JPS5933455A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPS5933455A JPS5933455A JP14262282A JP14262282A JPS5933455A JP S5933455 A JPS5933455 A JP S5933455A JP 14262282 A JP14262282 A JP 14262282A JP 14262282 A JP14262282 A JP 14262282A JP S5933455 A JPS5933455 A JP S5933455A
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- Japan
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- photoreceptor
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0675—Azo dyes
- G03G5/0679—Disazo dyes
- G03G5/0683—Disazo dyes containing polymethine or anthraquinone groups
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0622—Heterocyclic compounds
- G03G5/0624—Heterocyclic compounds containing one hetero ring
- G03G5/0627—Heterocyclic compounds containing one hetero ring being five-membered
- G03G5/0629—Heterocyclic compounds containing one hetero ring being five-membered containing one hetero atom
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子写真用の感光体に関し、更に詳しくけ、光
を照射したとき電荷担体を発生する物質(以下、電荷発
生物質と言う。)を含む層(以下、電荷発生層と貫う。
を照射したとき電荷担体を発生する物質(以下、電荷発
生物質と言う。)を含む層(以下、電荷発生層と貫う。
)と電荷発生層が発生した電荷]t]体を受は入れ、こ
れを搬送する物質(以下、@荷搬送物質と−5゜)を含
む層(以下、電荷抛送層と言う。)からなる積層型の電
子写真感光体に関する。
れを搬送する物質(以下、@荷搬送物質と−5゜)を含
む層(以下、電荷抛送層と言う。)からなる積層型の電
子写真感光体に関する。
従来、電子写真用の感光体として、無機物系のものでは
セレン及びその合金を用いたもの、あるいは色素増感し
た酸化亜鉛を結着樹脂中に分散した感光体などがあり、
また有機物系のものでは、2,4.7−)ジニトロ−9
−フルオレノン(以下、T’NFと言う9゜)とポリ−
N−ビニルカルバゾール(以下、pVKと町う。)との
電荷移動錯体を用いたものなどが代表的なものである。
セレン及びその合金を用いたもの、あるいは色素増感し
た酸化亜鉛を結着樹脂中に分散した感光体などがあり、
また有機物系のものでは、2,4.7−)ジニトロ−9
−フルオレノン(以下、T’NFと言う9゜)とポリ−
N−ビニルカルバゾール(以下、pVKと町う。)との
電荷移動錯体を用いたものなどが代表的なものである。
しかし、これらの感光体は多くの長所を持っていると同
時に、さまざまな欠点を持っていることも事実である。
時に、さまざまな欠点を持っていることも事実である。
例えば、現存広く用いられているセレン感光体は製造す
る条件がむずかしく、製造コストが高かったり、可撓性
かないためにRルト状に加工することがむずかしく、ま
た熱や機械的な衝撃に鋭敏なため取扱いに注意を要する
。また酸化亜鉛感光体は安価な酸化亜鉛を用いて支持体
への塗布で製造するととが出来るためコストは低いが、
一般に感度が低かったり、表面の平滑性、硬度、引っ張
り強度、耐摩擦性などの機械的な欠点があり1通常反復
して使用する普通紙複写機用の感光体としては面1久性
などに問題が多い。また%TNFとPVKの電荷移動錯
体を用いた感光体は感度が低く、高速複写機用の感光体
としては不適当である。
る条件がむずかしく、製造コストが高かったり、可撓性
かないためにRルト状に加工することがむずかしく、ま
た熱や機械的な衝撃に鋭敏なため取扱いに注意を要する
。また酸化亜鉛感光体は安価な酸化亜鉛を用いて支持体
への塗布で製造するととが出来るためコストは低いが、
一般に感度が低かったり、表面の平滑性、硬度、引っ張
り強度、耐摩擦性などの機械的な欠点があり1通常反復
して使用する普通紙複写機用の感光体としては面1久性
などに問題が多い。また%TNFとPVKの電荷移動錯
体を用いた感光体は感度が低く、高速複写機用の感光体
としては不適当である。
近年、これらの感光体の欠点を排除するために広範な研
究が進められ、特に有機物系のさまさ0まブ、C感光体
が提案されている。中でも有機顔料の薄膜を導電性支持
体上((形成しく電荷発生層)、この上に電荷搬送物質
を主体とする層(電荷搬送層)を形成した積1の型の感
光体が従来の有機物系の感光体に比べ、一般に感度が高
く帯電性が安定しているととブfどの点から普通紙複写
機用の感光体として注目されており、一部実用に供され
ているものがある。
究が進められ、特に有機物系のさまさ0まブ、C感光体
が提案されている。中でも有機顔料の薄膜を導電性支持
体上((形成しく電荷発生層)、この上に電荷搬送物質
を主体とする層(電荷搬送層)を形成した積1の型の感
光体が従来の有機物系の感光体に比べ、一般に感度が高
く帯電性が安定しているととブfどの点から普通紙複写
機用の感光体として注目されており、一部実用に供され
ているものがある。
この種の従来の積層型の感光体として、(1)電荷発生
層としてペリレン誘導体を真空蒸着した薄層を用い、電
荷搬送層にオキサジアゾール誘導体を用いたもの(米国
特許第3871882 号公報参照)、 (2)電荷発生層としてクロルダイアンブルーの有機ア
ばン溶液を塗布して形成した薄層を用い、電荷搬送層に
ヒドラゾン化合物を用いたもの(特公昭55−4238
0号公報参照)、(3)電荷発生層としてジスチリルベ
ンゼン系ジスアゾ化合物の有機溶媒分散液を塗布して形
成した薄層を用い、電荷搬送層にヒドラゾン化合物を用
いたもの(特開昭55−84943号公報参照) などが知られている。
層としてペリレン誘導体を真空蒸着した薄層を用い、電
荷搬送層にオキサジアゾール誘導体を用いたもの(米国
特許第3871882 号公報参照)、 (2)電荷発生層としてクロルダイアンブルーの有機ア
ばン溶液を塗布して形成した薄層を用い、電荷搬送層に
ヒドラゾン化合物を用いたもの(特公昭55−4238
0号公報参照)、(3)電荷発生層としてジスチリルベ
ンゼン系ジスアゾ化合物の有機溶媒分散液を塗布して形
成した薄層を用い、電荷搬送層にヒドラゾン化合物を用
いたもの(特開昭55−84943号公報参照) などが知られている。
−しかしながら、この1の積層型の感光体においても従
来のものは多くの長所を持っていると同時にさまさまな
欠点を持っていることも事実である。
来のものは多くの長所を持っていると同時にさまさまな
欠点を持っていることも事実である。
(1)で示したペリレン誘導体とオキサジアゾール誘導
体を用いた感光体は、その電荷発生層を真空蒸着により
形成するため壌造コストが高くなる。
体を用いた感光体は、その電荷発生層を真空蒸着により
形成するため壌造コストが高くなる。
(2)で示したクロルダイアンブルーとヒドラゾン化合
物を用いた感光体は、電荷発生層を形成するための塗布
溶剤として、一般圧取り扱いにくい有機アミン(たとえ
ばエチレンジアミン)を用いる必要があり、感光体作成
上の欠点が多い。また、その可視域の感光波長域が訃よ
そ450〜660nmに亘っているため、赤色原稿の画
像再現性が悪かった。そのため、実際に複写機に実装す
る場合は赤色光をカットするフィルターが必要であり、
複写機設計上の不利がある。
物を用いた感光体は、電荷発生層を形成するための塗布
溶剤として、一般圧取り扱いにくい有機アミン(たとえ
ばエチレンジアミン)を用いる必要があり、感光体作成
上の欠点が多い。また、その可視域の感光波長域が訃よ
そ450〜660nmに亘っているため、赤色原稿の画
像再現性が悪かった。そのため、実際に複写機に実装す
る場合は赤色光をカットするフィルターが必要であり、
複写機設計上の不利がある。
(3)で示したジスチリルベンゼン系ジスアゾ化合物と
ヒドラゾン化合物を用いた感光体は、ジスアゾ化合物の
分散液の塗布により容易K[荷発生層を形成できること
から製造上は大変有利なものであるが、(2)の感光体
と同様に、その感光波長域がおよそ450〜70″On
mに亘っているため赤色原稿の画像再坊、性が悪いとい
う欠点を有している。
ヒドラゾン化合物を用いた感光体は、ジスアゾ化合物の
分散液の塗布により容易K[荷発生層を形成できること
から製造上は大変有利なものであるが、(2)の感光体
と同様に、その感光波長域がおよそ450〜70″On
mに亘っているため赤色原稿の画像再坊、性が悪いとい
う欠点を有している。
本発明者は、以上の欠点に鑑み、容易に製造でき、また
その感光波長域が短波長領域にある(すなわち、赤色原
稿の画像再現性にすぐれた)積層型の感光体を開発する
ことを目的として鋭意検討を重ねた結果、ある特定のジ
スアゾ化合物を電荷発生物(^とじて用いて間荷発生W
tを構成した積層型の感怨体7呪−ヒ記目的を達成し5
るということを知見し、本発明を完成したものである。
その感光波長域が短波長領域にある(すなわち、赤色原
稿の画像再現性にすぐれた)積層型の感光体を開発する
ことを目的として鋭意検討を重ねた結果、ある特定のジ
スアゾ化合物を電荷発生物(^とじて用いて間荷発生W
tを構成した積層型の感怨体7呪−ヒ記目的を達成し5
るということを知見し、本発明を完成したものである。
すなわち、本発明の電子写真感光体は、導電性支持体上
に電荷発生層および電荷搬送層を設けた積層型の電子写
真感光体において、前記電荷発生層が一般式(I) 以下余白 (式中、Xは置換もしくは無置換の芳香環またはへテロ
環を表わし、Arは餞拗もしくは無置換の芳香環または
へテロ環Cを表わす。)で表わされるジスアゾ化合物を
含むI¥1からなることを特徴とする。一般式(1)の
Xにおける芳香環の具体例としてはベンゼン場、ナフタ
レン項などが挙げられ、−テtJ9の十−り体側として
はインドール環、カルバゾール環、ベンゾフラン環など
が挙り1られる。また、 Arにおける芳香環の具体例
として−はベンゼンUへナフクレン坦ブよどが挙げられ
、ベテロ環の具体例としてはジ4ンゾフラン壌、カルバ
ゾール環などが挙げられる。
に電荷発生層および電荷搬送層を設けた積層型の電子写
真感光体において、前記電荷発生層が一般式(I) 以下余白 (式中、Xは置換もしくは無置換の芳香環またはへテロ
環を表わし、Arは餞拗もしくは無置換の芳香環または
へテロ環Cを表わす。)で表わされるジスアゾ化合物を
含むI¥1からなることを特徴とする。一般式(1)の
Xにおける芳香環の具体例としてはベンゼン場、ナフタ
レン項などが挙げられ、−テtJ9の十−り体側として
はインドール環、カルバゾール環、ベンゾフラン環など
が挙り1られる。また、 Arにおける芳香環の具体例
として−はベンゼンUへナフクレン坦ブよどが挙げられ
、ベテロ環の具体例としてはジ4ンゾフラン壌、カルバ
ゾール環などが挙げられる。
また、上記用の置換基としては低級アルキル基、低級ア
ルコキシル基、ジアルキルアミノ基、ハロゲン、ニトロ
基、シアン基、カルゼキシル基またはそのエステル、ハ
ロメチル基、スルホン基またはその塩またはエステルな
どが挙げられる。
ルコキシル基、ジアルキルアミノ基、ハロゲン、ニトロ
基、シアン基、カルゼキシル基またはそのエステル、ハ
ロメチル基、スルホン基またはその塩またはエステルな
どが挙げられる。
本発明の積層型感光体は、その製造が容易であり、また
、その感光波長領域が短波長領域(450〜600nm
)にあるので、複写機用の感光体としてすぐれたもので
ある。
、その感光波長領域が短波長領域(450〜600nm
)にあるので、複写機用の感光体としてすぐれたもので
ある。
以下1本発明についてさらに詳細に説、明する。
まず1本発明で電荷発生層に用いられ電荷発生物質、す
なわち前記一般式(Ilで表わされるジスアゾ化合物の
具体例を示せば次の通りである。
なわち前記一般式(Ilで表わされるジスアゾ化合物の
具体例を示せば次の通りである。
以下余白
工
工 匡 工 工 エ エ 工 匡 工
工 工 工 工 匡 匡C1an
〜 の 寸 の Φ ト 鎖 o O
−へ 閃 寸1−I F−1−+ +
+ +−+1m −ヘ ヘ 〜 ヘ
ヘ1 工 工 工 国 工 エ 国 匡 タ 工 工 工 匡
国 国0N=N−A 隘 A□ 上記のジスアゾ化合物は、市販の1,5−ジアミノアン
トラキノン(例えば東京化成工業株式会社より試薬とし
て市販されている)を常法によりジアゾ化して得られる
テトラゾニウム塩と、対応するカップラー(ナフトール
AS類)トを適当な有機溶媒、たとえばN、N−ジメチ
ルホルムアミド(DMF )中で塩基を作用させてカッ
プリング反応を行なうことKよって容易に製造すること
ができる。その例として、以下に前記隆1−13のジス
アゾ化合物の製造例を示すが、他のジスアゾ化合物もカ
ップラーを変える他はこの製造例にしたがって容易に製
造することができる。
工 工 工 工 匡 匡C1an
〜 の 寸 の Φ ト 鎖 o O
−へ 閃 寸1−I F−1−+ +
+ +−+1m −ヘ ヘ 〜 ヘ
ヘ1 工 工 工 国 工 エ 国 匡 タ 工 工 工 匡
国 国0N=N−A 隘 A□ 上記のジスアゾ化合物は、市販の1,5−ジアミノアン
トラキノン(例えば東京化成工業株式会社より試薬とし
て市販されている)を常法によりジアゾ化して得られる
テトラゾニウム塩と、対応するカップラー(ナフトール
AS類)トを適当な有機溶媒、たとえばN、N−ジメチ
ルホルムアミド(DMF )中で塩基を作用させてカッ
プリング反応を行なうことKよって容易に製造すること
ができる。その例として、以下に前記隆1−13のジス
アゾ化合物の製造例を示すが、他のジスアゾ化合物もカ
ップラーを変える他はこの製造例にしたがって容易に製
造することができる。
製造例
1.5−シアばノアントラキノン4.76 frに36
%塩酸34++tJを加え、この混合物を約θ℃まで冷
却した。これ忙97%岨硝酸ナトリウム3.0gを水1
0m1に溶解しよ溶液を、約15分間で、0〜5℃にて
滴下した。滴下終了後、約θ℃でさらに30分間攪拌し
たのち、若干の不溶物な除くために反応混合物を濾過し
た。ついで、F液Vc42%HBF4 約xomtを加
え、析出した沈澱を戸数し、メタノールで洗浄した。得
られた結晶を減圧下に乾燥して淡褐色のアントラキノン
−1,5−ビスジアゾニウムピステトラフルオロゼレー
ト8.461rを得た。
%塩酸34++tJを加え、この混合物を約θ℃まで冷
却した。これ忙97%岨硝酸ナトリウム3.0gを水1
0m1に溶解しよ溶液を、約15分間で、0〜5℃にて
滴下した。滴下終了後、約θ℃でさらに30分間攪拌し
たのち、若干の不溶物な除くために反応混合物を濾過し
た。ついで、F液Vc42%HBF4 約xomtを加
え、析出した沈澱を戸数し、メタノールで洗浄した。得
られた結晶を減圧下に乾燥して淡褐色のアントラキノン
−1,5−ビスジアゾニウムピステトラフルオロゼレー
ト8.461rを得た。
赤外線吸収スペクトル(KBr錠剤法)νNP2300
Cm − vCo 1695 crn−上
記のようにして得たテトラゾニウム塩2.18trh
ヨヒ2−ヒドロキシー3−フェニルカルツマモイルナフ
タレン(ナフトールAs)2.63#rをDMF300
mrに溶解し、これに酢酸ナトリウム1.64JFrを
水−44mlに溶解した溶液を室温(約20℃)にて約
5分間滴下した。滴下終了後同温度でさらに2時間攪拌
してから析出している結晶を戸数した。次に、この結晶
に300m/のDMFを加え80℃で2時間攪拌した後
、再び結晶を戸数し、さらにこの操作を2回繰り返した
。その後、結晶を水洗し、減圧下に80℃で乾燥した。
Cm − vCo 1695 crn−上
記のようにして得たテトラゾニウム塩2.18trh
ヨヒ2−ヒドロキシー3−フェニルカルツマモイルナフ
タレン(ナフトールAs)2.63#rをDMF300
mrに溶解し、これに酢酸ナトリウム1.64JFrを
水−44mlに溶解した溶液を室温(約20℃)にて約
5分間滴下した。滴下終了後同温度でさらに2時間攪拌
してから析出している結晶を戸数した。次に、この結晶
に300m/のDMFを加え80℃で2時間攪拌した後
、再び結晶を戸数し、さらにこの操作を2回繰り返した
。その後、結晶を水洗し、減圧下に80℃で乾燥した。
赤色の粉末として2.71 lIr (69,0%)の
ジスアゾ化合物J%1−13を得た。
ジスアゾ化合物J%1−13を得た。
融 点−300℃以上
元素分析結果
実測値 計算値
C% 73.57 73.27H% 3.
82 3.85 N % 10.4:2 10.68赤外線吸収
スペクトル(KBr錠剤法)νNH(第2アミド)
325ottn−’νc0 1675C
1n−1本発明は電荷発生層の1「1荷発生物質として
上記の一般式(1)で表わされるジスアゾ化合物を用い
ることを骨子とするものであり、電荷搬送層に用いられ
る電荷(投込物質は特に間わな℃・が、その代表例を示
せば次の通りである。
82 3.85 N % 10.4:2 10.68赤外線吸収
スペクトル(KBr錠剤法)νNH(第2アミド)
325ottn−’νc0 1675C
1n−1本発明は電荷発生層の1「1荷発生物質として
上記の一般式(1)で表わされるジスアゾ化合物を用い
ることを骨子とするものであり、電荷搬送層に用いられ
る電荷(投込物質は特に間わな℃・が、その代表例を示
せば次の通りである。
(1)一般式(II)で衰わされるヒドラゾン化合物〔
式中%R1はメチル基、エチル基sz−ヒトoキシエチ
ル基又は2−クロルエチル基ヲ表わし、R1はメチル基
、エチル基、ベンジル基又はフェニル基を表わし、R3
は水素。
式中%R1はメチル基、エチル基sz−ヒトoキシエチ
ル基又は2−クロルエチル基ヲ表わし、R1はメチル基
、エチル基、ベンジル基又はフェニル基を表わし、R3
は水素。
塩素、臭素、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4
のアラルキル基、ジアルキルアミノ基又はニトロ基を表
わす。〕 (2)一般式(ホ)で表わされるヒドラゾン化合物1( 〔式中、、A’&’?ナフタリン環、アントラセン環ス
チリル基及びそれらの置換体、あるいはピリジン環、フ
ラン手、千オフエン環を幾わし、Rは炭素数1〜4のア
ルギル基又はベンジル基を表わす。〕 (3)一般式IV)で表わされるヒドラゾン化合物〔式
中、R1* R1e R3@ Ej4は水素、炭素数1
〜3のアルキル基、炭素数1〜3のアルコキシ基、ジア
ルキルアミノ基又はジベンジルアミノ基を表わしs R
8は、炭素数1〜4のアルキル基又はベンジル基を表、
1)す。〕(4)一般式(v)で表わされるヒドラゾン
化合物〔式中hR1eR茸、 R3,■14は水素、炭
素数1〜3のアルキル基、炭素数1〜3のアルコキシ基
、置換もしくは無置換のジアルキルアミノ基、ジベンジ
ルアミノ基又はハロゲン原子を表わす。〕 (5)一般式(VJで表わされるジアリールメタン化合
物 C式中、 R1は炭素数1〜11のアルギル基。
のアラルキル基、ジアルキルアミノ基又はニトロ基を表
わす。〕 (2)一般式(ホ)で表わされるヒドラゾン化合物1( 〔式中、、A’&’?ナフタリン環、アントラセン環ス
チリル基及びそれらの置換体、あるいはピリジン環、フ
ラン手、千オフエン環を幾わし、Rは炭素数1〜4のア
ルギル基又はベンジル基を表わす。〕 (3)一般式IV)で表わされるヒドラゾン化合物〔式
中、R1* R1e R3@ Ej4は水素、炭素数1
〜3のアルキル基、炭素数1〜3のアルコキシ基、ジア
ルキルアミノ基又はジベンジルアミノ基を表わしs R
8は、炭素数1〜4のアルキル基又はベンジル基を表、
1)す。〕(4)一般式(v)で表わされるヒドラゾン
化合物〔式中hR1eR茸、 R3,■14は水素、炭
素数1〜3のアルキル基、炭素数1〜3のアルコキシ基
、置換もしくは無置換のジアルキルアミノ基、ジベンジ
ルアミノ基又はハロゲン原子を表わす。〕 (5)一般式(VJで表わされるジアリールメタン化合
物 C式中、 R1は炭素数1〜11のアルギル基。
置換もしくけ非1覆換のフェニル基又は複素環基を表わ
し、R* e R3はそれぞれ同一でも異なっていても
よく水素、炭素数1−4のアルキル基、ヒドロヤシアル
キル基、クロルアルキル基、置換又は非置換のアラルキ
ル基を表わし、また、R2とR3は互いに結合し窒素を
含む複素環を形成していてもよい64 R44R5はそ
れぞれ同一でも異なっていてもよく水素、炭素数1〜4
のアルキル基、アルコキシ基又はハロゲンを表わす。〕
(6)一般式MOで表わされるアントラセン化合物〔式
中、肉は水素又はハロゲン原子を表わし。
し、R* e R3はそれぞれ同一でも異なっていても
よく水素、炭素数1−4のアルキル基、ヒドロヤシアル
キル基、クロルアルキル基、置換又は非置換のアラルキ
ル基を表わし、また、R2とR3は互いに結合し窒素を
含む複素環を形成していてもよい64 R44R5はそ
れぞれ同一でも異なっていてもよく水素、炭素数1〜4
のアルキル基、アルコキシ基又はハロゲンを表わす。〕
(6)一般式MOで表わされるアントラセン化合物〔式
中、肉は水素又はハロゲン原子を表わし。
R2t?水素−’ 炭素数1〜4のアルキル基、炭素数
1〜4のアルコキシ基、ジアルキルアミノ基又は置換も
しくは非置換のジアラルキルアミノ基を表わし、R3は
、水素、炭素数1〜4のアルギル基又はハロゲン原子を
表わす。〕 (7)一般式(■)で表わされるフルオレン、化合物〔
式中R1は水素、ハロゲン、シ゛r)基、炭素数1〜4
のアルコキシ基又は炭素数1〜4のアルキル基を表わし
、Arは 4 6 R1e R8e R1+は、水素、炭素数1〜4のit
イ換もしくは無置換のアルキル基又は置換もしくは無置
換のベンジル基を表わし* R4* R。
1〜4のアルコキシ基、ジアルキルアミノ基又は置換も
しくは非置換のジアラルキルアミノ基を表わし、R3は
、水素、炭素数1〜4のアルギル基又はハロゲン原子を
表わす。〕 (7)一般式(■)で表わされるフルオレン、化合物〔
式中R1は水素、ハロゲン、シ゛r)基、炭素数1〜4
のアルコキシ基又は炭素数1〜4のアルキル基を表わし
、Arは 4 6 R1e R8e R1+は、水素、炭素数1〜4のit
イ換もしくは無置換のアルキル基又は置換もしくは無置
換のベンジル基を表わし* R4* R。
は、水素、ハロゲン、炭素数1〜4のアルキル基、炭素
数1〜4のアルコキシ基又はジアルキルアミノ基を表わ
す。〕 (8)一般式代で辰わされるジビニルベンゼン化合!吻 〔式中、Rはカルバゾリル基、ピリジル基。
数1〜4のアルコキシ基又はジアルキルアミノ基を表わ
す。〕 (8)一般式代で辰わされるジビニルベンゼン化合!吻 〔式中、Rはカルバゾリル基、ピリジル基。
チェニル基、インドリル基、フリル基或いはそれぞれ置
換もしくけ非置換のフェニル基、スチリル基、ナフチル
基またはアントリル基であって、これらの賎換基がジ了
ルキルアミノ基、炭紫数1〜4のアルキル基、炭素数1
〜4のアルコキシ基、・・ロゲン原子、アラルキルアミ
7基、N−′γルキルーN−アラルキルアミノ基訃よび
アミノ基からなる群から選ばれた基を表わす。〕 (9)一般式内で表わされるピラゾリン化合物〔式中、
R1v侮、R3は水素、炭素数1〜4のアルキル基、炭
素数]〜4のアルコキシ基。
換もしくけ非置換のフェニル基、スチリル基、ナフチル
基またはアントリル基であって、これらの賎換基がジ了
ルキルアミノ基、炭紫数1〜4のアルキル基、炭素数1
〜4のアルコキシ基、・・ロゲン原子、アラルキルアミ
7基、N−′γルキルーN−アラルキルアミノ基訃よび
アミノ基からなる群から選ばれた基を表わす。〕 (9)一般式内で表わされるピラゾリン化合物〔式中、
R1v侮、R3は水素、炭素数1〜4のアルキル基、炭
素数]〜4のアルコキシ基。
シアルギルアミン基またはハロゲン原子を表わし、nは
0または1ヶ表わす。〕 上記の電荷搬送物質の具体列を示せば次の通りである。
0または1ヶ表わす。〕 上記の電荷搬送物質の具体列を示せば次の通りである。
以下余白
−3(
特開昭59−33455(8)
−NLN−\−NLNCM’−NCNC’JC%118
開昭59−33455(9) = 工 Q 1)工 1) = 工 国 工
国 国ゴ ゴ O1! 出 国 工 工
国) 〉 □ −へ cQ 寸 11′)
■・ ロ 00 0 0
0+11111 特開昭53−詞4ab (10) + + +−+ 囚 へ N 凶
へ へ へ へ 凶 へ工
工 国 国 工 工 工 田工 1)
0 工 国 (1) 工 国Z
0 1 1 0 ト ■ ■ 0 − へ のカ
の 円 の 寸 寸 寸 寸
−−−H−−−− 1111j l I I Cq へ C4ぐ4 へ 凶 C
4ヘ11 1)国 1)国 = 工 工 閃 工 工 工 閃 田
国 工 丑 匡 工
国 工 工! 1) 国 =
工 丑 1) 工○ 00 (X) Go
ω (OIIX) (X)
’X+C%lLNLNCMCNCM、C’4
ぐ4国 国 頭 丑 1) 国 工 丑
1) 国工 丑 ○ し 1 田 ■ 0: 国 −へ 1 特開昭59−33455 (13) ■Φ−へ ぐ叩0ト ++ 61 へ へ べ
へ べ へ 凶へ
囚 へ 凶 へ
国 包 へ
〉1++−qyvLNCNC’JCQ(’IC4e
Jc4CNC’JCJ匡 1) 匡
丑 工 工 工 エ
工 国 田丑 工 1) 1) 1) 閃 工
国 工 、 国 工○ 工 1) 1) 国 丑 工 国 国 1
) 1) 工 工 田0 − へ n 寸
1 Φ ト ω ■ 〇 −囚1 Q の υ の ω e
n CQ隘
R I C!HII 陥 n R1f?、@2−322
0 −N< HCCaH 2H3 2−3240−QC)13 R23250
0e*11s R2−3260−Cf(3
H CCH5c、 H。
開昭59−33455(9) = 工 Q 1)工 1) = 工 国 工
国 国ゴ ゴ O1! 出 国 工 工
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■・ ロ 00 0 0
0+11111 特開昭53−詞4ab (10) + + +−+ 囚 へ N 凶
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工 国 国 工 工 工 田工 1)
0 工 国 (1) 工 国Z
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工 丑 1) 工○ 00 (X) Go
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’X+C%lLNLNCMCNCM、C’4
ぐ4国 国 頭 丑 1) 国 工 丑
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囚 へ 凶 へ
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R I C!HII 陥 n R1f?、@2−322
0 −N< HCCaH 2H3 2−3240−QC)13 R23250
0e*11s R2−3260−Cf(3
H CCH5c、 H。
2 3281 0C1H50(4H32−3
291−0CH3−OCH。
291−0CH3−OCH。
’2−330 1−CI(3−CH。
CHs CH3
上記の例示化合物の他、高分子物質では、l IJ−N
−ビニルカルツマソール、ハロゲン化−ポリ−N−ビニ
ルカルバゾール、ポリビニルピレン。
−ビニルカルツマソール、ハロゲン化−ポリ−N−ビニ
ルカルバゾール、ポリビニルピレン。
あるいはブロムピレン−ホルムアルデヒド縮合m脂、N
−エチルカルバゾール−ホルムアルデヒド縮合樹脂など
の縮合樹脂、また、低分子物質ではオキサゾール誘導体
、オキサジアゾール誘導体、フルオレノンのニトロ誘導
体などの既知の゛電荷搬送物質のいずれもが有効である
。
−エチルカルバゾール−ホルムアルデヒド縮合樹脂など
の縮合樹脂、また、低分子物質ではオキサゾール誘導体
、オキサジアゾール誘導体、フルオレノンのニトロ誘導
体などの既知の゛電荷搬送物質のいずれもが有効である
。
第1図は本発明の実施態様を示す電子写真感光体の拡大
断面図である。この感光体は導電性支持体11上に電荷
発生層22、電荷搬送層33を設けて感光層44を形成
するように構成されている。
断面図である。この感光体は導電性支持体11上に電荷
発生層22、電荷搬送層33を設けて感光層44を形成
するように構成されている。
本発明で用いられる導電性支持体としては。
アルミニウム、ニッケル、クロムなどからなる金属板、
金属ドラム又は金属箔、及びアルミニウム、酸化スズ、
酸化インジ、ウム、クロム、]ぞラジウムなどの薄層を
設けたプラスチックフィルム及び導電性物質を塗布又は
含浸させた紙又はプラスチックフィルムなどが用いられ
る。
金属ドラム又は金属箔、及びアルミニウム、酸化スズ、
酸化インジ、ウム、クロム、]ぞラジウムなどの薄層を
設けたプラスチックフィルム及び導電性物質を塗布又は
含浸させた紙又はプラスチックフィルムなどが用いられ
る。
電荷発生層は先に示した一般式(■)で表わされる特定
のジスアゾ化合物をゼールミルなどの手段により微細粒
子とし、遡当な溶剤中に分散した液、又は必要に応じて
これに結合剤樹脂を溶解した分散液を導電性支持体上に
塗布形成したものでa)りさらに必要によって、例えば
パフ研磨などの方法により表面仕上げをしたり、膜厚の
調整をしたものである。
のジスアゾ化合物をゼールミルなどの手段により微細粒
子とし、遡当な溶剤中に分散した液、又は必要に応じて
これに結合剤樹脂を溶解した分散液を導電性支持体上に
塗布形成したものでa)りさらに必要によって、例えば
パフ研磨などの方法により表面仕上げをしたり、膜厚の
調整をしたものである。
この雷、荷発生層の厚さは0.01〜5μm、好まシ、
<は005〜2μmでちり、電荷発生層中のジスアゾ化
合物の割合は10〜100重景%、好ましくは30〜9
5重噴%である。電荷発生層の膜厚がO,’01μガ1
以下では感度が悪く、5μm以上では電位の保持が悪い
。また電荷発生層中のジスアゾ顔料の割合が10重貴報
以下では感度が悪い。
<は005〜2μmでちり、電荷発生層中のジスアゾ化
合物の割合は10〜100重景%、好ましくは30〜9
5重噴%である。電荷発生層の膜厚がO,’01μガ1
以下では感度が悪く、5μm以上では電位の保持が悪い
。また電荷発生層中のジスアゾ顔料の割合が10重貴報
以下では感度が悪い。
電荷搬送層は前述した各種の電荷搬送層質と結合剤樹脂
とを適当な溶剤例えばテトラヒドロフランなどに溶解し
た溶液を前記7g、荷発生層上に塗布することKより形
成される。ここで電荷搬送層に含有される電荷搬送物質
の割合は10〜80重隊%、好ましくは25〜75重量
%であり、その膜厚は2〜100μm、好ましくは5〜
40μmである。電荷搬送層に含有される電荷搬送物質
の割合が10重量%以下では感度が悪く%80重景9以
上では膜が脆くなったり、結晶が析出し電荷搬送層が白
濁し、好ましくない。また電荷搬送層の厚さが5μm以
下では電位の保持が悪く、40μm以上では残留電位が
高くなる。
とを適当な溶剤例えばテトラヒドロフランなどに溶解し
た溶液を前記7g、荷発生層上に塗布することKより形
成される。ここで電荷搬送層に含有される電荷搬送物質
の割合は10〜80重隊%、好ましくは25〜75重量
%であり、その膜厚は2〜100μm、好ましくは5〜
40μmである。電荷搬送層に含有される電荷搬送物質
の割合が10重量%以下では感度が悪く%80重景9以
上では膜が脆くなったり、結晶が析出し電荷搬送層が白
濁し、好ましくない。また電荷搬送層の厚さが5μm以
下では電位の保持が悪く、40μm以上では残留電位が
高くなる。
ここで使用される電荷発生j−用の結合剤樹脂としては
、ポリエステル樹脂、ブチラール樹脂、エチルセルロー
ス樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、塩化ビニリデン
樹脂、ポ、リスチレン、s5 IJブタジェン、及びそ
れらの共重合体などがあげられ、それらは1種又は2種
以上の混合状態で用いられる。
、ポリエステル樹脂、ブチラール樹脂、エチルセルロー
ス樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、塩化ビニリデン
樹脂、ポ、リスチレン、s5 IJブタジェン、及びそ
れらの共重合体などがあげられ、それらは1種又は2種
以上の混合状態で用いられる。
また電荷搬送層用の結合剤樹脂としては、ポリカーゼネ
ート樹脂、ポリエステル樹脂、ボリスチマ/7.ポリウ
レタン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコン樹
脂及びそれらの共重合体などがあげられ、それらは1種
又は2種以上の混合状態で用いられる。
ート樹脂、ポリエステル樹脂、ボリスチマ/7.ポリウ
レタン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコン樹
脂及びそれらの共重合体などがあげられ、それらは1種
又は2種以上の混合状態で用いられる。
また、電荷搬送層には可擢性の向上あるいは耐久性の向
上などを目的として各種の添加剤を加えることができる
。この目的に使用される添加剤としては、ノ・ロゲノ化
パラフィン、ジアルキルフタレート、シリコンオイル等
があげられまた本発明の感光体にふ・いては、必要によ
り導電層と電荷発生層との中間にバリヤ層、電荷発生層
と電荷搬送層の中間に中間層、また電荷搬送層上にオー
ツ々コート層を設けることもできる。
上などを目的として各種の添加剤を加えることができる
。この目的に使用される添加剤としては、ノ・ロゲノ化
パラフィン、ジアルキルフタレート、シリコンオイル等
があげられまた本発明の感光体にふ・いては、必要によ
り導電層と電荷発生層との中間にバリヤ層、電荷発生層
と電荷搬送層の中間に中間層、また電荷搬送層上にオー
ツ々コート層を設けることもできる。
また、本発明にかかわる前記一般式(■)のジスアゾ化
合物は、結着剤樹脂(必要により、電荷搬送物質を加え
てもIい)中に、微細粒子として分散することにより分
散型の感光体として用いることもできる。
合物は、結着剤樹脂(必要により、電荷搬送物質を加え
てもIい)中に、微細粒子として分散することにより分
散型の感光体として用いることもできる。
本発明の構成(よ以上であり、後述する実施例からも明
らかな如く、水弁1(j4の電子写真感光体は製造が容
易であり、感光体の反復使用に対しても特性が安定であ
る等の優れた性質を有する。
らかな如く、水弁1(j4の電子写真感光体は製造が容
易であり、感光体の反復使用に対しても特性が安定であ
る等の優れた性質を有する。
次に本発明を実施例により具体的f説明するが、これに
より本発明の実施の態様が限定さ☆するものではない。
より本発明の実施の態様が限定さ☆するものではない。
実施例1
ジスアゾ化合物隨1−1を76重量部、d?ポリエステ
ル樹脂]々イロン200株式会社東洋紡績製)のテトラ
ヒドロフラン溶液(固形分濃度2%)1260重針部、
およびテトフヒドロフラン3700重量部をゼールミル
中で粉砕混合し、得られた分散液をアルミニウム蒸着し
たポリエステル4−ス(導電性支持体)のアルミ面上に
ドクターブレードを用いて塗布し、自然乾燥して、厚さ
約1μmの電荷発生層を形成した。
ル樹脂]々イロン200株式会社東洋紡績製)のテトラ
ヒドロフラン溶液(固形分濃度2%)1260重針部、
およびテトフヒドロフラン3700重量部をゼールミル
中で粉砕混合し、得られた分散液をアルミニウム蒸着し
たポリエステル4−ス(導電性支持体)のアルミ面上に
ドクターブレードを用いて塗布し、自然乾燥して、厚さ
約1μmの電荷発生層を形成した。
−子、 it荷搬送物質$ 2−327を2重量部、−
ポリカーゼネート樹脂(パンライトに1300゜株式会
社帝人#)2重量部およびテトラヒドロフラン16重量
部を混合溶解して溶液としたのち、これを前記電荷発生
層上にドクターブレードで塗布し80 ’C;で2分間
次1・で】00℃で5分間乾燥して厚さ約2071 t
nの電荷移動層を形成せしめ、第1図に示した積層型の
感)を体猶1を作成した。
ポリカーゼネート樹脂(パンライトに1300゜株式会
社帝人#)2重量部およびテトラヒドロフラン16重量
部を混合溶解して溶液としたのち、これを前記電荷発生
層上にドクターブレードで塗布し80 ’C;で2分間
次1・で】00℃で5分間乾燥して厚さ約2071 t
nの電荷移動層を形成せしめ、第1図に示した積層型の
感)を体猶1を作成した。
実施例2〜19
実施例1で用いたジスアゾ化合物隘1−1および電荷搬
送物質1412−327の代りに、後記の表−1に示す
ジスアゾ化合物および電荷搬送物質を用いた以外は実施
例1と同様にして感光体隔2〜19を作成し5た。
送物質1412−327の代りに、後記の表−1に示す
ジスアゾ化合物および電荷搬送物質を用いた以外は実施
例1と同様にして感光体隔2〜19を作成し5た。
これらの感光体隊1〜19について、静M1複写紙試験
装置((株)川口電接製作所製、SP 428型)を用
いて、−6KVのコロナ放電を20秒間行なって負に帯
電せしめた後、20秒間暗所に放置し、その時の表面電
位Vpo (V)を1lll+定し、次いでタングステ
ンランプによってその表面が照度20ルツクスになZ)
ようにして光を照射しその表面電位がVpoの%になる
までの時間(秒)を求め、欝光量E3A、(ルックス・
秒)を算出した。
装置((株)川口電接製作所製、SP 428型)を用
いて、−6KVのコロナ放電を20秒間行なって負に帯
電せしめた後、20秒間暗所に放置し、その時の表面電
位Vpo (V)を1lll+定し、次いでタングステ
ンランプによってその表面が照度20ルツクスになZ)
ようにして光を照射しその表面電位がVpoの%になる
までの時間(秒)を求め、欝光量E3A、(ルックス・
秒)を算出した。
その結果を表−1に示す。
さらに1本発明感光体の繰返し使用忙対する耐久性を調
べるために、本発明の感光体重6を株式会社リコー製複
写機リコー−P−500に装着l、て画像出しをio、
ooo回繰り返した。
べるために、本発明の感光体重6を株式会社リコー製複
写機リコー−P−500に装着l、て画像出しをio、
ooo回繰り返した。
その結果、10,000回繰返し後においても鮮明な画
像が得られた。このことにより、本発明の感光体が耐久
性においても極めて優れたものであることが理解できる
であろう。
像が得られた。このことにより、本発明の感光体が耐久
性においても極めて優れたものであることが理解できる
であろう。
第1図は本発明の電子写真感光体の構成例を示す拡大断
面図である。
面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、 導電性支持体上に電荷発生層および電荷搬送層を
有する積層型の電子写真感光体において、前記軍、荷発
生層が一般式(I) (式中、Xは置換もしくは無置換の芳香環またはへテロ
環を表わし、Arは置換もしくは無置換の芳香環または
へテロ環を表わす。)で表わされるジスアゾ化合物を含
む層からなることを特徴とする電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14262282A JPS5933455A (ja) | 1982-08-19 | 1982-08-19 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14262282A JPS5933455A (ja) | 1982-08-19 | 1982-08-19 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5933455A true JPS5933455A (ja) | 1984-02-23 |
Family
ID=15319616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14262282A Pending JPS5933455A (ja) | 1982-08-19 | 1982-08-19 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5933455A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6278561A (ja) * | 1985-10-02 | 1987-04-10 | Canon Inc | 電子写真感光体 |
-
1982
- 1982-08-19 JP JP14262282A patent/JPS5933455A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6278561A (ja) * | 1985-10-02 | 1987-04-10 | Canon Inc | 電子写真感光体 |
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