JPS5933924B2 - 感圧抵抗体 - Google Patents

感圧抵抗体

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JPS5933924B2
JPS5933924B2 JP10801276A JP10801276A JPS5933924B2 JP S5933924 B2 JPS5933924 B2 JP S5933924B2 JP 10801276 A JP10801276 A JP 10801276A JP 10801276 A JP10801276 A JP 10801276A JP S5933924 B2 JPS5933924 B2 JP S5933924B2
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norbornene
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JP10801276A
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悌三 小谷
洸三 新井
司臣 福井
正樹 永田
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JSR Corp
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Japan Synthetic Rubber Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は安定した電気的性質を示す感圧抵抗体に関する
従来、高分子弾性体に導電性金属粒子を混合し、成形、
架橋して、自然状態で体積固有抵抗が絶縁域にあり、加
圧等変形することにより、それが導電域にまで変化する
感圧抵抗体は公知である(特公昭40−24061、特
開昭49−114798、特開昭46−6179)。
また感圧抵抗体に用いる導電性金属粒子を銀などでコー
テングする方法(特公昭47−3019)、半導体で粒
子表面を処理する方法または金属粒子と高分子弾性体の
界面をル−ズにする方法(特開昭49−114798)
なども公知である。また本発明者らは金属粒子とゴムと
の結合はその界面に応力集中を生じてくり返し加圧によ
る変化が大きくなる様な強固な結合ではなく、分散性を
よくし、応力集中をさける程度の結合が感圧抵抗体によ
いことを見出し、既に特許出願している(特願昭51−
42028、仝51−61630、仝51−75077
)。本発明は、金属と高分子弾性体の中間の硬度の化合
物を金属と高分子弾性体の界面に介在させることによつ
て、金属の弾性体中への分散性をよくし、金属への応力
を間接的に伝えることにより、くり返し加圧に対して電
気的性質の変化の少ない感圧抵抗体を提供しようとする
ものであり、またより小さい圧力で大きな抵抗値の変化
をえようとするものである。本発明によれば、ポリビニ
ルアルコールまたはその共重合体(Λ、5−ノルボルネ
ン−2−アルキルエステル(0COORI、R4はCl
以上のアルキル基を示す)の開環(共)重合体(2)、
その部分けん化物(C)(主鎖の一部?、C=C0で示
される単位を含む高分子化合物)、2、3一無水カルボ
キシー 5−ノルボルネン(1>I′ \ 0)の開環(共)重合体(ト)、 その 水和物(ト)(主鎖の一部にH。
OO−L3〉叉で示される単位を含む高分子化合物)、
2−トリの開環共重合体(F′)およびその誘導体6(
−しX又は ゛−゛−T5ぷ》フ ....て〒される単位を含む高
分子化合物)から選ばれた少くとも1種、または前記化
合物の少なくとも1種とシランカツプリング剤とを組合
せたものを、金属粒子表面と弾性体の界面に介在させる
これらの化合物を金属粒子表面と弾性体界面に介在させ
ることにより、金属粒子の弾性体中への分散性がよくな
り、くり返し加圧および経時時間による電気的性質の変
化を少くしうることがわかつた。
本発明において導電性金属粒子の表面処理剤として用い
る特定の化合物は溶剤で稀釈したのち、導電性金属粒子
に添加し、溶剤を除去する方法をとることが好ましい。
該表面処理剤の添加量は導電性金属粒子に対して0.1
ないし3体積分率01)(シランカツプリング剤と組合
せる場合は合計量が0.2ないし6体積分率(匍程度が
適当である。
その添加量が0.1体積分率(4)以下では作用効果が
不充分であり、3体積分率(4)以上添加することはか
えつて効果を少なくする。このようにして得た導電性粒
子を8ないし40容量体積分率を高分子弾性体中に混合
し、場合によつて磁場をかけたのち架橋させることによ
つて、良好な感圧抵抗体を得ることができる。
本発明で用いうる弾性体には、例えばポリブタジエンゴ
ム、スチレン−ブタジエンゴム、ブタジエン−アクリロ
ニトリルゴム、アクリルゴム、ポリクロロプレンゴム、
ポリイソプレンゴム、エチレン−プロピレンゴム、シリ
コンゴム、ポリペンテナマ一などを挙げることができる
本発明で用いうる導電性金属粒子には、広く知られてい
るようにニツケル、銅、アルミ、銀、スズ、コバルト、
鉄、およびそれらを含む合金を例示することが出来る。
それら金属粒子の形状は球状、樹枝状、花弁状などであ
つてよく、シリカ、シリケート、炭酸カルシウム、カー
ボンブラツクなど充てん剤を混合使用することを防げる
ものではない。本発明に用いられるポリビニルアルコー
ル又はその共重合体は、蟻酸ビニル、酢酸ビニル、プロ
ピオン酸ビニルなどの(共)重合体をケン化し、そのケ
ン化度を20%以上にすることによつて得られる。特に
ポリ酢酸ビニルまたは酢酸ビニル共重合体の完全もしく
は部分ケン化物が好適であり、例えばデユポン社の「エ
ルバノール」はケン化度が43%から100%のものま
で十数種類もあり、他にも多くの市販品があり、いずれ
も本発明に使用することができる。本発明に用いられる
5−ノルボルネン−2−アルキルエステルの開環(共)
重合体8は、有機アルミニウムとハロゲン化タングステ
ンなどを触媒として用いて容易に得ることができる。
開環(共)重合体8には例えば二重結合を有するゴムと
の共重合体、他の置換基例えばタロル基など極性基を含
む置換基で置換されたノルボルネン誘導体との共重合体
、シクロベンゼンなどシクロアルケンとの共重合体、な
どがある。これら開環(共)重合体をアルカリ処理し、
ついで酸処理することにより容易にアルキルエステル基
をカルボキシル基に変えうる(0。本発明に用いられる
2,3一無水カルボキシ一5−ノルボルネンの開環(共
)重合体は構造の一部に(−C−C→(7V−,o)の
単位を含み、他の置換基例えばエステル、ニトリル、ク
ロル基などで置換されたノルボルネン誘導体との共重合
体、シタロアルケンとの共重合体、二重結合を含むゴム
との共重合体などを例示することができる(ハ)。
また、これら開環(共)重合体から容易にその水和物[
F]を作りうる。本発明に用いうる2−トリクロロシリ
ル−5−ノルボルネンの開環(共)重合体は、5−ノル
ボルネン−2−アルキルエステルの開環(共)重合体と
同様にして得られ(ト)、その(共)重合体をピリジン
と水で処理するか、またはCH(0CH3)3で処理す
ることにより容易に誘導体0をうることができる。
上記特定の化合物、または、上記特定の化合物とシラン
カツプリング剤との組合せによる導電性金属粒子表面の
処理は、導電性金属粒子と弾性体とを強固に結合させる
ためではなく、導電性金属粒子と弾性体の硬度との中間
の硬度を有する特定の化合物が金属粒子と弾性体の界面
に介在することが重要である。
本発明に用いられるシランカツプリング剤は一般にRl
Si(R2)3で示される。
ここでR1はアルキルクロル基、ビニル基、メタアクロ
キシ基、エポキシ基、メルカプト基、アミノ基、ペルオ
キシ基などを有する有機官能基を示し、R2はアルコキ
シ基、アセチル基、ク的レ基、アルキルペルオキシ基を
有し、一般に加水分解されやすい。例えば、ガンマクロ
ルプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリクロロシラ
ン、ビニルトリエトキシシラン、ビニル−トリス(ベー
タメトキシエトキシ)シラン、ガンマーメタクロキシプ
ロピルトリメトキシシラン、β−(3,4−エポキシシ
クロヘキシル)エチル−トリメトキシシラン、γ−グリ
シドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセ
トキシシラン、ガンマ−メルカプトプロピルトリメトキ
シシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ガンマーアミ
ノプロピルトリストキシシラン、N−ベーター(アミノ
エチル)−ガンマアミノプロピル−トリメトキシシラン
、ビニルトリスタシヤリブチルペルオキシシランなどを
あげることが出来るが特にビニル基、メタアタロキシ基
、ペルオキシ基を官能基として有するシランカツプリン
グ剤が好ましい。以下、実施例を参照しながらさらに詳
しく説明するが、本発明の要旨を越えない限り、これら
実施例のみに限定されるものではない。
実施例 1 エチレン−ビニルアルコール共重合体(試料A)(日本
合成化学社製GM−14)29をエタノール100me
に溶解し、粒径1〜3μのカルボニルノニツケル382
.79と混合し、減圧下70℃で2時間乾燥させ、表面
処理ニツケル粒子を得た。
表面処理ニツケル粒子186.39と付加型シリコンゴ
ム(信越化学製KEl3OOT)719と同シリコンゴ
ム用架橋剤7.19とをブラベンダ一中で5分間混合し
、厚さ1のモールド中で成形し、一日放置した。成形・
架橋したシートを130℃の恒温箱中で30分間熱処理
し、1c1Lの円形状に試料を切りとつた。(試料1)
比較試料1として、実施例1の表面処理ニツケルの代り
に表面無処理ニツケル186,39を用いて実施例1と
全く同様にして感圧抵抗体を得た。
次に、試料2として、エチレン−ビニルアルコール共重
合体(日本合成化学社製GM−14)19とビニルトリ
メトキシシラン1!lとをエタノール507neに溶解
し、粒径1−3μのカルボニルニツケル191.3yと
混合し、減圧下70℃で2時間乾燥させ、表面処理ニツ
ケル粒子を得た。そのニツケル粒子を用いて、試料1と
全く同様にして試料2を得た。このようにして得た試料
1,2および比較試料1に圧力を加えつつ、電気抵抗を
測定し、圧力ー体積固有抵抗の関係を求めた。
体積固有抵抗が103Ωαになるに要する力、P*Kf
/Cltを感圧抵抗体の電気的性質の尺度として用いた
。104回、試料を(P′l′+1)Kf/Cltまで
加圧し、その時点のP3を求め、表1に示した。
また、各試料を1ケ月間70℃、湿度80%の中に放置
し、同様に戸を求め表1に示した。実施例 2 5−ノルボルネン 2−カルボン酸メチルエス 六塩化タングステンおよびパラアルデヒドを触媒として
用いブテン−1を分子量調節剤に用いて開環重合させた
得られた重合体の収率100%、31℃〔η〕= 、0
.9でガラス化温度は61℃であつトルエン ゜た。
(試料B−1)5−ノルボルネン−2−カルボン酸メチ
ルエステノレ50f!とスチレン−ブタジエンゴムゴム
(日本合成ゴム製JSRl5OO)の再沈精製ゴム50
9とを、シクロベンゼン溶液中で開環共重合させた。
30℃ 収率100%、〔η〕,,占ッ1.4であつた。
(試料B−2)試料B−1の59を1007neのベン
ゼンと10%の力性ソーダ10dとを混合し、還流しつ
つ試料B−1の加水分解を5時間行つた。
その反応系に1%硫酸を加え、反応物を沈澱させ、エタ
ノール水洗滌をしたのち、減圧下で乾燥した。力性カリ
による滴定により、ケン化度が30%であることを確認
した。(試料C−1)得られた試料B−1、B−2、及
びC−1各29を各々クロロホルム100m1に溶解し
、2等分した。
その溶液50T1Leを粒径約70tur1の還元銅粒
子3109に加え、混合したのち室温、減圧下に乾燥し
た。これら各試料を各619の付加型シリコンゴム(信
越化学社製KEl3OOT)とその架橋剤7gにブラベ
ンダ一を用いて5分間混合し、1厚さのモールド上で成
形し、室温で2日間放置して架橋させた。これら架橋シ
ートから、断面1dの円形サンプルをきりとり、実施例
1と同様の試験を行ない、結果を表2に示した。また、
比較試料2として、実施例2で用いた還元銅粒子をその
まま実施例2と同様に用いて円形サンプルを得、結果を
表2に併記した。次に、2等分した残りの溶液各50m
eにN−ベータ(アミノエチル)−ガンマアミノプロピ
ルトリメトキシシラン19を加え、粒径約70μmの還
元銅粒子3109に加え、混合したのち、100℃で減
圧下に乾燥した。
このようにして得られた銅粒子を前記の方法と全く同様
にして、測定結果を得、表2に示した。実施例 3 5−ノルボルネン−2−カルボン酸メチルエステル95
9と2,3一無水カルボキシ一5−ノルボルネン(1)
V−ゝ0)59をジクロルエチレン中でトリエチルアル
ミニウム、六塩化タングステン、およびパラアルデヒド
を触媒に用いて開環共重合させた。
収率99チ、ガラス化温度63℃であつた。(試料D−
1)試料D−1を29とり、ベンゼン50dに溶解し、
10%力性カリ10dを加え、還流下1時間反応させ、
メタノールを加えて、試料E−1を得た。さらに、5−
トリクロロシリル−2−ノルボルネン(『)丁0151
3)5yと5−シアノ−2−ノルボルネン4〉J−6”
′)959をジクロルベンゼン中で、トリイソブチルア
ルミニウム、六塩化タングステン、パラアルデヒドを触
媒として用い、1−ブテンを分子量調節剤に用いて開環
共重合させた。
得られた重合体溶液にオルトギ酸エチルCH(0C25
)33yを加え、撹拌後メタノール中に投入して試料G
−1を得た。収率は100%で、トルエン、30℃中で
の〔η〕は0.55であつた。
得られた試料D−1、E−1、及びG−1を各各0.2
1)0.5g、19、31) 5gとり、トルエン50
wteにとかし、粒径約40μのニツケル金属粒子15
11と混合し、70℃で減圧下にトルエンを除去した。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 ポリビニルアルコール又はその共重合体(A)、5
    −ノルボルネン−2−アルキルエステルの開環(共)重
    合体(B)、その部分けん化物(C)、2,3−無水カ
    ルボキシ−5−ノルボルネンの開環(共)重合体(D)
    、その水和物(E)、2−トリクロロシリル−5−ノル
    ボルネンの開環(共)重合体(F)およびその誘導体(
    G)から選ばれた少くとも1種、またはこれら少なくと
    も1種の化合物(AないしG)とシランカップリング剤
    で表面処理した導電性金属粒子を使用することを特徴と
    する感圧抵抗体。 2 5−ノルボルネン−2−アルキルエステルの開環重
    合体(B)とアミノ基を有するシランカップリング剤と
    で表面処理した導電性金属粒子を使用することを特徴と
    する特許請求の範囲1に記載の感圧抵抗体。
JP10801276A 1976-09-09 1976-09-09 感圧抵抗体 Expired JPS5933924B2 (ja)

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JPS60147473A (ja) * 1984-01-12 1985-08-03 Masahiko Ishiwata 導電性高分子材料の製造方法
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