JPS6236603B2 - - Google Patents
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- JPS6236603B2 JPS6236603B2 JP8225681A JP8225681A JPS6236603B2 JP S6236603 B2 JPS6236603 B2 JP S6236603B2 JP 8225681 A JP8225681 A JP 8225681A JP 8225681 A JP8225681 A JP 8225681A JP S6236603 B2 JPS6236603 B2 JP S6236603B2
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Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は薄膜サーミスタの電極構成に関するも
のである。
のである。
薄膜サーミスタは第１図に示すように、通常、
絶縁基板１の一方の表面に感温抵抗体膜２と電極
膜３とを形成することにより構成されている。絶
縁基板１には、アルミナ、ムライト、ステアタイ
トなどのセラミツクあるいは硼硅酸系硝子、石英
などの硝子が用いられる。感温抵抗体膜２には、
Fe、Ni、Co、Mnなどの複合酸化膜、Si、Ge、
SiC膜などが用いられる。電極膜３には、Ag−
Pd、Au−Pt、Au、Pt、Agなどの厚膜電極膜あ
るいはCr、NiなどをアンダコートしたAg、Au、
Cuなどの薄膜電極膜が用いられる。
絶縁基板１の一方の表面に感温抵抗体膜２と電極
膜３とを形成することにより構成されている。絶
縁基板１には、アルミナ、ムライト、ステアタイ
トなどのセラミツクあるいは硼硅酸系硝子、石英
などの硝子が用いられる。感温抵抗体膜２には、
Fe、Ni、Co、Mnなどの複合酸化膜、Si、Ge、
SiC膜などが用いられる。電極膜３には、Ag−
Pd、Au−Pt、Au、Pt、Agなどの厚膜電極膜あ
るいはCr、NiなどをアンダコートしたAg、Au、
Cuなどの薄膜電極膜が用いられる。
従来このような薄膜サーミスタの電極膜３にリ
ード線４を接続するとき、半田付法、溶接法、ロ
ウ付法が用いられてきた。しかし、半田寸法は耐
熱性が低いという欠点があつた。すなわち高々
180〜200℃の耐熱性しか得られなかつた。他方、
溶接法は、高耐熱性（400℃以上）が得られる
が、接続強度が低いという欠点があつた。すなわ
ち電極膜３は熱容量が小さいので、リード線４も
熱容量の小さな細線でなければ電極膜３に接接で
きず、この結果溶接面積も微少（0.2mm2以下）に
なり、従つて接続強度も10ｇ以下であつた。また
ロウ付法では、電極膜３がロウ付中に拡散し、リ
ード線４を接続できないという欠点があつた。
ード線４を接続するとき、半田付法、溶接法、ロ
ウ付法が用いられてきた。しかし、半田寸法は耐
熱性が低いという欠点があつた。すなわち高々
180〜200℃の耐熱性しか得られなかつた。他方、
溶接法は、高耐熱性（400℃以上）が得られる
が、接続強度が低いという欠点があつた。すなわ
ち電極膜３は熱容量が小さいので、リード線４も
熱容量の小さな細線でなければ電極膜３に接接で
きず、この結果溶接面積も微少（0.2mm2以下）に
なり、従つて接続強度も10ｇ以下であつた。また
ロウ付法では、電極膜３がロウ付中に拡散し、リ
ード線４を接続できないという欠点があつた。
本発明はこれら従来の欠点を解消した電極構成
を提供するもので、その要旨は、絶縁基板の一方
の表面に感温抵抗体膜と電極膜とを形成して成る
薄膜サーミスタにおいて、前記電極膜にTi箔も
しくはZr箔をAg−Cu共晶ロウ材もしくは純Agロ
ウ材によりロウ付接続した点にある。
を提供するもので、その要旨は、絶縁基板の一方
の表面に感温抵抗体膜と電極膜とを形成して成る
薄膜サーミスタにおいて、前記電極膜にTi箔も
しくはZr箔をAg−Cu共晶ロウ材もしくは純Agロ
ウ材によりロウ付接続した点にある。
本発明の構成を第２図に示す。
以下、具体的実施例を示して本発明を詳述す
る。
る。
アルミナ基板１の一方の表面にAu−Pt厚膜電
極膜３を形成し、このAu−Pt厚膜電極膜３に少
なくとも一部が重なるようにSiC感温抵抗体膜２
を形成した。Au−Pt厚膜電極膜３の膜厚は約15
μｍ、SiC感温抵抗体膜２の膜厚は約２μｍであ
つた。こののち、上記Au−Pt厚膜電極膜３上に
Ag−Cu共晶ロウ材もしくは純Agロウ材５（約20
μｍ厚さ）とTi箔６（約100μｍ厚さ）とをこの
順序で積層し、真空中で最高温度約800℃で、２
〜３分間加熱した。冷却後、Ti箔６の接続強度
（アルミナ基板１に対して垂直方向）は500ｇ以
上、また接続面積は約２mm2（Au−Pt厚膜電極膜
３の面積とほぼ同じ面積）であつた。またTi箔
６をロウ付接続した薄膜サーミスタに空気中500
℃室温水中の熱衝撃を1000サイクル印加した後に
おいても接続強度は500ｇ以上を示した。更にTi
箔６に代えてZr箔を用いても同様の結果を得た。
極膜３を形成し、このAu−Pt厚膜電極膜３に少
なくとも一部が重なるようにSiC感温抵抗体膜２
を形成した。Au−Pt厚膜電極膜３の膜厚は約15
μｍ、SiC感温抵抗体膜２の膜厚は約２μｍであ
つた。こののち、上記Au−Pt厚膜電極膜３上に
Ag−Cu共晶ロウ材もしくは純Agロウ材５（約20
μｍ厚さ）とTi箔６（約100μｍ厚さ）とをこの
順序で積層し、真空中で最高温度約800℃で、２
〜３分間加熱した。冷却後、Ti箔６の接続強度
（アルミナ基板１に対して垂直方向）は500ｇ以
上、また接続面積は約２mm2（Au−Pt厚膜電極膜
３の面積とほぼ同じ面積）であつた。またTi箔
６をロウ付接続した薄膜サーミスタに空気中500
℃室温水中の熱衝撃を1000サイクル印加した後に
おいても接続強度は500ｇ以上を示した。更にTi
箔６に代えてZr箔を用いても同様の結果を得た。
すなわち、上記Au−Pt厚膜電極膜３上に純Ag
ロウ材５（約20μｍ厚）とZr箔（約100μｍ厚
さ）とをこの順序で積層し、窒素雰囲気で最高温
度約1000℃で２〜３分間加熱した。そして冷却し
た後、Zr箔の接続強度を調べたところ、Zr箔の接
続強度は、初期的にも、また上記と同様な熱衝撃
後も、Ti箔を同様、500ｇ以上を示した。
ロウ材５（約20μｍ厚）とZr箔（約100μｍ厚
さ）とをこの順序で積層し、窒素雰囲気で最高温
度約1000℃で２〜３分間加熱した。そして冷却し
た後、Zr箔の接続強度を調べたところ、Zr箔の接
続強度は、初期的にも、また上記と同様な熱衝撃
後も、Ti箔を同様、500ｇ以上を示した。
このように本発明の電極構成は耐熱性に優れる
と共に接続強度も実用上充分な強度を有すること
は明らかである。なお、リード線４はTi箔もし
くはZr箔６とロウ付法、溶接法により容易に接続
できる。
と共に接続強度も実用上充分な強度を有すること
は明らかである。なお、リード線４はTi箔もし
くはZr箔６とロウ付法、溶接法により容易に接続
できる。
通常、Au−Pt厚膜電極膜３にAg−Cu共晶ロウ
材もしくは純Agロウ材５をロウ付したとき、Au
−Pt厚膜電極膜３はAg−Cu共晶ロウ材もしくは
純Agロウ材５中に殆んど全量拡散し、Au−Pt厚
膜電極膜３が消滅し、リード線４を接続できな
い。しかし、本発明に示した通り、Ti箔もしく
はZr箔はAu−Pt厚膜電極膜３とロウ付接続でき
る。前述の如きロウ付作業時（真空中で最高温度
約800℃、２〜３分間加熱保持）に、Ti原子がAu
−Pt厚膜電極膜３およびAg−Cu共晶ロウ材もし
くは純Agロウ材５（またはAu−Pt厚膜電極膜３
とAg−Cu共晶ロウ材もしくは純Agロウ材５とが
相互に拡散し合つた層）を通つて拡散し、アルミ
ナ基板１の表面に到達し、そこで化学的結合力を
生じると考えられる。実際、ロウ付接続部の断面
に沿つてＸ線マイクアナライダーで組成分析した
ところ、アルミナ基板１の表面層約１μｍにわた
りTi原子が検出された。
材もしくは純Agロウ材５をロウ付したとき、Au
−Pt厚膜電極膜３はAg−Cu共晶ロウ材もしくは
純Agロウ材５中に殆んど全量拡散し、Au−Pt厚
膜電極膜３が消滅し、リード線４を接続できな
い。しかし、本発明に示した通り、Ti箔もしく
はZr箔はAu−Pt厚膜電極膜３とロウ付接続でき
る。前述の如きロウ付作業時（真空中で最高温度
約800℃、２〜３分間加熱保持）に、Ti原子がAu
−Pt厚膜電極膜３およびAg−Cu共晶ロウ材もし
くは純Agロウ材５（またはAu−Pt厚膜電極膜３
とAg−Cu共晶ロウ材もしくは純Agロウ材５とが
相互に拡散し合つた層）を通つて拡散し、アルミ
ナ基板１の表面に到達し、そこで化学的結合力を
生じると考えられる。実際、ロウ付接続部の断面
に沿つてＸ線マイクアナライダーで組成分析した
ところ、アルミナ基板１の表面層約１μｍにわた
りTi原子が検出された。
なお、感温抵抗体膜２の耐熱性は通常1000℃以
下であること、およびTi箔、Zr箔は酸化され易
いので、ロウ材は真空中（もしくは不活性雰囲気
中）でなされるが、このときロウ材の組成変化が
生じ難いことなどの理由により、ロウ材はAg−
Cu共晶ロウ材（融点約790℃）、純Agロウ材（融
点約960℃）を用いた。
下であること、およびTi箔、Zr箔は酸化され易
いので、ロウ材は真空中（もしくは不活性雰囲気
中）でなされるが、このときロウ材の組成変化が
生じ難いことなどの理由により、ロウ材はAg−
Cu共晶ロウ材（融点約790℃）、純Agロウ材（融
点約960℃）を用いた。
以上のように本発明によれば、耐熱性に優れ、
しかも充分な強度でリード線を接続することが可
能な電極を備えたサーミスタが得られる。
しかも充分な強度でリード線を接続することが可
能な電極を備えたサーミスタが得られる。
第１図は従来の薄膜サーミスタの構成を示す断
面図、第２図は本発明の薄膜サーミスタの構成を
示す断面図である。 １……絶縁基板、２……SiC感温抵抗体膜、３
……Au−Pt厚膜電極膜、４……リード線、５…
…Ag−Cu共晶ロウ材もしくは純Agロウ材、６…
…Ti箔。
面図、第２図は本発明の薄膜サーミスタの構成を
示す断面図である。 １……絶縁基板、２……SiC感温抵抗体膜、３
……Au−Pt厚膜電極膜、４……リード線、５…
…Ag−Cu共晶ロウ材もしくは純Agロウ材、６…
…Ti箔。
Claims (1)
- １ 絶縁基板上に感温抵抗体膜と電極膜とを形成
して成る薄膜サーミスタにおいて、前記電極膜に
Ti箔もしくはZr箔をAg−Cu共晶ロウ材もしくは
純Agロウ材によりロウ付接続したことを特徴と
する薄膜サーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56082256A JPS57196501A (en) | 1981-05-28 | 1981-05-28 | Thin film thermistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56082256A JPS57196501A (en) | 1981-05-28 | 1981-05-28 | Thin film thermistor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57196501A JPS57196501A (en) | 1982-12-02 |
| JPS6236603B2 true JPS6236603B2 (ja) | 1987-08-07 |
Family
ID=13769360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56082256A Granted JPS57196501A (en) | 1981-05-28 | 1981-05-28 | Thin film thermistor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57196501A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62143719U (ja) * | 1986-03-07 | 1987-09-10 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63265403A (ja) * | 1987-04-23 | 1988-11-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜サ−ミスタ |
-
1981
- 1981-05-28 JP JP56082256A patent/JPS57196501A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62143719U (ja) * | 1986-03-07 | 1987-09-10 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57196501A (en) | 1982-12-02 |
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