線、9・・・・・
・メタライズ被覆膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 平板状絶縁基板の一方の表面に電極膜、感温抵抗体
を形成して成る薄膜サーミスタチップにおいて、少なく
とも電極膜にモリブデンもしくはタングステンメタライ
ズ電極膜を用い、かつ前記平板状絶縁基板の他の表面に
前記メタライズ被覆膜を全面に形成したことを特徴とす
る薄膜サーミスタ。 2 少なくとも感温抵抗体膜にSiC膜を用いたことを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の薄膜サーミスタ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12105879A JPS5932041B2 (ja) | 1979-09-20 | 1979-09-20 | 薄膜サ−ミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12105879A JPS5932041B2 (ja) | 1979-09-20 | 1979-09-20 | 薄膜サ−ミスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5645001A JPS5645001A (en) | 1981-04-24 |
| JPS5932041B2 true JPS5932041B2 (ja) | 1984-08-06 |
Family
ID=14801788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12105879A Expired JPS5932041B2 (ja) | 1979-09-20 | 1979-09-20 | 薄膜サ−ミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5932041B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61206025U (ja) * | 1985-06-14 | 1986-12-26 |
-
1979
- 1979-09-20 JP JP12105879A patent/JPS5932041B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61206025U (ja) * | 1985-06-14 | 1986-12-26 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5645001A (en) | 1981-04-24 |
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