JPS5933982B2 - リ−ドフレ−ムの製造方法 - Google Patents
リ−ドフレ−ムの製造方法Info
- Publication number
- JPS5933982B2 JPS5933982B2 JP51087500A JP8750076A JPS5933982B2 JP S5933982 B2 JPS5933982 B2 JP S5933982B2 JP 51087500 A JP51087500 A JP 51087500A JP 8750076 A JP8750076 A JP 8750076A JP S5933982 B2 JPS5933982 B2 JP S5933982B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- side edge
- frame manufacturing
- lead
- copper
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B21—MECHANICAL METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
- B21D—WORKING OR PROCESSING OF SHEET METAL OR METAL TUBES, RODS OR PROFILES WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
- B21D28/00—Shaping by press-cutting; Perforating
- B21D28/02—Punching blanks or articles with or without obtaining scrap; Notching
- B21D28/16—Shoulder or burr prevention, e.g. fine-blanking
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はリードフレームの製造方法に関し、特に帯状金
属板に半導体装置用リードフレームを連結して形成する
とき生ずる蛇行を防止することを目的とするものである
。
属板に半導体装置用リードフレームを連結して形成する
とき生ずる蛇行を防止することを目的とするものである
。
一例の半導体装置のパワートランジスタ、ＩＣ等の製造
において、リードフレームに素子を配設し、素子の電極
導出を施す工程がある。
において、リードフレームに素子を配設し、素子の電極
導出を施す工程がある。
上記リードフレームは銅、銅合金、鉄、鉄ニッケル合金
等でなり、パワートランジスタ、パワーＩＣ等には銅、
銅合金が主に使用されるが、半導体装置としてのアウタ
リードの耐折曲強度の問題のため銅、銅合金条の硬度を
低くしてこれを満足させている。第１図に一例のフレー
ム状リードの１個を示し、これが十数個連接された第２
図に示す如き形状にプレスにより抜き加工が施され形成
される。このとき広幅ｗの側縁バー１の送り孔間の間隔
Ａと、狭い幅ｗの側縁バー２の送り孔間の間隔ＢとでＢ
＞Ａとなり、Ａが金型寸法に等しいのに対し、Ｂは数ミ
クロンないし数十ミクロン金型寸法より長くなる。この
ようにリードフレームの全長にわたり「わん曲」を生じ
、中央部で図中をにて示す長さの偏倚をみる。上記をは
実際にはリードを１４個連接した長さ１６ｃｍのものに
ついて条材の硬度が−Ｈ（ＪＩＳ）の場合Ｏ、０５ｕ）
硬度が−Ｈの場合０．３關に達する。
等でなり、パワートランジスタ、パワーＩＣ等には銅、
銅合金が主に使用されるが、半導体装置としてのアウタ
リードの耐折曲強度の問題のため銅、銅合金条の硬度を
低くしてこれを満足させている。第１図に一例のフレー
ム状リードの１個を示し、これが十数個連接された第２
図に示す如き形状にプレスにより抜き加工が施され形成
される。このとき広幅ｗの側縁バー１の送り孔間の間隔
Ａと、狭い幅ｗの側縁バー２の送り孔間の間隔ＢとでＢ
＞Ａとなり、Ａが金型寸法に等しいのに対し、Ｂは数ミ
クロンないし数十ミクロン金型寸法より長くなる。この
ようにリードフレームの全長にわたり「わん曲」を生じ
、中央部で図中をにて示す長さの偏倚をみる。上記をは
実際にはリードを１４個連接した長さ１６ｃｍのものに
ついて条材の硬度が−Ｈ（ＪＩＳ）の場合Ｏ、０５ｕ）
硬度が−Ｈの場合０．３關に達する。
またこの傾向は条の側縁に設けられる側縁バーの幅に差
が大なるもの程著るしく、避けられない変形であり、次
に挙げる欠点がある。即ち半導体組立工程のダイボンダ
、ワイヤボンダ、エンキヤツプ、プレフオーム等の工程
での各マシンにおいてリードフレームの位置決め精度を
悪くする。
が大なるもの程著るしく、避けられない変形であり、次
に挙げる欠点がある。即ち半導体組立工程のダイボンダ
、ワイヤボンダ、エンキヤツプ、プレフオーム等の工程
での各マシンにおいてリードフレームの位置決め精度を
悪くする。
このため半導体組立の歩留が大幅に低下する。本発明は
上記従来の欠点を除去するための改良されたリードフレ
ームの製造方法を提供するものである。
上記従来の欠点を除去するための改良されたリードフレ
ームの製造方法を提供するものである。
即ち本発明は比較的軟質の金属条にプレス加工を施しそ
の金属条の両側縁に異なる幅の側縁バーを有するリード
フレームに形成するものにおいて、広幅の側縁バーに条
体の幅方向のコイン加工を施す工程を備えたことを特徴
とする。
の金属条の両側縁に異なる幅の側縁バーを有するリード
フレームに形成するものにおいて、広幅の側縁バーに条
体の幅方向のコイン加工を施す工程を備えたことを特徴
とする。
次に本発明を一実施例のリードフレームの製造方法につ
き詳細に説明する。
き詳細に説明する。
一例のリードフレームのプレスによる抜き加工を第３図
に示す。即ち図において矢印にて示す方向に型抜きが施
される。図中密斜線を施した「抜型」 （Ｉｌａ、ｌｌ
ｂ・・・）がｍ／ ｃに設けられ、打点を施した型１２
、１２’、１３は「押型」で１２、１２’はリードの一
部を曲げるため、１３は第４図に断面表示する如き「コ
イン加工部」である。これはリードフレームの材質（特
に硬度−Ｈ以下）に応じ加工深さｔ、溝の開度θ、溝端
の径ｒを実験的に調節し適宜選定して用いる。このよう
にして形成されたリードフレームは第５図に示す如く「
わん曲」のないものとなる。即ちこの場合、広幅ｗの側
縁バ一２１の送り孔間の間隔Ａ′と、狭い幅ｗの側縁バ
一２２の送り孔間の間隔Ｂ′とでＢ′二Ｎとなり、とも
に金型に対して数ミクロンないし数十ミクロン大である
が「わん曲」は皆無となる。この種のリードフレームは
ｌピツチにつき上記の程度大きくとも半導体組立上全く
問題にならないが、問題となるものについては予め金型
寸法を１ピツチにつき数ミクロンから数十ミクロン短く
製作し、コイン加工後に正規のピツチに合わせる如くす
ればよく、これも容易に達成しうる。本発明には次に挙
げる利点を備える。
に示す。即ち図において矢印にて示す方向に型抜きが施
される。図中密斜線を施した「抜型」 （Ｉｌａ、ｌｌ
ｂ・・・）がｍ／ ｃに設けられ、打点を施した型１２
、１２’、１３は「押型」で１２、１２’はリードの一
部を曲げるため、１３は第４図に断面表示する如き「コ
イン加工部」である。これはリードフレームの材質（特
に硬度−Ｈ以下）に応じ加工深さｔ、溝の開度θ、溝端
の径ｒを実験的に調節し適宜選定して用いる。このよう
にして形成されたリードフレームは第５図に示す如く「
わん曲」のないものとなる。即ちこの場合、広幅ｗの側
縁バ一２１の送り孔間の間隔Ａ′と、狭い幅ｗの側縁バ
一２２の送り孔間の間隔Ｂ′とでＢ′二Ｎとなり、とも
に金型に対して数ミクロンないし数十ミクロン大である
が「わん曲」は皆無となる。この種のリードフレームは
ｌピツチにつき上記の程度大きくとも半導体組立上全く
問題にならないが、問題となるものについては予め金型
寸法を１ピツチにつき数ミクロンから数十ミクロン短く
製作し、コイン加工後に正規のピツチに合わせる如くす
ればよく、これも容易に達成しうる。本発明には次に挙
げる利点を備える。
（１） リードフレームの材質が硬度−Ｈ質以下の軟い
銅材、銅合金材その他材の場合に「わん曲」なしで製作
できる。
銅材、銅合金材その他材の場合に「わん曲」なしで製作
できる。
（２） リードフレームが軟質材で製作できるのでこれ
を使用した半導体装置の耐足折曲強度が高い。
を使用した半導体装置の耐足折曲強度が高い。
（３）わん曲がないためダイボンダー、ワイヤボンダー
、エンキヤツプ、プレフオーム等の組立工程にて各ｍ／
ｃでの位置決め精度が良好となる。（４）上項の如く位
置決め精度が良好のため各組立工程の法留が大幅に向上
する。またオートボンデイングにはわん曲等のない高精
度リードフレームを必要とするがこれに対しても充分対
処しうる。
、エンキヤツプ、プレフオーム等の組立工程にて各ｍ／
ｃでの位置決め精度が良好となる。（４）上項の如く位
置決め精度が良好のため各組立工程の法留が大幅に向上
する。またオートボンデイングにはわん曲等のない高精
度リードフレームを必要とするがこれに対しても充分対
処しうる。
第１図は１のフレーム状リードの正面図、第２図は従来
のリードフレームの正面図、第３図以降は本発明にか＼
り、第３図は一実施例のリードフレームのプレス加工を
説明するための図、第４図はコイン加工を説明するため
の断面図、第５図は−実施例のリードフレームの正面図
である。 １３・・・コイン加工部、２１・・・広幅の側縁バ一、
２２・・・狭い幅の側縁バ一。
のリードフレームの正面図、第３図以降は本発明にか＼
り、第３図は一実施例のリードフレームのプレス加工を
説明するための図、第４図はコイン加工を説明するため
の断面図、第５図は−実施例のリードフレームの正面図
である。 １３・・・コイン加工部、２１・・・広幅の側縁バ一、
２２・・・狭い幅の側縁バ一。
Claims (1)
- １ 金属帯の両側縁に異なる幅の側縁バーを有するリー
ドフレーム形成のプレス加工工程において、広幅の側縁
バーに帯体の幅方向のコイン加工部を形成することを特
徴とするリードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51087500A JPS5933982B2 (ja) | 1976-07-22 | 1976-07-22 | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51087500A JPS5933982B2 (ja) | 1976-07-22 | 1976-07-22 | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5313358A JPS5313358A (en) | 1978-02-06 |
| JPS5933982B2 true JPS5933982B2 (ja) | 1984-08-20 |
Family
ID=13916688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51087500A Expired JPS5933982B2 (ja) | 1976-07-22 | 1976-07-22 | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5933982B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5472963A (en) * | 1977-11-24 | 1979-06-11 | Hitachi Ltd | Lead frame for semiconductor element |
| JPS57210651A (en) * | 1981-06-19 | 1982-12-24 | Toshiba Corp | Lead frame and manufacture thereof |
| JPS58593U (ja) * | 1981-06-25 | 1983-01-05 | 松下電器産業株式会社 | スピ−カ |
| JPS5947780A (ja) * | 1982-09-13 | 1984-03-17 | Toshiba Corp | 半導体用リ−ドフレ−ム |
| JPS60144248U (ja) * | 1984-03-02 | 1985-09-25 | ロ−ム株式会社 | リ−ドフレ−ム |
| JPS60186048A (ja) * | 1984-11-21 | 1985-09-21 | Hitachi Ltd | リ−ドフレ−ムの形成法 |
-
1976
- 1976-07-22 JP JP51087500A patent/JPS5933982B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5313358A (en) | 1978-02-06 |
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