JPS5935100A - ウイスカ−ケ−キの解体分散法 - Google Patents
ウイスカ−ケ−キの解体分散法Info
- Publication number
- JPS5935100A JPS5935100A JP57144679A JP14467982A JPS5935100A JP S5935100 A JPS5935100 A JP S5935100A JP 57144679 A JP57144679 A JP 57144679A JP 14467982 A JP14467982 A JP 14467982A JP S5935100 A JPS5935100 A JP S5935100A
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- JP
- Japan
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- whisker
- cake
- stirring
- water
- whiskers
- Prior art date
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- Granted
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/60—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
- C30B29/62—Whiskers or needles
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明ｔ」２．６１１Ｃあるいはｒ、＋ｉ、 Ｎ、 Ｏ
生成ウィスカーケーキを解体分散する方法ＫＵＡする。
生成ウィスカーケーキを解体分散する方法ＫＵＡする。
ＳｉＣ，ＳＬ、Ｎ、の純粋単結晶で構成されたウィスカ
ーは、極めて高い強度ならびに弾性率を（ｔｉｌｔえる
うえに材質個有の耐熱性と化学的安定性を有するため古
くから金朽あるいはグラスチックの複合強化相−として
注目されているが、未だに実用化の軌道に乗っていない
。この主要な技術的理由の１つは、生成させたウィスカ
ーを、マトリックス物質中に均質分散しうる状ｎＫＭ体
することが著るしく至齢な点にある。すなわち、ｓｉｃ
ウィスカーまたはＳｉ、Ｎ、ウィスカーは、ｓｉｏ、含
有粉末をカーボンブラックのような炭拐および適宜な生
成空間形成相と混合して反応容器に充填し、不活性雰囲
気あるいは窒素気流中で１４００〜２０００ｔｌ：の／
ＸＪ Ｉ（Ｊ−、Ｊで加熱反応させることにより製造さ
れるが、ｔｌｌられる生成物は密生した短繊維状のウィ
スカーが力１（方向に絡み合った団塊つ゛−キ質のわ１
織形９＠を早１２ておゆ、この生成ウィスカーケーキは
単純な攪拌等の手段によっては解体することが不司能で
ある。また、急激な攪拌または長時間の４Ｆｆ４′１″
を与える場合には、ある程度の解体哄できるもののウィ
スカー（切断、破壊などの損傷を生じて高性能の複合材
料をイすることが困鍍となる。
ーは、極めて高い強度ならびに弾性率を（ｔｉｌｔえる
うえに材質個有の耐熱性と化学的安定性を有するため古
くから金朽あるいはグラスチックの複合強化相−として
注目されているが、未だに実用化の軌道に乗っていない
。この主要な技術的理由の１つは、生成させたウィスカ
ーを、マトリックス物質中に均質分散しうる状ｎＫＭ体
することが著るしく至齢な点にある。すなわち、ｓｉｃ
ウィスカーまたはＳｉ、Ｎ、ウィスカーは、ｓｉｏ、含
有粉末をカーボンブラックのような炭拐および適宜な生
成空間形成相と混合して反応容器に充填し、不活性雰囲
気あるいは窒素気流中で１４００〜２０００ｔｌ：の／
ＸＪ Ｉ（Ｊ−、Ｊで加熱反応させることにより製造さ
れるが、ｔｌｌられる生成物は密生した短繊維状のウィ
スカーが力１（方向に絡み合った団塊つ゛−キ質のわ１
織形９＠を早１２ておゆ、この生成ウィスカーケーキは
単純な攪拌等の手段によっては解体することが不司能で
ある。また、急激な攪拌または長時間の４Ｆｆ４′１″
を与える場合には、ある程度の解体哄できるもののウィ
スカー（切断、破壊などの損傷を生じて高性能の複合材
料をイすることが困鍍となる。
発明者らは、ウィスカーに損傷を与えることなしにケー
キを解体分散する技術について倹討を重ねた結果、生成
ウィスカーケーキを一旧、圧縮してから攪拌するとウィ
スカーのＩＣ傷を全く伴うことなく極めて短時間内に均
一な解体分散が得られるという意外な事実を確認した。
キを解体分散する技術について倹討を重ねた結果、生成
ウィスカーケーキを一旧、圧縮してから攪拌するとウィ
スカーのＩＣ傷を全く伴うことなく極めて短時間内に均
一な解体分散が得られるという意外な事実を確認した。
本発明は、−Ｆ’、 Ｒｊ’、の知見に基づいてなされ
たもので、ＳｉＣあるいｉｊ ８１ｓ Ｎ４の生成ウィ
スカーケーヤをＨ−縮したのら、そのままもしくは水中
で攪拌処理すること′５Ｃ構成的特徴とする。
たもので、ＳｉＣあるいｉｊ ８１ｓ Ｎ４の生成ウィ
スカーケーヤをＨ−縮したのら、そのままもしくは水中
で攪拌処理すること′５Ｃ構成的特徴とする。
生成つ・イスカーケーキの圧縮は、団塊ケーキを壬−ル
ド中傾光填して加圧するｐ−ルド加Ｈ−法、あるいは挟
間１らセをイ〕するロール間を通過させるロール加ｌ（
″法などの７１／１； Ｋよって訃こなわれる。生成ラ
イ７．Ｊ）−ケーキが大塊状である嚇合には、これをそ
のまま漬け装置に入れ数秒間攪拌して小粒化す７）か、
攪１′ｒ４ε置内に水を加えて］ｌ拌小粒化したのち脱
水（５てから圧縮１稈に供することが処理を円１１＋に
進めるうえで便宜である。Ｆ縮の度合は、生成ウィスカ
ーケーキの性状組織とくＫその嵩密度と前記小粒化処理
の有無によって界なるが、概してン、〜寓。の体積収縮
を伴う中でおこなうことが望ましい。体積収縮が４に満
たない圧縮度合では解体分散が十分に達成されず、他方
、曇。
ド中傾光填して加圧するｐ−ルド加Ｈ−法、あるいは挟
間１らセをイ〕するロール間を通過させるロール加ｌ（
″法などの７１／１； Ｋよって訃こなわれる。生成ラ
イ７．Ｊ）−ケーキが大塊状である嚇合には、これをそ
のまま漬け装置に入れ数秒間攪拌して小粒化す７）か、
攪１′ｒ４ε置内に水を加えて］ｌ拌小粒化したのち脱
水（５てから圧縮１稈に供することが処理を円１１＋に
進めるうえで便宜である。Ｆ縮の度合は、生成ウィスカ
ーケーキの性状組織とくＫその嵩密度と前記小粒化処理
の有無によって界なるが、概してン、〜寓。の体積収縮
を伴う中でおこなうことが望ましい。体積収縮が４に満
たない圧縮度合では解体分散が十分に達成されず、他方
、曇。
を越える高圧縮は不要であり、ケーキ質によってｌｄ
５０ ｏ Ｋｇ７ｃ−以上の高い加圧力を必要とするた
め勿実用上も好ましくない。
５０ ｏ Ｋｇ７ｃ−以上の高い加圧力を必要とするた
め勿実用上も好ましくない。
圧縮後の偏平状ウィスカー片は、そのまオもしくは水中
で撹拌処理する。攪拌装置ｍとしては、プロペラ型、タ
ービン型等のインぜう形式の攪拌機、ニーダ”−のよう
な攪拌混合機の１１か空気による浮遊攪拌機など適宜な
機器が用いられる。なお、水中攪拌の場合には、処理す
べきウィスカー片の５０〜１００倍重針の水が使用され
る。
で撹拌処理する。攪拌装置ｍとしては、プロペラ型、タ
ービン型等のインぜう形式の攪拌機、ニーダ”−のよう
な攪拌混合機の１１か空気による浮遊攪拌機など適宜な
機器が用いられる。なお、水中攪拌の場合には、処理す
べきウィスカー片の５０〜１００倍重針の水が使用され
る。
攪拌を開始すると、ウィスカー片はほとんど瞬間的に解
体し、数秒程度の攪拌時間内に完全に分散する。このよ
うな著るしい急速解体分散が達成できる理由については
十分解ツｊするに、至らていないが、前段のＦＪ：線処
理により生成ケーキを構成するウィスカー相斤の物理的
接着が離れて絡み合いが解放され、この状態が短時間撹
拌での円滑な解体分散化を＋＋Ｊ能にするものと推測さ
れる。このため、ＶＷ拌処理を７＋１＋ シてウィスカ
ーに損傷を与えることがない。
体し、数秒程度の攪拌時間内に完全に分散する。このよ
うな著るしい急速解体分散が達成できる理由については
十分解ツｊするに、至らていないが、前段のＦＪ：線処
理により生成ケーキを構成するウィスカー相斤の物理的
接着が離れて絡み合いが解放され、この状態が短時間撹
拌での円滑な解体分散化を＋＋Ｊ能にするものと推測さ
れる。このため、ＶＷ拌処理を７＋１＋ シてウィスカ
ーに損傷を与えることがない。
水中１Ｗ拌による場合には、水中に均一分散したウィス
カーを炉別後、乾燥する。かくして解体分散されたウィ
スカーは、粒形物を全く含まない均質の粉状体で、各種
マトリックス物質に対し常に迅速円滑な混和分散が保障
される性状に転化する。
カーを炉別後、乾燥する。かくして解体分散されたウィ
スカーは、粒形物を全く含まない均質の粉状体で、各種
マトリックス物質に対し常に迅速円滑な混和分散が保障
される性状に転化する。
埋土のように本発明によりば、８１ＣあるいはＳｉ、
Ｎ、 の生成ウィスカーケーキを極めて簡易な処理工程
によりウィスカーに１０傷を与えることなしに解体分散
し、よって従来複合化の隘路とされていたマトリックス
物質中への円滑な均質分散を容易にしたものであるから
産業上に貢献するところ頗る大である。
Ｎ、 の生成ウィスカーケーキを極めて簡易な処理工程
によりウィスカーに１０傷を与えることなしに解体分散
し、よって従来複合化の隘路とされていたマトリックス
物質中への円滑な均質分散を容易にしたものであるから
産業上に貢献するところ頗る大である。
実施例口
８１分に対しＣｏＣ１！７．０重量％を含有するシリカ
ゲル微粉末（２００メツシユ以下）をけい素源原料とし
、これに炭利としてＤＢＰ吸油計１３０ｍｅ／ Ｉ Ｏ
Ｏｆ、よう素吸着糾１０４ ｍＷ／’ｌ の特性を有す
るエエＦＪＡ’Ｆ−）ｉｓ ｌｐ（ファーネスカーボン
ブラック〔東海カーボン■製、’５ＥＡＳＴ ５Ｈ’）
を１１０重酔部、生成空間形成材としてＮａＣ１を
９０電州部の各配合比率で均一に混合した。＃混合原ト
［を高純度黒鉛製反応容器に軽く充填し、反応容器の上
部に黒鉛蓋を付してアチソン型電気炉に移したのち周囲
をコークス粒バッキングで被包した。
ゲル微粉末（２００メツシユ以下）をけい素源原料とし
、これに炭利としてＤＢＰ吸油計１３０ｍｅ／ Ｉ Ｏ
Ｏｆ、よう素吸着糾１０４ ｍＷ／’ｌ の特性を有す
るエエＦＪＡ’Ｆ−）ｉｓ ｌｐ（ファーネスカーボン
ブラック〔東海カーボン■製、’５ＥＡＳＴ ５Ｈ’）
を１１０重酔部、生成空間形成材としてＮａＣ１を
９０電州部の各配合比率で均一に混合した。＃混合原ト
［を高純度黒鉛製反応容器に軽く充填し、反応容器の上
部に黒鉛蓋を付してアチソン型電気炉に移したのち周囲
をコークス粒バッキングで被包した。
炉を通■昇濡し、炉内を非酸化性雰囲気に保持しながら
１６００℃で４時間加熱処理した。加熱処理後、内容物
を解体せずに反応容？；：；から取り出し、大気中で７
００℃の温度に熱処理して残留する炭材成分を燃焼除去
した。得られた生成物は、純粋なＳｉＣウィスカーが蕪
方向に銘み合った藻１ｆｔ質の団塊状ケーキで、構成す
る８１Ｃウイスカーの性状は１６径０．２−０．５７１
ｍ、長さＩＣ１Ｏ−２００μ？ｎのβ型単結晶、ケーキ
の性状は真比重３．１７りｙｃｒｉ、嵩密度０．０４
ｙ／ｃＡ、平均気イ１．率９８．７％であった１、 上記団塊状の生成８１Ｃウイスカーケーギを金型に入れ
てモールド加圧し、体積収縮比の異なる偏乎の圧縮ウィ
スカー片を形成した。
１６００℃で４時間加熱処理した。加熱処理後、内容物
を解体せずに反応容？；：；から取り出し、大気中で７
００℃の温度に熱処理して残留する炭材成分を燃焼除去
した。得られた生成物は、純粋なＳｉＣウィスカーが蕪
方向に銘み合った藻１ｆｔ質の団塊状ケーキで、構成す
る８１Ｃウイスカーの性状は１６径０．２−０．５７１
ｍ、長さＩＣ１Ｏ−２００μ？ｎのβ型単結晶、ケーキ
の性状は真比重３．１７りｙｃｒｉ、嵩密度０．０４
ｙ／ｃＡ、平均気イ１．率９８．７％であった１、 上記団塊状の生成８１Ｃウイスカーケーギを金型に入れ
てモールド加圧し、体積収縮比の異なる偏乎の圧縮ウィ
スカー片を形成した。
次いで、圧縮された各ウィスカー片をプロペラ型攪拌機
に入れ、回転速度１ｌ１０００ｒｐ、で約１秒間攪拌処
理した（乾式攪拌）。これとけ別に、Ｓ−Ｏ情菫劇 プロペラ型攪ｔＰ機中に５４ｓｉＲｉＩ＃の水とともに
ウィスカー片を投入して攪拌処理（回転速度ｓｏｏ。
に入れ、回転速度１ｌ１０００ｒｐ、で約１秒間攪拌処
理した（乾式攪拌）。これとけ別に、Ｓ−Ｏ情菫劇 プロペラ型攪ｔＰ機中に５４ｓｉＲｉＩ＃の水とともに
ウィスカー片を投入して攪拌処理（回転速度ｓｏｏ。
ｒｐｍ 、、攪拌時間約５秒）し、戸別により水分を除
去したのち乾燥した（湿式攪拌）。
去したのち乾燥した（湿式攪拌）。
このようにして解体分散したＳｉＣウィスカーの性状観
？、イ結果を生成ウィスカーケーキの圧縮度合（体積圧
縮比）と対比させて表ＩＫ示した。
？、イ結果を生成ウィスカーケーキの圧縮度合（体積圧
縮比）と対比させて表ＩＫ示した。
表１のつづ鰐
処理後のＳｉＣウィスカー粉状体は、梱包その他の一般
的取扱いによっては最〒再び絡み合うことがない良分散
性を有していた□ なお、前記ＳｉＣウィスカーの生成反応を窒素気流Ｔで
おこなって生成したＳｉ、Ｎ、のウィスカーケーキにつ
いて同様の解体分散処理を実施したところ、上記と同一
の結果がｑ＋ｔもれた。
的取扱いによっては最〒再び絡み合うことがない良分散
性を有していた□ なお、前記ＳｉＣウィスカーの生成反応を窒素気流Ｔで
おこなって生成したＳｉ、Ｎ、のウィスカーケーキにつ
いて同様の解体分散処理を実施したところ、上記と同一
の結果がｑ＋ｔもれた。
比較例
寅施例１の生成ＳｉＣウイスカーク゛−キを圧縮せずに
直接、乾式および洋式による１１拌処理をおこなった。
直接、乾式および洋式による１１拌処理をおこなった。
１か拌機、回転速度、痔式攪拌時の添加水量等は全て実
施例■と同一とじた。
施例■と同一とじた。
その結果、乾式攪拌においては、１分間の攪拌時間でウ
ィスカ−ケーキの団塊は直径１〜３闘程度の部１−林小
塊になったが、これら小塊はウィスカーが絡み合ったも
のであった。さらに攪拌時間４・５〜１０分（て延長１
７たが小塊はほとんどツれず、ウィスカーにｇ）Ｎｊｉ
ｒ旧Ｖが認められた。オた湿に攪拌でｔ」、檀４’１−
１７．Ｖ間を５分稈用までＧ１１−長すると解体はかな
り進行するものの、半分近くが小塊として水中に浮Ｊｊ
： １．、ていた。浮遊小塊は２（１分の１？＃拌時間
で減少ｔ、Ｒ向が門められたが、こｔｌを脱水乾燥して
観察したところウィスカー長さが２０１１ｍＪ２Ｊト“
Ｋ切断＋Ｍ ｆＷを牛じていた。
ィスカ−ケーキの団塊は直径１〜３闘程度の部１−林小
塊になったが、これら小塊はウィスカーが絡み合ったも
のであった。さらに攪拌時間４・５〜１０分（て延長１
７たが小塊はほとんどツれず、ウィスカーにｇ）Ｎｊｉ
ｒ旧Ｖが認められた。オた湿に攪拌でｔ」、檀４’１−
１７．Ｖ間を５分稈用までＧ１１−長すると解体はかな
り進行するものの、半分近くが小塊として水中に浮Ｊｊ
： １．、ていた。浮遊小塊は２（１分の１？＃拌時間
で減少ｔ、Ｒ向が門められたが、こｔｌを脱水乾燥して
観察したところウィスカー長さが２０１１ｍＪ２Ｊト“
Ｋ切断＋Ｍ ｆＷを牛じていた。
実施例２
実Ｍｌｉ例１七同−灸Ｖｒで生成した大環状のＳｉＣウ
ィスカーケーキをその首まプロペラ型１ｔｖｆｆ機に入
れ、回転速度＋ １００ Ｏｒｐｍ’、で約１秒（Ｗ押
した。
ィスカーケーキをその首まプロペラ型１ｔｖｆｆ機に入
れ、回転速度＋ １００ Ｏｒｐｍ’、で約１秒（Ｗ押
した。
この指押操作により、ウィスカーケーキは２〜５ａｍ稈
バ「の小塊群−て粒化した。得られた小塊を連続的に狭
間隙のロール間を２回に司り通過させて、休Ｊｉ’ｌ
Ｉ＋！縮比し１５− ’／！ＯＫＩト縮１７た。
バ「の小塊群−て粒化した。得られた小塊を連続的に狭
間隙のロール間を２回に司り通過させて、休Ｊｉ’ｌ
Ｉ＋！縮比し１５− ’／！ＯＫＩト縮１７た。
次いでｎ−線片をプロペラ型撹拌機に入れ、回転速度１
ｌ１０００ｒｐで１秒間攪拌処理したとζろ、瞬時ＫＭ
体分散して均質の粉状体に転化した。該粉状体は生成時
と同様直径０２〜０．５７ｔｌｎ、長さ７＋０００−２
００７ｚの性状を有する個別８１Ｃウィスカーから構成
されており、処理工ｆｒ［おけるｔＦ４傷は一νぬられ
なかった。
ｌ１０００ｒｐで１秒間攪拌処理したとζろ、瞬時ＫＭ
体分散して均質の粉状体に転化した。該粉状体は生成時
と同様直径０２〜０．５７ｔｌｎ、長さ７＋０００−２
００７ｚの性状を有する個別８１Ｃウィスカーから構成
されており、処理工ｆｒ［おけるｔＦ４傷は一νぬられ
なかった。
実施例３
直径Ｑ、５〜２ ／Ｊｆｆｌ、長さ２２０−４０ｐのＳ
ｉ、Ｎ、ウィスカーが密生集合状に絡み合った組織の大
塊生成ケーキをプロペラ型伶、拌機妬入れ、その９０倍
に相当するｆｌＭの水を性別したのち約５秒間水中４か
拌した。撹拌後の状態は、ウィスカーが１〜３開程度の
小粒として水中に浮遊していた。ｌ′！Ｐ遊小粒全小粒
に入れ軽く絞って脱水した後、２回に百り狭間隙ロール
間を通過させて体格収縮比し１５〜 ’７２０に圧縮し
た。
ｉ、Ｎ、ウィスカーが密生集合状に絡み合った組織の大
塊生成ケーキをプロペラ型伶、拌機妬入れ、その９０倍
に相当するｆｌＭの水を性別したのち約５秒間水中４か
拌した。撹拌後の状態は、ウィスカーが１〜３開程度の
小粒として水中に浮遊していた。ｌ′！Ｐ遊小粒全小粒
に入れ軽く絞って脱水した後、２回に百り狭間隙ロール
間を通過させて体格収縮比し１５〜 ’７２０に圧縮し
た。
ついで圧縮片を５０倍重景の水とともにプロペラ型攪拌
機に入れｒ６１転速度８０００ ｒｐｍで５秒間溝式１
＃拌した。圧縮片は攪拌１１後ＫＩＩｌｒ体し、攪拌終
了時点で完全例均質分散した。水分をｉ戸別乾燥後の粉
状体は、切断破壊等のない分散性良好な個別８ｊ、、
Ｎ、 ウィスカーであった。
機に入れｒ６１転速度８０００ ｒｐｍで５秒間溝式１
＃拌した。圧縮片は攪拌１１後ＫＩＩｌｒ体し、攪拌終
了時点で完全例均質分散した。水分をｉ戸別乾燥後の粉
状体は、切断破壊等のない分散性良好な個別８ｊ、、
Ｎ、 ウィスカーであった。
％ｆ［出沈１八 東海カーボン株式会社代理人 弁理士
高 畑 正 也 −５６２−
高 畑 正 也 −５６２−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 ＲＩ ＧあるいはＳｉ、ＩＮ４の生成ウィスカー
ケーキをＩＥ縮（−たのち、そのままもしくは水中でＩ
税拌処理することを＃＆徴とするウィスカーケーキの解
体分散法。 ２大塊状の生成ウィスカーケーキをそのまま曙拌するか
、水中で攪拌、脱水し−〔小粒化したのち圧縮する特許
請求の範囲第１項記載のウィスカーケーキの解体分散法
。 ３、 ＪＥ縮を、ン５〜Ｘ１５ｏの体積収縮を伴うまで
おこなうｌ持パ’ｌ’１Ｉｌｌ求の範ＥｊＮｆａ １ｘ
Ｈおよび第２Ｊ１′］記載のウィスカーケーキの解体分
散法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57144679A JPS5935100A (ja) | 1982-08-23 | 1982-08-23 | ウイスカ−ケ−キの解体分散法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57144679A JPS5935100A (ja) | 1982-08-23 | 1982-08-23 | ウイスカ−ケ−キの解体分散法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5935100A true JPS5935100A (ja) | 1984-02-25 |
| JPS6121200B2 JPS6121200B2 (ja) | 1986-05-26 |
Family
ID=15367727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57144679A Granted JPS5935100A (ja) | 1982-08-23 | 1982-08-23 | ウイスカ−ケ−キの解体分散法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5935100A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6312999U (ja) * | 1986-07-10 | 1988-01-28 | ||
| JPH0329996U (ja) * | 1989-07-31 | 1991-03-25 |
-
1982
- 1982-08-23 JP JP57144679A patent/JPS5935100A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6121200B2 (ja) | 1986-05-26 |
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