JPS61246754A - 電子写真用感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 狡亙分災 本発明は電子写真用の感光体に関し、さらに詳しくは、
光を照射したとき電荷担体を発生する物質（以下「電荷
発生物質」という）としてジスアゾ顔料を含有する感光
層を設けた電子写真用感光体に関する。

災米技揉 電子写真用の感光体として、無機物系のものではセレン
及びその合金を用いたもの、あるいは色素増感した酸化
亜鉛を結着樹脂中に分散した感光体などが、また有機物
系のものでは２゜４．７−ドリニトロー９−フルオレノ
ン（以下ｒＴＮＦＪという）とポリ−Ｎ−ビニルカルバ
ゾール（以下ｒＰＶＫＪという）との電荷移動錯体を用
いたものなどが代表的なものとして知られている。

しかし、これらの感光体は多くの長所を持っていると同
時に、さまざまな欠点を持っている。

例えば、現在広く用いられているセレン感光体は製造す
る条件がむずかしく、製造コストが高かったり、可撓性
がないためにベルト状に加工することがむずかしく、ま
た熱や機械的な衝撃に鋭敏なため取扱いに注意を要する
。酸化亜鉛感光体は安価な酸化亜鉛を用いて支持体への
塗布で製造することが出来るためコストは低いが、一般
に感度が低かったり、表面の平滑性、硬度。

引っ張り強度、耐摩擦性などの機械的な欠点があり１通
常反復して使用する普通紙複写機用の感光体としては耐
久性などに問題が多い、また、ＴＮＦとＰＶＫとの電荷
移動錯体を用いた感光体は感度が低く、高速複写機用の
感光体としては不適当である。

近年、これらの感光体の欠点を排除するために広範な研
究が進められ、特に有機物系のさまざまな感光体が提案
されている。中でも、有機顔料の薄膜を導電性支持体上
に形成しく電荷発生層）、　この上に電荷搬送物質を主
体とする層（電荷搬送層）を形成した積層型の感光体が
従来の有機物系の感光体に比べ、一般の感度が高く帯電
性が安定していることなどの点から普通紙複写機用の感
光体として注目されており、一部実用に供されているも
のがある。

この種の従来の積層型の感光体として。

（１）　　電荷発生層としてペリレン誘導体を真空蒸着
した薄層を用い、電荷搬送層にオキサジアゾール誘導体
を用いたもの（Ｕ　Ｓ　Ｐ　３８７１８８２参照） （２）電荷発生層としてクロルダイアンブルーの有機ア
ミン溶液を塗布して形成した薄層を用い、電荷搬送層に
ヒドラゾン化合物を用いたもの（特公昭５５−４２３８
０号公報参照）などが知られている。。

しかしながら、この種の積層型の感光体においても従来
のものは多くの長所を持っていると同時にさまざまな欠
点をもっていることも事実である。即ち１次のごとき欠
点である。

（１）　　で示したペリレン誘導体とオキサジアゾール
誘導体とを用いた感光体は、その電荷発生層を真空蒸着
により形成するため製造コストが高くなる。

（２）で示したクロルダイアンブルーとヒドラゾン化合
物とを用いた感光体は、電荷発生層を形成するための塗
布溶剤として、一般に取り扱いにくい有機アミン（例え
ばエチレンジアミン）を用いる必要があり、感光体作成
上の欠点が多い。

且−一五 本発明は前述の従来の欠点を克服した感光体を提供する
ことを目的とする。

１−一腹 本発明の電子写真用感光体は、導電性支持体上に、電荷
発生物質として下記一般式（１）で示されるジスアゾ顔
料を含有する感光層を設けたことを特徴とするものであ
る。

Ａ−Ｎ＝Ｎ　−ｅ−Ｎ　−＠−Ｎ＝Ｎ−Ａ（式中、Ａは
カップラー残基を表わす）ちなみに１本発明者は前記従
来の欠点に鑑み。

容易に製造でき高感度で、しかも感光波長域が短波長領
域にある（すなわち、赤色原稿の画像再現性にすぐれた
）電子写真用感光体を開発することを目的として鋭意検
討を重ねた結果、一般式（りで表わされる特定のジスア
ゾ化合物を電荷発生物質として用いることにより、上記
の目的が達成できることを見い出したのであって、本発
明はそれに基づいて完成されたものである。

一般式（りにおけるカップラーとしては、たとえばフェ
ノール類、ナフトール類などの水酸基を有する芳香族炭
化水素化合物及び水酸基を有する複素環式化合物、アミ
ノ基を有する芳香族炭化水素化合物及びアミノ基を有す
る複素環式化合物、アミノナフトール類などの水酸基及
びアミノ基を有する芳香族炭化水素化合物及び複素環式
化合物、脂肪族もしくは、芳香族のエノール性ケトン基
を有する化合物（活性メチレン基を有する化合物）など
が用いられ、好ましくは、カップラー残基Ａが下記一般
式（Ｕ）、（ＩＩＩ）、　（ＩＶ）、　（Ｖ）、（ＶＩ
）、　（■）、（■）、（ＩＸ）、（Ｘ）、　（ＸＩ）
、　（刈）の一般式で表わされるものである。

’Ｚ”　”Ｚ” 〔上記式（ＩＩ）、（ｍ）、（ＩＶ）および（Ｖ）中、
Ｘ＃　Ｙｚｙ　Ｚｔ　ｍおよびｎはそれぞれ以下のもの
を表わす。

（Ｒ□およびＲ２は水素または置換もしくは無置換のア
ルキル基を表わし、Ｒ１ は置換もしくは無置換のアルキル基ま たは置換もしくは無置換の７リール基 を表わす、） Ｙｌ：水素、ハロゲン、置換もしくは無置換のアルキル
基、置換もしくは無置換の アルコキシ基、カルボキシ基、スルホ 基、置換もしくは無置換のスルファモ イル基または一〇〇Ｎ−Ｙ。

（Ｒ４は水素、　アルキル基またはその置換体、フェニ
ル基またはその置換体を 表わし、　Ｙヨは炭化水素環基またはその置換体、複素
環基またはその置換体。

パ１ 水素環基またはその置換体、複素環基 またはその置換体あるいはスチリル基 またはその置換体、Ｒ６は水素、　アルキル基、フェニ
ル基またはその置換体 を表わすか、あるいはＲ１及びＲ６はそれらに結合する
炭素原子と共に環を形 成してもよい、）を示す、） ２：炭化水素環またはその置換体あるいは複素環または
その置換体 ｎ：１または２の整数 ｍ：１または２の整数〕 〔式（Ｖｌ）および（■）中、Ｒ７は置換もしくは無置
換の炭化水素基を表わし、又は前記に同じである。〕 Ａｒ。

［式中、Ｒ，はアルキル基、カルバモイル基、カルボキ
シル基またはそのエステルを表わし、Ａｒ１は炭化水素
環基またはその置換体を表わし、又は前記と同じである
。〕 〔上記式（Ｗ）および（Ｘ）中、Ｒ１は水素または置換
もしくは無置換の炭化水素基を表わし、Ａｒｃは炭化水
素環基またはその置換体を表わす、〕 前記一般式（ＩＩ）、（ｍ）、（ＩＶ）または（Ｖ）の
２の炭化水素環としてはベンゼン環、ナフタレン環など
が例示でき、また複素環としてはインドール環、カルバ
ゾール環、ベンゾラン環などが例示できる。Ｚの環にお
ける置換基としては塩素原子、臭素原子などのハロゲン
原子及びアルコキシ基が例示できる。

Ｙ２またはＲ１における炭化水素環基としては、フェニ
ル基、ナフチル基、アントリル基、ピレニル基などが、
また、複素環基としてはピリジル基、チェニル基、フリ
ル基、インドリル基、ベンゾフラニル基、カルバゾリル
基、ジベンゾフラニル基などが例示でき、　さらに、Ｒ
８およびＲ６が結合して形成する環としては、　フルオ
レン環などが例示できる。

Ｙ２またはＲ５の炭化水素環基または複素環基あるいは
Ｒ５およびＲ６によって形成される環における置換基と
しては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基な
どのアルキル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、ブトキシ基などのアルコキシ基、塩素原子、臭素原
子などのハロゲン原子、ジメチルアミノ基、ジエチルア
ミノ基などのジアルキルアミノ基、ジベンジルアミノ基
などのジアラルキル、アミノ基、トリフルオロメチル基
などのハロメチル基、ニトロ基、シアノ基、カルボキシ
ル基またはそのエステル、水酸基、−ＳＯ，Ｎａなとの
スルホン酸塩基などが挙げられる。

Ｒ４のフェニル基の置換体としては塩素原子または臭素
原子などのハロゲン原子が例示できる。

Ｒ７またはＲ，における炭化水素基の代表例としては、
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアル
キル基、ベンジル基窪どのアラルキル基、フェニル基な
どのテリール基またはこれらの置換体が例示できる。

Ｒ７またはＲ９の炭化水素基における置換基としては、
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアル
キル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブト
キシ基などのアルコキシ基、塩素原子、臭素原子などの
ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基などが例示できる。

ＡｒよまたはＡｒ２における炭化水素環基としては、フ
ェニル基、ナフチル基などがその代表例であり、また、
これらの基における置換基としては、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基などのアルキル基、メトキシ
基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基などのアル
コキシ基、ニトロ基、塩素原子、臭素原子などのハロゲ
ン原子、シアノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ
基などのジアルキルアミノ基などが例示できる。

また、Ｘの中では特に水酸基が適当である。

上記カップラー残基の中でも好ましいのは上記一般式（
ＩＩＩ）、（ＶＩ）、（■）、（■）、（ＩＫ）および
（Ｘ）で示されるものであり、　この中でも一般式にお
けるＸが水酸基のものが好ましい、また、この中でも一
般式（Ｘ［） （ｙ　１およびＺは前記に同じ、） で表わされるカップラー残基が好ましく、さらに好まし
くは一般式 （ｚ、　ｙ、およびＲ２は前記に同じ、）で表わされる
カップラー残基である。

さらにまた、上記好ましいカップラー残基の中でも一般
式（ＸＩＩＩ）または（ＸＩＶ）ＨＯＣ０ＮＨＮ＝Ｃ Ｌ （Ｚ、Ｒ，、Ｒ，およびＲ６は前記に同じであり、また
Ｒ１．とじては上記のＹ２の置換基が例示できる。） で表わされるものが適当である。

以上のような本発明に用いるジスアゾ顔料の具体例を構
造式で示すと次の通りである。

（以下余白） （以下余白） （以下余白） 以下余白） （以下余白） （以下余白） （以下余白） （以下余白） 以上のような本発明のジスアゾ顔料を用いることにより
高感度な電子写真用感光体が容易に製造できる。

本発明のジスアゾ顔料は、市販品として入手出来る（例
えば東京化成工業株式会社より市販されている。）４．
４’−ジアミノジフェニルアミンを常法によりジアゾ化
してテトラゾニウム塩とし、このテトラゾニウム塩と対
応するカップラーとを適当な有機溶媒たとえばＮ、Ｎ−
ジメチルホルムアミド中で塩基を作用させてカップリン
グ反応を行なうことによって容易に製造することができ
る。その例として以下に前記魔７４ジスアゾ顔料の製造
例を示すが、他のジスアゾ顔料もカップラーを変える他
はこの製造例に従って容易に製造することができる。

製造例 テトラゾニウム塩の　′ 水２２８ｍ　１１と濃塩酸３７．５−Ｑとより成る塩酸
中へ４，４′−ジアミノジフェニルアミン硫酸塩１８゜
２９ｇ及び塩化カルシウム７．６ｇを加え、充分に攪拌
した後、０℃まで冷却し、　次いで、　これに亜硝酸ナ
トリウム９．３９ｇを水７６ｍ　Ｑに溶解した溶液を０
℃の温度で２０分間にわたり滴下した。その後、同温度
で３０分間攪拌した後１反応液を濾過し、この濾液に４
２％硼弗化水素酸７０ｍ　４１を添加し、析出した結晶
を枦別し、メタノール洗浄し、乾燥して粗製のビスジア
ゾニウムビステトラフルオロボレート１ｓ、ｚ７ｇ（収
率６６．７％）を得た。

次にこの粗製品を本釣２００ｍ１より再結晶し、精製品
１２．５５ｇ（収率５１．４％）を黄色針状晶として得
た。

赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒディスク）は、２２５０
ｃｍ−”にＮ２゜に基づく吸収帯が、３３５０ｃｇａ−
”にＮＨに基づく吸収帯が認められた。

ジアゾニム　Ｎα７４の　゛ 前記テトラゾニウム塩０．９９ｇとカップリング成分と
して２−ヒドロキシ−３−フェニルカルバモイルＩＬＨ
−ベンゾ（ａ）カルバゾール１．７６、（テトラゾニウ
ム塩の２倍モル）とを、冷却したＮ。

Ｎ−ジメチルホルムアミド１５０層Ｑ中に溶解し、これ
に酢酸ナトリウムＯＪ２ｇおよび水７ｍΩからなる溶液
を５〜１０℃の温度で５分間にわたって滴下し、冷却を
中止した後、さらに室温で３時間攪拌した。その後、生
成した沈澱を枦取し。

８０℃に加熱したＮ、Ｎ−ジメチルホルムアミド２００
ｍ　Ｉｌ、で３回洗浄し、次に水２００ｒｍ　Ｑで２回
洗浄し、８０℃で２＋＋＋ｍＨｇの減圧下に乾燥して１
表−１の化合物Ｎａ１４のジスアゾ化合物１．９０ｇ　
（収率８２．３％）を得た。このジスアゾ化合物の外観
はＳ紫黒色の粉末であり、赤外線吸収スペクトル（ＫＢ
ｒＢｒ法）は第３図に示した。

本発明の電子写真用感光体ではジスアゾ顔料は感光層に
おける電荷発生物質として用いられ、二の同光体の代表
的な構成を第１図および第２図に示した。

第１図の感光体は、導電性支持体１１上に、ジスアゾ顔
料１３を主体とする電荷発生層１５と電荷搬送物質を主
体とする電荷搬送層１７とからなる積層型の感光層１９
１を設けたものである。

第１図の感光体では、像露光された光は電荷搬送層を透
過し、電荷発生層１５に到達し、その部分のジスアゾ顔
料１３で電荷の生成が起こり、一方、電荷搬送層１７は
電荷の注入を受けその搬送を行なうもので、光減衰に必
要な電荷の生成はジスアゾ顔料１３で行なわれ、また電
荷の搬送は電荷搬送層１７でというメカニズムである。

第２図の同光体は導電性支持体１１上に主としてジスア
ゾ顔料１３、電荷搬送物質および絶縁性結合剤からなる
感光層１９２を設けたものである。

ここでもジスアゾ顔料１３は電荷発生物質である。

その他の感光体として第１図に電荷発生層と電荷搬送層
を逆にすることも可能である。

感光層の厚さは、第１図のもので電荷発生層１５の厚み
は好ましくは０．０１〜５μさらに好ましくは０．０５
〜２μである。この厚さが０．０１μ以下であると電荷
の発生は十分ではなく、また５μ以上であると残留電位
が高く実用に耐えない。

電荷搬送層１７の厚さは好ましくは３〜５０μ、さらに
好ましくは５〜２０μである。この厚さが３μ以下であ
ると帯電量が不十分であり、５０１以上であると残留電
位が高く実用的ではない。

電荷発生層１５は前記の一般式で示されるジスアゾ顔料
を主体とし、さらに結合剤、可塑剤などを含有すること
ができる。また、電荷発生層中のジスアゾ顔料の割合は
好ましくは３０重量％以上、さらに好ましくは５０重量
％以上である。

電荷搬送層１７は電荷搬送物質と結合剤を主体とし、さ
らに可塑剤などを含有することができる。電荷搬送層中
の電荷搬送物質の割合は１０〜９５重量％、好ましくは
３０〜９０重量％である。電荷搬送物質の占める割合が
１０重量％未満であると、電荷の搬送はほとんど行なわ
れず、また９５重量％以上であると感光体皮膜の機械的
強度が極めて悪く実用に供しえない。

第２図に示した感光体の場合は、感光層１９２の厚さは
好ましくは３〜５０μ、さらに好ましくは５〜２０μで
ある。また、感光体１９２中のジスアゾ顔料の割合は好
ましくは５０重量％以下、さらに好ましくは２０重量％
以下であり、また電荷搬送物質の割合は好ましくは１０
〜９５重量％、さらに好ましくは３０〜９０重景％であ
る。

本発明は、電子写真用感光体における電荷発生物質とし
て、前記一般式（Ｉ）で表わされる特定のジスアゾ顔料
を用いることを骨子とするものであり、導電性支持体、
電荷搬送物質など他の構成要素としては従来知られてい
たもののいずれもが使用できるが、それらについて以下
に具体的に説明する。

本発明の感光体において使用される導電性支持体として
は、アルミニウム、を亜鉛等の金属板、ポリエステル等
のプラスチックシートまたはプラスチックフィルムにア
ルミニウム、ＳｎＯ□等の導電材料を蒸着したもの、あ
るいは導電処理した紙等が使用される。

結合剤としては、ポリアミド、ポリウレタン。

ポリエステル、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボ
ネートなどの縮合系樹脂やポリビニルケトン、ポリスチ
レン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリアクリルア
ミドなどのビニル重合体などが挙げられるが、絶縁性で
且つ接着性のある樹脂は全て使用できる。

可塑剤としては、ハロゲン化パラフィン、ポリ塩化ビフ
ェニル、ジメチルナフタレン、ジブチルフタレートなど
が挙げられる。その他感光体の表面性をよくするために
シリコンオイル等を加えてもよい。

電荷搬送物質には正孔搬送物質と電子搬送物質がある。

正孔搬送物質としては、たとえば以下の一般式（１）〜
（１１）に示されるような化合物が例示できる。

Ｒ□、。

〔式中、　Ｒ１□はメチル基、エチル基、２−ヒドロキ
シエチル基又は２−クロルエチル基を表わし、　Ｒ１２
ｓはメチル基、エチル基、ベンジル基又はフェニル基を
表わし、Ｒ１□は水素、塩素、臭素、炭素数１〜４のア
ルキル基、炭素数１〜４のアルコキシル基、ジアルキル
アミノ基又はニトロ基を表わす。〕Ａｒ３−ＣＨ＝Ｎ−
Ｎ−◎ １４ｓ 〔式中、Ａｒ、はナフタレン環、アントラセン環、スチ
リル基及びそれらの置換体あるいはピリジン環、フラン
環、チオフェン環を表すし、　Ｒ１４ｓはアルキル基又
はベンジル基を表おす。〕 Ｒｌｓ。

〔式中、　Ｒｌｏはアルキル基、ベンジル基、フェニル
基、ナフチル基を表わし、　Ｒ１゜は水素、炭素数１〜
３のアルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基、ジアル
キルアミノ基、ジアラルキルアミノ基またはジアリール
アミノ基を表おし、ｎは１〜４の整数を表わし、ｎが２
以上のときはＲｏ、は同じでも異なっていてもよい、Ｒ
１□、は水素またはメトキシ基を表わす。〕 〔式中、　Ｒ□□は炭素数１〜１１のアルキル基。

置換もしくは無置換のフェニル基又は複素環基を表わし
、Ｒ１□Ｒ２゜、はそれぞれ同一でも異なっていてもよ
く水素、炭素数１〜４のアルキル基、ヒドロキシアルキ
ル基。

クロルアルキル基、置換又は無置換のアラルキル基を表
わし、また、Ｒ１□とＲ２゜５は互いに結合し窒素を含
む複素環を形成していてもよい。Ｒ２□、は同一でも異
なっていてもよく水素、炭素数１〜４のアルキル基、ア
ルコキシ基又はハロゲンを表わす。〕Ｒ２□ 〔式中、　Ｒ２□５は水素またはハロゲン原子を表わし
、Ａｒ４は置換または無置換のフェニル基、ナフチル基
、アントリル基あるいはカルバゾリル基を表わす。〕 〔式中、Ｒ１３，は水素、ハロゲン、シアノ基、炭素数
１〜４のアルコキシ基または炭素数１〜４のアルキル基
を表わしＡｒｓは Ｒ２７゜ 表わし、　Ｒ２４５は炭素数１〜４のアルキル基を表わ
し、Ｒ２５，は水素、ハロゲン、炭素数１〜４のアルキ
ル基、炭素数１〜４のアルコキシ基またはジアルキルア
ミノ基を表わし、ｎは１または２であって、ｎが２のと
きはＲ２，５は同一でも異なってもよく、Ｒ２５ｓおよ
びＲ２７５は水素、炭素数１〜４の置換または無置換の
アルキル基あるいは置換または無置換のベンジル基を表
わす。〕〔式中、Ｒ２，５及びＲｏ、はカルバゾリル基
。

ピリジル基、チェニル基、インドリル基。

フリル基或いはそれぞれ置換もしくは非置換のフェニル
基、スチリル基、ナフチル基またはアントリル基であっ
て、これらの置換基がジアルキルアミノ基、アルキル基
。

アルコキシ基、カルボキシ基またはそのエステル、ハロ
ゲン原子、シアノ基、アラルキルアミノ基、Ｎ−アルキ
ル−Ｎアラルキルアミノ基、アミノ基、ニトロ基および
アセチルアミノ基からなる群から選ばれた基を表わす、
〕 （以下余白） Ｒ，Ｏ。

〔式中、　Ｒ１゜、は低級アルキル基またはベンジル基
を表わし、　Ｒ１４，は水素原子、低級アルキル基、低
級アルコキシ基、ハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基あ
るいは低級アルキル基またはベンジル基で置換されたア
ミノ基を表わし、ｎは１または２の整数を表わす。〕 〔式中、Ｒ３２Ｓは水素原子、アルキル基、アルコキシ
基またはハロゲン原子を表わし、Ｒ３３５およびＲ２４
５はアルキル基、置換または無置換のアラルキル基ある
いは置換または無置換のアリール基を表わし、　Ｒ１５
，は水素原子または置換もしくは無置換のフェニル基を
表わし、また、Ａｒ、はフェニル基またはナフチル基を
表わす。〕 Ｃ＝　Ｃ−（−ＣＨ＝ＣＨ＋−Ａ□ 〔式中、ｎは０または１の整数、Ｒ３６，は水素原子、
アルキル基または置換もしくは無置換のフェニル基を示
し、Ａ４は ９−アントリル基または置換もしくは無置換のＮ−アル
キルカルバゾリル基を表わし、ここでＲ１７，は水素原
子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子または Ｒ３ｇ。

アルキル基、置換または無置換のアラルキル基、置換ま
たは無置換のアリール基を示し・Ｒ３ｍＧおよびＲ３，
、は環を形成してもよい）を表わし、ｍは０，１゜２ま
たは３の整数であって、　ｍが２以上にときはＲ１，５
は同一でも異なってもよい。〕 〔式中、Ｒ４０ＳＩ　Ｒ４１，およびＲ４２，は水素、
低級アルキル基、低級アルコキシ基、ジアルキルアミノ
基またはハロゲン原子を表わし、ｎは０または１を表わ
す。〕 一般式（１）で表わされる化合物には、たとえば９−エ
チルカルバゾール−３−アルデヒド。

１メチル−１−フェニルヒドラゾン、９−エチルカルバ
ゾール−３−アルデヒド１−ベンジル−１−フェニルヒ
ドラゾン、９−エチルカルバゾール−３−アルデヒド１
，１−ジフェニルヒドラゾンなどである。

一般式（２）で表わされる化合物には、たとえば４−ジ
エチルアミノスチレン−β−アルデヒド１−メチル−１
−フェニルヒドラゾン、４−メトキシナフタレン−１−
アルデヒド１−ベンジル−１−フェニルヒドラゾンなど
がある。

一般式（３）で表わされる化合物にはたとえば、４−メ
トキシベンズアルデヒド１−メチル−１−フェニルヒド
ラゾン、２，４−ジメトキシベンズアルデヒド１−ベン
ジル−１−フェニルヒドラゾン、４−ジエチルアミノベ
ンズアルデヒド１，１−ジフェニルヒドラゾン、４−メ
トキシベンズアルデヒド１−ベンジル−１−（４−メト
キシ）フェニルヒドラゾン、４−ジフェニルアミノベン
ズアルデヒド１−ベンジル−１−フェニルヒドラゾン、
４−ジベンジルアミノベンズアルデヒド−１，１−ジフ
ェニルヒドラゾンなどがある。

一般式（４）で表わされる化合物には、たとえば１，１
−ビス（４−ジベンジルアミノフェニル）プロパン、ト
リス（４−ジエチルアミノフェニル）メタン、１．１−
ビス（４−ジベンジルアミノフェニル）プロパン、　２
，２′ジメチル−４，４′−ビス（ジエチルアミノ）−
トリフェニルメタンなどがある。

一般式（５）で表わされる化合物には、たとえば９−　
（４−ジエチルアミノスチリル）アントラセン、９−ブ
ロム−ＩＱ−（４−ジエチルアミノスチリル）アントラ
センなどがある。

一般式（６）で表わされる化合物には、たとえば９−　
（４−ジメチルアミノベンジリデン）フルオレン、３−
　（９−フルオレニリデン）−９−エチルカルバゾール
などがある。

一般式（７）で表わされる化合物には、たとえば１，２
−ビス（４−ジエチルアミノスチリル）ベンゼン、１，
２−ビス（２，４−ジメトキシスチリル）ベンゼンがあ
る。

一般式（８）で表わされる化合物には、　たとえば３−
スチリル−９−エチルカルバゾール、３−　（４−メト
キシスチリル）−９−エチルカルバゾールなどがある。

一般式（９）で表わされる化合物には、　たとえば４−
ジフェニルアミノスチルベン、４−ジベンジルアミノス
チルベン、４−ジトリルアミノスチルベン、１−　（４
−ジフェニルアミノスチリル）ナフタレン、１−（４−
ジエチルアミノスチリル）ナフチレンなどがある。

一般式（１０）で表わされる化合物には、たとえば４′
−ジフェニルアミノ−α−フェニルスチルベン、　４′
−メチルフェニルアミノ−α−フェニルスチルベンなど
がある。

一般式（１１）で表わされる化合物には、たとえば１−
フェニル−３−（４−ジエチルアミノスチリル）−５−
（４−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、１−フェ
ニル−３−（４−ジメチルアミノスチリル）−５−（４
−ジメチルアミノフェニル）ピラゾリンなどがある。

この他の正孔搬送物質としては、たとえば２゜５−ビス
（４−ジエチルアミノフェニル）−１゜３．４−オキサ
ジアゾール、２．５−ビス〔４−（４−ジエチルアミノ
スチリル）フェニル〕−１，３，４−オキサジアゾール
、２−（９−エチルカルバゾリル−３−）−５−（４−
ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾ
ールなどのオキサジアゾール化合物、２−ビニル−４−
（２−クロルフェニル）−５−（４−ジエチルアミノフ
ェニル）オキサゾール、２−　（４−ジエチルアミノフ
ェニル）−４”−フェニルオキサゾールなどのオキサゾ
ール化合物などの低分子化合物がある。また、ポリ−Ｎ
−ビニルカルバゾール、ハロゲン化ポリ−Ｎ−ビニルカ
ルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセ
ン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾール
ホルムアルデヒド樹脂などの高分子化合物も使用できる
。

電子搬送物質としては、たとえば、クロルアニル、ブロ
ムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノン
ジメタン、２，４．７−ドリニトロー９−フルオレノン
、２，４，５．７−テトラニトロ−９−フルオレノン、
２，４゜５．７−チトラニトロキサントン、２，４．８
−トリニドロチオキサントン、２，６．８−トリニトロ
−４Ｈ−インデノ（１，２−ｂ）チオフェン−４−オン
、１，３．７−トリニトロジベンゾチオフエンー５，５
−ジオキサイドなどがある。

これらの電荷搬送物質は単独又は２種以上混合して用い
られる。

なお、以上のようにして得られる感光体には、いずれも
導電性支持体の感光体の間に必要に応じて接着層又はバ
リヤ層を設けることができる。

これらの層に用いられる材料としてはポリアミド、ニト
ロセルロース、酸化アルミニウムなどが適当で、また膜
厚は１μ以下が好ましい。

第１図の感光体を作成するには、導電性支持体上のジス
アゾ顔料をＵＳＰ　３，９７３，９５９、ＵＳＰ３．９
９６，０４９等に記載されている真空蒸着方法で真空蒸
着するか、あるいは、ジスアゾ顔料の微粒子を必要とあ
れば結合剤を溶解した適当な溶剤中に分散し、これを導
電性支持体上に塗布乾燥し、更に必要とあれば１例えば
特開昭５１−９０８２７号公報に示されているようなパ
フ研摩等の方法により表面仕上をするか、膜厚を調整し
た後、電荷搬送物質及び結合剤を含む溶液を塗布乾燥し
て得られる。

第２図の感光体を作成するにはジスアゾ顔料の微粉末を
電荷搬送物質及び結合剤を溶解した溶液中に分散せしめ
、これを導電性支持体上に塗布乾燥すればよい。

いずれの場合も本発明に使用されるジスアゾ顔料はボー
ルミル等により粒径５μ以下、好ましくは２μ以下に粉
砕して用いられる。塗布方法は通常の手段、例えばドク
ターブレード、ディッピング、ワイヤーバーなどで行な
う。

本発明の感光体を用いて複写を行なうには、感光層面に
帯電、露光を施した後、現像を行ない、必要によって、
紙などへ転写を行うことにより達成される。

以上の説明および後記の実施例からも明らかなように、
本発明の電子写真用感光体はジフェニルアミン骨格を有
するジスアゾ顔料を電荷発生物質として用いることによ
り、従来の感光体に比較して製造が容易であり、また、
高感度で。

感光体の反復使用に対しても特性が安定してしするなと
、優れた性質を有する。

次に本発明を実施例により具体的に説明するが、これに
より本発明の実施の態様が限定されるものではない。

実施例１ ジスアゾ顔料！１１１１７４を７６重量部、ポリエステ
ル樹脂（東洋紡績社製バイロン２００）のテトラヒドロ
フラン溶液（固形分濃度２％）　１２６０重量部、およ
びテトラヒドロフラン３７００重量部をボールミル中で
粉砕混合し、得られた分散液をアルミニウム蒸着したポ
リエステルベース（導電性支持体）のアルミ面上にドク
ターブレードを用いて塗布し、自然乾燥して、厚さ約１
μｍの電荷発生層を形成した。

この電荷発生層上に、電荷搬送物質として９−エチルカ
ルバゾール−３−アルデヒド１−メチル−１−フェニル
ヒドラゾン２重量部、ポリカーボネート樹脂（電入社製
パンライトに−１３００）２重量部およびテトラヒドロ
フラン１６重量部を混合溶解した溶液をドクターブレー
ドを用いて塗布し、８０℃で２分間、ついで１０５℃で
５分間乾燥して厚さ約２０μ腸の電荷搬送層を形成して
第１図に示した積層型の感光体勲１を作成した。

実施例２ 実施例１で用したジスアゾ顔料＆７４の代りに後記表−
１に示すジスアゾ顔料を用いた以外は実施例１と同様に
して感光体＆２を作成した。

実施例３〜４ 電荷搬送物質として１−フェニル−３−（４−ジエチル
アミノスチリル）−５−（４−ジエチルアミノフェニル
）ピラゾリンを用い、後記表−２に示すジスアゾ顔料を
用いた以外は実施例１と同様にして感光体＆３−４を作
成した。

実施例５〜７ 電荷搬送物質として４′−ジフェニルアミノ−α−フェ
ニルスチルベンを用い、後記表−３に示すジスアゾ顔料
を用いた以外は実施例１と同様にして感光体翫５〜７を
作成した。

実施例８〜１０ 電荷搬送物質として１、■−ビス（４−ジベンジルアミ
ノフェニル）プロパンを用い、後記表−４に示すジスア
ゾ顔料を用いた以外は、実施例１と同様にして感光体Ｎ
α８〜１０を作成した。

これらの感光体＆１〜１０について、静電複写紙試験装
置（■川口電機製作所製、５Ｐ４２８型）を用いて、−
６ＫＶのコロナ放電を２０秒間行なって負に帯電せしめ
た後、２０秒間暗所に放置し。

その時の表面電位Ｖｐｏ（Ｖ）を測定し１次いで、タン
グステンランプによってその表面が照度４．５ルツクス
になるようにして光を照射しその表面電位がＶＰＯの１
／２になるまでの時間（秒）を求め、露光量Ｅｌ／２　
（ルックス・秒）を算出した。その結果を表−１〜表−
４に示した。

（以下余白） 表−１ 表−２ 表−３ 表−４ （以下余白） 層−−二鼓 前記表−１〜表−４の結果により１本発明の感光体が高
感度であることが判る。

さらに１本発明の感光体＆２およびＮαｊをリコー社製
複写機すコビーｐ−５ｏｏ型に装着して画像出しを１０
，０００回繰返したが、その結果、いずれの感光体も複
写プロセスの繰返しにより変化することなく、鮮明な画
像が得られた。これにより、本発明の感光体が耐久性に
おいても優れたものであることが理解できるであろう。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は本発明の感光体の構成例を示す拡
大断面図である。第３図は本発明に用いるジスアゾ顔料
翫７４の赤外線吸収スペクトル（ＫＢｒＢｒ法）である
。 １１・・・導電性支持体　　　１３・・・ジスアゾ顔料
１５・・・電荷発生層　　　　１７・・・電荷搬送層１
９１．１９２・・・感光層

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、導電性支持体上に一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ａはカップラー残基を表わす） で示されるジスアゾ顔料を有効成分として含有する層を
   形成せしめたことを特徴とする電子写真用感光体。