JPS5933868A - 半導体装置用電極材料 - Google Patents
半導体装置用電極材料Info
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- JPS5933868A JPS5933868A JP57143202A JP14320282A JPS5933868A JP S5933868 A JPS5933868 A JP S5933868A JP 57143202 A JP57143202 A JP 57143202A JP 14320282 A JP14320282 A JP 14320282A JP S5933868 A JPS5933868 A JP S5933868A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- type layer
- substrate
- electrode material
- silicon
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
- H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体装置用のシ極材料に係り、特に太陽電
池などの比較的粗いパターンの４極？有する半導体素子
の製造に好適な成極材料に関する。
池などの比較的粗いパターンの４極？有する半導体素子
の製造に好適な成極材料に関する。
半導体素子の例として太陽′１池の代表的な構成例を図
に示す。ｎ＋層２＋Ｐ＋層３でｎ”／ｐ／ｐ＋接合を形
成したＳｉ基板１の受光面および裏面に受光面電極４．
裏面電極５を形成した構造であり、さらに一般には反射
防止膜等も設けられる。
に示す。ｎ＋層２＋Ｐ＋層３でｎ”／ｐ／ｐ＋接合を形
成したＳｉ基板１の受光面および裏面に受光面電極４．
裏面電極５を形成した構造であり、さらに一般には反射
防止膜等も設けられる。
この太陽電池の近年における重要課題は製這コストの低
減にあり、図の受光面″１！Ｌ極４．裏面電極５の形成
法も従来の真空蒸着法にかわって。
減にあり、図の受光面″１！Ｌ極４．裏面電極５の形成
法も従来の真空蒸着法にかわって。
低コストなメッキ法や印刷法が検討されるようになって
きた。このうち脣に印刷法は目動化が容易で生産性が高
いことから広く検討されている。
きた。このうち脣に印刷法は目動化が容易で生産性が高
いことから広く検討されている。
この印刷法は、金属粉末、ガラス粉末などを有機結合剤
、有機溶剤と混練したペースト状の＊質（以下導電ペー
ストという）をスクリーン印刷法などで塗布し、焼成す
る方法であり、上記の金属粉末としては銀粉末が一般的
である。
、有機溶剤と混練したペースト状の＊質（以下導電ペー
ストという）をスクリーン印刷法などで塗布し、焼成す
る方法であり、上記の金属粉末としては銀粉末が一般的
である。
このような導電ペーストは、太１着電池の電極形成用、
あるいは厚膜回路基板用などとして多数のものが市販さ
れている。
あるいは厚膜回路基板用などとして多数のものが市販さ
れている。
一方、太陽電池等の成極形成においては、一極の接４強
度の大きいこと、シリコンに幻する接触抵抗の低いこと
、拡散層に河し℃つきぬけのないこと（リーク直流の小
さいこと）などが要求される。
度の大きいこと、シリコンに幻する接触抵抗の低いこと
、拡散層に河し℃つきぬけのないこと（リーク直流の小
さいこと）などが要求される。
しかし本発明者らが市販の各個のＡ、！７系、４−ｐｄ
系導喧ペーストについて検討した？Ｉ釆によると、いず
れの導電ペーストも図に示した接合形成シリコンウェハ
上に印刷塗布し、乾燥、 ｖ８ｇした場仕に次の問題が
あった。
系導喧ペーストについて検討した？Ｉ釆によると、いず
れの導電ペーストも図に示した接合形成シリコンウェハ
上に印刷塗布し、乾燥、 ｖ８ｇした場仕に次の問題が
あった。
すなわち、厚膜回路基板用のＡｌ系あるいはＡｌ−ｐｄ
４導域ペーストではシリコンウェハと１ｔｍとの間にバ
リアが生成し、接触抵抗が高く、比較的高い温度の焼成
では接合が破壊し、リーク電流の増大が認めらｎた。太
陽域池用のｙ９系導或べ〒ストではシリコンウェハと框
億との間にバリアの生成しにぐいものもあるがいずれも
接触抵抗が高く、太陽電池の光照射時の或流−屯圧特注
を調べると曲祿因子が小さく、高効率な太陽電池は作れ
なかった。
４導域ペーストではシリコンウェハと１ｔｍとの間にバ
リアが生成し、接触抵抗が高く、比較的高い温度の焼成
では接合が破壊し、リーク電流の増大が認めらｎた。太
陽域池用のｙ９系導或べ〒ストではシリコンウェハと框
億との間にバリアの生成しにぐいものもあるがいずれも
接触抵抗が高く、太陽電池の光照射時の或流−屯圧特注
を調べると曲祿因子が小さく、高効率な太陽電池は作れ
なかった。
また焼成温度を比叔釣高温にすると接触抵抗は低下する
傾同がみられたが、このさいにはリーク直流が増加する
問題が生じた。
傾同がみられたが、このさいにはリーク直流が増加する
問題が生じた。
このように上記従来の導１ペーストを用いて接合破壊を
起すことなく、接触抵抗の低い電極を形成することは非
常に困難でめった。
起すことなく、接触抵抗の低い電極を形成することは非
常に困難でめった。
本発明の目的は、上記した従来の導１ペーストにみられ
た欠点がなく、太陽電池などの半導体装置の１極材料と
して非常に有用な材料？提供することにある。
た欠点がなく、太陽電池などの半導体装置の１極材料と
して非常に有用な材料？提供することにある。
本発明の一極材料は、Ａｌ粉末とジルコニウム（Ｚｒ）
、ハフニウムＣＥｆ）、バナジウム（〆）。
、ハフニウムＣＥｆ）、バナジウム（〆）。
二、１グＣＮＩ））、タンタル（Ｔα〕から選ばれる少
くとも一種の金属と、有・成績合剤と、有機溶剤１と、
必要に応じて加えるガラスやｐｄ粉末とからなることを
特徴とする。
くとも一種の金属と、有・成績合剤と、有機溶剤１と、
必要に応じて加えるガラスやｐｄ粉末とからなることを
特徴とする。
本発明が従来の４４ペーストと真なる点は、Ｚｒ 、
Ｈｆ 、 Ｖ 、ＮＡ 、 Ｔａから選ばれる少〈くも
−櫨の金ｐｊ４Ｖ含むことにある。これはこれらの金属
を配付した導電ペースト？シリコンなどの基板上に印刷
し、焼成すると、接合破壊馨起す恐れのない比較的低い
温度（＜ ７５０℃）の焼成でも、基板に対して非常に
低い接触抵抗の一極が形成できることを見い出したこと
による。
Ｈｆ 、 Ｖ 、ＮＡ 、 Ｔａから選ばれる少〈くも
−櫨の金ｐｊ４Ｖ含むことにある。これはこれらの金属
を配付した導電ペースト？シリコンなどの基板上に印刷
し、焼成すると、接合破壊馨起す恐れのない比較的低い
温度（＜ ７５０℃）の焼成でも、基板に対して非常に
低い接触抵抗の一極が形成できることを見い出したこと
による。
本発明の成極材料が従来の導電ペーストに比べ、上記の
ように非常に艮好な電極形成が９症であるのは次の理由
によると考え℃いる。
ように非常に艮好な電極形成が９症であるのは次の理由
によると考え℃いる。
すなわち従来の導電ペーストを？Ｕえばシリコン基板上
に印刷し、焼成した場合、焼成雰囲気中に含′まれる酸
素によってシリコン表面に絶縁性の酸化ケイ系膜が性成
してしまう。またこの酸化ケイ索漠は導電ペーストが酸
化鉛系の低融点ガラスを使用している場合には酸化鉛と
シリコンとの反応によっても生成してし筐う。このよう
にシリコン表面に酸化ケイ系族が生成するため焼成され
た電極とシリコン間の暖触抵抗が非常に高くなってしま
うものと予想される。
に印刷し、焼成した場合、焼成雰囲気中に含′まれる酸
素によってシリコン表面に絶縁性の酸化ケイ系膜が性成
してしまう。またこの酸化ケイ索漠は導電ペーストが酸
化鉛系の低融点ガラスを使用している場合には酸化鉛と
シリコンとの反応によっても生成してし筐う。このよう
にシリコン表面に酸化ケイ系族が生成するため焼成され
た電極とシリコン間の暖触抵抗が非常に高くなってしま
うものと予想される。
一方、本発明による一極材料では、上記と同様に酸化ケ
イ素膜は生成すると考えらｎるが、電極材料中に含まれ
る金属（Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ。
イ素膜は生成すると考えらｎるが、電極材料中に含まれ
る金属（Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ。
Ｎｂ 、 Ｔα〕が酸化ケイ索漠と反応し、シリコンの
還元やこれらの金属のシリサイド化合物の生成が起き、
それによって一極とシリコンとの接触抵抗が非常に低く
なるものと予想される。
還元やこれらの金属のシリサイド化合物の生成が起き、
それによって一極とシリコンとの接触抵抗が非常に低く
なるものと予想される。
本発明の一極材料の成分について以下にさらに詳述する
。構成成分中のＡｌ粉末、有磯結せ剤。
。構成成分中のＡｌ粉末、有磯結せ剤。
有機溶剤は従来の導電ペーストで用いられているものと
同様のものを用いることが工きる。銀粉末としては粒径
１μｍ以下のものが、有機結曾剤としてはセルロース系
化合物や、ポリメタクリレート系化合物などが％有機溶
Ｒυとしては多（ｉｌｌｉ ７ ｋ ’：Ｚ−ル系のも
のが特に好適に用いられ得る。
同様のものを用いることが工きる。銀粉末としては粒径
１μｍ以下のものが、有機結曾剤としてはセルロース系
化合物や、ポリメタクリレート系化合物などが％有機溶
Ｒυとしては多（ｉｌｌｉ ７ ｋ ’：Ｚ−ル系のも
のが特に好適に用いられ得る。
Ｚｒ 、Ｈｆ 、Ｖ 、ＨＡ 、 Ｔａ（Ｄ金属ハ粉末
の状態で用いるのが好適である。ただしこれらの金属の
粉末は活性が高いため、粉末表面に薄い酸化膜を形成す
る方法等で安定化処理したものを用いるのが好適である
。Ｚｒ 、 Ｈｆ 、 Ｖ 、 Ｎｂ 、 Ｔａは一種
を用いても、二種以上を併用してもよい。
の状態で用いるのが好適である。ただしこれらの金属の
粉末は活性が高いため、粉末表面に薄い酸化膜を形成す
る方法等で安定化処理したものを用いるのが好適である
。Ｚｒ 、 Ｈｆ 、 Ｖ 、 Ｎｂ 、 Ｔａは一種
を用いても、二種以上を併用してもよい。
さらには二種以上のものの合金粉末′ｌｚｒ：用いるこ
とや、Ａｙ粉末表面にこれらの金属をコーティングし−
〔用いることなどもｌ：ｉＴ能である。
とや、Ａｙ粉末表面にこれらの金属をコーティングし−
〔用いることなどもｌ：ｉＴ能である。
址だ本発明では、ガラスを含むことを必ずしも必要とし
ない。ただしガラスを配合すると形成した′ｕ１極の半
導体素子への接Ｍ頻度が向上する。またｒＩＬ極の半田
に対する耐性も向上する。
ない。ただしガラスを配合すると形成した′ｕ１極の半
導体素子への接Ｍ頻度が向上する。またｒＩＬ極の半田
に対する耐性も向上する。
このため１゛芋に太陽′電池の電・函形成などに用いる
場合にはむしろガラスを配合するのが好ましい。
場合にはむしろガラスを配合するのが好ましい。
ここで用いるガラスの櫨頌は、荷に１只定され゛るもの
ではない。また本発明の成極材料にｐｄ粉末’！’ 配
合することにより、形）ａさ７ｔだ４４の半田に対する
耐性がさらに向上し、Ｐｔ粉末を配合することにより、
′Ｗｔ極の接７＃１強反が向上する。
ではない。また本発明の成極材料にｐｄ粉末’！’ 配
合することにより、形）ａさ７ｔだ４４の半田に対する
耐性がさらに向上し、Ｐｔ粉末を配合することにより、
′Ｗｔ極の接７＃１強反が向上する。
また、本発明の′ｌｆ、極材料を脣に太陽電池の電極形
成に用いる場合には、ｚｒ 、ｉｒｊ’ 、Ｖ 、ＩＯ
＋Ｔαから選ばれる少くとも一櫨の＊属の配向比をＡｌ
粉禾の１００−重量部に対して０．５〜６０重重部とす
るのが好適である。０．５ｉ菫都未満の配合比では形成
された成極のシリコンに対する接触抵抗が高くなり、３
０Ｘｔ郡をこえる配合比では形成した電極の抵抗値がや
や高くなり、太１−−池の効率低下を招き易くなる。
成に用いる場合には、ｚｒ 、ｉｒｊ’ 、Ｖ 、ＩＯ
＋Ｔαから選ばれる少くとも一櫨の＊属の配向比をＡｌ
粉禾の１００−重量部に対して０．５〜６０重重部とす
るのが好適である。０．５ｉ菫都未満の配合比では形成
された成極のシリコンに対する接触抵抗が高くなり、３
０Ｘｔ郡をこえる配合比では形成した電極の抵抗値がや
や高くなり、太１−−池の効率低下を招き易くなる。
以下本発明の実施１＋口について説明する。
実施例
粒径１μｍ以下のＡ！ｉ粉末１０ダと、表面？安定化処
理した粒径２μｍ以下のＺｒ粉末ＣＡ、ｙ粉末１００重
重ｍＫＨしテ０．５〜５０ ｉ ｊｉ 部） ト、ＰＡ
Ｏ−Ｂ２０゜−め０２系ガラスフリット０．５！１とを
秤量した。これにエチルセルロース’ 、Ｏｌｉ ｊｔ
部’４ｔα−テルピネオール２０重重部に溶解した粘
調液馨加え７よがら十分に混疎し、粘度が約２１ＪＯボ
イズ（ずり速腿１００／秒）のペースト状嘔極材料を調
螢した。
理した粒径２μｍ以下のＺｒ粉末ＣＡ、ｙ粉末１００重
重ｍＫＨしテ０．５〜５０ ｉ ｊｉ 部） ト、ＰＡ
Ｏ−Ｂ２０゜−め０２系ガラスフリット０．５！１とを
秤量した。これにエチルセルロース’ 、Ｏｌｉ ｊｔ
部’４ｔα−テルピネオール２０重重部に溶解した粘
調液馨加え７よがら十分に混疎し、粘度が約２１ＪＯボ
イズ（ずり速腿１００／秒）のペースト状嘔極材料を調
螢した。
太陽電池用の接合形成シリコン基板としてＰ型シリコン
基板（比抵抗１〜５Ω−ｃｍ 、直径３インチ丸型ウェ
ハ）の片面に、イオン打込み法テ深す０．３〜０．５μ
ｍ （Ｑ ｎ”層（比抵抗約１．５ Ｘ １０−”Ω−
０ｒ）Ｌ）と、反対面にＡｌ拡ｆｉ法で深さ１〜２μｍ
の１Ｌ’７ｄｖ形成したもの？用いた。次にこの捩合形
成シリコン基板のＷ＋増上には、クシ産パターン状に、
Ｐ＋層上にはベタパーン状に上ｄεのペースト状心極材
料をスクリーン印刷し、１５０℃。
基板（比抵抗１〜５Ω−ｃｍ 、直径３インチ丸型ウェ
ハ）の片面に、イオン打込み法テ深す０．３〜０．５μ
ｍ （Ｑ ｎ”層（比抵抗約１．５ Ｘ １０−”Ω−
０ｒ）Ｌ）と、反対面にＡｌ拡ｆｉ法で深さ１〜２μｍ
の１Ｌ’７ｄｖ形成したもの？用いた。次にこの捩合形
成シリコン基板のＷ＋増上には、クシ産パターン状に、
Ｐ＋層上にはベタパーン状に上ｄεのペースト状心極材
料をスクリーン印刷し、１５０℃。
１０分間の乾燥処理をした。
次にこの基板を酸素５０ＰＰｍを含む窒素ガス雰囲気中
で６００ ’Ｃ、１０分間焼成した。このようにして作
製した太陽電池の電流−螺圧特性（１−ｒ％性〕を調べ
、電極の接触抵抗、逆バイアス（１Ｖ）でのリーク電流
、曲融因子（ｐ、ｐ、） 。
で６００ ’Ｃ、１０分間焼成した。このようにして作
製した太陽電池の電流−螺圧特性（１−ｒ％性〕を調べ
、電極の接触抵抗、逆バイアス（１Ｖ）でのリーク電流
、曲融因子（ｐ、ｐ、） 。
開放電圧（Ｖｏｃ ）、短絡電流（１，ｐｃ ） Ｙ調
べた。
べた。
第１表に示した如（、Ｚｒ粉末を配合した本発明の１極
材料を用いた太陽電池は、比較・丙として示したＺｒ＃
末を配合しないものを用いた場合に比べ、接触抵抗か大
幅に低くなり、Ｆ、Ｆ、。
材料を用いた太陽電池は、比較・丙として示したＺｒ＃
末を配合しないものを用いた場合に比べ、接触抵抗か大
幅に低くなり、Ｆ、Ｆ、。
ｌｚｃが大きく、その結果とし℃効率も大幅に向上した
。筐だ、リーク電流はいずれも１０−’ Ａ／ａｍＪの
オーダーであり、問題はｌったく端のられなかった。
。筐だ、リーク電流はいずれも１０−’ Ａ／ａｍＪの
オーダーであり、問題はｌったく端のられなかった。
このように本発明の電極材料は、比較的低温の６００℃
の焼成でも接触抵抗が充分低く、ル＋層の厚さが０．３
〜０．５牌と非常に薄いにもかかわらずυ−り底流の増
加がなく、成極材料として従来の導電ペーストに比べ非
常に優れていることが確認された。
の焼成でも接触抵抗が充分低く、ル＋層の厚さが０．３
〜０．５牌と非常に薄いにもかかわらずυ−り底流の増
加がなく、成極材料として従来の導電ペーストに比べ非
常に優れていることが確認された。
（以下余白）
実施例２
金属としてＩｆ、〆、 ＨＡ 、 Ｔａ を配合した
本発明の゛１極材料の実施例について説明する。Ｈｆ５
Ｖ 、 ＨＡ 、 Ｔａの金属粉末〔表面に薄い酸化膜
を形成〕と、粒径１μｍ以下のＡ１粉末とガラスフリッ
ト（ホウケイ酸鉛系、ホウケイ酸亜鉛系、リン酸系）と
を各種組合せ、これにポリインブチルメタクリレート４
０重ｆ部と分散剤０．５重ｔ １Ｍ５ ｋα−テルピネ
オール６０重量部に溶解した粘調液を加えながら十分に
混練し、粘度が約２００ボイズ（ずり速度１００／秒）
の組成の異なる各種のペースト状蝋極材料を調整した。
本発明の゛１極材料の実施例について説明する。Ｈｆ５
Ｖ 、 ＨＡ 、 Ｔａの金属粉末〔表面に薄い酸化膜
を形成〕と、粒径１μｍ以下のＡ１粉末とガラスフリッ
ト（ホウケイ酸鉛系、ホウケイ酸亜鉛系、リン酸系）と
を各種組合せ、これにポリインブチルメタクリレート４
０重ｆ部と分散剤０．５重ｔ １Ｍ５ ｋα−テルピネ
オール６０重量部に溶解した粘調液を加えながら十分に
混練し、粘度が約２００ボイズ（ずり速度１００／秒）
の組成の異なる各種のペースト状蝋極材料を調整した。
この＋４Ｅ極材料′ｊｋ実１４例１と同様の接合形成シ
リコン基板表面にスクリーン印刷し、１５０℃で１０分
間乾燥後、酸素ｓ ｐｐｍを含む諸系ガス雰囲気中で６
００℃、１０分間焼成した。このようにして作製した太
陽電池の特性？実施例１と同様にして調べた結果を一極
材料の無機成分とともに第２表に示した。
リコン基板表面にスクリーン印刷し、１５０℃で１０分
間乾燥後、酸素ｓ ｐｐｍを含む諸系ガス雰囲気中で６
００℃、１０分間焼成した。このようにして作製した太
陽電池の特性？実施例１と同様にして調べた結果を一極
材料の無機成分とともに第２表に示した。
Ｈｆ、Ｖ、＃ｒ、Ｔαの金属を配合した本発明の電極材
料は、比較例１，２の組成に比べいずれも接触抵抗が低
くなり、Ｆ、Ｆ、、 Ｉｚｃが大きく、その結果として
効率も大幅に向上した。またリーク電流はいずれも１０
−６Ａ／ｃｍ”のオーダーであり、問題は認められなか
った。
料は、比較例１，２の組成に比べいずれも接触抵抗が低
くなり、Ｆ、Ｆ、、 Ｉｚｃが大きく、その結果として
効率も大幅に向上した。またリーク電流はいずれも１０
−６Ａ／ｃｍ”のオーダーであり、問題は認められなか
った。
このように実施例２に示した本発明の一極材料も従来の
導電ペーストに比べ非常に優れた効果の得られることが
確認さｎた。
導電ペーストに比べ非常に優れた効果の得られることが
確認さｎた。
以上のように本発明の電極材料は、比較的低温の焼成で
も、浅い接合の半導体素子に対しても接合破壊やリーク
電流の増加を引き起すことなく、かつ接触抵抗の低いぼ
億形成を可能とする画期的な材料である。このため太陽
電池の一極形成に本発明の磁極材８を用いると、従来の
導電ペースト馨用いた場合に比べ非常に効率の高い太１
−゛嵯池？４ることができる。
も、浅い接合の半導体素子に対しても接合破壊やリーク
電流の増加を引き起すことなく、かつ接触抵抗の低いぼ
億形成を可能とする画期的な材料である。このため太陽
電池の一極形成に本発明の磁極材８を用いると、従来の
導電ペースト馨用いた場合に比べ非常に効率の高い太１
−゛嵯池？４ることができる。
また、本発明の電極材料は印刷法によって塗布でき、安
価に、Ｉ％ｉ生産性に電極が形成でき、工業的にも非常
に有用である。さらに本発明の電極材料は、太陽電池以
外の受光素子や他の半導体装置の電極形成にも用いるこ
とが可能である。
価に、Ｉ％ｉ生産性に電極が形成でき、工業的にも非常
に有用である。さらに本発明の電極材料は、太陽電池以
外の受光素子や他の半導体装置の電極形成にも用いるこ
とが可能である。
図は太湯喧池の代表的な構成を示した晰面図である。
１・・・シリコン基板 ２・・・ｎ＋層３・・・Ｐ＋
層 ４・・・受光面成極５・・・裏面電極 第１頁の続き ０発 明 者 磯貝時男 横浜市戸塚区吉田町２９２番地株 式会社日立製作所生産技術研究 所内 ０発 明 者 斉藤忠 国分寺市東恋ケ窪−丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 ０発 明 者 緑用澄之 日立市弁天町三丁目１０番２号日 立原町電子工業株式会社内
層 ４・・・受光面成極５・・・裏面電極 第１頁の続き ０発 明 者 磯貝時男 横浜市戸塚区吉田町２９２番地株 式会社日立製作所生産技術研究 所内 ０発 明 者 斉藤忠 国分寺市東恋ケ窪−丁目２８０番 地株式会社日立製作所中央研究 所内 ０発 明 者 緑用澄之 日立市弁天町三丁目１０番２号日 立原町電子工業株式会社内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、Ａｙ粉末トシルコニウム、ハフニウム、バナジウム
、ニオグツタンタルから選ばれる少くとも一項の金属と
、有機結合剤と、有機溶剤と、必要に応じて加えるガラ
ス、Ｐｄ粉末、Ｐｔ扮末とからなることを特徴とする半
導体−ａＩｔ用域用材極材 料、Ａｙｌ＆末トシルコニウム、ハフニウム、バナジウ
ム、ニオブ、タンタルから選ばｎる少くとも一種の金属
の配合比が、Ａ、ｆ粉末１００１菫部に対して０．５〜
５０！ｍ都でめることを特徴とする時ｆｆ＃＃求の範囲
第一項記載の早導体装置用電極材料。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57143202A JPS5933868A (ja) | 1982-08-20 | 1982-08-20 | 半導体装置用電極材料 |
| US06/523,857 US4486232A (en) | 1982-08-20 | 1983-08-17 | Electrode material for semi-conductor devices |
| EP83108171A EP0102035A3 (en) | 1982-08-20 | 1983-08-18 | Electrode material for semi-conductor devices |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57143202A JPS5933868A (ja) | 1982-08-20 | 1982-08-20 | 半導体装置用電極材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5933868A true JPS5933868A (ja) | 1984-02-23 |
| JPH023554B2 JPH023554B2 (ja) | 1990-01-24 |
Family
ID=15333246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57143202A Granted JPS5933868A (ja) | 1982-08-20 | 1982-08-20 | 半導体装置用電極材料 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4486232A (ja) |
| EP (1) | EP0102035A3 (ja) |
| JP (1) | JPS5933868A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013030804A (ja) * | 2004-11-12 | 2013-02-07 | Ferro Corp | 太陽電池コンタクトの製造のための混合物及び太陽電池コンタクトの製造方法 |
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