JPS593206A - 微細パタ−ンの欠陥検出方法 - Google Patents
微細パタ−ンの欠陥検出方法Info
- Publication number
- JPS593206A JPS593206A JP57111929A JP11192982A JPS593206A JP S593206 A JPS593206 A JP S593206A JP 57111929 A JP57111929 A JP 57111929A JP 11192982 A JP11192982 A JP 11192982A JP S593206 A JPS593206 A JP S593206A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- hologram
- reference light
- recorded
- signal wave
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B9/00—Measuring instruments characterised by the use of optical techniques
- G01B9/02—Interferometers
- G01B9/021—Interferometers using holographic techniques
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明はダイナミックRA M等のVLS I ’に搭
載する集積回路基板の回路パターンの欠陥検出法に係り
、ホログラフィ顕微鏡及びコーヒレントなレーザ光を用
いて倍角波面に生ずる干渉縞の有無による欠陥検出法に
関する。
載する集積回路基板の回路パターンの欠陥検出法に係り
、ホログラフィ顕微鏡及びコーヒレントなレーザ光を用
いて倍角波面に生ずる干渉縞の有無による欠陥検出法に
関する。
(b) 技術の背景
近年集積回路基板は微細加工技術及びパッシベーション
技術の進展に伴い、益々高密度集積され描画される導体
パターンも0.2〜0.5μm程度まで微細化が実現さ
れつ\あり、基板上の欠陥検出は目視では勿論のこと、
顕微鏡を用いた拡大チェックも限界に来ておシ、シかも
高倍率のレチクル上の微小塵埃でも基板上に再現される
ため作業環境は特に厳しくしているが欠陥を生ずること
がある0 従ってパターン回路上の欠陥を早期発見及び除去するこ
とは特に高集積半導体装置には重要な課題となっている
。
技術の進展に伴い、益々高密度集積され描画される導体
パターンも0.2〜0.5μm程度まで微細化が実現さ
れつ\あり、基板上の欠陥検出は目視では勿論のこと、
顕微鏡を用いた拡大チェックも限界に来ておシ、シかも
高倍率のレチクル上の微小塵埃でも基板上に再現される
ため作業環境は特に厳しくしているが欠陥を生ずること
がある0 従ってパターン回路上の欠陥を早期発見及び除去するこ
とは特に高集積半導体装置には重要な課題となっている
。
(c) 従来技術と問題点
ステップアンドリピート転写方式の縮小投影光学系装置
1−1.ボji像系の単位画面面積が広くない場合に有
効であムCPU’i活用した設計技術の進歩とガラス技
術の向上によシ極限にまで収差全補正することがi:I
]′能で、その結像性能は光学系の開口率を大きくする
ことによって有効に作用する。
1−1.ボji像系の単位画面面積が広くない場合に有
効であムCPU’i活用した設計技術の進歩とガラス技
術の向上によシ極限にまで収差全補正することがi:I
]′能で、その結像性能は光学系の開口率を大きくする
ことによって有効に作用する。
現在使用される縮小投影形の露光装置では1μmのパタ
ーン形成ができ1.5μ慴デザインルールの超LSIの
高解像性ヲ廟し、これに見合う位置合せ可能の精度を有
し且つ自動化されている。
ーン形成ができ1.5μ慴デザインルールの超LSIの
高解像性ヲ廟し、これに見合う位置合せ可能の精度を有
し且つ自動化されている。
レチクルの配置を鉛IMとし塵埃付着を予防し集積回路
基板上に角現される欠陥の発生防止に考慮しているが、
大気中に浮遊する微細粒子の付着によ!11g1.細パ
ターンに欠陥を生ずる。
基板上に角現される欠陥の発生防止に考慮しているが、
大気中に浮遊する微細粒子の付着によ!11g1.細パ
ターンに欠陥を生ずる。
欠陥チェックの方法としては通常顕微鏡による目視検査
を行なっているが日常作業と1〜では人為的な限界に米
ておシ改善が期待されている。
を行なっているが日常作業と1〜では人為的な限界に米
ておシ改善が期待されている。
(d) 発明の目的
本発明の目的は上記の点に鑑み、パターン形成された石
英基板に電流密度の小さいレーザ光を照射して得られる
信号波面Aをホログラム乾板に焼付け、基準となるレチ
クル上の信号波面Bとを比較干渉させて石英基板のパタ
ーン欠陥を検知するパターン欠陥検出法の提供にある。
英基板に電流密度の小さいレーザ光を照射して得られる
信号波面Aをホログラム乾板に焼付け、基準となるレチ
クル上の信号波面Bとを比較干渉させて石英基板のパタ
ーン欠陥を検知するパターン欠陥検出法の提供にある。
(e) 発明の構成
上記目的は本発明によれば所定のパターンが縮小投影露
光されて形成された第1のパターンを光学的に拡大し、
拡大された該第1のパターンの情報が記録された第1の
ホログラムと該所定のパターンを光学的に拡大し、拡大
された第2のパターンの情報が記録された第2のホログ
ラムとに蕗照光を照射し、該第1および第2のホログラ
ムから生ずる波m1ヲ干渉させて得られる干渉縞に基づ
いて該第1のパターンの欠陥を検出することによって達
せられる。
光されて形成された第1のパターンを光学的に拡大し、
拡大された該第1のパターンの情報が記録された第1の
ホログラムと該所定のパターンを光学的に拡大し、拡大
された第2のパターンの情報が記録された第2のホログ
ラムとに蕗照光を照射し、該第1および第2のホログラ
ムから生ずる波m1ヲ干渉させて得られる干渉縞に基づ
いて該第1のパターンの欠陥を検出することによって達
せられる。
(f) 発明の実施例
以下本発明の実施例舌−図面によシ詳述する。第1図は
本発明に用いられるホログラフィ顕微鏡を示す構成図で
ある。縮小投影露光装置によってレチクル上の潜像f:
1匂生しエツチング処理された石英基板1(ウェハ)を
顕微鏡2を介して乾板3に適亘の倍率に拡大し焼付現像
してホログラムを形成する。即ちレーザ光源4からのレ
ーザ光を偏光器5を介して分岐させ第1反射鏡6によシ
反射レーザ光をコンデンサレンズ7を透過させパターン
3− 形成された石英基板1からの信号波面A′を任意の倍率
で拡大する。前述したように石英基板1に形成されるパ
ターンとレチクル上に描画されるパターン寸法比は1:
10’iなすから10倍率で焦点合せを行なう。
本発明に用いられるホログラフィ顕微鏡を示す構成図で
ある。縮小投影露光装置によってレチクル上の潜像f:
1匂生しエツチング処理された石英基板1(ウェハ)を
顕微鏡2を介して乾板3に適亘の倍率に拡大し焼付現像
してホログラムを形成する。即ちレーザ光源4からのレ
ーザ光を偏光器5を介して分岐させ第1反射鏡6によシ
反射レーザ光をコンデンサレンズ7を透過させパターン
3− 形成された石英基板1からの信号波面A′を任意の倍率
で拡大する。前述したように石英基板1に形成されるパ
ターンとレチクル上に描画されるパターン寸法比は1:
10’iなすから10倍率で焦点合せを行なう。
一方分岐され第2反射鏡8、レンズ系9を介して入射さ
れるレーザ光は参照光波面A′″をなすものである。こ
れら信号波面A′と参照光波面A″とを干渉させそれを
乾板3に記録することによりホログラムが得られる。こ
のように石英基板1に顕微鏡2全通して拡大し、その拡
大された像の波面を信号波として取扱うものである。
れるレーザ光は参照光波面A′″をなすものである。こ
れら信号波面A′と参照光波面A″とを干渉させそれを
乾板3に記録することによりホログラムが得られる。こ
のように石英基板1に顕微鏡2全通して拡大し、その拡
大された像の波面を信号波として取扱うものである。
第2図は本発明のパターン欠陥検出をレーザ光による干
渉波面によって行なう検出法を説明するだめの図である
。
渉波面によって行なう検出法を説明するだめの図である
。
レーザ光の特徴はコヒーレント(波長と位相がそろって
いる)であシ、単色性にすぐれ、指向性があり広がり角
が非常に小さい。史に光学系を使ってレーザ光を集束し
たときパワー密度を広範囲Vこ食えることができる。こ
\で用いるレーザ光は4− パワー密度はあま9必要としないHe −N e又はA
rイオンレーザ等の気体レーザ光を用いる。
いる)であシ、単色性にすぐれ、指向性があり広がり角
が非常に小さい。史に光学系を使ってレーザ光を集束し
たときパワー密度を広範囲Vこ食えることができる。こ
\で用いるレーザ光は4− パワー密度はあま9必要としないHe −N e又はA
rイオンレーザ等の気体レーザ光を用いる。
第1図で示した乾板(第1図3参照)上に映像したホロ
グラム11を試料とし、一方同一倍率に拡大された基準
パターン12を対向させる。
グラム11を試料とし、一方同一倍率に拡大された基準
パターン12を対向させる。
ホログラム11に記録された波面はレーザ光IJl+L
2によって再生されその状態を記録しておき与えられた
基準パターン120波面と記録しておいたホログラム1
1の波面とを干渉させれば、二つの波面間の変化が干渉
縞となって測定できることに着目したものである。例え
ば基準パターン12と被試料のホログラム11を図のよ
うに対向させ、参照光束13(ΣR)で照射する。これ
によってホログラム11の信号波面14(Σ0)が再生
され、基準パターン12からの信号波面15(Σ)と干
渉して干渉縞ができる。
2によって再生されその状態を記録しておき与えられた
基準パターン120波面と記録しておいたホログラム1
1の波面とを干渉させれば、二つの波面間の変化が干渉
縞となって測定できることに着目したものである。例え
ば基準パターン12と被試料のホログラム11を図のよ
うに対向させ、参照光束13(ΣR)で照射する。これ
によってホログラム11の信号波面14(Σ0)が再生
され、基準パターン12からの信号波面15(Σ)と干
渉して干渉縞ができる。
この方法は三元線束干渉法で必要な標準波面(Σ)を求
めホログラム11の再生波面の干渉縞を観測することに
よってホログラムの欠陥パターン′fP材a出寸Ad1
σ)f々[G翔へ位−山伏φ(βめrllで姦ム→−き
な利点がある。
めホログラム11の再生波面の干渉縞を観測することに
よってホログラムの欠陥パターン′fP材a出寸Ad1
σ)f々[G翔へ位−山伏φ(βめrllで姦ム→−き
な利点がある。
一般にホトマスク製作時におけるレチクルの作成(一般
に10倍画像)は設計図全ディジタイザで読み取り情報
デープ化するか、またはテープが供給され直接パターン
ゼネレータでレチクル作成をするシステム利用が多くな
っており、場合によってはこのレチクル欠陥検出にも利
用でき応用範囲に広い。
に10倍画像)は設計図全ディジタイザで読み取り情報
デープ化するか、またはテープが供給され直接パターン
ゼネレータでレチクル作成をするシステム利用が多くな
っており、場合によってはこのレチクル欠陥検出にも利
用でき応用範囲に広い。
(@)発り1の効果
以上計細に説明したように本発明のレーザ光を照射して
干渉縞を観測し高密度集積回路基板の微細パターン欠陥
が検出できるため従来に比して検出精度は向上し早期発
見が可能となp生産性は著しく向上する。
干渉縞を観測し高密度集積回路基板の微細パターン欠陥
が検出できるため従来に比して検出精度は向上し早期発
見が可能となp生産性は著しく向上する。
第1図は本発明の笑施例であるホログラフィ顕微鏡を示
す楊成図、 第2図は本発明のパターン欠陥検出をレーザ光による干
渉波面によって行なう検出法を説明するだめの図である
。 図において、1は石英基板、2は顕微鏡、3は乾板、4
はレーザ光源、5は偏光器、6は第1反射鏡、7はコン
デンサレンズ、8は第2反射鏡、9はレンズ系、11は
ホログラム、12は基準パターン、13け参照光束(Σ
R)、14は信号波面(ΣO)、15け信号波71ji
(Σ)會示す。 第1 図 那2 図
す楊成図、 第2図は本発明のパターン欠陥検出をレーザ光による干
渉波面によって行なう検出法を説明するだめの図である
。 図において、1は石英基板、2は顕微鏡、3は乾板、4
はレーザ光源、5は偏光器、6は第1反射鏡、7はコン
デンサレンズ、8は第2反射鏡、9はレンズ系、11は
ホログラム、12は基準パターン、13け参照光束(Σ
R)、14は信号波面(ΣO)、15け信号波71ji
(Σ)會示す。 第1 図 那2 図
Claims (1)
- 所定のパターンが縮小投影露光されて形成された第1の
パターンを光学的に拡大し、拡大された該第1のパター
ンの情報が記録された第1のホログラムと該所定のパタ
ーンを光学的に拡大し、拡大された第2のパターンの情
報が記録された第2のホログラムとに参照光を照射し、
該第1および第2のホログラムから生ずる波面を干渉さ
せて得られる干渉縞に基づいて該第1のパターンの欠陥
全検出すること1r:%:徴とする微細パターンの欠陥
検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57111929A JPS593206A (ja) | 1982-06-29 | 1982-06-29 | 微細パタ−ンの欠陥検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57111929A JPS593206A (ja) | 1982-06-29 | 1982-06-29 | 微細パタ−ンの欠陥検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS593206A true JPS593206A (ja) | 1984-01-09 |
Family
ID=14573660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57111929A Pending JPS593206A (ja) | 1982-06-29 | 1982-06-29 | 微細パタ−ンの欠陥検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS593206A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60235424A (ja) * | 1984-04-24 | 1985-11-22 | エスヴィージー・リトグラフィー・システムズ・インコーポレイテッド | ウエハパターンとこのウエハ上に投影されたマスクパターンとの間のオーバレイ誤差測定装置 |
| CN106871811A (zh) * | 2017-01-21 | 2017-06-20 | 西安交通大学 | 基于变角度无透镜傅里叶数字全息的物体三维形貌测量装置及方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4859372A (ja) * | 1971-11-29 | 1973-08-20 |
-
1982
- 1982-06-29 JP JP57111929A patent/JPS593206A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4859372A (ja) * | 1971-11-29 | 1973-08-20 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60235424A (ja) * | 1984-04-24 | 1985-11-22 | エスヴィージー・リトグラフィー・システムズ・インコーポレイテッド | ウエハパターンとこのウエハ上に投影されたマスクパターンとの間のオーバレイ誤差測定装置 |
| CN106871811A (zh) * | 2017-01-21 | 2017-06-20 | 西安交通大学 | 基于变角度无透镜傅里叶数字全息的物体三维形貌测量装置及方法 |
| CN106871811B (zh) * | 2017-01-21 | 2019-02-05 | 西安交通大学 | 基于变角度无透镜傅里叶数字全息的物体三维形貌测量装置及方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5098191A (en) | Method of inspecting reticles and apparatus therefor | |
| JP3458139B2 (ja) | パターニングされた基板の光学検査用装置 | |
| US6636311B1 (en) | Alignment method and exposure apparatus using the same | |
| US4741622A (en) | Method and apparatus for detecting diversion | |
| EP0114524A1 (en) | Production of high performance optical spatial filters | |
| US4212536A (en) | Holographic subtraction with phase modulation to distinguish phase and amplitude differences | |
| JPH0362299B2 (ja) | ||
| JP3209645B2 (ja) | 位相シフトマスクの検査方法およびその方法に用いる検査装置 | |
| CN119985504B (zh) | 一种基于双通道光学成像的晶圆缺陷检测系统 | |
| US5504596A (en) | Exposure method and apparatus using holographic techniques | |
| US4626103A (en) | Focus tracking system | |
| JP2019200277A (ja) | Euvマスク検査装置及びeuvマスク検査方法 | |
| Petrov et al. | Electronic speckle pattern interferometry with a holographically generated reference wave | |
| JPS593206A (ja) | 微細パタ−ンの欠陥検出方法 | |
| JPS61260211A (ja) | 自動異物検出方法及びその装置 | |
| JPH0560253B2 (ja) | ||
| JPS63200042A (ja) | パタ−ン欠陥検査方法及び装置 | |
| JPH0682381A (ja) | 異物検査装置 | |
| JPS60256002A (ja) | 位置検出装置 | |
| JP3443197B2 (ja) | フォトマスクの検査方法およびフォトマスクの検査装置 | |
| JPH06104158A (ja) | 位置検出装置 | |
| JPS6386429A (ja) | X線マスクのひずみ測定法 | |
| JPH07239305A (ja) | フーリエ変換光学系装置 | |
| JPS6340316A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH07286831A (ja) | パターン比較検査方法及び装置 |