JPS5933874A - 絶縁ゲ−ト型電界効果トランジスタの製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、絶縁ゲート型電界効果１〜ランジスタの製法
に関する。

絶縁ブート櫂１電界効果１〜ランジスタの製法において
は、半導体基板の表面上にグー１〜絶縁膜を形成ツるグ
ー１へ絶縁膜形成］−稈を含んでいる。

従来、このＪ、う７７半１｛＋基板の表面上のグー１・
絶縁膜を形成するゲート絶縁膜形成Ｊ−稈が、半導体基
板の表面上に、蒸着払によって、グー１〜絶縁膜を形成
するという工程で・あるものが提案ざれている。

黙しながら、このような方法の場合、グー１〜絶縁膜を
形成する過程で、半導体基板の表面が、ゲート絶縁膜ど
なる月利の粒子によって損傷を受けるという欠点を有す
る。

また、従来、−］一連したような半導体基板の表面上の
ゲート絶縁膜を形成するグー１へ絶縁膜形成工程が、半
導体基板の表面上に、スパッタリング法によってゲート
絶縁膜を形成するという工程も提案されている。

黙しながら、このようなゲート絶縁膜形成工程の場合も
、上述した従来の方法の場合と同様に、グー１・絶縁膜
を形成ηる過程で、半導体基板の表面が、グー１〜絶縁
膜どなる材料の粒子によって損傷を受けるという欠点を
有する。

ざらに、従来、上述したような半導体基板の表面上のグ
ー１〜絶縁膜を形成するグー１・絶縁膜形成工程が、半
導体基板の表面上に、熱酸化法にＪ、って、半導体基板
を構成している月利の酸化物でなる膜を、ゲート絶縁膜
として形成する方法も提案されている。

然１ノながら、このようなグー１〜絶縁膜形成工程の場
合、グー１・絶縁膜を形成サるときに、半導体基板が高
い温度に加熱されていることが必要であるので、ゲート
絶縁膜を形成する過程で、半導体基板が熱的に劣化する
という欠点を有する。また半導体基板が、■−ｖ族化合
物半導体、ＴＩ　−　Ｖｌ族化合物半導体等の化合物半
導体で構成ざれている場合、ゲート絶縁膜を形成すると
ぎに、半導体基板が高い温度に保たれていることが必要
であるので、ゲート絶縁膜を形成づ゛る過程で、半導体
基板の表面から、その化合物半導体を構成している、高
い蒸気圧を有する元素が蒸発ずる。このため、グー１・
絶縁膜が、半導体基板の表面との間で良好な界面特性を
有して形成されないと共に、ゲート絶縁膜自体が、所期
の組成を有する良質のものに形成ざれないという欠点を
有する。

なおさらに、従来、−上述したＪζうな半導体基板の表
面上のゲート絶縁膜を形成するゲート絶縁膜形成工程が
、半導体基板の表面上に、熱窒化法によって、半導体基
板を構成している月利の窒化物でなる膜を、ゲート絶縁
膜どして形成するという工程であるものも提案されてい
る。

然しながら、このようなゲート絶縁膜形成工程の場合も
、上述した熱酸化法を用いた従来の工程の場合と同様に
、ゲート絶縁膜を形成する過程で、半導体基板が熱的に
劣化ずるという欠点を有し、また、半導体基板が上述し
たＪ；うに化合物半導体で構成されている場合、グー１
〜絶縁膜が、上述したように、半導体基板の表面との間
で良好な界面時↑１１を有して形成されないと共に、グ
ー１〜絶縁膜自体が、所期の組成を右Ｊ−る良質のｂの
に形成されないという欠点を有する。

また、従来、上述したような３１′導体基板の表面トの
グー１〜絶縁膜を形成するゲート絶縁膜形成工程が、半
導体基板の表面上に、ＣＶＤ法によって、ゲート絶縁膜
を形成覆るという工程であるものも提案されている。

然しながら、このｊ；うなゲート絶縁膜形成工程の場合
、グー１〜絶縁膜を形成覆るとぎに、半導体基板が高い
温度に保たれていることが必要であるので、ゲート絶縁
膜を形成する過程で、半導体基板が、上述したように化
合物半導体で構成さねている場合、上述したように、半
導体基板の表面から、それを構成している、高い蒸気圧
を有する元素が蒸発りる１、このため、グー１〜絶縁膜
が、半導体基板の表面との間で良好な界面特性を有して
形成されないと共に、グー１〜絶縁膜自体が、所期の構
成を有する良質のものに形成されｌｊいという欠点を右
づる。

さらに、従来、上述しＩこよう４ｆ半導体基板の表面ト
のグー］へ絶縁膜を形成するグー１〜絶縁膜形成工程が
、半導体基板の表面」−に、プラズマＣＶＤ法によって
、ゲート絶縁膜を形成するという］−稈であるものも提
案されている。

この」；うなゲート絶縁膜形成工程の場合、ゲート絶縁
膜を形成するときに、半導体基板が高い温度に保たれて
いることが必ずしも必要Ｃ′ないので、ト述したＣＶＤ
法にＪ：る方法の場合のように、半導体基板が、化合物
半導体でなる場合であっても、その表面から、それを構
成している元素が不必要に蒸発しない。然しながら、プ
ラズマにＪζっで、半導体基板の表面が損傷を受（する
という欠点を有する。

なおさらに、従来、上述したＪ：うな半導体基板の表面
上のゲート絶縁膜を形成するグーＩ・絶縁膜形成工程が
、半導体基板の表面上に、陽極酸化法によって、半導体
基板の月利の酸化物でなるグー１へ絶縁膜を形成すると
いう■稈である７− ものも提案されている。

このようなゲート絶縁膜形成］−稈の場合、ゲート絶縁
膜を形成するどきに、半導体基板が高い温度に保たれて
いることが必ずしも必要でないことと相俟って、ゲート
絶縁膜を、半導体基板の表面どの間で良好な界面特性を
有するものとして形成することができる。然しながら、
ゲート絶縁膜が、比較的低い比抵抗を有し、また比較的
小ざい絶縁破壊電界を有し、ざらに比較的大きな吸湿性
を有することによる比較的悪い和学的安定性と比較的大
なる経時変化をする等の欠点を有していた。

につで、本発明は、上述した欠点のない新規な、絶縁ゲ
ート型電界効果トランジスタの製法を提案せんとするも
ので、以下述べるところより明らかどなるであろう。

第１図Ａ〜Ｇは、本発明による絶縁グー１〜型電界効果
トランジスタの製法の実施例を示し、第１図へに示すよ
うに、ｌｎＰでなる半絶縁性（Ｆｅがドープされて）を
有するまたはＰ型を＝９−　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　〇ｃ１８− 右りる半導体基板１を予め用意Ｊる１、次に、その半導
体基板１内に、第１図Ｂに承りように、その上面側から
、Ｎ型不純物を熱拡散によってまたはイオン注入によっ
てＮ型の半導（４１層２を形成する。

次に、その半導体層２−１−に、第１図Ｃに示り」：う
に、所要のパターンをイｊするソース電極３及びドレイ
ン電極４を形成する。

次に、半導体層２及び半導体基板１に対する、ソース電
極３及びドレイン電極４をマスクの一部どＩ）で用いエ
ツヂング処理によって、第１図りに示すように、半導体
層２から、ソース電極３側のソース領域としての半導体
層５と、ドレイン電極４側のドレイン領域と１ノでの半
導体層６とを形成する。

次に、半導体基板１の表面上と、半導体層５及び６０表
面上と連続延長して、第１図Ｅに示すように、３ｉを含
んでいるガスによる、電子サイク［１トロン共鳴プラズ
マを用いた電子サイクロ１〜ロン共鳴プラズマＣＶＤ法
によって、メ１０− リ型ノＡｌ−ダイΔ−ドＤが室）昌〜１５０°Ｃの温度
に保ｌ、：れている状態で、Ｓｌを含んでいる構成のグ
ー１〜絶縁膜２０を形成する。

この場合の、Ｓｌを含／υでいるガスによる、電子リイ
クロトロンＪＬ鳴プラス′マを用いた電子リイクロトロ
ン共鳴プラズマＣＶＤ法【ま、原理的に、特開昭５６−
１５５５３５号公報に−し示されているから、ぞの３ｉ
を含んでいるガスにＪこる、電子リーイクロ１〜目ンハ
鳴プラズマを用いた電子リイクロトロンＪｔ鳴プラズマ
ＣＶｆ）法について、詳細（７説明は省略するが、特開
昭５６−１５５５３５号公報に示されている装置を用い
−Ｃ，Ｓｉを含んでいるガスをプラズマ化し、そのプラ
ズマ化されたガスにマイクロ波ど磁界とを与え、そのプ
ラズマ化されたガスを電子リイク［］トトロロ共鳴状態
にし、その電子り゛イク［−１１〜ロン共鳴プラズマを
、半導体基板の表面トに輸送さけで、メザ型）；ｔ　ｌ
−ダイオードＤの表面−にに、Ｊ　ｊを含む、グー１〜
絶縁膜になる材わ１をＪｆ１栢さＵて、Ｓｌを含んでい
る構成のグー１〜絶縁膜２０を形成Ｊるという方法であ
る。

この場合、電子リーイク［］１へ［」ン共鳴プラズマど
して、６ち士）１１復がＳｌを含／Ｖているガスのイオ
ン化率でＩＪ（１０２のΔ−グ、電子温ＩＱが１０”Ｋ
のＡ−ダ、イオン温度が１０’　ＫのΔ−ダを有Ｊるも
のを用いるしのである。

なお、この場合の、Ｓｌを含／Ｖで゛いるガスどしＣは
、Ｓ　ｉ　ｌ　１４ガスとＮよガスどのン捏合カ゛ス、
５うｉ　Ｉ−１ガスとＡ　ｒガスとの）捏合ガス、５１
１１ガス４ どＯガスどの混合ガス、５ｉｔ−１ガスと１〕１１万ス
３ と○力゛スどの混合力ス、３ｉｌ−１カスどＭｏＦ力゛
ス２　　　　　　　　　　　４　　　６ との）Ｒ合ガス、ＳＺ−＋、ガスとＷ　Ｆ６カスどの混
合ガス等を適用し１ｑるものである。

３Ｌだ、ｌｘ　３１：；シたようにしで、グー１〜絶縁
肱２０を形成Ｊるとぎ、実際上は、Ｓｌを含んでいるガ
スどして、５ｉｌ−ｌカスどＮカスどの）捏合カ゛２ スを適用する場合で例示して述べれば、その混合ガスを
構成している５ｉｌ１４ガスどＮ、ガスとの力゛ス分ｌ
王１七を１．２Ｊズ上とし、ＪＵだ、Ｊ二連したプラズ
マガスに４えるマイクロ波の電力を１００１１− 〜３　（ｌ　ＯＷどし、さら（こ、」二連しＩこプラズ
マガス乃〒−に述した電子サイクロ１〜ロン共嗅プラズ
マにＪ：る雰囲気の真空度を１４−４〜１Ｏ−１Ｔｏｒ
ｒどりるものである。

然るとぎは、Ｓｌを含んでいるガスどじで、Ｓ　ｉ　ｌ
−ｌ、ガスとＮ２ガスとの混合ガスを用いる場合、Ｓｌ
を含んでいる構成のグー１〜絶縁膜２０が、窒化シリコ
ン（Ｓｉ□Ｎ、（０−で×≦３、Ｏ＜ＶＳ２）でなるも
のどじて形成される。

まｌこ、Ｓｌを含んでいるガスどして、５ｉｌ−１イガ
スとΔｒガスとの混合ガスを用いる場合、Ｓｉを含んで
いる構成のゲート絶縁膜２０が、Ｓｉでなるものとして
形成される。

ざらに、３ｉを含んでいるガスどして、５ｉ１１４ガス
と０２ガスとの混合ガスを用いる場合、Ｓｌを含んＣ゛
いる構成のゲート絶縁膜２０が、酸化シリコン（主とし
てＳｉ　Ｏ）でなるものとして形成される。

４し１５すらに、Ｓｌを含／υでいるガスとして、Ｓｉ
　ト１４ガスとＰ叩ｆスと０２ガスとの混合ガスを１２
− 用いる場合、Ｓｌを含んで゛いる構成のグー１へ絶縁膜
２０が、燐（【１酸ガラス（Ｆ−’　Ｓ　Ｇ　）でなる
Ｕ）のとして形成される。

また、Ｓｌを含んでいるガスどして、５ｉｌ１４ガスと
ＭＯＦ、ガスどの混合ガスガスを用いる場合、Ｓｌを含
ｌυでいる構成のゲート絶縁１１４！　２０が、モリブ
デンシリサイド（主としてＭＯ３ｉ）乙 で４ｆる・ｂのとして形成される。

ざらに、３ｉを含んでいるガスとして、５ｉ１１４ガス
とＷ［６万スどの混合ガスを用いる揚台、３ｉを含／υ
でいる構成のゲート絶縁膜２０が、タンゲスｒンシリ→
ノイド〈主とし”ＣＷ　Ｓ　ｉ　２）でなるものとして
形成される。

次に、第１図Ｆに示覆ように、上述した電子サイクロｉ
・ロン共鳴プラズマＣＶＤ法によって、メザ型フ：Ａ１
〜ダイオードＤの表面上に形成されたグー１〜絶縁１９
２０に対し、１５０℃〜２００℃の温度による熱処理を
１〜４時間施し、その熱処理の施されたゲート絶縁膜２
０を、第１図Ｆに示Ｊように、目的のゲート絶縁ｎｂ＋
　３０とし−ｃ１ｑる。

次に、グー１へ絶縁膜３０　、、ｌに、第１図Ｇに承り
ように、ソース電極３及びドレイン電極４間において、
ゲート電４！ｉ　７を形成りる。

１メＩＣ゛゛本発明にＪ：る絶縁ゲート型電界効果１〜
−ランジスタの製法の、実施例が明らかとなった。

上）！ＩＳシた本発明による絶縁グー１〜型電界効果！
ヘランジスタの製法の実施例にＪ、つＣ得られた絶縁グ
ー１−望電界効果１〜ランジスタによれば、そのグー１
〜絶縁膜３０が、上述した方法によって形成されたもの
であることを除いては、従来の絶縁グー１〜型電界効果
１〜ランジスタど同様であるのＣ゛、詳細説明は省略づ
るが、ソース電極３どグー１〜電極７との間に電圧を印
加１−ることにより、′１！導体基板１の、グー１〜電
極７下であるり口つ半導体領域５及び６間である領域の
ヂｉｙンネル８の表面に可動電荷が誘起し、その結果、
ヂ【・ンネル８の誘電率従ってソース電極３及びドレイ
ン電極４間の導電率が変化でるとい′う機構Ｃ゛、電界
効果トランジスタどしての機能か１ｑられるしのである
。

ところで゛、このような機能が１！１られる本発明によ
る絶縁グー１〜型電界効果１ヘランジスタの製法によれ
は、ゲート絶縁膜２０を、半導体基板１の表面上に、そ
の半導体基板１が室ン晶〜１り０°Ｃという低い温度に
保たれている状態で、電子サイクロトロン共鳴プラズマ
ＣＶ　Ｉ〕７ｋによって形成される。また、ゲート絶縁
膜３０が、グー１〜絶縁膜２０から、それに　１１）０
℃・〜・２００℃という低い温度の熱処理を施ずだ（Ｊ
で１ｑられる。このため、ゲート絶縁ＢＴ、！　２０及
び３０が得られる過程で、半導体基板１、及び半導体層
５及び６が熱的に劣化覆ることが実質的にない１、また
、上述した本発明ににれば、半導体基板１の表面上に、
その半導体基板１が室温・〜１５０°Ｃという低い温度
を保たれている状態で、電子リーイク［］トロン共鳴プ
ラズマＣＶＤ法に」、って形成される。このため、半導
体基板１、及び半導体層５及び６が、■−Ｖ族化合物半
導体（Ｉ１５− ｎ　Ｐ、Ｉｎ　Ｇａ　Ａｓ系）で構成すｈ　Ｔ　イＴ　
モ、半導体基板１、及び半導体層５及び６の表面から、
その■−ｖ族化合物半導体を構成している畠い蒸気圧を
有づる元素（Ｐ）が蒸発することが、実質的にない。こ
のため、グー１〜絶縁膜２０従ってゲート絶縁膜３０が
、半導体基板１０表面との間で良好な界面特性を有する
ものとして形成されると共に、ゲート絶縁膜２０従って
ゲート絶縁膜３０が所期の組成を有する良質の６のに形
成される。

さらに、−上述した本発明による方法にＪ、れば、上）
ボしたように、グー１〜絶縁膜２０を、半導体基板１の
表面上に、半導体基板１が室温〜１５０°０という低い
温度に保たれている状態で、電子サイクロ１〜ロン共鳴
プラズマＣＶＤ法によって形成されるが、このＪ：うに
、ゲート絶縁膜２０を、半導（Ａ基板１が１５０°Ｃ以
下という低い湿度に保たれている状態で、形成すること
ができるのは、電子サイクロ１ヘロン共鳴プラズマとし
て、ぞの活性度が８１を含んでいるガスのイオン化＝１
６− 率でみて１０−′のオーダ、電子温度が１０”ＫのΔ−
ダ、イオン温度が１０４にのＡ−ダであるという、グ［
］−放電や、アーク放電にＪ、って得られる、ガスのプ
ラズマを用いる通常のプラス７ＣＶＤ法によって、ゲー
ト絶縁膜を形成する場合に比し、１桁乃至２桁も大ぎい
、活１（１ｖ、電子温度及びイオン温度を有する電子リ
ーイクロ］へロン共鳴プラズマを用いているからである
。このように電子サイクロ１〜ロン共鳴プラズマの活性
度、電子温度及びイオン温度が人である場合、所要の厚
さのゲート絶縁膜２０を、比較的短い時間で形成するこ
とができる。また、３ｉを含んでいるガスの利用度が大
である。

従って、ト）ホした本発明ににる方法によればゲート絶
縁膜３０を、比較的短い時間で、Ｓｉを含／ｕでいるガ
スを効率良く利用して形成Ｊることができるものである
。

また、ゲート絶縁膜３０を、ゲート絶縁膜２０から、そ
れに１５０°Ｃ〜２００℃の温度による熱処理を１〜４
時間施すことによって１９ることができるので、ぞのグ
ー１へ絶縁膜３０を、安定イ丁助）どし乙形成すること
がでさ゛るｔ）のである。

なおさらに、グー１〜絶縁膜３０を、グー１〜絶縁膜２
０から、ぞれにｌ　５０　’Ｃ〜２００℃という低い温
度ににる熱処理を、１〜４時間という比較的短い時間施
すことにＪ、って１ｑることができるので、そのグーＩ
〜絶縁１１！、！　３０を、半導体基板１の電極を不必
要に熔融したりすることなしに形成Ｊ−ることができる
等の大なる特徴を右するものである。

次に、第２図Ａへ・１１を伴なって本発明による絶縁グ
ー１〜型電界効果］・ランジスタの製法の他の実施例を
述べよう。

第２図△〜１」において、第１図〜Ｇとの対応部分には
同一符号をイく１して詳細説明を省略する。

第２図Ａ〜１−１に示す、本発明にＪ：る絶縁グー１〜
型電界効果トランジスタの製法の仙の実施例は、第１図
Ａ〜Ｇで上述した本発明にＪ：る絶縁グー１〜型電界効
果１〜ランジスタの製法の実施例１９− （Ｊおいて、第１図（＝で」−）ボしＩｃ　、電子リイ
ク［］１ヘロン共鳴プラズマを用いた電子サイクＩＩ　
ｌ−ロン」し鳴１ラスマＣＶＤ法によって絶縁膜２０を
形成づる工稈（第１図Ｆ）の前に、第２図Ｆに示づ」；
うに、半導体基板１、及び半導イＡ層５及び６の表面１
に、それ自体は公知の陽極酸化法によつ（、半導体基板
１、及び？１′導体層５及び６の材料でなる酸化物℃゛
なる絶縁層５０を形成し、次に、第２図Ｆに示４ように
、ぞの絶縁層５０−１：：に第１図１三で上述したと同
様の電ｒリイク［１１〜［１ン共鳴プラズマを用いた電
子リイク［１１〜ロン共鳴プラズマＣＶｒ）法によっＣ
１第１四［’で”　Ｊ）ｉ３１．たど同様の絶縁膜２０
を形成し、次に第２図Ｇに示ずＪ：うに、絶縁膜２０に
、第１図Ｆで−に連したと同様の熱処理を施し−Ｃ１第
１図Ｆで上述したと同様の絶縁膜３０を得、次に絶縁膜
３０」に、第２図１１に示？ＩＪ、うに、第１図Ｇで上
述したと同様のグー１〜電極７を形成する。

以にで、本発明による絶縁ゲート型電界効果１〜ランジ
スタの製法の伯の実施例が明らかとな−）　ｌご　。

このＪ、うな本発明ににる絶縁グー１〜型電界効果トラ
ンジスタの製法によって得られる絶縁グー１〜型電界効
果トランジスタによれば、その絶縁膜３０及び５０によ
ってグー１へ絶縁膜６０を形成していることが明らかで
ある。

従って、第２図で上述した本発明ににる絶縁ゲート型電
界効果１ヘランジスタの製法によって寄られる絶縁ゲー
ト型電界効果１〜ランジスタににつ−Ｃも、第１図で上
ｊホした本発明による絶縁グー１〜型電ジノ効果トラン
ジスタの製法によって１ｑられる絶縁グー１−型電界効
果１〜ランジスタと同様の機能が得られる。

ところで、第２図で上述した本発明による絶縁グー１〜
型電界効果トランジスタの製法によれば、それが上）ホ
した事項を除いて第１図で上述した本発明による絶縁ゲ
ート型電界効果トランジスタの製法の場合と同様である
ので、詳細説明は省略Ｊるが、第１図で上述した本発明
によ＝　ン　Ｑ　− る絶縁ゲート型電界効宋］〜ランジスタの製法の場合と
同様の優れた効果が得られるものである。

また、第２図で」−述した本発明による絶縁グー１〜型
電界効果１〜ランジスタの製法の場合、グー１へ絶縁膜
６０を構成している絶縁膜５０を有し、そしてそれが半
導体基板１の表面とグー１〜絶縁膜３０どの間に介挿さ
れている。ところで、絶縁膜５０は、陽極酸化法ににっ
て形成されたものである。

従って、第２図で上述した本発明に」２る絶縁グー１〜
型電界効果１〜ランジスタの製法の場合、第１図で上述
した本発明による絶縁ゲート型電界効果トランジスタの
製法の場合に比し、グー［・絶縁膜６０を、半導体基板
１の表面どの間でより良好な界面特性を有するものどし
゛Ｃ形成することができるという特徴を有する。

なお、上述においては、本発明による絶縁ゲート型電界
効果トランジスタの製法の僅かな実施例を示したに留ま
り、上述した半導体以外の半導体、化合物半導体で構成
された種々の型の絶縁グーＩ−型電界効果トランジスタ
を製造する場合にも本発明を適用し１ｑること明らかで
あるう、１

【図面の簡単な説明】

第１図Δ〜１」は、本発明による絶縁グーミル型電界効
果ｉ・ランジスタの製法の実施例を示す、順次の二Ｆ稈
におりる路線的断面図である。　第２図Ａ〜Ｇは、本発
明による絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製法の実
施例を示す、順次の玉押にお【プる路線的断面図である
。 １・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・半導体
基板２．５．６・・・・・・・・・半導体層３、／Ｉ・
・・・・・・・・・・・・・・電極２０．３０．６０ ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・グー１〜
絶縁膜５０・・・・・・・・・・・・・・・・・・絶縁
膜出願人　　日本電信電話公社 ２３− 第１図 第１図 第１図 匡　　　　　　　　　　　　　ロ ＝＝ 手続ネ１１正書（方式） ％式％ 特許庁長官　　若　　杉　　和　　夫　　殿　　　セ廟
１、事件の表示　　昭和５７年特許願第１４３５８１号
２、発明の名称 絶縁ゲート型電界効果トランジスタの製法３、補正をす
る者 事件との関係　特許出願人 住　所　〒１００　　東京都千代田区内幸町１丁目１番
６号 名　称　（４２２）日本電信電話分相 代表者　真　　藤　　　恒 ４、代理人 住　所　〒１０２東京都千代田区麹町５丁目７番地　秀
和紀尾井町ＴＢＲ８２０号 ５、補正命令の日付　昭和５７年１１月３０日６、補正
の対象　　明細書の図面の簡単な説明の７、補正の内容 （１）　明細書中、第２３頁６行「第１図Ａ〜Ｈ」とあ
るを「第１図Δ〜Ｇ」と 訂正する。 （２）　明細ｍ中、第２３頁６行Ｖ第２図Ａ〜Ｇ」とあ
るを１第２図Ａ〜Ｈ」と 訂正する。 以　　上

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、半導体基板の表面上にゲート絶縁膜を形成ηるグー
   １〜絶縁膜形成工程を含む絶縁ゲーｌ〜型電界効果１〜
   ランジスタの製法において、上記ゲート絶縁膜形成工程
   が、半導体基板の表面Ｊ−に、電子ザイクロトロン共鳴
   プラズマＣＶＤＦ人によって、窒化シリコン、酸化シリ
   コン、燐硅酸ガラス、モリブデンシリリーイド、タング
   ステンシリリーイド等でなる絶縁膜を形成する工程を含
   むことを特徴とする絶縁ゲート型電界効果トランジスタ
   の製法。 ２、半導体基板の表面上にゲート絶縁膜を形成するゲー
   ト絶縁膜形成工程を含む絶縁グー１へ型電界効果トラン
   ジスタの製法において、上記ゲート絶縁膜形成工程が、
   半導体基板の表面上に、電子サイクロ１−ロン共嗅プラ
   ズマＣＶＤ法によって、窒化シリコン、酸化シリコン、
   燐硅酸ガラス、モリ゛ｆデンシリリイド、タングステン
   シリリーイド等でイ「る絶縁膜を形成ＪるＴ稈と、該工
   程後、上記絶縁膜（ご対し、１５０〜２００℃の湿度に
   よる熱処理を１〜４時間施す工程とを含むことを特徴と
   づる絶縁グー１〜型電界効果１−ランジスタの製法。 ３、半導体基板の表面」−にグー１へ絶縁膜を形成覆る
   グー１〜絶縁膜形成工程を含む絶縁グー１〜型電界効果
   １〜ランジスタの製法において、上記ゲート絶縁膜形成
   工程が、半導体基板の表面−ヒに、陽極酸化法によって
   、上記半導体基板の月利の酸化物でなる酸化膜を形成η
   る第１の工程と、該第１の工程後、上記酸化膜上に、電
   子４ノイクロ１−ロン共鳴プラズマＣＶＤ法にＪ：って
   、窒化シリコン、酸化シリコン、燐ｒｉ−１酸ガラス、
   モリブデンシリリイド、タングステンシリサイド等でな
   る絶縁膜を形成する第２の工程どを含むことを特徴とす
   る絶縁グー１〜型電界効宋トランジスタの製法。 ４、半導体基板の表面上にゲート絶縁膜を形成りるグー
   １〜絶縁膜形成■稈を含む絶縁グー１〜型電界効果１ヘ
   ランジスタの製法において、上記グー１〜絶縁膜形成工
   程が、半導体基板の表面上に、陽極酸化法によって、上
   記半導体基板の月利の酸化物でなる酸化膜を形成Ｊ−る
   第１の工程と、該第１の］二押後、ト記酸化ｌｌＱ上に
   、電子サイクロトロン共鳴プラズマＣＶｒ）法によって
   、窒化シリコン、酸化シリコン、燐硅酸カラス、モリブ
   デンシリリ”イド、タングステンシリυイド等でなる絶
   縁膜を形成する第２の工程と、該第２の工程（ね、上記
   絶縁膜に対し、１５０〜２００℃の温度による熱処理を
   １〜４時間施す第３の工程とを含むことを特徴とＪる絶
   縁ゲート型電界効果トランジスタの製法。